專(zhuān)利名稱(chēng)：在電阻元件處由適配的場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路產(chǎn)生均衡的能量供應(yīng)的噴墨打印頭的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明總體上涉及噴墨打印，尤其涉及一種薄膜噴墨打印頭，該噴墨打印頭具有FET驅(qū)動(dòng)電路，其被構(gòu)造成沿接地母線補(bǔ)償寄生功耗。
噴墨打印技術(shù)發(fā)展得較好。商業(yè)產(chǎn)品比如計(jì)算機(jī)打印機(jī)、繪圖機(jī)和傳真機(jī)都已采用噴墨技術(shù)來(lái)產(chǎn)生打印介質(zhì)。例如，在Hewlett-PackardJournal第36卷第5期(1985年5月)、第39卷第5期(1988年10月)、第43卷第4期(1992年8月)、第43卷第6期(1992年12月)以及第45卷第1期(1994年2月)的多篇文章中描述了惠普公司在噴墨技術(shù)上所作的貢獻(xiàn)，在此全部引入以供參考。
一般來(lái)說(shuō)，噴墨圖像是根據(jù)通稱(chēng)噴墨打印頭的墨滴發(fā)生裝置噴射的墨滴在打印介質(zhì)上的精確定位形成的。典型地，噴墨打印頭被支承在一個(gè)可移動(dòng)的打印滑架上，該滑架在打印介質(zhì)的表面上來(lái)回移動(dòng)，并且噴墨打印頭被控制成根據(jù)微型計(jì)算機(jī)或其它控制器的命令以適當(dāng)?shù)拇螖?shù)噴射墨滴，其中將墨滴的施加時(shí)間確定為與打印圖像像素的圖案相對(duì)應(yīng)。
一種典型的惠普噴墨打印頭包括一個(gè)在孔板中精確成形的噴嘴陣列，孔板裝接在墨水阻擋層上，而墨水阻擋層又裝接在一薄膜下層結(jié)構(gòu)上，該薄膜下層結(jié)構(gòu)具有噴墨加熱器電阻和啟動(dòng)電阻的裝置。墨水阻擋層限定了墨水通道，墨水通道包括位于相關(guān)的噴墨電阻上的墨水腔，而孔板中的噴嘴與相關(guān)的墨水腔對(duì)準(zhǔn)。墨滴發(fā)生器區(qū)域是由墨水腔、薄膜下層結(jié)構(gòu)的一部分以及與墨水腔相鄰的孔板形成的。
薄膜下層結(jié)構(gòu)一般包括一襯底比如硅，其上形成有各種形成薄膜噴墨電阻的薄膜層；用于啟動(dòng)該電阻的裝置；以及與結(jié)合片相連的互連部分，互連部分提供了與打印頭連接的外部電連接件。墨水阻擋層一般為一種聚合物材料，其作為一種干膜被層壓到薄膜下層結(jié)構(gòu)上，并被設(shè)計(jì)成可進(jìn)行光致定形(photodefinable)和可紫外線及熱固化。在槽供給式結(jié)構(gòu)的噴墨打印頭中，墨水通過(guò)形成在襯底中的一個(gè)或多個(gè)供墨槽從一個(gè)或多個(gè)墨水儲(chǔ)存器被輸送給相應(yīng)的墨水腔。
上面提及的1994年2月的Hewlett-Packard Journal的第44頁(yè)中描述了孔板、墨水阻擋層和薄膜下層結(jié)構(gòu)的實(shí)際布置的一個(gè)示例。共同轉(zhuǎn)讓的美國(guó)專(zhuān)利4719477和5317346中描述了噴墨打印頭的其它示例，在此引入該兩份專(zhuān)利，以供參考。
關(guān)于薄膜噴墨打印頭的注意事項(xiàng)包括需要保證每個(gè)加熱器電阻在被選擇時(shí)加熱墨滴。由于加熱器電阻與電源和地面接觸片之間的導(dǎo)電跡線呈現(xiàn)的排散寄生電阻中的變化，被提供給加熱器電阻的加熱信號(hào)一般包括一定量的能量過(guò)量。這意味著，一些電阻最終接收比足夠加熱墨滴的能量還要多的能量，而另外一些電阻僅接收足以加熱墨滴能量的能量。過(guò)多的能量帶來(lái)不同的負(fù)面影響，其包括縮短電阻壽命；“凝聚(kogation)”，其指粘附在墨水腔中的鈍化層上的墨水成分的聚積；以及降低打印頭的可靠性。同樣，不同電阻上不同能量的施加導(dǎo)致氣泡成核和墨滴形成的不一致。
