專利名稱：：光信息記錄介質(zhì)及其記錄和/或讀取方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光信息記錄介質(zhì)及其記錄和/或讀取方法。本發(fā)明優(yōu)選地特別適于一次寫入型光信息記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：在包括CD和DVD的光信息記錄介質(zhì)中，目前有機染料材料主要被用作一次寫入型信息記錄介質(zhì)材料。這是因為，當使用有機染料材料時，在記錄或讀取所用的激光的波帶上，相對比較容易支持與根據(jù)標準需要相對較高反射率的只讀存儲器(ROM)之間的可互換性。此外，該記錄介質(zhì)可以通過在旋涂有機染料之后根據(jù)濺射法形成反射層的簡單工藝來生產(chǎn)。使用有機染料材料在諸如設(shè)備投資的制造成本方面是有利的。然而，由于在記錄或讀取時所采用的激光的波長已經(jīng)變短，并且已經(jīng)使用在藍紫光的波帶內(nèi)的激光(波長大約為400urn)，情況變得不同了。具體地說，不容易制備在記錄靈敏性和信號特性方面可以與該波長的激光相匹配的有機染料。通過傳統(tǒng)的簡單工藝不能容易地實現(xiàn)記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)。此外，在高密度記錄中的推挽信號或串擾方面還明顯發(fā)現(xiàn)不利的情況，當根據(jù)旋涂法來制造記錄介質(zhì)時，不能保持岸部(landpart)與槽部(groovepart)的一致性。為了滿足要求，當前迫切希望應用無機記錄材料而不是有機染料材料。盡管過去已經(jīng)研究了采用無機記錄材料的記錄介質(zhì)，但是由于這種記錄介質(zhì)難以與具有高反射率的ROM相互換，并且形成多層材料需要昂貴的濺射設(shè)備，所以這種記錄介質(zhì)的實際應用被擱置了。然而，無機記錄介質(zhì)對于所使用的激光的波長的依賴性通常不像有機材料那么高。而且，近年來已經(jīng)實現(xiàn)的多個記錄層的形成(包括多個記錄層使得相同尺寸的光盤的記錄容量變大二倍或更多)比采用有機染料材料更容易實現(xiàn)。因此，使用無機記錄材料作為新一代的光記錄材料來代替有機染料材料成為主流，并且無機記錄材料已經(jīng)被投入實際應用。作為無機記錄材料，過去提出了各種不同類型的材料。例如，提出了一種采用使由不同金屬材料制成的兩層或更多層薄膜連接的記錄層的光記錄介質(zhì)(參見專利文獻1)。在該光記錄介質(zhì)中，使用激光輻射所散發(fā)的熱來使多層膜部分地重組成合金以形成單個膜，從而形成記錄標記。作為應用該方法的各實例，隨著材料的不同改變，而提出了各種不同的形式(例如，參考專利文獻2)。此外，提出了使用用于記錄層的氧化物的一次寫入型光記錄介質(zhì)(例如，參考專利文獻3和4)。然而，前述記錄介質(zhì)不能被稱作完全滿足一次寫入型光信息記錄介質(zhì)所需的所有條件。具體地說，記錄在一次寫入型光信息記錄介質(zhì)中的信息需要如其初始被寫入的一樣穩(wěn)定地長期保存(檔案特性)；在信號讀取過程中，信號不能被讀取激光破壞(讀取穩(wěn)定性)；以及寫特性能夠保持而不會由于正常的長期保存而導致其惡化(擱置壽命特性)。上述傳統(tǒng)記錄介質(zhì)不能稱作滿意地具有這些特性。此外，從制造記錄介質(zhì)的成本或保留制造過程中的利潤的角度來說，構(gòu)成記錄介質(zhì)的層的數(shù)量需要盡可能的小，并且需要制造過程簡單。而且，在記錄和讀取特性方面需要足夠的靈敏性和足夠的響應速度。從而對于較寬范圍的線速度保證優(yōu)秀的記錄/讀取信號。提出一種采用無機記錄材料的光記錄介質(zhì)具有由包含Zn、Sn、Sb和Te的合金制成的記錄層的介質(zhì)(參考專利文獻5);具有包含由AxB^表示的化合物作為主要成分的記錄材料制成的記錄層的介質(zhì)(其中A表示選自Zn、Ga、In、Si、Ge、Sn、Bi和Sb的組中的至少一種元素，B表示選自Se、Te、S和O的組中的至少一種元素，以及x表示用2.03.0的數(shù)值范圍內(nèi)的平均配位數(shù)的構(gòu)成比)(參考專利文獻6);具有形成有表示為Mw((SbzTd.z)i.w(0<w<0.3，0.5<z<0.9，以及M表示選自In、Ga、Zn、Ge、Sn、Si、Cu、Au、Ag、Pd、Pt、Pb、Cr、Co、O、S和Se的組中的至少一種元素)的合金薄膜的記錄層的介質(zhì)(參考專利文獻7和8);具有由包含作為主要成分的Te、作為次要成分的包含選自Ge、Sb、Bi、Se、S、As、Tl、In、Ga、Au、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni和Co的組中的至少一種元素的原子百分比總數(shù)等于或大于30且小于60的合金、以及作為添加劑的選自ZnS、ZnTe、ZnSe、Si02、Ti02、A1203、TiC、ZrC以及HfC的組中的至少一種材料的一種材料制成的記錄層的介質(zhì)(參考專利文獻9);包括具有被表示為SbaInbSncZndSieOfSh(其中a>0，b>0,c>0，d>0，e>0，f>0，h>0，并且滿足a+b+c+d+e+f+h