技術(shù)特征：

1.一種打印頭，包括：

芯片堆疊，所述芯片堆疊具有被結(jié)合到一起的多個(gè)芯片和噴嘴板；

流體通道，所述流體通道在整個(gè)所述芯片堆疊中延伸，使流體能夠流入在所述芯片堆疊中的底部芯片、經(jīng)過所述芯片堆疊、并經(jīng)過所述噴嘴板中的噴嘴而噴射出；和

薄膜鈍化層，所述薄膜鈍化層覆蓋所述流體通道的所有表面。

2.如權(quán)利要求1所述的打印頭，其中，所述薄膜鈍化層包括原子層沉積（ALD）薄膜層。

3.如權(quán)利要求1所述的打印頭，其中，所述薄膜鈍化層包含選自包括氧化鉿（HfO₂）、二氧化鋯（ZrO₂）、氧化鋁（Al₂O₃）、二氧化鈦（TiO₂）、氮化鉿硅（HfSi₃N₄）、氧化硅（SiO₂）、氮化硅（Si₃N₄）的組的材料。

4.如權(quán)利要求1所述的打印頭，其中，所述薄膜鈍化層包括在原子層沉積（ALD）工藝中每次形成一層的多個(gè)單分子層。

5.如權(quán)利要求1中所述的打印頭，包括：

外表面；和

在所述外表面上的非濕潤(rùn)層；

其中所述薄膜鈍化層也覆蓋在所述外表面上的所述非濕潤(rùn)層。

6.如權(quán)利要求1所述的打印頭，其中，所述芯片堆疊包括：

被堆疊在基板芯片上的電路芯片；

被堆疊在所述電路芯片上的壓電執(zhí)行器芯片；和

被堆疊在所述壓電執(zhí)行器芯片上的蓋芯片；

其中從所述電路芯片到所述蓋芯片相繼布置的各芯片比前一個(gè)芯片窄。

7.如權(quán)利要求6所述的打印頭，還包括：

在所述壓電執(zhí)行器芯片中的壓力室；

在所述電路芯片中的流入歧管和進(jìn)口，用以將油墨提供給所述壓力室；

在所述電路芯片中的流出歧管和出口，從而允許油墨離開所述壓力室；和

在所述流入歧管與流出歧管之間的旁通通道，從而使油墨能夠繞過所述壓力室。

8.如權(quán)利要求7所述的打印頭，還包括：

形成于所述蓋芯片中的蓋腔，用以保護(hù)壓電執(zhí)行器；和

在所述蓋腔中與所述壓電執(zhí)行器相對(duì)的有羅紋上表面。

9.如權(quán)利要求8所述的打印頭，其中，所述壓電執(zhí)行器包括形成于與所述壓力室相鄰的柔性隔膜上的薄膜PZT（鋯鈦酸鉛）執(zhí)行器，所述柔性隔膜響應(yīng)于所述壓電執(zhí)行器的啟動(dòng)而彎曲進(jìn)入所述壓力室。

10.如權(quán)利要求8所述的打印頭，還包括：

在所述壓電執(zhí)行器芯片中的壓力室；

包括ASIC控制電路的所述壓力室的底板；和

在所述蓋芯片中與所述壓力室的底板相對(duì)的下降部，用以提供所述壓力室與所述噴嘴之間的流體連通。

11.如權(quán)利要求10所述的打印頭，其中，所述壓電執(zhí)行器包括分置壓電執(zhí)行器，所述分置壓電執(zhí)行器具有在所述下降部的一側(cè)上的第一執(zhí)行器段和在所述下降部的另一側(cè)上的第二執(zhí)行器段。

12.一種打印盒，包括：

壓電式打印頭，所述壓電式打印頭是由多層芯片堆疊所限定；

流體通道，所述流體通道構(gòu)成在整個(gè)所述芯片堆疊中的內(nèi)表面面積從而使流體能夠從底部基板芯片流動(dòng)到頂部噴嘴板中的噴嘴；和

薄膜鈍化層，所述薄膜鈍化層遮蓋全部的所述內(nèi)表面面積。

13.如權(quán)利要求12所述的打印盒，包括：

具有多個(gè)壓電式打印頭的打印頭組件；和

用于容納打印流體且支撐所述打印頭組件的殼體。

14.一種打印桿，包括：

支撐多個(gè)壓電式打印頭的打印頭組件，各打印頭具有形成于整個(gè)多層的芯片堆疊中的內(nèi)部流體通道；

其中各打印頭中的所述內(nèi)部流體通道被在全部表面面積上的薄膜鈍化層所覆蓋。

15.如權(quán)利要求14所述的打印桿，其中，所述薄膜鈍化層包括通過原子層沉積工藝所形成的氧化鉿（HfO₂）層。