專利名稱：：透光性電磁波屏蔽膜、制造透光性電磁波屏蔽膜的方法、顯示面板用膜、顯示面板用濾光...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種透光性電磁波屏蔽膜，制造透光性電磁波屏蔽膜的方法和從所述方法得到的透光性電磁波屏蔽膜，還涉及使用所述屏蔽膜的顯示面板用膜、顯示面板用濾光器和等離子體顯示面板，其中所述透光性電磁波屏蔽膜能夠屏蔽從CRT(陰極射線管)、PDP(等離子體顯示面板)、液晶、EL(電致發(fā)光)或FED(場(chǎng)發(fā)射顯示器)的顯示屏幕、微波爐、電子器件和印刷線路板產(chǎn)生的電磁波并具有透光性。
背景技術(shù)：
：近年來，隨著各種電氣設(shè)備和電子應(yīng)用設(shè)備的使用的增加，EMI(電磁干擾)急劇增大。已知的是EMI在電子或電氣裝置中引起操作故障或麻煩。因此，需要控制電子或電氣裝置的電磁波強(qiáng)度在標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)定水平內(nèi)。作為針對(duì)上述EMI問題的對(duì)策，需要屏蔽電磁波，顯然可以利用金屬不允許電磁波透過的特性可實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。例如，已經(jīng)采用了使用由金屬或高導(dǎo)電物質(zhì)制成的殼體的方法，在電路基板間插入金屬板的方法，以及用金屬箔覆蓋電纜的方法。然而，在CRT或PDP中，顯示時(shí)要求透明度，因?yàn)椴僮魅藛T應(yīng)識(shí)別屏幕上顯示的字符等。因此，使顯示屏幕經(jīng)常變成不透明的的上述方法不適于作為屏蔽電磁波的方法。特別地，由于與CRT等相比，PDP產(chǎn)生大量電磁波，因此要求PDP具有更強(qiáng)的電磁波屏蔽能力。電磁波屏蔽能力可以簡(jiǎn)單地以表面電阻值表示。例如，CRT用的透光性電磁波屏蔽材料其表面電阻值應(yīng)為約300Q/sq或更小，PDP用的透光性電磁波屏蔽材料其表面電阻值應(yīng)為2.5Q/sq或更小。在使用PDP的等離子體電視中，其表面電阻值應(yīng)為1.5Q/sq或更小，更優(yōu)選具有極高導(dǎo)電性，高達(dá)0.1Q/sq或更小。此外，關(guān)于透明度水平，對(duì)于CRT，透明度應(yīng)為約70%或更大(對(duì)于全部可見的光透射率)，對(duì)于PDP,透明度應(yīng)為約80%或更大，更高的透明度是優(yōu)選的。為解決上述問題，已經(jīng)提出了使用具有開口的金屬網(wǎng)來提供電磁波屏蔽能力和透光性能力的各種材料和方法。作為其代表性例子，已經(jīng)有利用照相平版印刷方法的蝕刻加工網(wǎng)。利用照相平版印刷方法的常規(guī)蝕刻加工網(wǎng)能夠進(jìn)行微加工，可以形成具有高開口率(高透射率)的網(wǎng)，其優(yōu)點(diǎn)在于，能夠屏蔽強(qiáng)的電磁波。另一方面，網(wǎng)的問題在于，網(wǎng)的制造過程復(fù)雜和昂貴，需要改進(jìn)。作為以低成本制造金屬網(wǎng)的方法，已經(jīng)提出了一種在格子狀圖案中印刷含有金屬顆粒的糊狀物或油墨來得到金屬網(wǎng)的方法。例如，JP-A-2003-318593公開了一種通過使用噴墨方法印刷導(dǎo)電材料如銀的微粒分散體，然后加熱和烘焙，來制造電磁波屏蔽元件的方法。此外，JP-A-2004-119880公開了一種通過印刷含有銀化合物的糊狀物，加熱促進(jìn)銀化合物還原和分解成銀金屬和促進(jìn)金屬顆粒的彼此熔融，來制造電磁波屏蔽膜的方法。此外，作為以低成本制造滿足要求的金屬網(wǎng)的方法，已經(jīng)提出了一種利用銀鹽成像原理的方法。例如，JP-A-2004-221564公開了一種通過制備鹵化銀感光材料、以網(wǎng)狀圖案進(jìn)行曝光、對(duì)其進(jìn)行顯影處理、電鍍處理，來制造電磁波屏蔽元件的方法。
