專利名稱::抗靜電有機硅離型涂覆膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明涉及抗靜電有機硅離型膜,其具有以抗靜電有機硅離型組合物涂覆的層的,并且更具體而言,涉及抗靜電有機硅離型膜,其具有以抗靜電有機硅離型組合物涂覆的層,且用于半導(dǎo)體、電子和顯示裝置,同時解決了當(dāng)將普通離型膜與粘合劑和粘合劑層分離時所產(chǎn)生的靜電問題以及由這種直接導(dǎo)致嚴(yán)重產(chǎn)品缺陷的靜電引起的污染問題。本發(fā)明還涉及抗靜電有機硅離型膜,其可減少在將該膜從粘合劑或粘合劑層剝離時由靜電引起的產(chǎn)品污染,由于在固化離型層時沒有阻礙而在基底與涂覆的層之間具有良好的粘附性,并且由此具有穩(wěn)定的離型性能。-
背景技術(shù):
:近來,半導(dǎo)體、電子和顯示裝置領(lǐng)域正在快速發(fā)展。在該領(lǐng)域中,越來越多地使用合成樹脂或合成纖維,導(dǎo)致麻煩的待解決的靜電問題。通常,在其主要目的為保護粘合劑層的離型膜領(lǐng)域中,已經(jīng)使用越來越多的樹脂或纖維并需要用于該用途的抗靜電性能。常規(guī)地,已經(jīng)使粘合劑層抗靜電以解決由于在將離型膜與粘合劑層分離時產(chǎn)生的靜電引起的污染問題。然而,如果使粘合劑層抗靜電,則由于抗靜電劑不與粘合劑良好地相容,因此其未充分表現(xiàn)出抗靜電性能。因此,除了在許多情況中的粘合劑層之外,已經(jīng)使離型層抗靜電。作為在用于精密材料領(lǐng)域的離型膜中所需的物理性能的離型性能需要取決于粘合劑的類型和用途的適當(dāng)?shù)膭冸x力、為了通過離型層被轉(zhuǎn)移到粘合劑層而不降低粘附性的高的殘余粘附性、離型層不被溶劑型粘合劑的有機溶劑剝落的耐溶劑性,若離型膜用于光學(xué)用途的高的光透射性等。常規(guī)的抗靜電技術(shù)包括內(nèi)部添加陰離子化合物如有機磺酸鹽和有機磷酸鹽、沉積金屬化合物、以導(dǎo)電無機顆粒涂覆、以低分子的陰離子或陽離子化合物涂覆、以導(dǎo)電聚合物涂覆等。一種已知的用上述抗靜電技術(shù)生產(chǎn)抗靜電離型膜的常規(guī)方法為在有機硅組合物中包含金屬,例如,鋰、銅、鎂、4丐、鐵、鈷或鎳等(見美國專利公布No.4,764,565)。然而,上述方法在成本上不劃算并且還具有在獲得抗靜電性能上的限制用該方法,阻礙用于光學(xué)用途的均勻涂覆的層的形成。如果抗靜電組合物具有導(dǎo)電聚合物、離子型聚合物等,其阻礙有機硅離型涂覆組合物的固化,且難以形成離型涂覆層??轨o電層與有機硅層之間的緊密粘合也惡化,使得有機硅被轉(zhuǎn)移,不利地影響粘合劑的功能。因此,在常規(guī)的抗靜電離型膜的情況中,抗靜電性能和離型性能兩者可通過以下實現(xiàn)將抗靜電組合物涂覆在基底上并干燥該膜,然后涂覆離型涂覆組合物,或者首先將抗靜電組合物涂覆在基底的一側(cè)上,然后將離型組合物涂覆在該基底的另一側(cè)上。然而,由于這種形成常規(guī)抗靜電離型膜的方法需要進(jìn)行至少兩次的涂覆和干燥過程,因此需要許多處理時間和成本
發(fā)明內(nèi)容技術(shù)問題個目的在于提供良好的有機硅離型膜,使得該膜抗靜電,當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的該膜用作以在線或離線生產(chǎn)工藝生產(chǎn)的半導(dǎo)體、電子和顯示裝置的離型膜時,減少在將該膜從粘合劑剝離時由于靜電引起的產(chǎn)品污染。本發(fā)明的另一目的在于提供一種非常好的具有以抗靜電有機硅離型組合物涂覆的層的抗靜電有機硅離型膜(在下文中稱為"抗靜電有機硅離型膜"),通過實施涂覆工藝僅一次,使該抗靜電有機硅離型膜充分地抗靜電,且該膜具有基底與涂覆的層之間的良好的粘附性,因為在離型組合物的固化中沒有阻礙。