透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供具有良好的阻氣性且不需要大型設備、大量的工序，能夠簡便并且低成本地制造，即便在250℃以上進行熱處理也具有良好的物性的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法。所述透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法包括在由具有特定結構的重復單元的聚酰亞胺形成的透明聚酰亞胺薄膜的至少一側的面上涂布包含聚硅氮烷的溶液之后，在180℃以上的溫度下進行焙燒從而層疊硅氧化物層的工序。
【專利說明】透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，特別是涉及具有良好的阻氣性并且不需要大型設備、大量的工序、且能夠以簡便并且低成本地制造的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法。
【背景技術】
[0002]顯示器用基板等電子裝置中所使用的基板從阻氣性以及耐熱性等出發(fā)使用玻璃。然而，近年來在進行使用具備輕量化、無裂紋、加工性優(yōu)異等性質的塑料薄膜來制造柔性顯示器的研究。然而，塑料薄膜與玻璃相比，存在容易通過水蒸氣等氣體、此外耐熱性不足等問題，在實用化中存在許多問題。
[0003]為了解決這樣的問題，專利文獻I中公開了在透明高分子薄膜層疊有由等離子體化學蒸鍍法形成的硅氧化物層和通過涂布包含聚硅氮烷的液體后進行加熱處理而得到的硅氧化物層的阻氣性薄膜。然而，在等離子體化學蒸鍍法中存在無機化合物的膜形成需要大型真空裝置，進而由于膜形成的生產速度緩慢因而難以降低制造成本的問題。
[0004]專利文獻2中公開了在基材的至少單面具有對聚硅氮烷膜實施等離子體處理而形成的阻隔層的阻氣性薄膜。然而，該方法中存在必定需要等離子體處理的裝置的問題。此夕卜，根據(jù)使用的基材存在在加熱處理工序后阻隔性大幅惡化的問題。
[0005]專利文獻3中公開了柔性阻氣薄膜的制造方法，在樹脂基材上層疊通過涂布將硅氮烷骨架作為基本單元的聚合物并照射真空紫外光而得到的聚合物膜。然而，該方法中存在需要照射真空紫外光的設備，此外進行層疊因此工序多的問題。
[0006]現(xiàn)有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開平8-281861號公報
[0009]專利文獻2:日本特開2007-237588號公報
[0010]專利文獻3:日本特開2009-255040號公報

【發(fā)明內容】

[0011]發(fā)明要解決的問題
[0012]本發(fā)明的課題在于提供具有良好的阻氣性、并且不需要大型設備、大量的工序，能夠簡便并且低成本地制造，即便在250°C以上進行熱處理也具有良好的物性的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法。
[0013]用于解決問題的方案
[0014]本發(fā)明人等為了解決上述問題進行深入研究，結果發(fā)現(xiàn)，將具有包含特定的四羧酸結構的重復單元的耐熱性優(yōu)異的透明聚酰亞胺薄膜用作基板、將聚硅氮烷溶液在180°C以上進行焙燒處理層疊硅氧化物，從而能夠不需要特別的設備、處理，硅氧化物的結構變得致密、體現(xiàn)優(yōu)異的阻氣性，從而完成發(fā)明。[0015]即，本發(fā)明提供透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其包括下述工序:在由具有下式
(I)表示的重復單元的聚酰亞胺形成的透明聚酰亞胺薄膜的至少一側的面上涂布包含聚硅氮烷的溶液之后，在180°c以上的溫度下進行焙燒從而層疊硅氧化物層的工序。
[0016]
【權利要求】
1.一種透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其包括下述工序:在由具有下式(I)所示的重復單元的聚酰亞胺形成的透明聚酰亞胺薄膜的至少一側的面上涂布包含聚硅氮烷的溶液之后，在180°c以上的溫度下進行焙燒從而層疊硅氧化物層的工序，
2.根據(jù)權利要求1所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其中，所述透明聚酰亞胺薄膜的由差示掃描量熱測定獲得的玻璃化轉變溫度為250°C以上、且總透光率為80%以上。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其中，所述式(I)中的R為從環(huán)己烷去掉4個氫原子而形成的4價基團。
4.根據(jù)權利要求1~3的任一項所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其中，所述硅氧化物層的厚度為0.1~2.0 μ m。
5.根據(jù)權利要求1~4的任一項所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其中，所述包含聚硅氮烷的溶液含有鈀催化劑。
6.根據(jù)權利要求1~5的任一項所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其還包括在所述硅氧化物層之上通過物理蒸鍍法或化學蒸鍍法層疊由硅氧化物和/或硅氧氮化物形成的層的工序。
7.根據(jù)權利要求1~6的任一項所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其還包括在所述硅氧化物層之上層疊由氧化銦和氧化錫的混合物形成的透明導電膜層或由氧化鋅形成的透明導電膜層的工序。
8.根據(jù)權利要求1~7的任一項所述的透明耐熱阻氣性薄膜的制造方法，其中，所述透明耐熱阻氣性薄膜用于電子裝置用構件。
【文檔編號】B32B27/34GK103917364SQ201280054747
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2012年11月8日 優(yōu)先權日:2011年11月11日
【發(fā)明者】末永修也, 三樹泰 申請人:三菱瓦斯化學株式會社