=100)的組合物的記錄層的介質(zhì)(參考專利文獻10);包括具有表示為SbaXbSncZndSieOfSh(其中X表示選自In、Ge、Al、Zn、Mn、Cd、Ga、Ti、Si、Te、Nb、Fe、Co、W、Mo、S、Ni、O、Se、Tl、As、P、Au、Pd、Pt、Hf、以及V中的元素，并且a>0，b>0，c>0，d>0，e>0，fM)，h>0，并且滿足a+b+c+d+e+f+h=100)的組合物的記錄層的介質(zhì)(參考專利文獻11);以及包括包含選自Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La的組中的至少一種金屬M以及在被記錄激光束照射時與金屬M鍵聯(lián)從而與金屬M產(chǎn)生化合物晶體的元素X的記錄層的介質(zhì)(參考專利文獻12和13)。專利文獻l:JP-A-62-204442專利文獻2:日本專利第3066088號專利文獻3:JP-B-54-7458專利文獻4:JP-A-2006-281751專利文獻5:JP-A-11-235873專利文獻6:JP-A-8-104060專利文獻7:JP-A-10-172179專利文獻8:JP-A-2001-2366卯專利文獻9:JP-A-5-1243536專利文獻10:JP-A-2003-72244專利文獻ll:JP-A-2003-182237專利文獻12:JP-A-2005-125726專利文獻13:JP-A-2005-129192如上所述，難以廉價地提供一種具有以下特性的一次寫入型光信息記錄介質(zhì)長期穩(wěn)定如初始般保存在其上記錄的信息；在信號讀取過程中信號不受到讀取激光的損壞；維持寫特性而不會由于正常長期保存而劣化；提供滿意的靈敏度和滿意的響應速度；以及相對于較寬范圍的線速度或記錄功率可以實現(xiàn)出色的記錄和讀取特性。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種滿足上述的所有條件的光信息記錄介質(zhì)，以及該光信息記錄介質(zhì)的記錄和/或讀取方法。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的發(fā)明人等已經(jīng)進行努力研究來解決上述問題。因此，本發(fā)明的發(fā)明人等已經(jīng)找到并且試驗驗證了通過采用包含ZnS、Si02和Sb作為主要成分的材料來作為光信息記錄介質(zhì)的記錄層的材料能夠滿足前述的條件，進而作出本發(fā)明。為了解決上述問題，第一發(fā)明提供了一種光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，該光信息記錄介質(zhì)包括包含ZnS、SiOi和Sb作為主要成分的記錄層。第二發(fā)明提供了一種用于光信息記錄介質(zhì)的記錄和/或讀取方法，該光信息記錄介質(zhì)包括包含ZnS、Si02和Sb作為主要成分的記錄層。該記錄和/或讀取方法的特征在于通過4吏波長等于或大于385nm且等于或小于415nm的激光落在記錄層上來實現(xiàn)記錄和/或讀取。在光信息記錄介質(zhì)中，通過激光的照射使記錄層經(jīng)歷質(zhì)變來記錄信息，該質(zhì)變伴隨著光學常數(shù)的改變。如果必要，除了ZnS、Si02和Sb之夕卜，記錄層還可以包含選自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的組中的至少一種元素。記錄層優(yōu)選地具有滿足下面化學式(1)的組合物。[(ZnS)x(SiOUy(SbHy(1)其中，滿足0〈x《1.0，0.3<y<0.7，以及0.8〈z《1.0，X表示選自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的組中的至少一種元素。記錄層的厚度是根據(jù)需要決定的。為了優(yōu)異的記錄和讀取特性，該厚度優(yōu)選地等于或大于3nm且等于或小于40nm。在光信息記錄介質(zhì)中，通常記錄層存在于基底上。除了記錄層之外，光信息記錄介質(zhì)還可以設(shè)置有由金屬或半金屬制成的反射層，或由電介質(zhì)形成的保護層，從而它可以表現(xiàn)出期望的記錄和讀取特性。層的數(shù)量和層的順序可以根據(jù)期望的記錄和讀取特性自由地選擇。通常，光信息記錄介質(zhì)具有介于基底和記錄層之間的反射層。用于記錄和/或讀取的激光落在光信息記錄介質(zhì)的記錄層側(cè)上。反射層通常由確保高反射率的金屬和/或半金屬制成。光信息記錄介質(zhì)包括在記錄介質(zhì)的至少一側(cè)面上與記錄介質(zhì)的表面接觸布置的保護層，并且該保護層是由電介質(zhì)形成的?；蛘?，光信息記錄介質(zhì)包括介于基底和記錄層之間的反射層，以及介于反射層和記錄層之間的保護層，該保護層在記錄層的一側(cè)上與記錄層的表面接觸，并且由電介質(zhì)形成。記錄和/或讀取激光落在光信息記錄介質(zhì)的記錄層側(cè)上?；蛘撸庑畔⒂涗浗橘|(zhì)包括介于基底和記錄層之間的反射層；介于反射層和記錄層之間的第一保護層，該第一保護層在記錄層的一側(cè)上與記錄層的表面接觸，并由電介質(zhì)形成；以及第二保護層，其設(shè)置為在與基底相對的記錄層的一側(cè)上與記錄層的表面相接觸，并由電介質(zhì)形成。