專利名稱：：光學記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光學記錄介質(zhì)及其制造方法。更特別地，本發(fā)明涉及具有無機記錄膜的光學記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：近年來，需要具有高密度記錄的光學記錄介質(zhì)，能夠記錄大量信息。例如，為滿足這樣的需求，已經(jīng)制訂了藍光光盤(注冊商標；下文稱為，BD)的標準Vl.l,并且高分辨率圖像能夠記錄并存儲到該光學記錄介質(zhì)。假設(shè)高分辨率的標準再現(xiàn)速度為l倍速(lx),依據(jù)BD的標準VU，光盤已經(jīng)處理高達2倍速(2x)的記錄。但是，用戶要求更高的速度用于記錄。在被認為是光盤的旋轉(zhuǎn)速度的極限的接近1000rpm的速度下，光盤必須處理CLV(恒定線速度)模式的4倍速(4x)。而且，未來需要處理以超過10倍速(10x)的采用CAV(恒定角速度)模式的記錄。因此，光學記錄介質(zhì)即使在這樣的高速記錄中也必須具有足夠的記錄特性。在另一方面，作為對應(yīng)于以高達2倍速(2x)進行記錄的BD-R(BD-可寫)介質(zhì)，市場上可以購買到具有由鎘(Ge)的氧化物膜制成的氧化物膜和鄰近于氧化物膜設(shè)置并由鈦(Ti)制成的金屬膜的介質(zhì)(例如，參考JP-A-2006-281751)。盡管這樣的一次性光學記錄介質(zhì)由3層膜或4層膜構(gòu)成，介質(zhì)具有寬的功率裕度(powermargin)和高的耐久性。但是，在具有前述膜構(gòu)造的一次寫入型光學記錄介質(zhì)中，如果信息信號是以4倍速(4x)的線性速度記錄，功率裕度較窄并且需要改進窄的功率裕度。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是提供具有無機記錄膜的高速記錄時的功率裕度能夠得以提高的光學記錄介質(zhì)，及提供用于這樣的介質(zhì)的制造方法。3題。下文中將描述它的概要。依據(jù)本發(fā)明的知識，為在高速記錄中實現(xiàn)足夠?qū)挼墓β试６?，而又不增加總的膜的?shù)量，有效的是添加添加劑至每一層的材料。而且，依據(jù)本發(fā)明的知識，在具有含有鎘(Ge)的氧化物的氧化物膜及含有鈦(Ti)作為無機記錄膜的相鄰膜的一次寫入型光學記錄介質(zhì)中，其記錄原理是氧化物膜在記錄時分離為具有不同氧組分的兩層。發(fā)生這樣的分離是因為相鄰膜鄰接氧化物膜。相鄰膜表面在氧分離中具有重要角色，并且認為記錄原理是在相鄰膜表面上氧化的鈦(Ti)吸收了記錄光并出現(xiàn)光催化作用。這因為在如下的例子中獲得的實驗結(jié)果而得到了間接的確認在例子中，未含有鈦(Ti)而例如含有鋁(Al)或銀(Ag)作為主要成分的材料被用于相鄰膜，或者具有僅數(shù)nm厚的SiN、ZnS-Si02等惰性介質(zhì)膜形成在相鄰膜和氧化物膜之間，調(diào)制度(modulationdegree)極度惡化并且氧化物膜未能清晰分離。因此，基于關(guān)于前述的記錄原理的知識，本發(fā)明已經(jīng)進行了卓有成效的研究以改進對于高速記錄的記錄特性。由此，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在添加添加劑至相鄰膜的例子中，添加劑對于記錄特性施加了較大的影響，并且在錳(Mn)添加到相鄰膜的例子中，獲得了較寬的功率裕度，尤其是在高速記錄中。本發(fā)明基于如上的測試得出。為解決前述問題，依據(jù)本發(fā)明的第一發(fā)明，提供了具有無機記錄膜的光學記錄介質(zhì)，其特征在于無機記錄膜具有含有鎘(Ge)的氧化物的氧化物膜；和含有鈦(Ti)和錳(Mn)并鄰接氧化物膜的相鄰膜。