從閱讀說明本發(fā)明優(yōu)選實施方式的以下描述,本發(fā)明的上述和其它目的及優(yōu)點將對本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地顯現(xiàn)。有益效果如上所述,如果根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型膜通過在線或離線生產(chǎn)工藝生產(chǎn)并用作半導(dǎo)體、電子和顯示裝置的離型膜,則有利的是,由于高水平的抗靜電性能,因此可減少由于當(dāng)將該膜從粘合劑層剝離時的由靜電引起的產(chǎn)品污染。根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型膜表現(xiàn)出基底與涂覆的層之間非常好的粘附性,因為在固化離型層時沒有發(fā)生阻礙,由此本發(fā)明的膜由于穩(wěn)定的離型特性從而可適當(dāng)?shù)赜糜谏鲜鲇猛?。從閱讀說明本發(fā)明優(yōu)選實施方式的以下描述,本發(fā)明的上述和其它目的及優(yōu)點將對本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地顯現(xiàn)。最佳模式實現(xiàn)上述目的的根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型膜的特征在于,其包括聚酯膜和在該聚酯膜的至少一側(cè)上以抗靜電有機硅離型組合物涂覆至少一次的層,其中該抗靜電有機硅離型膜滿足以下方程式1和2兩者SRS12(1),和SAS^80(2)其中"SR(歐姆/平方)"是涂覆的層的表面電阻,且"SAS(。/。)"是涂層的殘余粘附性。優(yōu)選地,根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型膜的特征在于,該抗靜電有機硅離型組合物包含有機聚硅氧烷、有機氫聚硅氧烷、硅烷偶聯(lián)劑、導(dǎo)電聚合物樹脂和鉑螯合物催化劑。優(yōu)選地,根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型膜的特征在于,該抗靜電有機硅離型組合物中的導(dǎo)電聚合物樹脂通過在聚陰離子中聚合聚p塞吩或其衍生物而制備。優(yōu)選地,根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型膜的特征在于,該抗靜電有機硅離型組合物中的導(dǎo)電聚合物樹脂的量為0.05-0.5重量份,基于100重量份的有機聚硅氧烷。優(yōu)選地,根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型膜的特征在于,該抗靜電有機硅離型組合物中的硅烷偶聯(lián)劑的量為0.05-1重量份,基于100重量份的有機聚硅氧烷。更優(yōu)選地,根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型膜的特征在于,該抗靜電有機硅離型組合物包含1.2-5重量份的固體含量。更優(yōu)選地,根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型膜的特征在于,對于該有機聚硅氧烷的一個乙烯基,該抗靜電有機硅離型組合物中的有機氬聚硅氧烷具有0.5-1.2個結(jié)合到該有機氫聚硅氧烷中的硅原子上的氫原子。具體實施例方式在下文中,將參照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式更詳細(xì)地描述本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解,各實施方式僅意圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明,并且本發(fā)明的范圍不受這些實施方式的限制。