記錄和/或讀取激光落在光信息記錄介質(zhì)的記錄層側(cè)。光信息記錄介質(zhì)可以包括一個記錄層或可以包括多個記錄層，即，可以是多層光信息記錄介質(zhì)。由于包括包含ZnS、Si()2和Sb作為主要成分的記錄層或包括具有滿足化學式(1)的組合物的記錄層的光信息記錄介質(zhì)表現(xiàn)出高反射率和寬功率范圍，多層光信息記錄介質(zhì)通常可以包括作為最遠離記錄和/或讀取激光的入射/發(fā)射側(cè)的記錄層的記錄層，該記錄層包含ZnS、Si02、和Sb作為主要成分或具有滿足化學式(1)的組合物。可以采用已知的一次寫入型或可再寫型的記錄層或僅允許讀取的記錄層作為除了最遠的記錄層之外的記錄層。用于在光信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和/或讀取的激光的波長通常等于或大于385nm且等于或小于415nm。然而，本發(fā)明不局限于該波長。在具有前述結(jié)構(gòu)的第一和第二發(fā)明中，包含ZnS、Si02和Sb作為主要成分的記錄層，或特別地，具有表示為[(ZnS)x(Si02)Lxy(SbzX^;h-y的組合物的記錄層穩(wěn)定性極好并且表現(xiàn)了對波長等于或大于385nm且等于或小于415nm的激光的優(yōu)異的靈敏性和響應速度。根據(jù)本發(fā)明，記錄的信息如其初始般被穩(wěn)定地長期保存；信號在信號讀取過程中不會被讀取激光損壞；寫特性被保持，而不會由于正常的長期保存而劣化；由于不僅構(gòu)成記錄介質(zhì)的層的數(shù)量小，而且制造工藝簡單，所以記錄介質(zhì)的制造成本和制造工藝的利潤能夠被確保；對于記錄和/或讀取激光提供滿意的靈敏性和響應速度；相對于較寬范圍的線速度或記錄功率表現(xiàn)出的優(yōu)異的記錄和讀取特性；對記錄和/或讀取激光的波長的依賴性是有限的；不需要初始化；即使對于讀取激光的功率也能確保卓越的穩(wěn)定性；以及環(huán)境可靠性高。圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的截面視圖。圖2是示出了根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)的相對于記錄功率的調(diào)制度的變化的曲線示意圖。圖3是示出了根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)的相對于記錄功率的抖動的變化的曲線示意圖。圖4是示出了在根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)的落有記錄/讀取激光的那一側(cè)上被用作保護層的Ta20s膜的厚度和反射率之間的關(guān)系的曲線示意圖。圖5是示出了根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)的記錄層的組合物與記錄和讀取特性之間的關(guān)系的曲線示意圖。圖6是示出了根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)的記錄層的組合物和記錄和讀取特性之間的關(guān)系的曲線示意圖。圖7是示出了根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)在80。C和85°/。RH的環(huán)境下保存200小時之前和之后所觀測到的反射率的曲線示意圖。圖8是示出了根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)在80'C和85%RH的環(huán)境下保存200小時之前和之后所觀測到的調(diào)制度的曲線示意圖。圖9是示出了根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)在80'C和85%RH的環(huán)境下保存200小時之前和之后所觀測到的相對于記錄功率的抖動的變化的曲線示意圖。圖10是示出了在根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)上以0.6mW的功率、19.68m/s的線速度執(zhí)行一百萬次讀取操作的情況下觀測到的調(diào)制度的變化的曲線示意圖。圖11是示出了在根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)上以0.6mW的功率、19.68m/s的線速度執(zhí)行一百萬次讀取操作的情況下觀測到的抖動的變化的曲線示意圖。圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的截面視圖。圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的截面視圖。圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的截面視圖。圖15是示出了根據(jù)實例2的光信息記錄介質(zhì)的相對于記錄功率的調(diào)制度的變化的曲線示意圖。圖16是示出了根據(jù)實例2的光信息記錄介質(zhì)的相對于記錄功率的抖動的變化的曲線示意圖。