依據(jù)本發(fā)明的第二發(fā)明，提供了具有無機記錄膜的光學記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于包括如下的步驟形成含有鎘(Ge)的氧化物的氧化物膜；和形成含有鈦(Ti)和錳(Mn)并鄰接氧化物膜的相鄰膜。依據(jù)本發(fā)明，推測由于相鄰膜含有錳(Mn)，氧化物膜中的氧的分離速度能夠進一步升高。如上所述，依據(jù)本發(fā)明，由于相鄰膜含有鈦(Ti)和錳(Mn),高速記錄時的功率裕度能夠得以提高。因此，高速記錄時的記錄特性能夠得以提高。圖1示出了依據(jù)本發(fā)明的第一實施例的一次寫入型光學記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)性例的示意性橫截面視圖2示出了依據(jù)本發(fā)明的第二實施例的一次寫入型光學記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)性例的示意性橫截面視圖；并且圖3示出了例2到15和比較例2中的Mn含量、功率裕度和記錄敏感性之間的關(guān)系的曲線圖。具體實施例方式下文中將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。(1)第一實施例(1-1)一次寫入型光學記錄介質(zhì)的構(gòu)造圖1示出了依據(jù)本發(fā)明的第一實施例的一次寫入型光學記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)性例的示意性橫截面視圖；一次寫入型光學記錄介質(zhì)10具有無機記錄膜2、介質(zhì)膜3和光透射層4順序地層疊在基底1上的構(gòu)造。在依據(jù)第一實施例的一次寫入型光學記錄介質(zhì)10中，通過從光透射層4一側(cè)照射激光至無機記錄膜2，進行信息信號的記錄和/或再現(xiàn)。例如，波長范圍在400nm至41Onm之間的激光束由數(shù)值孔徑范圍在0.84到0.86之間的物鏡會聚并從光透射層4一側(cè)照射至無機記錄膜2，這樣使得信息信號的記錄和/或再現(xiàn)得以執(zhí)行。作為這樣的一次寫入型光學記錄介質(zhì)IO,可舉出例如BD-R。下文中將順序描述構(gòu)成一次寫入型光學記錄介質(zhì)10的基底1、無機記錄膜2、介質(zhì)膜3和光透射層4。(基底)基底l具有環(huán)形形狀，開口(下文中，參考為中心孔)形成在中心處?；譴的主平面為凹/凸平面11。無機記錄膜2形成在凹/凸平面ll上。下文中，凹/凸平面ll的凹陷部分參考為凹槽(In-groove)11Gin，并且凹/凸平面ll的凸出部分參考為槽脊(On-groove)11Gon。關(guān)于凹槽llGin和槽脊llGon的形狀，例如，可舉出例如螺旋形、同心形。凹槽11Gin和/或槽脊11Gon擺動(wobble)以添加地址信息?；譴的直徑選擇為例如120mm?？紤]剛度選擇基底l的厚度，優(yōu)選地從0.3mm到1.3mm中選擇，更為優(yōu)選地從0.6mm到1.3mm中選擇，并且選擇為例如l.lmm。中心孔的直徑選擇為15mm。關(guān)于基底l的材料，例如，能夠使用例如聚碳酸酯型樹脂、聚烯烴型樹脂、丙烯酸型樹脂等的塑料，或玻璃等。在考慮到成本的情況中，優(yōu)選的是使用塑料作為基底1的材料。(無機記錄膜)無機記錄膜2由順序地層疊在基底l的凹/凸表面ll上的金屬膜2a和氧化物膜2b構(gòu)成。金屬膜2a含有鈦(Ti)和錳(Mn)。如果鈦(Ti)和錳(Mn)用作主要材料，通常能夠獲得良好的記錄特性。錳(Mn)的含量優(yōu)選地在l原子百分比到40原子百分比的范圍之間，更為優(yōu)選地，在2原子百分比到30原子百分比的范圍之間，并且進一步優(yōu)選地，在5原子百分比到28原子百分比的范圍之間。