雖然改變跡線寬度是一種已知的能量平衡技術(shù)，但這種技術(shù)的使用使得難于減小打印頭的薄膜下層結(jié)構(gòu)的寬度。
因此，需要提供一種改進(jìn)的噴墨打印頭，其中更均勻地向加熱器電阻提供能量。
發(fā)明概述披露的本發(fā)明涉及一種噴墨打印頭，其具有向場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路提供能量的加熱器電阻，場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路被構(gòu)造成補(bǔ)償電力跡線的寄生電阻的變化，從而減小提供給打印頭的加熱器電阻的能量的變化。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，當(dāng)結(jié)合附圖閱讀下面詳細(xì)的說(shuō)明時(shí)，將容易理解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中

圖1是示出采用本發(fā)明的噴墨打印頭布局的未按比例繪制的頂視平面示意圖；圖2是圖1噴墨打印頭的局剖透視示意圖；圖3是示出圖1噴墨打印頭的未按比例繪制的示意局部頂視平面圖；圖4是局部頂視平面圖，大致示出了圖1打印頭的FET驅(qū)動(dòng)電路陣列和相關(guān)接地母線的布局；圖5是電路示意圖，示出了圖1打印頭的加熱器電阻與FET驅(qū)動(dòng)電路的電連接；圖6是圖1打印頭的典型FET驅(qū)動(dòng)電路和相關(guān)接地母線的平面圖；圖7是圖1打印頭的典型FET驅(qū)動(dòng)電路的側(cè)視橫剖圖；圖8是平面圖，其示出了圖1打印頭的FET驅(qū)動(dòng)電路陣列和相關(guān)接母線的實(shí)施方式；圖9是可采用本發(fā)明打印頭的打印機(jī)的未按比例繪制的示意透視圖。
披露的詳細(xì)描述在下面詳細(xì)的說(shuō)明和附圖中，相同的元件用相同的附圖標(biāo)記表示。
現(xiàn)在參見(jiàn)圖1和2，這里示意性地示出了一個(gè)本發(fā)明采用的噴墨打印頭的未按比例繪制的示意透視圖，該噴墨打印頭通常包括(a)一薄膜下層結(jié)構(gòu)或底模11，該下層結(jié)構(gòu)包括一襯底，比如硅，其上形成有不同的薄膜層，(b)一墨水阻擋層12，其設(shè)置在薄膜下層結(jié)構(gòu)11上，以及(c)一孔口板或噴嘴板13，其層壓地裝接在墨水阻擋層12的頂部。
薄膜下層結(jié)構(gòu)11依照常規(guī)集成電路的技術(shù)來(lái)成形，并包括形成在其內(nèi)的薄膜加熱器電阻56。該墨水阻擋層12由干膜形成，該干膜在熱和壓力的作用下被層壓到薄膜下層結(jié)構(gòu)11上并光致定形以在其內(nèi)形成墨水腔19和墨水通道29，該墨水腔和通道被設(shè)置在電阻區(qū)域上，加熱器電阻形成在電阻區(qū)域內(nèi)?？捎糜谕獠侩娺B接接合的金制結(jié)合片74設(shè)置在薄膜下層結(jié)構(gòu)11的縱向隔開(kāi)的相對(duì)端，并且沒(méi)有被墨水阻擋層12覆蓋。作為說(shuō)明性的示例，阻擋層材料包括一種丙烯酸酯基的感光聚合物干膜，比如可從特拉華州威爾明頓市E.I.duPont de Nemours and Company得到的“Parad”牌感光聚合物干膜。類(lèi)似的干膜包括其它的duPont產(chǎn)品，比如″Riston″牌干膜以及由其它化學(xué)制品供應(yīng)商生產(chǎn)的干膜?？装?3包括例如一種由聚合物材料組成的平面襯底，如共同轉(zhuǎn)讓的美國(guó)專(zhuān)利5469199所披露的，孔口通過(guò)激光燒蝕形成在其中，該專(zhuān)利的內(nèi)容在此引入以供參考?？装暹€可包括電鍍金屬，例如鎳。