發(fā)明內(nèi)容與利用照相平版印刷術(shù)制造蝕刻加工網(wǎng)的方法相比，利用上述印刷方法或上述鹵化銀照相方法得到的金屬網(wǎng)其優(yōu)點(diǎn)在于，允許以較少的步驟制造，并可以降低制造成本。另一方面，涉及到以下問題。艮口，金屬部分不具有充分的耐化學(xué)品性，而這是用于顯示的電磁波屏蔽材料所要求的，因此需要改進(jìn)。It匕外，除了金屬部分的耐化學(xué)品性之外，透射光的非金屬部分(透光性部分)的缺點(diǎn)在于變色，因此需要改進(jìn)。本發(fā)明人廣泛研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，由于印刷金屬或金屬化合物的微粒的分散體，因此金屬網(wǎng)部分中的金屬相不會(huì)形成完整的連續(xù)相，并易于形成具有大表面積的金屬微粒。即，金屬部分的表面積在蝕刻處理金屬箔的情況下易于變大，這被認(rèn)為對(duì)金屬部分的耐化學(xué)品性不利。此外，在金屬由銀構(gòu)成并具有高導(dǎo)電性的情況下，通過現(xiàn)有技術(shù)的印刷方法得到的金屬網(wǎng)，表現(xiàn)出金屬銀的特殊光澤和反射，因此作為電子顯示器的電磁波屏蔽并不充分。為此，需要一種表現(xiàn)出較小反射并且不涉及上述缺點(diǎn)的黑色材料。有鑒于上述情況完成了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種透光性電磁波屏蔽膜，其具有優(yōu)異的耐化學(xué)品性如耐鹽水性、優(yōu)異的耐熱性、優(yōu)異的耐濕熱性、優(yōu)異的耐久性、隨時(shí)間變化變色小和高電磁波屏蔽能力，其產(chǎn)生較小的光散射并具有高透光率，可降低金屬的反射；還提供使用所述透光性電磁波屏蔽膜的顯示面板用膜、顯示面板用濾光器和等離子體顯示器用等離子體顯示面板。此外，本發(fā)明的目的是提供一種可以低成本地大量制造透光性電磁波屏蔽膜的制造方法，所述透光性電磁波屏蔽膜具有優(yōu)異的耐久性和高電磁波屏蔽能力，產(chǎn)生較小的光散射并具有高的光透射率。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種通過所述制造方法得到的透光性電磁波屏蔽膜。本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供具有所述透光性電磁波屏蔽膜的顯示器用膜、顯示面板用濾光器和等離子體顯示面板。本發(fā)明人廣泛研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在改進(jìn)耐化學(xué)品性和耐久性方面有效地是抑制金屬的腐蝕。此外，本發(fā)明人廣泛研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在獲得具有優(yōu)異的耐久性和同時(shí)具有高電磁波屏蔽能力和高透明度的透光性電磁波屏蔽膜的方面，為了改進(jìn)耐久性，有效地是用有機(jī)巰基化合物處理，并且通過以下構(gòu)成可以有效地實(shí)現(xiàn)上述目的，從而基于這些發(fā)現(xiàn)完成了本發(fā)明。艮P，本發(fā)明如下。一種透光性電磁波屏蔽膜，包括透明基板；含有銀作為主要成分的印刷圖案；和至少一種防銹劑，其中所述含有銀作為主要成分的印刷圖案包括導(dǎo)電金屬部；和透光性部分，禾口其中按構(gòu)成所述印刷圖案的金屬總質(zhì)量計(jì)，所述印刷圖案的銀含量為60質(zhì)量％或更大。如項(xiàng)[l]所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述印刷圖案的銀含量為85質(zhì)量％或更大。如項(xiàng)[1]或[2]所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述印刷圖案含有銀和除銀之外的貴金屬。如項(xiàng)[1][3]任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述印刷圖案含有銀和鈀、或銀和金。如項(xiàng)[1][4]任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述至少一種防銹劑是具有N-H結(jié)構(gòu)的5-元環(huán)唑化合物。