這是因為通過設(shè)置錳(Mn)含量在這樣的范圍內(nèi)，能夠提高高速記錄時的功率裕度并且能夠改進高速記錄時的記錄特性。另外優(yōu)選的是允許少量的氮(N)包含在金屬膜2a中。如此，能夠調(diào)節(jié)記錄敏感性。氧化物膜2b由例如鎘(Ge)的氧化物GeO制成。氧化物膜2b的吸收系數(shù)優(yōu)選地在0.15到0.90之間的范圍內(nèi)，更為優(yōu)選地，在0.20到0.70之間，并且進一步優(yōu)選地，從0.25到0.60。氧化物膜2b的厚度優(yōu)選地在10nm至35nm范圍內(nèi)。通過滿足從0.15到0.90的范圍，例如，良好的調(diào)制度和載波噪聲比(下文中，參考為C/N比)能夠得以實現(xiàn)。通過滿足從0.20到0.70的范圍，例如，相比更好的調(diào)制度和C/N比能夠得以實現(xiàn)。通過滿足從0.25到0.60的范圍，例如，更為良好的調(diào)制度和C/N比能夠得以實現(xiàn)。說明書中的吸收系數(shù)k是在410nm的波長的條件下測量的值。為了該測量，使用了偏振光橢圓率測量儀(由RudolphCo.，Ltd制造；商品名AutoEL-462P17)。添加劑可以添加到氧化物膜2b。作為添加劑，例如，能夠使用碲(Te)、鈀(Pd)、柏(Pt)、鉻(Cr)、鋅(Zn)、金(Au)、硅(Si)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、錫(Sn)、銻(Sb)、錳(Mn)、銦(In)、鋯(Zr)等。通過添加這樣的添加劑，能夠改進耐久性和/或反應(yīng)性(記錄敏感性)。為改進耐久性，特別地，尤其優(yōu)選的是鈀(Pd)、鈾(Pt)、鉻(Cr)、或銻(Sb)。(介質(zhì)膜)介質(zhì)膜3設(shè)置在與之接觸的無機記錄膜2上并用以構(gòu)成對無機記錄膜2的光學或機械保護，即，提高了耐久性，抑制了變形，即，抑制記錄時的無機記錄膜2的膨脹等。作為介質(zhì)膜3，例如，能夠使用SiN、ZnS-Si02、A1N、A1203、Si02、Si02-Cr2OrZr02(SCZ)等。為改進記錄信號的S/N比并實現(xiàn)好的特性，優(yōu)選的是使用ZnS-Si02作為介質(zhì)膜3。介質(zhì)膜3的厚度在例如從10nm到100nm的范圍內(nèi)。(光透射層)光透射層4由例如具有環(huán)形形狀的透光片(膜)和用于粘結(jié)透光片在基底l上的粘結(jié)層構(gòu)成。粘結(jié)層由例如紫外線硬化樹脂或壓敏粘結(jié)劑(PSA)制成。光透射層4的厚度優(yōu)選地選自從10^im到177lam的范圍并且選擇為例如100!im。高密度記錄能夠通過組合這樣的薄的光透射層4和具有高的例如大約0.85的NA(數(shù)值孔徑)的物鏡而實現(xiàn)。優(yōu)選的是透光片由對用于記錄和/和再現(xiàn)的激光束的吸收性能較低的材料制成。特別地，優(yōu)選的是透光片由透射率等于或大于90%的材料制成。作為透光片的材料，例如，可舉出聚碳酸酯樹脂材料或聚烯烴型樹脂(例如，Xeonex(注冊商標))。透光片的厚度優(yōu)選地選擇為0.3mm或更小并且更為優(yōu)選地，選自從3pm到177itim的范圍。光透射層4的孔(直徑)選擇為例如22.7mm。(1-2)—次寫入型光記錄介質(zhì)的制造方法隨后，將描述依據(jù)本發(fā)明的第一實施例的一次寫入型光學記錄介質(zhì)的制造方法的例。(基底的成型步驟)首先，成型已經(jīng)在一個主平面上形成凹/凸表面ll的基底l。作為基底l的成型方法，例如，可使用注射成型(注射)法、光敏聚合物法(2P法光聚合)等。(金屬膜的膜形成步驟)隨后，基底l被傳送進入具有由例如鈦(Ti)和錳(Mn)制成的靶的真空室，并且真空室內(nèi)保持真空直至其壓力達到預(yù)定壓力。之后，在引入處理氣體進入真空室的同時，濺射靶且金屬膜2a形成在基底l上。