用在本發(fā)明中的聚酯膜不限于特定的類型,并且已知的常規(guī)聚酯膜可用作用于抗靜電涂覆的基底膜。在本發(fā)明中,示例性聚酯膜是聚酯樹脂聚酯膜,例如聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚對苯二曱酸丁二醇酯、聚萘二曱酸乙二醇酯等。應(yīng)注意,本發(fā)明的抗靜電涂覆組合物的基底不限于聚酯片或膜。構(gòu)成本發(fā)明的所述膜的聚酯通過將芳香族二羧酸和脂肪族二醇縮聚獲得。芳香族二羧酸的實例包括對苯二曱酸、2,6-萘二曱酸等。脂肪族二醇的實例包括乙二醇、二甘醇、1,4-環(huán)己烷二曱醇等。聚酯的實例包括聚對苯二曱酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二曱酸乙二醇酯(PEN)等。示例性聚酯可為含有第三種組分的共聚物聚酯。共聚物聚酯的二羧酸組分的實例包括間苯二曱酸、鄰苯二曱酸、對苯二曱酸、2,6-萘二曱酸、己二酸、癸二酸、羥基羧酸(例如,對羥基苯曱酸)。二醇組分的實例包括乙二醇、二甘醇、丙二醇、丁二醇、1,4-環(huán)己烷二曱醇、新戊二醇等??苫旌虾褪褂脙煞N或更多種類型的二羧酸和二醇組分。對于本發(fā)明的膜,為了高的透明性、生產(chǎn)率和可加工性的全部,使用單軸或雙軸定向膜。本發(fā)明的抗靜電有機硅離型組合物中包含的導(dǎo)電聚合物樹脂優(yōu)選為與聚遙吩或其衍生物混合以獲得抗靜電性能的聚陰離子。具體地,導(dǎo)電聚合物樹脂通過獨立地使用或混合由以下化學(xué)式1和化學(xué)式2表示的化合物且然后在聚陰離子下將所得混合物聚合而獲得?;瘜W(xué)式1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>在以上化學(xué)式l中,R,和R2各自表示氫原子、Cl-12的脂肪族烴基、脂環(huán)族烴基或芳香族烴基,且具體相應(yīng)于曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、苯基等?;瘜W(xué)式2其中n表示1-4的整數(shù)。該聚陰離子為酸性聚合物,還為聚合羧酸或聚合磺酸、聚乙烯基磺酸等。聚合羧酸的實例為聚丙烯酸、聚曱基丙烯酸、聚馬來酸等。聚合磺酸的實例為聚苯乙烯磺酸等。同時,在本發(fā)明中,使用聚合物乳液,其包含0.5重量%的聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)和0.8重量%的聚苯乙烯磺酸。在用于形成以本發(fā)明的抗靜電有機硅離型組合物涂覆的層的組合物中的該導(dǎo)電聚合物樹脂的量為0.05-0.5重量份,基于100重量份的有機聚硅氧烷。如果其量小于0.05重量份,則難以使膜充分地抗靜電。如果其量大于0.5重量份,則鉑催化劑不發(fā)揮作用且由此在固化工藝中引起問題。本發(fā)明的有機聚硅氧烷的示例性分子結(jié)構(gòu)示于以下化學(xué)式3中化學(xué)式3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>R2為CH2-CH2-CH2-CH2-CH=CHrCH3,其中m和n為大于零(0)的整數(shù)。以上所示的有機聚硅氧烷在分子中含有乙烯基,其中該乙烯基可存在于該分子的任意部分中,但優(yōu)選具體在該分子的末端。其可為直鏈或支鏈型分子結(jié)構(gòu)、或其組合。用作根據(jù)本發(fā)明的涂覆組合物中的硬化劑的有機氫聚硅氧烷具有示于以下化學(xué)式4中的示例性分子結(jié)構(gòu)化學(xué)式4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中q和p為大于零(0)的整數(shù)。