水蒸氣阻隔膜、及其制造方法以及使用了其的電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供具有高水蒸氣阻隔性能、同時耐水性、耐熱性、透明性及平滑性優(yōu)異的水蒸氣阻隔膜、及其制造方法、以及使用了其的電子設(shè)備。其特征在于，所述水蒸氣阻隔膜為在具有透氣性的基材上具有至少1層水蒸氣阻隔層和至少1層保護層的水蒸氣阻隔膜，該水蒸氣阻隔層為使用含有聚硅氮烷的涂布液進行涂布、干燥而制膜后，照射真空紫外光而形成的層，該保護層為涂布含有聚硅氧烷的涂布液、干燥而制膜后，照射真空紫外光而形成的層。
【專利說明】水蒸氣阻隔膜、及其制造方法以及使用了其的電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及水蒸氣阻隔膜、及其制造方法以及使用了其的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在塑料基板、塑料膜的表面形成了含有氧化鋁、氧化鎂、氧化硅等的金屬氧化物的薄膜(氣體阻隔層)的氣體阻隔膜，為了防止因水蒸氣、氧等的各種氣體引起的變質(zhì)，在將需要各種氣體的阻斷的物品進行包裝的用途中使用。另外，除上述包裝用途以外，為了防止因各種氣體引起的變質(zhì)，也在將太陽能電池、液晶顯示元件，有機電致發(fā)光元件(以下，也稱為有機EL元件)等的電子器件進行密封的用途中使用。使用了撓性基材的氣體阻隔膜，與玻璃基材相比，撓性優(yōu)異，在輥方式下的生產(chǎn)適應(yīng)性、電子器件的輕量化及操作性方面優(yōu)越。
[0003]作為制造這樣的氣體阻隔膜的方法，主要已知有通過等離子體CVD法(ChemicalVapor Deposition:化學(xué)氣相生長法、化學(xué)蒸鍍法)在膜等的基材上形成氣體阻隔層的方法、在基材上涂布以聚硅氮烷作為主要成分的涂布液后、實施表面處理而形成氣體阻隔層的方法、或者并用它們的方法。
[0004]然而，在用這些制造方法形成了的氣體阻隔層中，有時由于因基材表面突起、向氣體阻隔層中的雜質(zhì)的混入而產(chǎn)生的微細孔等的缺陷、因氣體阻隔層的膨脹.收縮而產(chǎn)生的微小的開裂(裂紋)等的缺陷、因操作時的彎折或接觸等引起的損傷等而產(chǎn)生缺陷等。在產(chǎn)生了這樣的缺陷處的氣體阻隔層中，水蒸氣等通過該缺陷處而透過，不能完全阻隔氣體。
[0005]另一方面，在液晶顯示裝置(IXD)面板中，從輕量?無開裂.撓性等這樣的觀點考慮，要求從玻璃基材替換為樹脂基材。然而，相對于玻璃基材，從氣體阻隔性.透明性.耐熱性等觀點考慮，現(xiàn)狀是沒有滿足全部特性的樹脂基材。
[0006]在IXD面板中使用的具有氣體阻`隔性的樹脂基材，由于經(jīng)過IXD制造工序，因此即使經(jīng)過該LCD制造工序氣體阻隔性也必須得到維持。另外，即使在使用LCD面板的環(huán)境中，同樣地氣體阻隔性也必須得到維持。在IXD制造工序中，作為對氣體阻隔性造成影響的工序，有利用純水、堿性水等的清洗工序和圖案電極(TCF)制作時的200°C左右的加熱工序等。另外，在L⑶使用環(huán)境中，有時暴露于聞溫聞濕環(huán)境。要求即使在該聞溫聞濕、純水中的浸潰、即使在高溫處理下氣體阻隔性也得到維持，另外，要求透明性、基材變形這樣的其它性能也得到維持。
[0007]對于這樣的氣體阻隔層的課題，公開有抑制水蒸氣的透過的各種改良技術(shù)。
[0008]例如，在專利文獻I中記載的發(fā)明中，對于為了發(fā)揮高水蒸氣阻隔性、除了氣體阻隔層以外而設(shè)置捕水層的技術(shù)進行了公開。
[0009]另外，在專利文獻2中記載的發(fā)明中，對于通過在具有2層的無機氣體阻隔層的水蒸氣阻隔膜中、在2層的無機氣體阻隔層之間形成至少I層由堿土金屬-氧化物構(gòu)成的吸濕性層來提高水蒸氣阻隔性能的技術(shù)進行了公開。
[0010]另外，在專利文獻3中記載的發(fā)明中，對于在透明基板上形成至少I層金屬氮化物膜而成的透明層疊體中、該金屬氮化物膜能夠在至少存在氧分子及/或水分子的氣氛中被氧化的技術(shù)進行了公開。
[0011]另外，在專利文獻4中記載的發(fā)明中，對于通過在防濕性膜中夾持吸濕性膜來提高水蒸氣阻隔性的技術(shù)進行了公開。
[0012]另外，在專利文獻5中記載的發(fā)明中，在基材上層疊作為具有含有Si原子及氧原子的阻隔層的阻隔膜的2層以上的阻隔層的方法；或者作為形成阻隔層的方法，記載有在基材上涂布含有硅化合物的涂布液后、照射真空紫外線而形成含有硅化合物的阻隔層的方法。