如項(xiàng)[1][4]任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述至少一種防銹劑是有機(jī)巰基化合物。如項(xiàng)[1][4]任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述至少一種防銹劑是具有N-H結(jié)構(gòu)的5-元環(huán)唑化合物和有機(jī)巰基化合物的組合。如項(xiàng)[6]或[7]所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述有機(jī)巰基化合物是式(2)所代表的化合物式(2)Z-SM其中Z代表烷基、芳香基團(tuán)或雜環(huán)基團(tuán)，它們被至少一種選自羥基、-S03MZ基團(tuán)、-(:001^2基團(tuán)、氨基和銨基(ammonio)的基團(tuán)所取代或被至少一種選自羥基、-S03M2基團(tuán)、-(300河2基團(tuán)、氨基和銨基的基團(tuán)取代的取代基所取代，其中MM戈表氫原子、堿金屬原子或銨基；以及M代表氫原子、堿金屬原子或脒基，其可任選地形成氫卣酸鹽或磺酸鹽。如項(xiàng)問或[7]所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述有機(jī)巰基化合物是式(1)和(3)(5)所代表的至少一種有機(jī)巰基化合物式(l):其中，-D一n-E二每一個(gè)獨(dú)立地代表-CH:基團(tuán)、-C(R，基團(tuán)或-N:基團(tuán)；RG代表取代基；以及L'、L，n^每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、鹵素原子或通過碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或磷原子與環(huán)連接的取代基，條件是L1、L2、LS和RG中的至少一個(gè)是-SM基團(tuán)，其中M代表堿金屬原子、氫原子或銨基。式(3)和(4):其中，R2,和R22每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子或烷基，條件是R2,和R22不同時(shí)代表氫原子并且烷基可以具有取代基；1123和1124每一個(gè)代表氫原子或垸基；R25代表羥基或羥基的鹽、氨基、烷基或苯基；R26和R"每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、垸基、?；?COOM22，條件是1126和R27不同時(shí)代表氫原子；M2,代表氫原子、堿金屬原子或銨基；M22代表氫原子、垸基、堿金屬原子、芳基或芳烷基；m代表0、l或2;以及n代表2;式(5):其中，X4o代表氫原子、羥基、低級(jí)垸基、低級(jí)烷氧基、鹵素原子、羧<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>基或磺酸基；M4,和Ma每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、堿金屬原子或銨基。[10]如項(xiàng)[9]所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述有機(jī)巰基化合物由式(l)所代表。[11]如項(xiàng)[1][10]任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，相對(duì)于所述印刷圖案而言，其包括量為0.0010.04g/rr^的至少一種防銹劑。[12]如項(xiàng)[1][11]任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，其還包括具有選自以下一種或多種功能的功能性透明層紅外線屏蔽性能、硬涂層性能、抗反射性能、防眩性能、抗靜電性能、防污性能、紫外線阻斷性能、氣體阻擋性能和顯示面板破損防止性能。[13]—種顯示面板用膜，其包括如項(xiàng)[1][12]任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜。[14]一種等離子體顯示面板用濾光器，其包括如項(xiàng)[13]所述的顯示面板用膜。