該有機氫聚硅氧烷具有直鏈、支鏈或環(huán)型分子結(jié)構(gòu)、或其組合。其粘度或分子量不限于特定數(shù)值,但其必須與有機聚硅氧烷良好地相容。對于本發(fā)明中有機氫聚硅氧烷的量,優(yōu)選0.5-1.2個氫原子結(jié)合到硅原子上,基于有機聚硅氧烷的一個乙烯基。如果基于有機聚硅氧烷的一個乙烯基,結(jié)合到硅原子上的氬原子數(shù)小于5,則組合物未良好地固化。如果結(jié)合到其上的氫原子數(shù)大于1.2,則在固化工藝后,彈性或物理性能可惡化。同時,在根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型組合物中,如果有機氫聚硅氧烷的量大于有機聚硅氧烷的量,則促進(jìn)太多的交聯(lián),從而導(dǎo)致減小的柔性,由此在所得膜中產(chǎn)生裂縫并導(dǎo)致在膜中減小的光滑性。根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型組合物中的硅烷偶聯(lián)劑是作為基底與涂覆的層之間的橋并用于阻擋在導(dǎo)電聚合物樹脂中作為催化劑毒物的官能團的重要組分。本發(fā)明中硅烷偶聯(lián)劑的實例包括環(huán)氧硅烷、氨基硅烷、乙烯基硅烷、曱基丙烯酰氧基硅烷、異氰酸酯硅烷偶聯(lián)劑等。用作根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型組合物中的催化劑的鉑螯合物在涂覆組合物的固化中起重要作用。如果涂覆組合物和涂覆基底含有氮、磷、硫化合物或離子型聚合物物質(zhì),則鉑螯合物不能起到催化劑的作用,且有機硅離型組合物未完全固化而失去離型性能或者導(dǎo)致抗靜電層與有機硅層之間的粘附性減小,使得有機硅被轉(zhuǎn)移。在本發(fā)明中,硅烷偶聯(lián)劑用于阻擋抗靜電有機硅離型組合物中的官能團以防止固化的阻礙。通過僅以抗靜電組合物與離型組合物的混合物涂覆一次,實現(xiàn)抗靜電性能和離型性能兩者。將根據(jù)本發(fā)明的抗靜電有機硅離型組合物稀釋至含有基于涂覆組合物的總重量的1.2-5重量%的固體含量,然后將其涂覆在聚酯膜上。用在涂覆組合物中的溶劑不限于特定的類型,只要其可分散本發(fā)明中的固體以涂覆在聚酯膜或抗靜電聚酯膜上,但優(yōu)選該溶劑為水。如果抗靜電有機硅離型組合物中固體含量的量小于1.2重量%,則難以獲得用于粘合和抗靜電性能的足夠的剝離力。如果其量大于5重量%,所得膜的透明性降低且在固化涂覆組合物時可引起老化。在下文中,將以本發(fā)明的實施方式和對比例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。實施方式實施方式1首先,包含基于100重量份有機聚硅氧烷的0.05重量份導(dǎo)電聚合物樹脂、0.05重量份硅烷偶聯(lián)劑、5重量份有機氫聚硅氧烷和50ppm鉑螯合物催化劑的有機硅離型組合物通過將該組合物稀釋在水中而制備,該組合物具有總量為2重量%的固體含量。然后將該組合物涂布在厚度為IO微米的聚酯膜的經(jīng)電暈放電處理過的表面上。在以該組合物涂覆該膜后,將該膜以熱風(fēng)干燥器在18(TC下干燥10秒以產(chǎn)生具有以抗靜電有機硅離型組合物涂覆的層的抗靜電有才幾硅離型膜。實施方式2以與上述實施方式1中相同的方式制備抗靜電有機硅離型膜,除了將O.l重量份的導(dǎo)電聚合物樹脂添加到該組合物中之外。實施方式3以與上述實施方式1中相同的方式制備抗靜電有機硅離型膜,除了將0.5重量份的導(dǎo)電聚合物樹脂和0.5重量份的硅烷偶聯(lián)劑添加到該組合物中之外。對比例1以與上述實施方式1中相同的方式制備抗靜電有機硅離型膜,除了將1.0重量份的導(dǎo)電聚合物樹脂添加到該組合物中之外。對比例2以與上述實施方式1中相同的方式制備抗靜電有機硅離型膜,除了將0.03重量份的導(dǎo)電聚合物樹脂添加到該組合物中之外。