圖17是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的截面視圖。具體實施例方式下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。在實施例的所有附圖中，相同的附圖標號表示相同或等同的部件。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的光信息記錄介質(zhì)1。如圖1所示，在光信息記錄介質(zhì)1中，反射層11、保護層12、記錄層13、保護層14、以及透光保護層15依次層疊在基底10上。通過使波長例如等于或大于385nm且等于或小于415nm的激光進入或離開透光保護層15側(cè)來在光信息記錄介質(zhì)1上執(zhí)行記錄/讀取。光信息記錄介質(zhì)1通常具有盤狀的形狀。然而，光信息記錄介質(zhì)1的形狀不限于盤狀的形狀。記錄層13包含ZnS、Si02和Sb作為主要成分，如果必要的話，還包含選自Zn、Ga、Te、V、Si、Ta和Tb的組中的至少一種元素，并且優(yōu)選地具有由化學式(1)所表示的組合物。作為記錄介質(zhì)13的形成方法，優(yōu)選地采用濺射方法。然而，形成記錄介質(zhì)13的方法不限于濺射方法?；?0的材料、厚度以及形成方法在確保期望的特性的情況下可以任意選擇。作為制成基底10的材料，考慮到成本，優(yōu)選為諸如聚碳酸酯或丙烯酸樹脂的塑料材料。然而，基底10的材料不限于塑料材料?？梢圆捎弥T如玻璃的任何其它材料。此外，在記錄/讀取激光進入或離開透光保護層15側(cè)的情況下，基底10不需要是透明的。因此，諸如金屬的非透明材料也可以被用作基底10的材料。當采用塑料材料作為基底10的材料時，采用紫外光固化樹脂的注射成型法或光致聚合物法(2P法)可以被用于形成基底10?；?0的材料和形成方法不限于上面所提及的。只要能滿意地保證期望的形狀(例如，具有1.1mm的厚度和120mm的直徑的盤狀)和基底10的表面上的光平滑，任何材料和形成方法都可行?；?0的厚度不限于任何特定值，但是優(yōu)選地等于或大于0.3mm且等于或小于1.3mm。當基底10的厚度小于0.3mm，光信息記錄介質(zhì)1的強度可能被惡化，并且光信息記錄介質(zhì)1很可能會翹曲。相反，如果基底10的厚度大于1.3mm，光信息記錄介質(zhì)1的厚度變?yōu)榇笥诤穸葹?.2mm的CD或DVD的厚度。在這種情況下，當構(gòu)造與所有類型的記錄介質(zhì)相兼容的記錄/讀取驅(qū)動器時，可能不能共用相同的碟盤。此外，凹凸槽軌道或坑點可以形成在基底10的一側(cè)的表面中，在該側(cè)上形成有記錄層13和其它層。在該種情況下，記錄/讀取激光可以被槽引導以使該激光可以移動到光信息記錄介質(zhì)1上的任意位置，或能夠獲得地址信息。順便提及，對于槽的形狀，可以采用包括螺旋形、同心形和坑串的各種形狀?？梢曰诜瓷鋵?1所要求表現(xiàn)的特性來任意選擇和使用通常用于傳統(tǒng)已知光盤的金屬或半金屬作為反射層11的材料，例如Ag合金或Al合金。此外，應該采用除了具有反光性之外還具有散熱性的材料作為反射層11的材料。在這種情況下，反射層ll可以被設(shè)置為具有作為散熱層的功能。保護層12和14旨在保護記錄層13并控制記錄/讀取過程中的光特性和熱特性。可以基于保護層12和14所需要表現(xiàn)的特性來任意選擇和使用通常用于傳統(tǒng)已知光盤的電介質(zhì)作為保護層12和14的材料，例如SiN、ZnS-Si02、或Ta203。如上所述，當使記錄/讀取激光進入或離開透光保護層15側(cè)時，透光保護層15優(yōu)選地被形成為不表現(xiàn)出對激光的吸收性。具體地，例如，透光保護層15的厚度等于或小于0.3mm。此時，相對于記錄/讀取激光的透射率為卯％或更高的材料優(yōu)選地被選擇作為透光保護層15的材料。特別地，當透光保護層15的厚度在3|am至177jum的范圍內(nèi)時，如果包括在用于光信息記錄介質(zhì)1的記錄/讀取驅(qū)動器的記錄/讀取光系統(tǒng)中的透鏡的高數(shù)值孔徑NA(例如，0.85)被結(jié)合使用，則可以實現(xiàn)高密度記錄。只要前述條件滿足，透光保護層15的結(jié)構(gòu)和形成方法不限于任何特定結(jié)構(gòu)和形成方法。具體地，可以通過使用旋涂儀等施加120.3mm或更少(例如，O.lmm)的期望厚度的紫外光固化樹脂，然后進行紫外光照射以固化樹脂來形成透光保護層15，其中紫外光固化樹脂經(jīng)固化后在記錄/讀取激光的波帶內(nèi)不表現(xiàn)出吸收性?；蛘?，通過將透光片(膜)放置在通過旋涂法施加的厚度在例如5至15nm范圍內(nèi)的紫外光固化型粘合劑上，然后進行紫外光照射來形成透光保護層15,透光片(膜)在光學上足夠平滑，并且由厚度為0.3mm或更少的諸如聚碳酸酯樹脂或丙烯酸樹脂的塑料材料制成。或者，通過使用諸如壓敏粘合劑(PSA)的粘合劑來粘合透光片可以形成透光保護層。如果必要，由有機或無機材料制成的保護層(未示出)可以形成在透光保護層15的表面上，用于防止灰塵黏附到透光保護層15的表面或防止在透光保護層15的表面上形成瑕瘋。