[0013]然而，這些被提案的氣體阻隔膜等，判斷為均有時因在高溫高濕環(huán)境下的保存、在純水中的浸潰、高溫處理等而使氣體阻隔性能劣化。另外，也判明除氣體阻隔性以外，也有因高溫處理而引起的氣體阻隔膜的變形、變色等。
[0014]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0015]專利文獻
[0016]專利文獻1:特開2009-90633號公報
[0017]專利文獻2:特開2006-82241號公報
[0018]專利文獻3:特開2009-29070號公報
[0019]專利文獻4:特開平7-153571號公報
[0020]專利文獻5:特開2011-31610號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0021]發(fā)明要解決的課題
[0022]本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其課題在于提供具有高水蒸氣阻隔性能，同時耐水性、耐熱性、透明性、平滑性優(yōu)異的水蒸氣阻隔膜，及其制造方法，以及使用了其的電子設(shè)備。
[0023]用于解決課題的手段
[0024]本發(fā)明的上述目的，通過以下的構(gòu)成來實現(xiàn)。
[0025]1.一種水蒸氣阻隔膜，其特征在于，其為在具有透氣性的基材上具有至少I層水蒸氣阻隔層和至少I層保護層的水蒸氣阻隔膜，該水蒸氣阻隔層為使用含有聚硅氮烷的涂布液進行涂布、干燥而制膜后，照射真空紫外光而形成了的層；該保護層將含有聚硅氧烷的涂布液進行涂布、干燥而制膜后，照射真空紫外光而形成了的層。
[0026]2.上述I中所述的水蒸氣阻隔膜，其特征在于，上述聚硅氧烷為由下述通式(a)表示的化合物。
[0027][化學(xué)式I]
[0028]通式(a)
[0029]
【權(quán)利要求】
1.一種水蒸氣阻隔膜，其特征在于，其為在具有透氣性的基材上具有至少I層水蒸氣阻隔層和至少I層保護層的水蒸氣阻隔膜， 該水蒸氣阻隔層為使用含有聚硅氮烷的涂布液進行涂布、干燥而制膜后，照射真空紫外光而形成了的層， 該保護層為將含有聚硅氧烷的涂布液進行涂布、干燥而制膜后，照射真空紫外光而形成了的層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水蒸氣阻隔膜，其特征在于，所述聚硅氧烷為由下述通式(a)表不的化合物， [化學(xué)式I] 通式(a)
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的水蒸氣阻隔膜，其特征在于，所述水蒸氣阻隔層的膜厚為50nm以上且1.0 μ m以下，且所述保護層的膜厚為IOOnm以上且10 μ m以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的水蒸氣阻隔膜，其中，在所述水蒸氣阻隔層的形成中使用的真空紫外光的累積光量為lOOOmJ/cm2以上且10，000mj/cm2以下，且在所述保護層的形成中使用的真空紫外光的累積光量為500mJ/cm2以上且10，OOOmJ/cm2以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4的任一項所述的水蒸氣阻隔膜，其特征在于，所述水蒸氣阻隔層及所述保護層經(jīng)過加熱溫度為50°C以上且200°C以下的加熱工序而形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5的任一項所述的水蒸氣阻隔膜，其特征在于，所述基材的線膨脹系數(shù)為50ppm/°C以下、且總光線透過率為90%以上。
7.一種水蒸氣阻隔膜的制造方法，其特征在于，包括以下工序:在具有透氣性的基材上使用含有聚硅氮烷的涂布液進行涂布、干燥而制膜后，照射真空紫外光而形成水蒸氣阻隔層的工序；在所述水蒸氣阻隔層上使用含有聚硅氧烷的涂布液進行涂布、干燥而制膜后，照射真空紫外光而形成保護層的工序。
8.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有電子器件，所述電子器件通過權(quán)利要求1~6的任一項所述的水蒸氣阻隔膜、或由權(quán)利要求7所述的制造方法制造的水蒸氣阻隔膜而被密封。
【文檔編號】B32B27/00GK103596757SQ201280028818
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年6月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月15日
【發(fā)明者】石川涉 申請人:柯尼卡美能達株式會社