[15]—種等離子體顯示面板，其包括如項(xiàng)[13]所述的顯示面板用膜或如項(xiàng)[14]所述的等離子體顯示面板用濾光器。[16]—種制造透光性電磁波屏蔽膜的方法，其包括通過在透明基板上印刷含有銀作為主要成分的微粒形成導(dǎo)電金屬部和透光性部分，其中按金屬總質(zhì)量計(jì)，銀含量為60質(zhì)量％或更大；和用至少一種防銹劑處理所述導(dǎo)電金屬部和所述透光性部分。[17]—種制造透光性電磁波屏蔽膜的方法，其包括通過在透明基板上印刷含有銀作為主要成分的微粒形成導(dǎo)電金屬部和透光性部分，其中按金屬總質(zhì)量計(jì)，銀含量為60質(zhì)量％或更大；用含有Pd離子的液體處理所述導(dǎo)電金屬部和所述透光性部分；以及用至少一種防銹劑處理所述導(dǎo)電金屬部和所述透光性部分。[18]—種制造透光性電磁波屏蔽膜的方法，其包括通過使設(shè)置在透明基板上的含銀鹽層曝光并顯影處理曝光層，形成金屬銀部和透光性部分；使所述金屬銀部進(jìn)行物理顯影和電鍍處理中的至少一種處理，形成導(dǎo)電金屬部，其中導(dǎo)電金屬負(fù)載于所述金屬銀部上；和用有機(jī)巰基化合物使所述導(dǎo)電金屬部進(jìn)行防止變色處理。[19]如項(xiàng)[18]所述的制造透光性電磁波屏蔽膜的方法[18]，其中所述有機(jī)巰基化合物由式(2)所代表式(2)Z-SM其中z代表垸基、芳香基團(tuán)或雜環(huán)基團(tuán)，它們被至少一種選自羥基、-S03M嗜團(tuán)、-COOMZ基團(tuán)、氨基和銨基的基團(tuán)所取代或被至少一種選自羥基、-8031^2基團(tuán)、-(:001^2基團(tuán)、氨基和銨基的基團(tuán)取代的取代基所取代，其中MZ代表氫原子、堿金屬原子或銨基；以及M代表氫原子、堿金屬原子或脒基，其可任選地形成氫鹵酸鹽或磺酸鹽。[20]如項(xiàng)[18]或[19]所述的制造透光性電磁波屏蔽膜的方法，其中所述有機(jī)巰基化合物是式(1)和(3)(5)所代表的至少一種有機(jī)巰基化合物式(l):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>其中，-0=和*=每一個(gè)獨(dú)立地代表-01=基團(tuán)、-<:(11())=基團(tuán)或^=基團(tuán);RG代表取代基；以及LVL^和I^每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、鹵素原子或通過碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或磷原子與環(huán)連接的取代基，條件是L1、L2、L、PR0中的至少一個(gè)是-SM基團(tuán)，其中M代表堿金屬原子、氫原子或銨基。式(3)和(4):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>其中，R2,和R22每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子或垸基，條件是R2,和R22不同時(shí)代表氫原子并且垸基可以具有取代基；R23和R24每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子或垸基；R25代表羥基或羥基的鹽、氨基、垸基或苯基；R26和R27每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、垸基、?；?COOM22，條件是R:和R27不同時(shí)代表氫原子；M^代表氫原子、堿金屬原子或銨基；M^代表氫原子、烷基、堿金屬原子、芳基或芳烷基；m代表0、l或2;以及n代表2;式(5):其中，X4o代表氫原子、羥基、低級(jí)垸基、低級(jí)烷氧基、鹵素原子、羧基或磺酸基；M4,和Ma每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、堿金屬原子或銨基。[21]—種根據(jù)項(xiàng)[18][20]任一項(xiàng)的制造方法制造的透光性電磁波屏蔽膜。