保護層也優(yōu)選地由對于記錄/讀取激光幾乎不表現(xiàn)出吸收性的材料制成。(實例1)如下所述制造光信息記錄介質(zhì)1，采用了具有數(shù)值孔徑為0.85的兩組物鏡和以在藍紫外光的波帶內(nèi)的405nm波長發(fā)光的半導體激光源的光盤記錄/讀取裝置在該光信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄/讀取。使用注射模制造在其一側(cè)具有槽的聚碳酸酯基底作為基底10，聚碳酸酯基底具有l(wèi).lmm的厚度、0.32Rm的軌道間距以及20nm的槽深。在聚碳酸酯基底上，根據(jù)濺射法順序地形成作為反射層11的100nm厚的Ag合金膜、作為保護層12的30nm厚的1&205膜、20nm厚的記錄層13、以及作為保護層14的30nm厚的1級205膜。另外，在根據(jù)旋涂法在最外層的Ta20s膜上施加15jam厚的紫外光固化型粘合劑之后，在粘合劑上放置由聚碳酸酯制成的85|am厚的透光片(膜)，并進行紫外光照射以形成透光保護層15。這樣制成光信息記錄介質(zhì)1。為了根據(jù)濺射法形成記錄層13，使用將ZnS、Si02、Sb和Zn混合制備的單一物質(zhì)乾，并以95sccm注入Ar氣。在該狀態(tài)下，執(zhí)行共濺射。根據(jù)盧瑟福背散射分析方法(RBS)來測量所獲得的薄膜的組合物。原子序數(shù)比近似于Zn:Sb:Si:S:O-14:15:2:10:9。這相當于被表示為化學式(1)的組合物被賦值為x=0.8，y=0.45，且z-0.9。測量這樣制成的光信息記錄介質(zhì)1。為了測量，釆用了由PulstecIndustrialCo.,Ltd制造的ODU-1000(激光波長405nm)、由AdvantestCorp.制成的頻i普分才斤4義R3267、和由LeaderElectronicsCorp.制造的抖動分析儀LE1876。在光信息記錄介質(zhì)1上以遵守藍光盤25-GB密度標準的4.92m/s的線速度和74.50nm的信道比特長(channelbitlength)執(zhí)行信號測量。除了4.92m/s的線速度，還以9.84m/s的雙倍線速度和19.68m/s的四倍線速度執(zhí)行信號記錄。為了進行抖動測量，采用由PulstecIndustrialCo.，Ltd.制造的限制均衡器處理的信號。該均衡器增益為7.0dB。這樣，對光信息記錄介質(zhì)1執(zhí)行記錄/讀取測量。在4.92m/s的線速度(一倍的速度)下，當記錄功率為4.9mW時，抖動為5.9%。假設(shè)調(diào)制度被定義為相對于用于每8T空閑部(spacepart)的信號電平I8H和用于每8T標記部(markpart)的信號電平I8L的(I8H-I8L)/18H，其值為53%。因此，表現(xiàn)了非常出色的記錄和讀取特性。此外，在9.84m/s的雙倍線速度(兩倍的速度)下，當記錄功率是6.8mW時，抖動(jitter)為6.3%,以及調(diào)制度為56%。在19.68m/s的四倍線速度(四倍的速度)下，當記錄功率為7.2mW時，抖動為5.9%，以及調(diào)制度為64%。圖2和圖3示出了記錄/讀取測量的結(jié)果。如圖2所示，光信息記錄介質(zhì)1在任何線速度下都具有高記錄靈敏性，并表現(xiàn)了非常出色的記錄和讀取特性。如圖3所示，當將8.5%的抖動作為上限時，記錄功率的變化幅度足夠?qū)捯匀菰S在任何線速度下的大約±15%的功率變化。因此，光信息記錄介質(zhì)具有足夠?qū)挼墓β史?powermargin)。光信息記錄介質(zhì)1的反射率是16%。如果需要較高的反射率，如圖4所示，通過控制在一側(cè)上落有記錄/讀取激光的用作保護層1414的Ta20s膜的厚度，可以提供20%或更高的反射率。因此，通過優(yōu)化光熱特性可以進一步改善信號特性。圖5示出了當表示記錄層13的組合物的化學式(1)中的y發(fā)生變化時發(fā)生的抖動變化，圖6示出了當化學式(1)中的x發(fā)生變化而其中的y固定為0.4時發(fā)生的抖動變化。圖5和圖6證明了提供在0〈x《1.0且0.3《y《0.7之間的低抖動。此外，表l示出了當化學式(1)中的元素X改變時發(fā)生的記錄和讀取特性的改變。表l還示出了作為比較例，在Mg被作為X的情況下，所獲得的記錄和讀取特性的測量的結(jié)果。表1證明了當化學式(1)中的元素X是Ga、Te、V、Si、Zn、Ta或Tb時，提供了出色的記錄和讀取特性；但是在X為Mg的比較例中，沒有提供出色的記錄和讀取特性。表2示出了在記錄層13的組合物被表示為[(ZnS)。.8(Si02)。.2。.4(SbzGaLz)0.6情況下，當z改變時發(fā)生的記錄和讀取特性的改變。表2證明了當化學式(1)中的z滿足0.8<z<1.0時，提供了出色的記錄和讀取特性。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>钃非常出色O出色A稍差X差<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>非常出色O出色A稍差x差如圖5、圖6、表1和表2所示，記錄和讀取特性可以通過改變記錄層13的組合物而被改變。圖5證明當滿足0.3《y<0.7，或更特別地，滿足0.4<y<0.5時，提供了特別低的抖動。