下面示出了在膜形成步驟中的膜形成條件的例。真空P艮度(ultimatevacuum):5.0x10-5Pa大氣O.l至0.6Pa施加電功率l到3Kw氣體種類Ar氣和&氣Ar氣流速10到40sccmN汽流速l到10sccm(氧化物膜的膜形成步驟)隨后，基底l被傳送進入具有由例如鎘(Ge)制成的靶的真空室并且真空室內(nèi)保持真空直至其壓力達到預(yù)定壓力。之后，在引入處理氣體進入真空室的同時，賊射靶且氧化物膜2b形成在基底1上方。下面示出了在膜形成步驟中的膜形成條件的例。真空限度5.0xlO-5Pa大氣O.l至0.6Pa施加電功率l到3Kw氣體種類Ar氣和02氣Ar氣流速24sccm02氣流速9sccm(介質(zhì)膜的膜成型步驟)隨后，基底1被傳送進入具有由例如ZnS-Si02制成的靶的真空室并且真空室內(nèi)保持真空直至其壓力達到預(yù)定壓力。之后，在引入處理氣體進入真空室的同時，賊射靶且介質(zhì)膜3形成在基底1上方。下面示出了在膜形成步驟中的膜形成條件的例。真空限度5.0xl0-5Pa大氣O.l至0.6Pa施加電功率l到4Kw氣體種類Ar氣Ar氣流速Gsccm(光透射層的膜形成步驟)隨后，環(huán)形透光片通過使用壓敏粘結(jié)劑(PSA)而粘結(jié)到基底1上的凹/凸表面ll側(cè)上，壓每文粘結(jié)劑(PSA)預(yù)先均勻地涂覆該片的一個主平面。由此，形成光透射層4以覆蓋在基底l上/上方形成的每個膜。通過前述步驟獲得在圖1中示出的一次寫入型光學記錄介質(zhì)10。依據(jù)本發(fā)明的第一實施例，能夠?qū)崿F(xiàn)如下的效果。由于能夠僅通過順序地層疊金屬膜2a、氧化物膜2b、介質(zhì)膜3和光透射層4在基底1上而形成一次寫入型光學記錄介質(zhì)10，能夠提供具有簡單膜結(jié)構(gòu)的具有高記錄密度的一次寫入型光學記錄介質(zhì)IO，即低價的具有高記錄密度的一次寫入型光學記錄介質(zhì)IO。高速記錄時的功率裕度等能夠僅通過添加錳(Mn)到金屬膜2a內(nèi)而得以提高。因此，能夠通過例如總計三或四層或更少層的膜設(shè)置在高速記錄中具有優(yōu)秀記錄特性的一次寫入型光學記錄介質(zhì)IO，而又不增加膜的總數(shù)。即，能夠設(shè)置在高速記錄中具有優(yōu)秀記錄特性的一次寫入型光學記錄介質(zhì)IO，而不會導(dǎo)致工廠和設(shè)備投入成本的增加。另外，由于金屬膜2a含有鈦(Ti),還能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)秀的耐久性。由于錳(Mn)具有低的導(dǎo)熱性，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的記錄敏感性。而且，由于錳(Mn)是過渡元素并且另外如鈥(Ti)一樣具有極其穩(wěn)定的化學特性，能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)秀的耐久性。因此，在具有含有鈦(Ti)和錳(Mn)的金屬膜2a的一次寫入型光學記錄介質(zhì)中，能夠?qū)崿F(xiàn)改進高速記錄時的記錄特性(寬的功率裕度)，同時具有穩(wěn)定的記錄敏感性和耐久性。記錄時，金屬膜2a的物理特性在記錄前的時刻和記錄后的時刻幾乎不改變，并且金屬膜2用作促進金屬膜2和氧化物膜2b之間的界面處的反應(yīng)，即，引起所謂的催化操作。記錄之后，氧化物膜2b中的氧分離并且含有大量氧組分的Ge層形成在金屬膜2a的界面中。采用這種方式，氧化物膜2b分離為穩(wěn)定的兩個層，所述兩個層的光學常量不同并且其保存穩(wěn)定性較高。當再現(xiàn)光照射至已經(jīng)分離成為如上提到的兩層的氧化物膜2b時，反射光量發(fā)生變化，從而獲得良好的再現(xiàn)信號。