[22]如項(xiàng)[21]所述的透光性電磁波屏蔽膜，其還包括具有選自以下一種或多種功能的功能性透明層紅外線屏蔽性能、硬涂層性能、抗反射性能、防眩性能、抗靜電性能、防污性能、紫外線阻斷性能、氣體阻擋性能和顯示面板破損防止性能。[23]—種顯示面板用膜，其包括如項(xiàng)[21]或[22]所述的透光性電磁波屏蔽膜。[24]—種等離子體顯示面板用濾光器，其包括如項(xiàng)[23]所述的顯示面板用膜。[25]—種等離子體顯示面板，其包括如項(xiàng)[23]所述的顯示面板用膜或如項(xiàng)[24]所述的等離子體顯示面板用濾光器。下面詳細(xì)說明本發(fā)明，本發(fā)明涉及一種透光性電磁波屏蔽膜，其包括具體實(shí)施方式透明基板，透明基板上設(shè)有含有銀作為主要成分的印刷圖案和防銹劑。此外，在本說明書中，""用于指包括在""之前和之后的數(shù)字分別作為下限值和上限值。[透明基板]在本發(fā)明中使用的透明基板，例如，可以使用聚酯類，如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯；聚烯烴類，如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯和EVA;乙烯基系樹脂，如聚氯乙烯和聚偏二氯乙烯；其他類，如聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSE)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰胺、聚酰亞胺、丙烯酸類樹脂和三乙?；w維素(TAC)。在本發(fā)明中，從透明度、耐熱性、易處理性和成本的觀點(diǎn)來看，透明塑料基板優(yōu)選是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜。透明塑料基板的厚度優(yōu)選為5200nm，更優(yōu)選10130(im，再更優(yōu)選4080pm，因?yàn)檩^小厚度的基板將劣化處理性能，而較犬厚度的基板其對(duì)可見光的透射率下降?；逍枰哂懈咄该鞫龋?yàn)轱@示面板用的電磁波屏蔽膜需要是透明的。在這種情況下，透明塑料基板的全可見光透射率優(yōu)選為70~100%，更優(yōu)選85~100%，特別優(yōu)選90~100%。在本發(fā)明中，作為透明塑料基板，還可以使用著色程度不會(huì)妨礙本發(fā)明效果的那些基板。在本發(fā)明中，透明塑料基板可以用作單層，還可以用作包括兩層或更多層的多層膜。在本發(fā)明中，還可以使用玻璃板作為透明基板。對(duì)于玻璃板的種類沒有限制。然而，在用作顯示器的電磁波屏蔽膜時(shí)，優(yōu)選使用在表面上設(shè)有強(qiáng)化層的強(qiáng)化玻璃。與未強(qiáng)化的玻璃相比，強(qiáng)化玻璃具有可以防止玻璃破損的高度可能性。此外，由于通過風(fēng)冷方法得到的強(qiáng)化玻璃，即使在萬一破碎的情況下，也碎成沒有銳利端面的小片，從安全性的觀點(diǎn)來看這是優(yōu)選的。[印刷圖案]接下來，下面說明本發(fā)明的含有銀作為主要成分的印刷圖案。印刷圖案包括導(dǎo)電金屬部和透光性部分。作為印刷方法，可以使用已知的印刷方法，如凹版印刷方法、膠印方法、活版印刷方法、絲網(wǎng)印刷方法、苯胺印刷方法或噴墨印刷方法?？梢詫?duì)透明基板進(jìn)行表面處理，或在其上可以設(shè)置錨定(anchor)涂層。作為表面處理的方法，涂布底物的處理、等離子體處理或電暈放電處理是有效的。進(jìn)行這些處理使得經(jīng)處理的透明基板的臨界表面張力優(yōu)選為3.5x10'4N/cm或更大，更優(yōu)選4.0x10—4N/cm或更大。印刷用的糊狀物或油墨含有通過印刷得到導(dǎo)電圖案的金屬或金屬化合物，此外，優(yōu)選含有溶劑、粘結(jié)劑和用于分散金屬或金屬化合物的分散劑。作為金屬，可以列舉的有銀、銅、鎳、鈀、金、鉑或錫的微粒。在本發(fā)明中，印刷圖案含有銀作為主要成分，銀可以單獨(dú)使用或可以作為包括銀的上述金屬的兩種或更多種的混合物使用。