此外，圖6證明了當滿足0〈x《1.0時，如果x大約在0.4至1.0的范圍內(nèi)，則提供了特別低的抖動；并且當x大約在0.3至大約0.9的范圍內(nèi)，則提供更低的抖動。在根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)1上執(zhí)行預定記錄之后，將其放入80和85%RH的恒溫恒濕環(huán)境中。然后，經(jīng)過200小時后，測量與前述相同的記錄和讀取特性。結(jié)果，如圖7、圖8和圖9所示，所測量的反射率、調(diào)制度、以及抖動的值與在將光信息記錄介質(zhì)投入恒溫恒濕環(huán)境之前所測量到的值相比沒有改變。盡管圖中未示出，所測量到的記錄靈敏度和C/N的值與在將光信息記錄介質(zhì)投入恒溫恒濕環(huán)境之前所測量到的值相比也沒有改變。因此，光信息記錄介質(zhì)1即使在惡劣的環(huán)境下顯然也可以長時間保持良好的特性。在根據(jù)實例1的光信息記錄介質(zhì)1上執(zhí)行預定記錄，并在比通常更苛刻的讀取功率條件下執(zhí)行讀取。如圖10和圖11所示，即使在以19,68m/s的四倍線速度且以0.6mW的功率執(zhí)行一百萬次讀取時，抖動和調(diào)制度也沒有改變。因此，光信息記錄介質(zhì)1即使重復讀取顯然也可以長時間保持滿意的記錄狀態(tài)。如上所述，根據(jù)第一實施例，當記錄層13包含ZnS、Si()2和Sb作為主要成分，并且優(yōu)選地具有表示為化學式(1)的組合物時，可以廉價地提供一次寫入型光信息記錄介質(zhì)，在該介質(zhì)中，記錄的信息1可以長時間被穩(wěn)定如初地保存；信號不會被信號讀取時的讀取激光破壞；寫特性被保持而不會由正常長期保存引起惡化；提供了優(yōu)異的靈敏性和優(yōu)異的響應速度；以及相對于較寬的線性速度或記錄功率范圍可以實現(xiàn)出色的記錄和讀取信號特性。一次寫入型光信息記錄介質(zhì)優(yōu)選地用于波長等于或大于385nm且等于或小于415nm的激光被用于記錄/讀取的情況下。接下來，下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光信息記錄介質(zhì)。圖12示出了光信息記錄介質(zhì)2。如圖12所示，在光信息記錄介質(zhì)2中，類似于第一實施例的光信息記錄介質(zhì)1，反射層11、保護層12、記錄層13、保護層14、以及透光保護層15層疊在基底10上。此外，保護層16介于保護層12和記錄層13之間。保護層16旨在防止反射層12的材料(例如Ag合金膜)和記錄層13的ZnS-SK)2彼此發(fā)生反應。采用具有對抗Ag原子或類似物的屏障功能的保護層，例如，采用SiN膜。在第二實施例中，除了上述的不同點以外，其他結(jié)構(gòu)都與第一實施例相同。根據(jù)第二實施例，可以提供與第一實施例的優(yōu)點相同的優(yōu)點。接下來，下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的光信息記錄介質(zhì)。圖13示出了光信息記錄介質(zhì)3。如圖13所示，在光信息記錄介質(zhì)3中，反射層11、保護層12、記錄層13、以及保護層14的放置順序與在根據(jù)第一實施例的光信息記錄介質(zhì)1中的放置順序相反。具體地，在光信息記錄介質(zhì)3中，保護層14、記錄層13、保護層12、以及反射層11順序地層疊在基底10上，以及透光保護層15層疊在保護層11的最上層。通過使激光進入或離開基底10側(cè)來在光信息記錄介質(zhì)3上執(zhí)行記錄/讀取。在該種情況下，釆用對記錄/讀取激光幾乎不表現(xiàn)出吸收性的材料作為基底10的材料，例如，諸如聚碳酸酯或丙烯酸樹脂的塑料材料。在第三實施例中，除了上述的不同點以外，其他結(jié)構(gòu)與第一實施例的結(jié)構(gòu)相同。根據(jù)第三實施例，可以提供與第一實施例的優(yōu)點相同的優(yōu)點。接下來，下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的光信息記錄介質(zhì)。圖14示出了光信息記錄介質(zhì)4。如圖14所示，在光信息記錄介質(zhì)4中，類似于根據(jù)第一實施例的光信息記錄介質(zhì)1，反射層11、保護層12、記錄層13、和保護層14順序地層疊在基底10上。然而，與根據(jù)第一實施例的光信息記錄介質(zhì)1不同的是，在保護層14上順序地層疊中間層17和記錄層18,并且透光保護層15層疊在記錄層18上。光信息記錄介質(zhì)4是包括兩個記錄層13和18的兩層光信息記錄介質(zhì)。通過使激光進入或離開透光保護層15側(cè)來在光信息記錄介質(zhì)4上執(zhí)行記錄/讀取。中間層17可以通過例如以下步驟形成使用旋涂儀或類似物施加期望厚度(例如，20至30jim)的紫外光固化樹脂，或者粘合光固化PSA，然后執(zhí)行紫外光照射，其中，紫外光固化樹脂被固化后在用于記錄/讀取的激光波帶內(nèi)不表現(xiàn)出吸收性，并且光固化PSA在被固化后在用于記錄/讀取的激光波帶內(nèi)不表現(xiàn)出吸收性。具有凹凸槽軌道的基底可以用于在紫外線照射過程中轉(zhuǎn)印(transfer)凹凸槽軌道。