專利名稱：3000到5000納米帶通紅外濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種紅外熱成像儀組件，特別是3000到5000納米帶通紅外濾光片。
背景技術(shù)：
紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)是通過非接觸探測紅外能量(熱量)， 并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，進(jìn)而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對(duì)溫度值進(jìn)行計(jì)算的一種檢測設(shè)備。紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)能夠?qū)⑻綔y到的熱量精確量化， 或測量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠?qū)Πl(fā)熱的故障區(qū)域進(jìn)行準(zhǔn)確識(shí)別和嚴(yán)格分析。紅外熱成像儀的探測器是實(shí)現(xiàn)紅外能量(熱能)轉(zhuǎn)換電信號(hào)的關(guān)鍵，由于各種生物所發(fā)出來的紅外能量(熱量)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會(huì)在探測器中添加紅外濾光片，通過紅外濾光片可以使探測器只接受特定波段的紅外能量(熱能)，保證紅外熱成像儀的成像結(jié)果。但是，目前用于紅外熱成像的3000到5000納米帶通紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發(fā)展的需要。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比的3000到5000納米帶通紅外濾光片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的3000到5000納米紅外濾光片，包括成分為Si的基板以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層和第二鍍膜層，其特征是所述第一鍍膜層包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為232納米的SiO層、厚度為75納米的Ge層、厚度為 446納米的SiO層、厚度為130納米的Ge層、厚度為203納米的SiO層、厚度為170納米的 Ge層、厚度為401納米的SiO層、厚度為93納米的Ge層、厚度為303納米的SiO層、厚度為176納米的Ge層、厚度為332納米的SiO層、厚度為90納米的Ge層、厚度為380納米的 SiO層、厚度為172納米的Ge層、厚度為244納米的SiO層、厚度為119納米的Ge層、厚度為413納米的SiO層、厚度為79納米的Ge層、厚度為1244納米的SiO層、厚度為416納米的Ge層、厚度為893納米的SiO層、厚度為403納米的Ge層、厚度為872納米的SiO層、厚度為401納米的Ge層、厚度為880納米的SiO層、厚度為395納米的Ge層、厚度為901納米的SiO層、厚度為391納米的Ge層、厚度為918納米的SiO層、厚度為394納米的Ge層、厚度為951納米的SiO層、厚度為404納米的Ge層和厚度為431納米的SiO層；所述第二鍍膜層包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為82納米的SiO層、厚度為82納米的( 層、厚度為159 納米的SiO層、厚度為58納米的Ge層、厚度為169納米的SiO層、厚度為61納米的Ge層、 厚度為142納米的SiO層、厚度為80納米的Ge層、厚度為146納米的SiO層、厚度為135納米的Ge層、厚度為189納米的SiO層、厚度為90納米的Ge層、厚度為205納米的SiO層、 厚度為74納米的Ge層、厚度為181納米的SiO層、厚度為171納米的Ge層、厚度為121納米的SiO層、厚度為142納米的Ge層和厚度為574納米的SiO層。上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。本實(shí)用新型得到的3000到5000納米帶通紅外濾光片，其Si材質(zhì)的基板配合表面 Ge、SiO材質(zhì)的鍍膜層，使得本發(fā)明創(chuàng)造只能讓3000到5000納米波長的紅外能量(熱能) 通過，實(shí)現(xiàn)中心波長定位在3000士 1 %到5000士 1 %納米，峰值透過率達(dá)90 %以上，截止區(qū)透過率小于0. 1%，大大提高了信噪比，配合紅外熱成像儀使用，使得紅外熱成像儀的光電探測器部分接受3000 士 1 %到5000 士 1 %納米的紅外熱能，提升紅外熱成像儀的成像結(jié)果。