然而，用語"含有銀作為主要成分的印刷圖案"指含有按構(gòu)成圖案的金屬質(zhì)量計(jì)為60質(zhì)量％或更大的銀的印刷圖案，并且從導(dǎo)電性和耐久性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選85質(zhì)量％或更大。在本發(fā)明中，在使用兩種或更多種金屬的情況下，優(yōu)選用一種金屬涂布另一種金屬。作為金屬，除了鎳之外，可以列舉的有鋅、錫、鈷和鉻、貴金屬如金、鉑和鈀，貴金屬是特別優(yōu)選的，銀和鈀或銀和金是更特別優(yōu)選的。涂布方法包括(l)在制備印刷用糊狀物或油墨中所含的金屬微粒時(shí)制備鈀或金合金的微粒，并印刷這種糊狀物或油墨的方法，禾P(2)在印刷銀微粒之后，用含有鈀(II)離子如Na2PdCU的液體或氯金酸的水溶液進(jìn)行處理，從而用鈀或金涂布銀。其中，方法(2)是特別優(yōu)選的，因?yàn)榭筛倪M(jìn)耐久性，如特別優(yōu)異的耐鹽水性.還可以使用金屬化合物。金屬化合物指金屬氧化物或有機(jī)金屬化合物。當(dāng)從外部施加能量時(shí)易于發(fā)生還原或分解而賦予導(dǎo)電性的化合物是優(yōu)選的。作為金屬氧化物，可以使用氧化金或氧化銀。特別地，氧化銀是優(yōu)選的，因?yàn)槠渚哂凶赃€原性能。作為有機(jī)金屬化合物，具有相對(duì)較小分子量的乙酸銀或檸檬酸銀是優(yōu)選的。在糊狀物含有金屬的情況下，優(yōu)選從納米級(jí)(5-60nm)金屬顆粒、分散劑和溶劑制備糊狀物。此外，糊狀物含有金屬氧化物的情況下，優(yōu)選從納米級(jí)金屬氧化物顆粒、還原金屬氧化物所必需的還原劑和溶劑制備糊狀物，在糊狀物含有有機(jī)金屬化合物的情況下，優(yōu)選從具有低分解溫度的有機(jī)金屬化合物和溶劑制備糊狀物。特別地，當(dāng)使用同時(shí)含有納米級(jí)金屬氧化物和納米級(jí)有機(jī)金屬化合物的糊狀物時(shí)，可以印刷均勻細(xì)線。此外，在通過從外部施加能量而賦予導(dǎo)電性的情況下，通過適宜地選擇還原劑和有機(jī)金屬化合物的結(jié)構(gòu)，可以在不損壞柔性膜的條件下促進(jìn)金屬氧化物還原和分解成金屬并促進(jìn)金屬顆粒相互熔融。因此，可以進(jìn)一步降低電阻值。此外，在不需加入還原劑就可以還原金屬氧化物的情況下，例如，在可以通過加熱使金屬氧化物自還原的情況下，可以省略加入還原劑。關(guān)于溶劑，盡管后面進(jìn)行詳細(xì)說明，但是可以根據(jù)使用的印刷方法或調(diào)節(jié)糊狀物粘度的方法使用適宜的溶劑?？梢允褂酶叻悬c(diǎn)溶劑如卡必醇或丙二醇?？梢愿鶕?jù)使用的印刷方法和溶劑適宜地選擇糊狀物的粘度，優(yōu)選為5mPa's20000mPa's。作為加到本發(fā)明使用的糊狀物或油墨中的粘結(jié)劑，可以是以下樹脂中的任何樹脂，例如，熱塑性樹脂，如聚酯樹脂、聚乙烯基丁縮醛樹脂、乙基纖維素樹脂、(甲基)丙烯酸類樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂和聚酰胺樹脂；熱固性樹脂，如聚酯-三聚氰胺樹脂、三聚氰胺樹脂、環(huán)氧樹脂-三聚氰胺樹脂、酚醛樹脂、氨基樹脂、聚酰亞胺樹脂和(甲基)丙烯酸類樹脂。在需要時(shí)，可以共聚這些樹脂中的兩種或多種，或者可以共混使用其中的兩種或多種。適用溶劑的具體例子包括醇類，如己醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇、十二醇、十三醇、十四醇、十五醇、硬脂醇、蠟醇、環(huán)己醇和砲品醇；和垸基醚，如乙二醇單丁基醚(丁基溶纖劑)、乙二醇單苯基醚、二乙二醇、二乙二醇單丁基醚(丁基卡必醇)、溶纖劑乙酸酯、丁基溶纖劑乙酸酯、卡必醇乙酸酯和丁基卡必醇乙酸酯。可以根據(jù)印刷適宜性和工作能力適當(dāng)?shù)剡x擇它們。在使用高級(jí)醇作為溶劑的情況下，油墨的干燥性能和流動(dòng)能力可能降低。在這種情況下，可以將具有更佳干燥性能的丁基卡必醇、丁基溶纖劑、乙基卡必醇、丁基溶纖劑乙酸酯或丁基卡必醇乙酸酯與高級(jí)醇一起使用。根據(jù)油墨或糊狀物的粘度確定溶劑的用量?？紤]到上述金屬粉末的加入量，按100質(zhì)量份粘結(jié)劑計(jì)，溶劑的用量通常為100500質(zhì)量份，優(yōu)選100300質(zhì)量份。