如圖3所示，墨水阻擋層12內(nèi)的墨水腔19被特別地設(shè)置在相應(yīng)的加熱電阻56之上，每個(gè)墨水腔19由形成在阻擋層12內(nèi)的腔開(kāi)口的互連邊緣或壁來(lái)限定。墨水通道29由形成在阻擋層12內(nèi)的另一開(kāi)口限定，并且與相應(yīng)的噴墨腔19一體相連。圖1、2和3在示例中示出了槽供給式噴墨打印頭，其中墨水通道開(kāi)口通向一個(gè)由薄膜下層結(jié)構(gòu)中的供墨槽形成的邊緣，由此供墨槽的邊緣形成供給邊緣。
孔板13包括孔口或噴嘴21，其被設(shè)置在相應(yīng)的墨水腔19之上，以使每個(gè)噴墨電阻56、相關(guān)的墨水腔19以及相關(guān)的孔口21對(duì)準(zhǔn)并形成一墨滴發(fā)生器40。
雖然已將該公開(kāi)的打印頭描述為具有一阻擋層和一分開(kāi)的孔板，但應(yīng)理解，本發(fā)明可在具有一體的阻擋層/孔口結(jié)構(gòu)的打印頭中實(shí)現(xiàn)，一體的阻擋層/孔口結(jié)構(gòu)可以用單層感光聚合物制成，該單層感光聚合物是經(jīng)多道曝光程序曝光然后形成的。
墨滴發(fā)生器40被布置在相對(duì)于參考軸線L橫向相互隔開(kāi)的三縱列或三個(gè)組61、62、63中。每個(gè)墨滴發(fā)生器組的加熱器電阻56一般與參考軸線L對(duì)準(zhǔn)，且具有一個(gè)預(yù)定的中心，以便沿著參考軸線L確定間距或噴嘴節(jié)距P的中心。作為說(shuō)明性的示例，薄膜下層結(jié)構(gòu)為矩形，且其相對(duì)的邊緣51、52為長(zhǎng)度尺寸上的縱向邊緣，而縱向間隔開(kāi)的相對(duì)的邊緣53、54具有小于打印頭長(zhǎng)度尺寸的寬度尺寸。薄膜下層結(jié)構(gòu)的縱向范圍沿平行于參考軸線L的邊緣51、52。使用時(shí)，該參考軸線L可與通常稱(chēng)為介質(zhì)行進(jìn)軸線的軸線對(duì)準(zhǔn)。
雖然每個(gè)墨滴發(fā)生器組的墨滴發(fā)生器40被表示為基本上在同一直線上，但應(yīng)理解，一個(gè)墨滴發(fā)生器組的一些墨滴發(fā)生器40可稍微偏離于列的中心線，例如為了補(bǔ)償發(fā)射延時(shí)。
由于每個(gè)墨滴發(fā)生器40包括一加熱器電阻56，因此將加熱器電阻布置成與墨滴發(fā)生器相對(duì)應(yīng)的組或陣列。為了方便起見(jiàn)，采用相同的附圖標(biāo)記61、62、63來(lái)表示加熱器電阻陣列或組。
圖1、2和3中打印頭的薄膜下層結(jié)構(gòu)11特別地包括供墨槽71、72和73，它們與參考軸線L對(duì)準(zhǔn)，且相對(duì)于參考軸線L相互橫向地間隔開(kāi)。供墨槽71、72和73分別給墨滴發(fā)生器組61、62和63供墨，作為說(shuō)明性的示例，其位于它們分別供墨的墨滴發(fā)生器組的同一側(cè)。作為說(shuō)明性的示例，每個(gè)供墨槽提供不同顏色如青色、黃色和品紅色的墨水。
薄膜下層結(jié)構(gòu)11還包括晶體管驅(qū)動(dòng)電路陣列81、82和83，其形成在薄膜下層結(jié)構(gòu)11中且鄰近相應(yīng)的墨滴發(fā)生器組(61、62、63)。每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路陣列(81、82、83)包括多個(gè)與相應(yīng)的加熱器電阻56相連的FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)驅(qū)動(dòng)電路85。接地母線(181、182、183)與每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路陣列(81、82、83)相關(guān)，該接地母線與鄰近的驅(qū)動(dòng)電路陣列(81、82、83)的全部FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)驅(qū)動(dòng)電路85的源極端子電連接。每一接地母線(181、182、183)與處于打印頭結(jié)構(gòu)一端的至少一個(gè)結(jié)合片74電氣互連，并與處于打印頭結(jié)構(gòu)另一端的至少一個(gè)接點(diǎn)片74電氣互連。