7寸比例3以與上述實施方式3中相同的方式制備抗靜電有機硅離型膜,除了將0.5重量份的丙烯酸類抗靜電劑添加到該組合物中而沒有添加導(dǎo)電聚合物樹脂之外。7寸比例4以與上述實施方式3中相同的方式制備抗靜電有機硅離型膜,除了將0.5重量份的4級銨(class4ammonium,季銨)抗靜電劑添加到該組合物中而沒有添加導(dǎo)電聚合物樹脂之外。以下列方式評價根據(jù)上述實施方式1-3和對比例1-4制備的膜的物理性能,結(jié)果示于表1中。實-瞼實施例實-驗實施例1:測量表面電阻將膜樣品放置于23C和50%RH的濕度的環(huán)境中,以用抗靜電測量儀器(MCP-T600,可得自MitsubishiCo.)根據(jù)JISK7194測量表面電阻。實驗實施例2:測量剝離力-首先制備樣品。1)將用于測量剝離力的有機硅涂覆的樣品放在25。C和65%RH的環(huán)境中24小時。2)將標(biāo)準(zhǔn)膠粘帶(TESA7475)層壓在樣品的有機硅涂覆的表面上,然后將所述樣品用20g/cn^的負(fù)荷在25。C室溫和50。C高溫的環(huán)境中壓制24小時以測量樣品的物理性能。-測量4義器chem-instmmentAR-1000-測量方法1)180。的剝離角度和12英寸/分鐘的剝離速度;和2)500mmxl500mm的樣品尺寸,250mmxl500mm的用于測量剝離力的尺寸。-測量數(shù)據(jù)剝離力用克/英寸表示,在分別測量樣品的剝離力5次后將測量數(shù)值進(jìn)行平均。實驗實施例3:測量殘余粘附性-首先制備各樣品。1)將有機硅涂覆的樣品放在25。C和65%RH的環(huán)境中24小時。2)將標(biāo)準(zhǔn)膠粘帶(Nitto31B)層壓在樣品的有機硅涂覆的表面上,然后將所述樣品用20g/cm2的負(fù)荷在室溫下壓制24小時。3)沒有污染地將層壓在有機硅涂覆的表面上的膠粘帶剝?nèi)?,然后將該膠粘帶附著在光滑且清潔的PET膜表面上并通過將2kg的帶輥(taperoller)(ASTMD-1000-55T)往復(fù)運行一次壓制以將其層壓。4)測量剝離力隱測量儀器chem-instrumentAR畫1000-測量方法1)180。的剝離角度和12英寸/分鐘的剝離速度。2)500mmxl500mm的才羊品尺寸,250mmxl500mm的用于測量剝離力的尺寸。-數(shù)據(jù)殘余粘附性(%)=層壓到涂覆的表面然^^人該涂覆的表面剝離的交粘帶的剝離力\1()()未層壓到該涂覆的表舒々膠粘帶的剝離力X實驗實施例4:測量固化水平對于該實驗,用微量注射器將3^下列試驗試劑涂覆在樣品上,其中將3M810膠粘帶層壓在有機硅涂覆的層上并剝?nèi)ヒ曰跊]有層壓在有機硅離型涂層上的膠粘帶的標(biāo)準(zhǔn)樣品根據(jù)試劑散布程度判定固化水平。-試驗試劑=IPA+紫色顏料-IPA=Mt3M810粘合劑層溶解,但不能使有機硅離型涂層溶解。與標(biāo)準(zhǔn)樣品相比,判斷隨著試驗試劑散布越少,固化程度越差。取決于斑點的相對尺寸,結(jié)果用非常好、好、一般或差表示。實驗實施例5:測量耐溶劑性進(jìn)行該實驗以測量樣品的膜表面的耐溶劑性。對于該測量,在將棉花簽棒浸在特定有機溶劑中后,使該棉花簽棒在100g的負(fù)荷下以5厘米/秒的速度在該有機硅涂覆的膜表面上往復(fù)移動10次,同時將該棉花簽棒的角度保持在45度處?;谝韵聵?biāo)準(zhǔn)評價涂覆的表面的狀態(tài)。實驗實施例6:測量擦除性質(zhì)用手指猛烈地摩擦有機硅離型涂層以檢查在該聚酯膜上的有機硅除去程度,從而了解固化的有機硅層與基底之間的粘合特性。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>(◎:非常好,〇好,△:一般,X:差)(EA:乙酸乙烯酯;IPA:異丙醇;MEK:曱乙酮;和TOL:曱苯)從以上表1可看出,已知本發(fā)明的實施方式l-3可實現(xiàn)非常好的抗靜電性能和穩(wěn)定的離型性能兩者。