第二記錄層18被構(gòu)造為表現(xiàn)出足夠高的透射率，以使記錄/讀取激光穿過第二記錄層進入或離開第一記錄層13來執(zhí)行記錄/讀取。記錄層18可以是一次寫入型或可再寫型的記錄層，或者可以是僅允許讀取的記錄層。(實例2)如下所述，制造在其上由光盤記錄/讀取設(shè)備執(zhí)行記錄/讀取的光信息記錄介質(zhì)4，光盤記錄/讀取設(shè)備采用具有0.85的數(shù)值孔徑的兩組物鏡以及發(fā)出在藍紫光的波帶范圍內(nèi)的405nm波長的光的半導體激光源。使用注射模制造在其一側(cè)具有槽的聚碳酸酯基底作為基底10，聚碳酸酯基底具有l(wèi).lmm的厚度、0.32jLim的軌道間距以及20nm的槽深。在聚碳酸酯基底上，根據(jù)賊射法順序地形成作為反射層11的100nm厚的Ag合金膜，作為保護層12的30nm厚的Ta20s膜、20nm厚的記錄層13，以及作為保護層14的30nm厚的13205膜。在根據(jù)旋涂法在最外層的Ta20s膜上施加25jim厚的紫外光固化型粘合劑之后，聚碳酸酯壓模用于轉(zhuǎn)印槽軌道，并且執(zhí)行紫外光照射以形成中間層17。在中間層17上形成第二記錄層18。此外，在根據(jù)旋涂法向記錄層18施加15jum厚度的紫外光固化型粘合劑之后，放置85jam厚的聚碳酸酯透光片(膜)，然后執(zhí)行紫外光照射以形成透光保護層15。這樣，制成光信息記錄介質(zhì)4。測量這樣制成的光信息記錄介質(zhì)4。為了測量，采用了由PulstecIndustrialCo.,Ltd制造的ODU-1000(激光波長405nm)、由AdvantestCorp.制成的頻鐠分析儀R3267、和由LeaderElectronicsCorp.制造的抖動分析儀LE1876。在光信息記錄介質(zhì)4上以遵守藍光盤DL50GB密度標準的4.92m/s的線速度和74.50nm的信道比特長執(zhí)行信號測量。除了4.92m/s的線速度，還以9.84m/s的雙倍線速度和19.68m/s的四倍線速度執(zhí)行信號記錄。為了進行抖動測量，采用由PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造的限制均衡器處理的信號。該均衡器增益為7.0dB。對光信息記錄介質(zhì)4執(zhí)行記錄/讀取測量。在4.6%的反射率和4.92m/s的線速度(一倍的速度)下，當記錄功率為9.1mW時，抖動為6.3%。當調(diào)制度被定義為相對于用于每8T空閑部(spacepart)的信號電平I8H和用于每8T標記部(markpart)的信號電平I8L的(I8H-I8L)/18H，其值為57%。因此，光信息記錄介質(zhì)4表現(xiàn)了非常出色的記錄和讀取特性。在9.84m/s的雙倍線速度(兩倍的速度)下，當記錄功率是6.8mW時，抖動為6.5%,調(diào)制度為58%。在19.68m/s的四倍線速度(四倍的速度)下，當記錄功率為11.9mW時，抖動為6.5%,調(diào)19制度為65%。圖15和圖16示出了記錄/讀取測量的結(jié)果。如圖15所示，光信息記錄介質(zhì)4對于任何線速度都具有高記錄靈敏性，并表現(xiàn)了非常出色的記錄和讀取特性。如圖16所示，假設(shè)8.5%的抖動為上限時，記錄功率中的變化幅度足夠?qū)捯匀菰S在任何線速度下的大約±15%的功率變化。因此，光信息記錄介質(zhì)4具有足夠?qū)挼墓β史?。根?jù)第四實施例，具有與第一實施例的優(yōu)點相同的優(yōu)點的兩層的一次性寫光信息記錄介質(zhì)可以被廉價地提供。接下來，下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的光信息記錄介質(zhì)。圖17示出了光信息記錄介質(zhì)5。如圖17所示，在光信息記錄介質(zhì)5中，類似于第一實施例的光信息記錄介質(zhì)l，反射層ll、保護層12、記錄層13、和保護層14可以順序地層疊在基底10上。其不同于第一實施例的光信息記錄介質(zhì)l之處在于中間層19、記錄層20、中間層21、記錄層22、中間層23、以及記錄層24進一步順序地層疊在保護層14上；并且透光保護層15層疊在記錄層24上。光信息記錄介質(zhì)4是具有四層記錄層13、20、22、和24的四層光信息記錄介質(zhì)。通過使激光進入或離開透光保護層15側(cè)來在光信息記錄介質(zhì)4上執(zhí)行記錄/讀取。中間層19、21、和23可以通過以下步驟形成使用旋涂儀或類似物施加期望厚度(例如，20至30|im)的紫外光固化樹脂，或者粘合光固化PSA，然后執(zhí)行紫外光照射，其中，紫外光固化樹脂被固化后在用于記錄/讀取的激光波帶內(nèi)不表現(xiàn)出吸收性，并且光固化PSA在被固化后在用于記錄/讀取的激光波帶內(nèi)不表現(xiàn)出吸收性。具有凹凸槽軌道的基底可以用于在紫外線照射過程中轉(zhuǎn)印凹凸槽軌道。第二記錄層20、第三記錄層22、以及第四記錄層24被構(gòu)造為表現(xiàn)出足夠高的透射率以使記錄/讀取激光穿過記錄層進入或離開第一記錄層13來執(zhí)行記錄/讀取。記錄層20、22、和24可以是一次寫入型或可再寫型的記錄層，或者可以是僅允許讀取的記錄層。