如圖5所示，每個(gè)FET電路85的漏極端子與鄰近的加熱器電阻56的一個(gè)端子電連接，該加熱器電阻56通過(guò)導(dǎo)電跡線(conductive trace)86在其另一端子處接收合適的墨水發(fā)射基元選擇信號(hào)PS，該導(dǎo)電跡線86通向在打印頭結(jié)構(gòu)一端處的接點(diǎn)片74。例如，該導(dǎo)電跡線86包括在金制的金屬?lài)婂儗觾?nèi)的跡線，其位于金屬?lài)婂儗由厦娌⑴c金屬?lài)婂儗咏^緣地分開(kāi)，接地母線181、182、183形成在金屬?lài)婂儗觾?nèi)。導(dǎo)電跡線56通過(guò)導(dǎo)電通道和金屬跡線(metal trace)57(圖6)與加熱器電阻56電連接，金屬跡線57形成在與接地母線181、182、183相同的金屬?lài)婂儗觾?nèi)。同樣，用于特定加熱器電阻的導(dǎo)電跡線86一般通向最接近加熱器電阻的一端上的結(jié)合片74。根據(jù)實(shí)施方式，一個(gè)特定的墨滴發(fā)生器組(61、62、63)的加熱器電阻56可以被布置在多個(gè)基元組中，其中特定基元的墨滴發(fā)生器可轉(zhuǎn)換地與相同的墨水發(fā)射基元選擇信號(hào)并聯(lián)連接，正如共同轉(zhuǎn)讓的美國(guó)專(zhuān)利5604519、5638101和3568171所披露的那樣，其在此引入以供參考。每個(gè)FET驅(qū)動(dòng)電路的源極端子與鄰近相關(guān)的接地母線(181、182、183)電連接。
為便于參照，將包括導(dǎo)電跡線86和接地母線的導(dǎo)電跡線總稱(chēng)為電力跡線，其將加熱器電阻56和相關(guān)的FET驅(qū)動(dòng)電路85電連接到結(jié)合片74上。同樣為便于參照，可將導(dǎo)電跡線86稱(chēng)作高壓或未接地的電力跡線。
通常，每個(gè)FET驅(qū)動(dòng)電路85的寄生電阻(或?qū)娮?被構(gòu)造成，以便補(bǔ)償該寄生電阻中的變化，該變化通過(guò)由電力跡線形成的寄生通路出現(xiàn)在不同的FET驅(qū)動(dòng)電路85中，從而減小提供給加熱器電阻的能量中的變化。特別是，電力跡線形成一寄生通路，該寄生通路使FET電路產(chǎn)生一個(gè)寄生電阻，該寄生電阻隨著在該通路上的位置變化而變化，并且這樣選擇每個(gè)FET驅(qū)動(dòng)電路85的寄生電阻，即，使得每個(gè)FET驅(qū)動(dòng)電路85的寄生電阻和FET驅(qū)動(dòng)電路所呈現(xiàn)的電力跡線的寄生電阻的結(jié)合僅在一個(gè)墨滴發(fā)生器到另一個(gè)墨滴發(fā)生器之間具有細(xì)微變化。由于加熱器電阻56基本上都具有相同的電阻，因而將每個(gè)FET驅(qū)動(dòng)電路85的寄生電阻構(gòu)造成以便補(bǔ)償不同F(xiàn)ET驅(qū)動(dòng)電路85呈現(xiàn)的相關(guān)電力跡線的寄生電阻的變化。以這種方式，如果達(dá)到這樣的程度，即將基本上相等的能量提供給與電力跡線相連的結(jié)合片，就可將基本上相等的能量提供給不同的加熱器電阻56。