然而,在其中添加過量的導(dǎo)電聚合物樹脂的對比例l的情況中,涂覆組合物的固化差。在其中導(dǎo)電聚合物樹脂的量不足的對比例2的情況中,未獲得抗靜電性能。在其中使用阻礙本發(fā)明的上述有機硅離型組合物的固化的抗靜電劑的對比例3和4的情況中,有機硅離型涂層的固化水平以及基底與以有機硅離型組合物涂覆的層之間的粘附性差。在該-說明書中,僅il明了由發(fā)明人進(jìn)行的各種實施方式的一些實施例,但應(yīng)注意,本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于此,并且當(dāng)然可由本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)行修改和變化。從上述描述,應(yīng)注意到可進(jìn)行各種修改和變化而不脫離本發(fā)明的真實精神和范圍。應(yīng)理解,上述描述意圖說明而非意圖限制由所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的范圍。本發(fā)明在于每個新的特性特征和各特征的每個組合。動詞"包括(含)"及其變形的使用不排除不同于在權(quán)利要求中所述要素的要素的存在。在要素之前的冠詞"一種(個)(a)"或"一種(個)(an)"不排除多種(個)這種要素的存在。權(quán)利要求1.一種抗靜電有機硅離型膜,其特征在于包括聚酯膜;和在該聚酯膜的至少一側(cè)上以抗靜電有機硅離型組合物涂覆至少一次的層,其中該抗靜電有機硅離型膜滿足以下方程式1和2兩者SR≤12(1),和SAS≥80(2)其中“SR(歐姆/平方)”是所述涂覆的層的表面電阻,且“SAS(%)”是所述涂覆的層的殘余粘附性。2.權(quán)利要求1的抗靜電有機硅離型膜,其特征在于該抗靜電有機硅離型組合物包含有機聚硅氧烷、有機氫聚硅氧烷、硅烷偶聯(lián)劑、導(dǎo)電聚合物樹脂和鉑螯合物催化劑。3.權(quán)利要求2的抗靜電有機硅離型膜,其特征在于該抗靜電有機硅離型組合物中該導(dǎo)電聚合物樹脂通過在聚陰離子中聚合聚噻吩或其衍生物制備。4.權(quán)利要求2的抗靜電有機硅離型膜,其特征在于該抗靜電有機硅離型組合物中該導(dǎo)電聚合物樹脂的量為0.05-0.5重量份,基于100重量份的有機聚硅氧烷。5.權(quán)利要求2的抗靜電有機硅離型膜,其特征在于該抗靜電有機硅離型組合物中該硅烷偶聯(lián)劑的量為0.05-1重量份,基于100重量份的有機聚硅氧烷。6.權(quán)利要求1-5中任一項的抗靜電有機硅離型膜,其特征在于該抗靜電有機硅離型組合物包含1.2-5重量°/。的固體含量。7.權(quán)利要求2-5中任一項的抗靜電有機硅離型膜,其特征在于該抗靜電有機硅離型組合物中該有機氫聚硅氧烷具有0.5-1.2個結(jié)合到該有機氫聚硅氧烷的硅原子上的氫原子,基于該有機聚硅氧烷的一個乙烯基。全文摘要本發(fā)明涉及一種抗靜電有機硅離型膜,其具有以抗靜電有機硅離型組合物涂覆的層且用于半導(dǎo)體、電子和顯示裝置,同時解決了當(dāng)普通離型膜與粘合劑或粘合劑層分離時產(chǎn)生的靜電問題以及由這種引起嚴(yán)重產(chǎn)品缺陷的靜電造成的污染問題。本發(fā)明還涉及一種抗靜電有機硅離型膜,其可減少在將所述膜從粘合劑或粘合劑層剝離時由靜電所導(dǎo)致的產(chǎn)品污染,并且由于在固化離型層時沒有阻礙而獲得基底與涂覆的層之間的緊密粘合,且也由此具有穩(wěn)定的離型性能。文檔編號B32B27/16GK101421104SQ200780013037公開日2009年4月29日申請日期2007年9月5日優(yōu)先權(quán)日2007年3月16日發(fā)明者尹宗郁,徐基奉,李政佑,李文馥,金相弼申請人:東麗世韓有限公司