(2)第二實施例依據(jù)第二實施例，介質(zhì)膜由具有不同材料和組分的多個介質(zhì)膜構(gòu)成。在將作為例描述的情況中，介質(zhì)膜由具有不同材料和組分的兩層介質(zhì)膜構(gòu)成。圖2示出了依據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光學記錄介質(zhì)的構(gòu)造性例的橫截面視圖。類似于前述第一實施例中的部分的部分由相同的參考標號標注，并略去對于它們的描述。介質(zhì)膜5由第一介質(zhì)膜5a和第二介質(zhì)膜5b構(gòu)成，并且第二介質(zhì)膜5b設(shè)置在光透射層4一側(cè)上。第一介質(zhì)膜5a由例如具有高的膜形成速度的ZnS-Si02制成。第二介質(zhì)膜5b由比ZnS-Si02更穩(wěn)定的例如SiN等的介質(zhì)材料制成。依據(jù)本發(fā)明的第二實施例，能夠獲得除前述第一實施例的效果的如下效果。由于第二介質(zhì)膜5b設(shè)置在第一介質(zhì)膜5a和光透射層4之間，能夠抑制包含在第一介質(zhì)膜5a中的例如硫(S)組分與光透射層4中的PSA等反應(yīng)、光透射層4惡化、及耐久性惡化的情況。即，能夠抑制光斑中發(fā)生大量畸變、再現(xiàn)信號惡化等的情況。本發(fā)明在下文中將通過例子具體地解釋。本發(fā)明并不僅限于這些例。在如下例中，對應(yīng)于前述實施例的部分標注為相同的參考標號。作為本發(fā)明的例，示出了依據(jù)使用數(shù)值孔徑0.85的2組物鏡和波長405nm的紫藍光半導(dǎo)體激光光源用作BD的光學系統(tǒng)的光盤記錄和再現(xiàn)設(shè)備而設(shè)計的一次寫入型光學記錄介質(zhì)IO。作為評估設(shè)備，使用了Pulstec工業(yè)有限公司制造的BD光盤檢測器"ODU-1000"。光源波長為405.2nm。關(guān)于抖動，通過使用由Yokogawa電子公司制造的時間間隔分析4義"TA720，，測量通過由Pulstec工業(yè)有限公司制造的均衡器板的信號。均衡器與標準一致，測量穿過限幅均衡器后得到的信號的抖動。另外，為測量幅度、調(diào)制度等，使用了由Tektronix公司制造的數(shù)字示波器"TDS7104"。記錄的線性速度設(shè)置為19.67m/sec(4倍速記錄)。再現(xiàn)的線性速度設(shè)置為4.92m/sec(l倍速)。信道位長度設(shè)置為74.50nm(用于直徑12cm的光盤的25GB記錄密度)。調(diào)制系統(tǒng)設(shè)置為17PP。作為最小刻錄長度的2T刻錄標志的刻錄長度等于0.149pm。8T刻錄標志的刻錄長度等于0.596pm。道間距設(shè)置為0.32pm。盡管存在數(shù)個關(guān)于功率裕度的測量的具體方法，在本說明書中，通過限.幅均衡器后的抖動值等于或小于8.5%的范圍被定義為記錄敏感性的裕度，并且通過其功率范圍除以最佳功率獲得的值被定義為功率裕度。(例l)首先，通過注射成型而制造出具有1.1mm厚度的聚碳酸酯基底(下文中，參考為PC基底)1。具有凹槽llGin和槽脊llGon的凹/凸表面ll形成在PC基底1上。凹槽11Gin的深度設(shè)置為20nm并且道間距設(shè)置為0.32pm。隨后，具有22nm厚度的TiMn膜2a、具有25nm厚度的GeO膜2b、具有52nm厚度的ZnS-Si02膜5a和具有4nm厚度的SiN膜5b通過使用膜形成設(shè)備(由Unaxis有限公司制造，商品名稱Sprinter)而連續(xù)地形成在基底l上。之后，聚碳酸酯片(下文中，參考為PC片)由壓敏粘結(jié)劑(PSA)粘結(jié)在PC基底1的凹/凸平面ll側(cè)上并且光透射層4形成在SiN膜5b上。光透射層4的厚度設(shè)置為100pm，其中包括PSA和PC片。