尤其參見(jiàn)圖6和7，每個(gè)FET驅(qū)動(dòng)電路85包括多個(gè)相互電連接的漏極指形部87，該漏極指形部87設(shè)置在形成于硅襯底111中的漏極區(qū)指形部89上；和多個(gè)相互電連接的源極指形部97，該源極指形部97與漏極指形部87交叉或交錯(cuò)并設(shè)置在形成于硅襯底111中的源極區(qū)指形部99上。在相應(yīng)端部相連的多晶硅柵極指形部91設(shè)置在形成于硅襯底111中的一層薄的柵極氧化層93上。一層磷硅酸鹽玻璃層95將漏極87和源極97從硅襯底111上分開(kāi)。多個(gè)導(dǎo)電的漏極接點(diǎn)88使漏極87和漏極區(qū)89電連接，而多個(gè)導(dǎo)電的源極接點(diǎn)98使源極97和源極區(qū)99電連接。作為說(shuō)明性的示例，漏極87、漏極區(qū)89、源極97、源極區(qū)99和多晶硅柵極指形部91基本上垂直或橫截于參考軸線L延伸，并延伸到接地母線181、182、183的縱向范圍。同樣，對(duì)于每個(gè)FET電路85，橫截于參考軸線L的漏極區(qū)89和源極區(qū)99的范圍與橫截于參考軸線L的柵極指形部的范圍相同，如圖6所示，其限定了橫截于參考軸線L的作用區(qū)的范圍。為便于參照，在這些元件是長(zhǎng)而窄的條狀或指狀形式的程度內(nèi)，可將漏極指形部87、漏極區(qū)指形部89、源極指形部97、源極區(qū)指形部99和多晶硅柵極指形部91的范圍稱(chēng)作這些元件的縱向范圍。
作為說(shuō)明性的示例，通過(guò)控制漏極區(qū)指形部的連續(xù)不接觸區(qū)段的縱向范圍或長(zhǎng)度，從而獨(dú)立地設(shè)定每個(gè)FET電路85的導(dǎo)通電阻，其中連續(xù)不接觸區(qū)段沒(méi)有電接點(diǎn)88。例如，漏極區(qū)指形部的連續(xù)不接觸區(qū)段可開(kāi)始于離加熱器電阻56最遠(yuǎn)的漏極區(qū)87的端部。特定FET電路85的導(dǎo)通電阻隨連續(xù)不接觸的漏極區(qū)指形部區(qū)段長(zhǎng)度的增加而增加，并選擇這樣的長(zhǎng)度來(lái)確定特定FET電路的導(dǎo)通電阻。
作為另一示例，每個(gè)FET電路85的導(dǎo)通電阻是通過(guò)選擇FET電路的尺寸來(lái)設(shè)定的。例如，可選擇橫截于參考軸線L的FET電路的范圍來(lái)限定導(dǎo)通電阻。
就典型的實(shí)施方式而言，其中用于特定FET電路85的電力跡線通過(guò)相當(dāng)直的通路通向在打印頭結(jié)構(gòu)的最近的縱向分離端上的結(jié)合片74，寄生電阻隨距打印頭的最近端的距離而增加，而FET驅(qū)動(dòng)電路85的導(dǎo)通電阻隨距該最近端距離而減小(更有效地形成FET電路)，從而抵消電力跡線中的寄生電阻的增加。作為一特定示例，就開(kāi)始于離加熱器電阻86最遠(yuǎn)的漏極區(qū)指形部的端部的相應(yīng)FET驅(qū)動(dòng)電路85的連續(xù)不接觸漏極指形部區(qū)段而言，這些區(qū)段的長(zhǎng)度隨距打印頭結(jié)構(gòu)的最近的縱向分離端的距離而減小。
每一接地母線(181、182、183)是由與FET電路85的漏極87和源極97相同的薄膜導(dǎo)電層形成的，而包括漏極區(qū)89、源極區(qū)99和多晶硅柵極91的每個(gè)FET電路的作用區(qū)有利地在一條相關(guān)的接地母線(181、182、183)下方延伸。這就允許接地母線和FET電路陣列占用較窄的區(qū)域，從而又允許形成較窄且因此成本較低的薄膜下層結(jié)構(gòu)。