圖1是實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過率實(shí)測曲線圖。圖中基板1、第一鍍膜層11、第二鍍膜層12。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。實(shí)施例1 如圖1所示，本實(shí)施例提供的3000到5000納米帶通紅外濾光片，包括成分為Si的基板1以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層11和第二鍍膜層12，所述第一鍍膜層11包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為232納米的SiO層、厚度為75納米的Ge層、厚度為446納米的SiO層、厚度為130納米的Ge層、厚度為203納米的SiO層、厚度為170納米的Ge層、厚度為401納米的SiO層、厚度為93納米的Ge層、厚度為303納米的SiO層、厚度為176納米的Ge層、厚度為332納米的SiO層、厚度為90納米的Ge層、厚度為380納米的SiO層、厚度為172納米的Ge層、厚度為244納米的SiO層、厚度為119納米的Ge層、厚度為413納米的SiO層、厚度為79納米的Ge層、厚度為1244納米的SiO層、厚度為416納米的Ge層、厚度為893納米的SiO層、厚度為403納米的Ge層、厚度為872納米的SiO層、厚度為401納米的Ge層、厚度為880納米的SiO層、厚度為395納米的Ge層、厚度為901納米的SiO層、 厚度為391納米的Ge層、厚度為918納米的SiO層、厚度為394納米的Ge層、厚度為951 納米的SiO層、厚度為404納米的Ge層和厚度為431納米的SiO層；所述第二鍍膜層12包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為82納米的SiO層、厚度為82納米的Ge層、厚度為159納米的SiO層、厚度為58納米的Ge層、厚度為169納米的SiO層、厚度為61納米的Ge層、厚度為142納米的SiO層、厚度為80納米的Ge層、厚度為146納米的SiO層、厚度為135納米的Ge層、厚度為189納米的SiO層、厚度為90納米的Ge層、厚度為205納米的SiO層、厚度為74納米的Ge層、厚度為181納米的SiO層、厚度為171納米的Ge層、厚度為121納米的SiO層、厚度為142納米的Ge層和厚度為574納米的SiO層。上述中的硅(Si)、一氧化硅(SiO)和鍺(Ge)材質(zhì)都為現(xiàn)有市場內(nèi)可直接購買的材質(zhì)，故在此不多做詳細(xì)介紹。本實(shí)施例提供的濾光率的具體實(shí)測結(jié)果如圖2所示。本實(shí)施例中Si材質(zhì)的基板配合表面Ge、SiO材質(zhì)的鍍膜層，實(shí)現(xiàn)中心波長定位在3000士 1 %到5000士 1 %納米，峰值透過率達(dá)90%以上，截止區(qū)透過率小于0. 1 %，大大提高了信噪比，配合紅外熱成像儀使用，使得紅外熱成像儀的探測器部分接受3000士 1%到 5000±1%納米的紅外能量(熱能)，提升紅外熱成像儀的成像結(jié)果。
權(quán)利要求1. 一種3000到5000納米帶通紅外濾光片，包括成分為Si的基板(1)以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層(11)和第二鍍膜層(12)，其特征是所述第一鍍膜層(11)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為232納米的SiO層、厚度為75納米的Ge層、厚度為446納米的SiO 層、厚度為130納米的Ge層、厚度為203納米的SiO層、厚度為170納米的Ge層、厚度為 401納米的SiO層、厚度為93納米的Ge層、厚度為303納米的SiO層、厚度為176納米的 Ge層、厚度為332納米的SiO層、厚度為90納米的Ge層、厚度為380納米的SiO層、厚度為 172納米的Ge層、厚度為244納米的SiO層、厚度為119納米的Ge層、厚度為413納米的 SiO層、厚度為79納米的Ge層、厚度為1244納米的SiO層、厚度為416納米的Ge層、厚度為893納米的SiO層、厚度為403納米的Ge層、厚度為872納米的SiO層、厚度為401納米的Ge層、厚度為880納米的SiO層、厚度為395納米的Ge層、厚度為901納米的SiO層、厚度為391納米的Ge層、厚度為918納米的SiO層、厚度為394納米的Ge層、厚度為951納米的SiO層、厚度為404納米的Ge層和厚度為431納米的SiO層；所述第二鍍膜層(12)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為82納米的SiO層、厚度為82納米的Ge層、厚度為159納米的SiO層、厚度為58納米的Ge層、厚度為169納米的SiO層、厚度為61納米的Ge層、厚度為142納米的SiO層、厚度為80納米的Ge層、厚度為146納米的SiO層、厚度為135納米的Ge層、厚度為189納米的SiO層、厚度為90納米的Ge層、厚度為205納米的SiO層、厚度為74納米的Ge層、厚度為181納米的SiO層、厚度為171納米的Ge層、厚度為121納米的SiO層、厚度為142納米的Ge層和厚度為574納米的SiO層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種3000到5000納米帶通紅外濾光片，包括成分為SI的基板以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層和第二鍍膜層，第一鍍膜層包含從內(nèi)向外依次間隔排列，且厚度不一的Ge層和SiO層；第二鍍膜層也包含從內(nèi)向外依次排列，且厚度不一的Ge層和SiO層；本實(shí)用新型得到的3000到5000納米帶通紅外濾光片，其Si材質(zhì)的基板配合表面Ge、SiO材質(zhì)的鍍膜層，實(shí)現(xiàn)中心波長定位在3000±1％到5000±1％納米，峰值透過率達(dá)90％以上，截止區(qū)透過率小于0.1％，大大提高了信噪比，配合紅外熱成像儀使用，使得紅外熱成像儀的探測器部分接受3000±1％到5000±1％納米的紅外能量，提升紅外熱成像儀的成像結(jié)果。
文檔編號(hào)B32B15/00GK202305861SQ20122009082
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者呂晶 申請(qǐng)人:杭州麥樂克電子科技有限公司