根據(jù)第五實施例，具有與第一實施例的優(yōu)點相同的優(yōu)點的四層的一次性寫光信息記錄介質(zhì)可以被廉價地提供。以上具體地描述了本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明不限于這些實施例?；诒景l(fā)明的技術(shù)思想可以產(chǎn)生多種變形。例如，在第一至第五實施例以及實例1和2中采用的數(shù)值、材料、結(jié)構(gòu)和形狀僅僅是示例性的。如有必要，可以采用不同的數(shù)值、材料、結(jié)構(gòu)和形狀。權(quán)利要求1.一種光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光信息記錄介質(zhì)包括包含ZnS、SiO2和Sb作為主要成分的記錄層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層包含選自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的組中的至少一種元素。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層具有滿足下面化學式(1)的組合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中滿足0〈x《1.0,0.3<y<0.7，且0.8〈z《1.0,X表示選自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的組的至少一種元素。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所示記錄層的厚度等于或大于3nm且等于或小于40nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光信息記錄介質(zhì)的所述記錄層在基底上。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光信息記錄介質(zhì)在所述基底和所述記錄層之間具有反射層；并且記錄和/或讀取激光進入記錄層側(cè)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述反射層由金屬和/或半金屬制成。8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光信息記錄介質(zhì)包括保護層，該保護層在所述記錄層的至少一側(cè)上與所述記錄層的表面接觸布置，并由電介質(zhì)形成。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光信息記錄介質(zhì)包括介于所述基底和所述記錄層之間的反射層、以及介于所述反射層和所述記錄層之間的保護層，該保護層在所述記錄層的一側(cè)上與所述記錄層的表面接觸并由電介質(zhì)形成；并且記錄和/或讀取激光進入記錄層側(cè)。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光信息記錄介質(zhì)包括介于所述基底和所述記錄層之間的反射層；介于所述反射層和所述記錄層之間的第一保護層，該第一保護層在所述記錄層的一側(cè)上與所述記錄層的表面接觸并由電介質(zhì)形成；以及第二保護層，該第二保護層在與所述基底相對的所述記錄層的一側(cè)上與所述記錄層的表面接觸布置，并由電介質(zhì)形成，并且記錄和/或讀取激光進入記錄層側(cè)。11.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光信息記錄介質(zhì)包括多個記錄層。12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述光信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和/或讀取所使用的激光的波長等于或大于385nm且等于或小于415nm。13.—種用于光信息記錄介質(zhì)的記錄和/或讀取方法，該光信息記錄介質(zhì)包括包含ZnS、Si()2和Sb作為主要成分的記錄層，其特征在于，通過使波長等于或大于385nm且等于或小于415nm的激光進入所述記錄層來執(zhí)行記錄和/或讀取。全文摘要通過在基底10上順序地層疊反射層11、保護層12、記錄層13、保護層14、以及透光保護層13來構(gòu)造光信息記錄介質(zhì)1?？梢圆捎冒琙nS、SiO₂和Sb作為主要成分的記錄層，或優(yōu)選地由組合物化學式[(ZnS)_x(SiO₂)_1-x]_y(Sb_zX_1-z)_1-y(其中滿足0＜x≤1.0，0.3≤y≤0.7且0.8＜z≤1.0，X表示選自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的組中的至少一種元素)表示的記錄層作為記錄層13。文檔編號B41M5/26GK101541553SQ2008800003公開日2009年9月23日申請日期2008年2月19日優(yōu)先權(quán)日2007年4月16日發(fā)明者宮脅真奈美,黑田裕兒申請人:索尼株式會社