另外，在一實(shí)施方式中，其中漏極區(qū)指形部的連續(xù)不接觸區(qū)段開(kāi)始于離加熱器電阻56最遠(yuǎn)的漏極區(qū)指形部的端部，橫截于參考軸線L或沿其橫向并朝向相關(guān)加熱器電阻56的每一接地母線(181、182、183)的范圍可隨連續(xù)不接觸的漏極指形部段的長(zhǎng)度的增加而增加，這是因?yàn)槁O并不需要延伸到這樣的連續(xù)不接觸的漏極指形部段上。換句話說(shuō)，根據(jù)連續(xù)不接觸的漏極區(qū)的區(qū)段的長(zhǎng)度，接地母線(181、182、183)的寬度W可通過(guò)增加接地母線與FET驅(qū)動(dòng)電路85的作用區(qū)的重疊量來(lái)增加。這并不通過(guò)增加接地母線(181、182、183)及其相關(guān)FET驅(qū)動(dòng)電路陣列(81、82、83)占用區(qū)域的寬度來(lái)實(shí)現(xiàn)，這是因?yàn)樵撛黾邮峭ㄟ^(guò)增加接地母線與FET驅(qū)動(dòng)電路85的作用區(qū)之間的重疊量實(shí)現(xiàn)的。有效的是，在任一特定的FET電路85處，接地母線可基本上通過(guò)漏極區(qū)的不接觸區(qū)段的長(zhǎng)度來(lái)與橫截于參考軸線L與作用區(qū)重疊。
對(duì)于該特定示例來(lái)說(shuō)，其中連續(xù)不接觸的漏極區(qū)區(qū)段開(kāi)始于離加熱器電阻56最遠(yuǎn)的漏極區(qū)指形部的端部，并且該連續(xù)不接觸的漏極區(qū)區(qū)段的長(zhǎng)度隨距打印頭結(jié)構(gòu)的最近端的距離而減小，接地母線(181、182、183)寬度的調(diào)整或變化與連續(xù)不接觸的漏極區(qū)區(qū)段的長(zhǎng)度變化一起形成了寬度W隨距打印頭結(jié)構(gòu)最近端的接近度增加的接地母線，如圖8所示。由于共享電流的量隨著距結(jié)合片74的接近度增加，因此該形狀有利地形成了隨著距結(jié)合片74的接近度而減小的接地母線電阻。
雖然上述文字涉及的是一種具有三個(gè)供墨槽的打印頭，供墨槽具有僅沿其一側(cè)設(shè)置的墨滴發(fā)生器，但應(yīng)理解，所公開(kāi)的FET驅(qū)動(dòng)電路陣列和接地母線結(jié)構(gòu)可采用多種槽供給式、邊緣供給式或組合起來(lái)的槽和邊緣供給式結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。并且，墨滴發(fā)生器可設(shè)置于供墨槽的一側(cè)或兩側(cè)。
現(xiàn)在參見(jiàn)圖8，圖8是一可采用上述打印頭的噴墨打印裝置110示例的示意透視圖。圖7的噴墨打印裝置110包括一個(gè)被殼體或外殼124包圍的底架122，其一般為模塑材料。該底架122例如由金屬薄片形成并包括一垂直面板122a。多張打印介質(zhì)通過(guò)一適配的打印介質(zhì)處理系統(tǒng)126被單獨(dú)地輸送過(guò)打印區(qū)125，該打印介質(zhì)處理系統(tǒng)包括一個(gè)在打印前儲(chǔ)存打印介質(zhì)的供送盤(pán)128。打印介質(zhì)可為任何類(lèi)型的合適的可打印的片材如紙張、卡紙、透明膠片、聚酯薄膜等，但為方便起見(jiàn)，在所述實(shí)施例中采用紙張作為打印介質(zhì)。可采用一系列常規(guī)的包括由步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)輥129的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)輥來(lái)使打印介質(zhì)從供送盤(pán)128移動(dòng)到打印區(qū)125中。打印之后，驅(qū)動(dòng)輥129將打印紙張驅(qū)動(dòng)到一對(duì)可伸縮的輸出干燥翼形件130，所示的該翼形件伸展成接納打印紙張。在樞轉(zhuǎn)地縮到側(cè)端之前翼形件130在任何仍在輸出盤(pán)132中干燥的先行打印的紙張上短時(shí)間地固定剛剛打印的紙張，如彎曲的箭頭133所示，從而使新打印的紙張降落到輸出盤(pán)132中。打印介質(zhì)處理系統(tǒng)可包括一系列調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)例如一滑動(dòng)長(zhǎng)度調(diào)節(jié)臂134和一信封供給槽135，以容納不同大小的打印介質(zhì)，其包括信件、法律聲明、A-4紙、信封等。