由此，獲得所希望的一次寫入型光學記錄介質(zhì)IO。下文中示出每個膜的膜形成條件。首先，在真空室內(nèi)部形成真空后，引入Ar和N2氣體進入真空室，同時濺射TiMn靶，并且具有22nm厚度的TiMn的膜形成在基底l上。TiMn靶中的Mn的含量設(shè)置為20原子百分比。下面示出了在膜形成步驟中的膜形成條件。真空限度5.0x10-5Pa大氣0.2Pa施力口電功率3KwAr氣流速30sccmN汽流速Gsccm隨后，在真空室內(nèi)部形成真空后，引入Ar氣體和02氣體進入真空室，同時反應(yīng)性賊射Ge靶，并且具有25nm厚度的GeO膜2b形成在TiMn膜2a上。GeO膜2b中的氧含量設(shè)置成使得GeO膜2b的吸收系數(shù)k等于0.6的值。下面示出了在膜形成步驟中的膜形成條件。真空限度5.0xl(T5Pa大氣0.2Pa施加電功率2KwAr氣流速30sccm氧氣流速44sccm隨后，在真空室內(nèi)部形成真空后，引入Ar氣體進入真空室，同時濺射ZnS-Si02靶，并且具有52nm厚度的ZnS-Si02膜5a形成在GeO膜2b上。ZnS-Si02膜5a中的組分比(原子比)ZnS:SiO2設(shè)置成80:20。下面示出了在膜形成步驟中的膜形成條件。真空限度5.0xl(T5Pa大氣O.lPa施加電功率lKwAr氣流速Gsccm隨后，在真空室內(nèi)部形成真空后，引入Ar氣體和N2氣體進入真空室，同時濺射Si靶，并且具有1Onm厚度的Si3N^々膜5b形成在基底1上。下面示出了在膜形成步驟中的膜形成條件。真空限度5.0xIO-5Pa大氣0.3Pa施加電功率4KwAr氣流速50sccmN2流速37sccm對如上提到地在如上的條件下獲得的一次寫入型光學記錄介質(zhì)10進行記錄和再現(xiàn)，這樣獲得10.2mW的記錄敏感性和6.5。/。的本底抖動。依據(jù)前述定義的功率裕度等于21.6%,并且良好的記錄得以執(zhí)行。(比較例1)隨后，除TiMn膜2改變?yōu)門iSi之外，類似于例l中的條件設(shè)置全部條件，由此獲得一次寫入型光學記錄介質(zhì)IO。Si含量設(shè)置為25原子百分比。下面示出了TiSi膜的膜形成條件。真空限度5.0xl(T5Pa大氣0.2Pa施力cr電功率3KwAr氣流速30sccmN2流速7.5sccm在如上膜形成條件下獲得的一次寫入型光學記錄介質(zhì)10是SL(單層)介質(zhì)，其符合BD-R的版本Vl.l。對如上提到地在如上的條件下所獲得的一次寫入型光學記錄介質(zhì)10得以執(zhí)行記錄和再現(xiàn)，使得獲得10.7mW的記錄敏感性和6.5。/。的本底抖動。依據(jù)前述定義的功率裕度等于17%。因此，將能夠明白，與比較例l相比，依據(jù)例I的一次寫入型光學記錄介質(zhì)IO，記錄敏感性提高0.5mW并且功率裕度12提高4.6個點。(例2到16，比較例2)隨后，除TiMn膜2a中的Mn(錳)的含量改變在0原子百分比到50原子百分比范圍內(nèi)之外，類似于例l中的條件設(shè)置全部條件，并且獲得多個一次寫入型光學記錄介質(zhì)IO。以類似于例l的方式得出如上面提到的所獲得的一次寫入型光學記錄介質(zhì)10的功率凈谷度、敏感性、及本底4牛動。它們的結(jié)果示出在表1和圖3中。(表l)<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>依據(jù)表1和圖3將理解下面各點(a)功率裕度、(b)記錄敏感性和(c)本底抖動。(a)功率^谷度當TiMn膜2a中的Mn含量小于5原子百分比時，功率裕度開始突然變窄。當Mn含量等于2原子百分比時，功率裕度等于17%，這類似于具有TiSi膜的比較例l中的情況。當Mn含量等于18原子百分比或更大時，功率裕度略變窄。當Mn含量超過28原子百分比時，功率裕度突然變窄。