關(guān)于金屬、粘結(jié)劑和溶劑的構(gòu)成比(質(zhì)量比)，按金屬為1計(jì)，使用1(T5102的粘結(jié)劑和1~105的溶劑，按金屬為1計(jì)，優(yōu)選使用10—310的粘結(jié)劑和10103的溶劑。印刷的導(dǎo)電金屬部?jī)?yōu)選在高溫下烘焙。烘焙用于除去有機(jī)成分，并使金屬微粒相互粘合，從而降低表面電阻值。烘焙溫度例如為501000。C，優(yōu)選70600。C，烘焙吋間例如為3600分鐘，優(yōu)選1030分鐘。本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜具有導(dǎo)電金屬部，因此可以獲得良好的導(dǎo)電性。因此，本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜的表面電阻值優(yōu)選為IOQ/sq或更小，更優(yōu)選2.5Q/sq或更小，再更優(yōu)選1.5Q/sq，最優(yōu)選O.lQ/sq或更小。本發(fā)明的導(dǎo)電金屬部?jī)?yōu)選具有一定幾何形狀，其中組合三角形如等邊三角形、等腰三角形或直角三角形，四邊形如正方形、矩形、菱形、平行四邊形或梯形，(正)六邊形或(正)八邊形。更優(yōu)選金屬部分呈由這些幾何形狀構(gòu)成的網(wǎng)狀。在本發(fā)明中，金屬部分最優(yōu)選是由正方形成構(gòu)成的網(wǎng)狀。導(dǎo)電金屬部的線寬優(yōu)選為20pm或更小，線間隔優(yōu)選為IOOpm或更大。此外，為建立接地連接，導(dǎo)電金屬部可以具有線寬大于20pm的子部分。此外，從使金屬部分不顯眼的觀點(diǎn)來看，導(dǎo)電金屬部更優(yōu)選的線寬小于15pm。關(guān)于導(dǎo)電金屬部的厚度，較薄的金屬部分對(duì)于用于顯示面板是更優(yōu)選的，因?yàn)榭梢詳U(kuò)大視角。厚度優(yōu)選為l[im20iam，更優(yōu)選lpm~13pm，再更優(yōu)選210pm，最優(yōu)選37pm。此外，導(dǎo)電部分優(yōu)選呈圖案化形式。導(dǎo)電金屬部可以是單層或可以是由兩層或更多層構(gòu)成的層狀結(jié)構(gòu)。從可見光透射率的觀點(diǎn)來看，本發(fā)明的導(dǎo)電金屬部?jī)?yōu)選其開口率為85%或更大，更優(yōu)選90%或更大，最優(yōu)選95%或更大。本說明書中，術(shù)語"開口率"指不含構(gòu)成網(wǎng)格的細(xì)線的面積在整個(gè)面積中所占比例。例如，線寬10um和間距200ym的正方形格子網(wǎng)其開口率約為90。/。。此外，對(duì)于本發(fā)明的導(dǎo)電金屬部分的開口率的上限沒有特別限制。然而，從表面電阻值和線寬之間關(guān)系的觀點(diǎn)來看，開口率優(yōu)選為98%或更小。[防銹劑〗接下來，下面說明本發(fā)明中使用的防銹劑。本發(fā)明中使用的防銹劑優(yōu)選是具有有機(jī)巰基化合物的N-H結(jié)構(gòu)的5-元環(huán)唑化合物。N-H結(jié)構(gòu)指在唑中含有的氮-氫鍵，其中氫是可解離的。具有N-H結(jié)構(gòu)的5-元環(huán)唑化合物的優(yōu)選例子包括四唑、三唑、咪唑、噻二唑、苯并咪唑和四氮雜茚。這種環(huán)可以具有WRm所代表的取代基。L代表單鍵、二價(jià)脂肪族基團(tuán)、二價(jià)芳香烴基團(tuán)、二價(jià)雜環(huán)基團(tuán)或由其組合形成的連接部分。L優(yōu)選是單鍵、含有110個(gè)碳原子的亞垸基(如亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、異亞丙基、2-羥基亞丙基、亞己基或亞辛基)、含有210個(gè)碳原子的亞烯基(如亞乙烯基、亞丙烯基或亞丁烯基)、含有712個(gè)碳原子的亞芳烷基(如亞苯乙基)、含有612個(gè)碳原子的亞芳基(如亞苯基、2-氯亞苯基、3-甲氧基亞苯基或亞萘基)、含有110個(gè)碳原子的二價(jià)雜環(huán)基團(tuán)(如吡啶基、噻吩基、呋喃基、三唑基或咪唑基)、由單鍵和這些基團(tuán)的任意組合或與-CO-、-S02-、-NR2Q2-、-O-或-S-的任意組合形成的基團(tuán)。