圖9的打印機(jī)還包括一個(gè)打印機(jī)控制器136，其被示意性地示出為一個(gè)微處理機(jī)，其設(shè)置在支承于底架垂直面板122a的背面上的打印電路板139上。打印機(jī)控制器136接收來(lái)自主機(jī)如個(gè)人計(jì)算機(jī)(未示出)的指令，并控制打印機(jī)的操作，操作包括打印介質(zhì)前進(jìn)通過(guò)打印區(qū)15、打印滑架140的運(yùn)動(dòng)以及給墨滴產(chǎn)生器40的施加信號(hào)。
具有平行于滑架掃描軸線的縱軸線的打印滑架滑動(dòng)桿138被底架122支承，從而大范圍地支承打印滑架140以作往復(fù)運(yùn)動(dòng)或沿滑架掃描軸線掃描。打印滑架140支承第一和第二可移動(dòng)的噴墨打印頭盒150、152(每個(gè)打印頭盒有時(shí)叫作“記錄頭”、“打印盒”或“墨盒”)。打印盒150、152各自包括打印頭154、156，它們分別具有一般面向下的噴嘴以使墨水向下噴射到打印區(qū)125中的一部分打印介質(zhì)上。打印盒150、152特別地通過(guò)閉鎖機(jī)構(gòu)夾持在打印滑架140中，該閉鎖機(jī)構(gòu)包括夾持桿、閉鎖件或蓋170、172。
合適的打印滑架的說(shuō)明性示例被公開(kāi)在共同轉(zhuǎn)讓的受理號(hào)為10941036、申請(qǐng)日為1996年11月26日、發(fā)明人為Harmon等人的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)08/757009中，在此引入以供參考。
僅供參考，打印介質(zhì)沿著平行于與打印介質(zhì)部分相切的軸線通過(guò)打印區(qū)125前進(jìn)，該打印介質(zhì)部分位于打印盒150、152噴嘴的下方并且噴嘴橫過(guò)該部分。如果介質(zhì)軸線和滑架軸線位于同一平面的話，如圖9所示，它們就會(huì)相互垂直。
打印滑架背面上的防轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)與水平定位的防樞轉(zhuǎn)桿185接合，該桿例如與底架122的垂直面板122a一體成形，從而防止打印滑架140繞著滑動(dòng)桿138向前樞轉(zhuǎn)。
作為說(shuō)明性的示例，打印盒150是單色的打印盒，而打印盒152是三色的打印盒，其采用了依照這里啟示的打印頭。
打印滑架140通過(guò)環(huán)形帶158沿著滑動(dòng)桿138被驅(qū)動(dòng)，該環(huán)形帶可以常規(guī)的方式被驅(qū)動(dòng)，并根據(jù)例如常規(guī)技術(shù)利用線性編碼條140來(lái)沿著滑架掃描軸線檢測(cè)打印滑架140的位置。
盡管已在上面對(duì)本發(fā)明的特定實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明和闡述，但對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可對(duì)其作出各種改型和變化，而不脫離如下面權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍和精神。
權(quán)利要求