當Mn含量等于30原子百分比時，功率裕度等于18原子百分比，類似于比較例l中的情況。當Mn含量等于40原子百分比時，功率裕度小于比較例2中的功率裕度，在比較例2中的Mn含量等于O原子百分比。(b)記錄敏感性如果含有Mn,則記錄敏感性得以提高。當Mn含量在從l原子百分比到30原子百分比的范圍內(nèi)時，盡管記錄敏感性略波動，其保持在從10.0mW到ll.lmW的范圍內(nèi)。當Mn含量超過30原子百分比時，功率裕度幾乎為常量。(c)本底抖動當Mn含量等于O原子百分比時，本底抖動由于噪聲增加而惡化至8.0%。但是，如果含有l(wèi)原子百分比的Mn，本底抖動降低至7.2%。當Mn含量等于2原子百分比或者更大時，則不管含量是多少，本底抖動等于大約6.5%。當考慮到如上各點時，優(yōu)選地使用添加有Mn的TiMn膜2a以處理高速記錄。Mn含量優(yōu)選地在從l原子百分比到40原子百分比的范圍內(nèi)，更為優(yōu)選地，在從2原子百分比到30原子百分比的范圍內(nèi)，并且進一步優(yōu)選地，在/人5原子百分比到28原子百分比的范圍內(nèi)。而且，當比較比較例1與例2到15時，將會明白，通過4吏用添加有Mn的TiMn膜2a，能夠進行比比較例l更為良好的記錄并且能夠獲得更寬的功率裕度。盡管本發(fā)明的實施例和例已經(jīng)如上具體地進行了描述，本發(fā)明并不局限于前述實施例的例，而多種基于本發(fā)明的技術(shù)思想的修改是可以的。例如，前述實施例和例中提到的數(shù)值僅是示例，并且其它不同于它們的數(shù)值可以根據(jù)需要使用。另外，盡管已經(jīng)參考其中氧化物膜2b由一層的氧化物膜構(gòu)成的示例描述了如上的實施例和示例，氧化物膜2b也能夠由兩層或更多的具有不同材料、組分等的層的氧化物膜形成。另外，盡管已經(jīng)參考金屬膜2a由一層的金屬膜構(gòu)成的示例描述了如上的實施例和示例，金屬膜2a也能夠由兩層或更多的具有不同材料、組分等的層14的金屬膜形成。另外，盡管已經(jīng)參考金屬膜2a由鈦(Ti)和錳(Mn)構(gòu)成的示例描述了如上的實施例和示例，金屬膜2a也能夠由兩層或更多的具有不同材料、組分等的層的金屬膜形成。表現(xiàn)出不同于鈦(Ti)等的光催化效應(yīng)的金屬材料可以使用以替代鈦(Ti)。權(quán)利要求1、一種具有無機記錄膜的光學記錄介質(zhì)，其特征在于所述無機記錄膜包括含有鎘(Ge)的氧化物的氧化物膜；和含有鈦(Ti)和錳(Mn)并緊挨所述氧化物膜的相鄰膜。2、如權(quán)利要求l所述的光學記錄介質(zhì)，其特征在于，所述相鄰膜中錳(Mn)的含量在從1原子百分比或更高到40原子百分比或更低的范圍內(nèi)。3、如權(quán)利要求2所述的光學記錄介質(zhì)，其特征在于，所述相鄰膜中錳(Mn)的含量在從5原子百分比或更高到28原子百分比或更低的范圍內(nèi)。4、如權(quán)利要求l所述的光學記錄介質(zhì)，其特征在于，一個或多個介質(zhì)膜進一步形成在所述氧化物膜的表面中與所述相鄰膜相對一側(cè)的表面上。5、一種具有無機記錄膜的光學記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括如下的步驟形成含有鎘(Ge)的氧化物的氧化物膜；和形成含有鈦(Ti)和錳(Mn)并鄰接所述氧化物膜的相鄰膜。全文摘要公開了一次性光記錄介質(zhì)(10)，其包括無機記錄膜(2)。無機記錄膜(2)包括含有鎘(Ge)的氧化物的氧化物膜(2a)；和緊鄰氧化物膜(2a)并含有鈦(Ti)和錳(Mn)的相鄰膜(2b)。文檔編號B41M5/26GK101541552SQ2008800001公開日2009年9月23日申請日期2008年1月24日優(yōu)先權(quán)日2007年1月26日發(fā)明者佐飛裕一,池田悅郎,酒井武光申請人:索尼株式會社