1.一種噴墨打印頭，其包括由襯底和多個(gè)薄膜層形成的打印頭結(jié)構(gòu)(11、12、13)，所述打印頭結(jié)構(gòu)具有縱向范圍和縱向分離的端部；墨滴發(fā)生器(40)的縱向陣列(61)，其被限定在所述打印頭結(jié)構(gòu)中并與所述打印頭縱向范圍對(duì)準(zhǔn)；結(jié)合片(74)；場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路(85)的縱向陣列(81)，其鄰近所述墨滴發(fā)生器形成在所述打印頭結(jié)構(gòu)中并與所述打印頭縱向范圍對(duì)準(zhǔn)；在(a)所述結(jié)合片與(b)所述墨滴發(fā)生器和所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路之間電連接的電力跡線(86、181)；以及其中，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路被分別構(gòu)造成以補(bǔ)償由所述電力跡線呈現(xiàn)的寄生電阻的變化。
2.如權(quán)利要求1所述的噴墨打印頭，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路各自的導(dǎo)通電阻被選擇成以補(bǔ)償由所述電力跡線呈現(xiàn)的所述寄生電阻的所述變化。
3.如權(quán)利要求2所述的噴墨打印頭，其特征在于，每個(gè)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路包括漏極(87)；漏極區(qū)(89)；使所述漏極與所述漏極區(qū)電連接的漏極接點(diǎn)(88)；源極(97)；源極區(qū)(99)；使所述源極與所述源極區(qū)電連接的源極接點(diǎn)(98)；以及其中，所述漏極區(qū)被構(gòu)造成以設(shè)定每個(gè)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路的導(dǎo)通電阻，以便補(bǔ)償所述寄生電阻的所述變化。
4.如權(quán)利要求3所述的噴墨打印頭，其特征在于，所述漏極區(qū)包括細(xì)長(zhǎng)的漏極區(qū)，每個(gè)漏極區(qū)包括一連續(xù)不接觸的區(qū)段，該區(qū)段具有被選擇成設(shè)定所述導(dǎo)通電阻的長(zhǎng)度。
5.如權(quán)利要求2所述的噴墨打印頭，其特征在于，選擇每個(gè)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路的尺寸來(lái)設(shè)定所述導(dǎo)通電阻。
6.如權(quán)利要求1、2、3、4、5或6所述的噴墨打印頭，其特征在于，所述電力跡線包括接地母線，該接地母線沿所述打印頭結(jié)構(gòu)的縱向范圍延伸并具有一橫截于該打印頭結(jié)構(gòu)縱向范圍的寬度，其沿該打印頭結(jié)構(gòu)縱向范圍而變化。
7.如權(quán)利要求6所述的噴墨打印頭，其特征在于，所述接地母線的所述寬度隨著距所述打印頭結(jié)構(gòu)的所述縱向分離端中的最近一端的距離的增加而減小。
全文摘要
一種具有場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路(85)的噴墨打印頭(11、12、13)，該驅(qū)動(dòng)電路被構(gòu)造成補(bǔ)償電力跡線(86、181)的寄生電阻。場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路具有長(zhǎng)度選定的漏極區(qū)，以便設(shè)定場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通電阻。在另一實(shí)施例中，選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路的尺寸。
文檔編號(hào)B41J2/155GK1444522SQ01813337
公開(kāi)日2003年9月24日 申請(qǐng)日期2001年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月24日
發(fā)明者J·M·托爾格爾森, D·M·胡爾斯特 申請(qǐng)人:惠普公司