R旭代表氫原子、含有卜6個(gè)碳原子的垸基(如甲基、乙基、丁基或己基)、含有710個(gè)碳原子的芳烷基(如芐基或苯乙基)或含有6~10個(gè)碳原子的芳基(如苯基、4-甲基苯基或2-甲基苯基)。特別優(yōu)選是單鍵。R可以是取代基，如硝基、鹵素原子(如氯原子或溴原子)、巰基、氰基、取代或未取代的垸基(如甲基、乙基、丙基、叔丁基或氰基乙基)、芳基(如苯基、4-甲烷磺酰胺苯基、4-甲基苯基、3，4-二氯苯基或萘基)、烯基(如烯丙基)、芳烷基(如芐基、4-甲基芐基或苯乙基)、磺?；?如甲烷磺?；⒁彝榛酋；?qū)妆交酋；?、氨基甲?；?如未取代的氨基甲?；?、甲基氨基甲?；虮交被柞；?、氨磺酰基(如未取代的氨磺?；?、甲基氨磺酰基或苯基氨磺?；?、碳酰胺基(如乙酰胺或苯甲酰胺基團(tuán))、磺酰胺基團(tuán)(如甲烷磺酰胺、苯磺酰胺或?qū)妆交酋０坊鶊F(tuán))、酰氧基(如乙酰氧基或苯甲酰氧基)、磺酰氧基(如甲烷磺酰氧基)、脲基(如未取代的脲基、甲基脲基、乙基脲基或苯基脲基)、酰基(如乙?；虮郊柞；?、氧基羰基(如甲氧基羰基或苯氧基羰基)、氧基羰基氨基(如甲氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基或2-乙基己氧基羰基氨基)、或羥基。n和m每一個(gè)代表0或l3的整數(shù)，并且在n和m每一個(gè)代表2或3的情況下，L和R可以彼此相同或不同。含氮有機(jī)雜環(huán)化合物的優(yōu)選例子包括咪唑、苯并咪唑、苯并吲唑和苯并三唑，它們可以具有取代基，如烷基、羧基或磺酸基。作為在本發(fā)明中使用的防銹劑，優(yōu)選使用有機(jī)巰基化合物。有機(jī)巰基化合物的例子包括烷基巰基化合物、芳基巰基化合物和雜環(huán)巰基化合物。有機(jī)巰基化合物優(yōu)選是下式(2)所代表的有機(jī)巰基化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>其中Z代表垸基、芳香基團(tuán)或雜環(huán)基團(tuán)，它們被至少一種選自羥基、-S03ML基團(tuán)、-COOIvf基團(tuán)(其中MZ代表氫原子、堿金屬原子或銨基)、氨基和銨基的基團(tuán)所取代或被至少一種選自上述基團(tuán)的基團(tuán)取代的取代基所取代，M代表氫原子、堿金屬原子或脒基(任選地形成氫鹵酸鹽或磺酸鹽)。此外，下式(l)、(3)(5)所代表的有機(jī)巰基化合物也是優(yōu)選的。式(l)所代表的化合物是特別優(yōu)選的。在式(1)中，-0二和-￡=每一個(gè)獨(dú)立地代表-01=基團(tuán)、-C(RG"基團(tuán)或-N-基團(tuán)，Ra代表取代基，L1、！^和LS每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、鹵素原子或通過碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或磷原子與環(huán)連接的任意取代基，條件是L1、L2、1^和RG中的至少一個(gè)是-SM基團(tuán)(其中M代表堿金屬原子、氫原子或銨基)。此外，當(dāng)-D-和-E-之一是基團(tuán)-N-時(shí)，-D-代表基團(tuán)-CH-或-C(RQ)=，和-E:代表基團(tuán)-N、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>在式(3)和(4)中，R2,和R22每一個(gè)代表氫原子或烷基，條件是R2,和R22不同時(shí)代表氫原子并且垸基可以具有取代基，R23和R24每一個(gè)代表氫原子或烷基，R25代表羥基(或其鹽)、氨基、烷基或苯基，R26和R27每一個(gè)代表氫原子、烷基、?；?COOM22，條件是R26和R27不同時(shí)代表氫原子，M2,代表氫原子、堿金屬原子或銨基，M22代表氫原子、垸基、堿金屬原子、芳基或芳烷基，m代表0、l或2，n代表2。在式(5)中，X4o代表氫原子、羥基、低級(jí)垸基、低級(jí)烷氧基、鹵素原子、羧基或磺酸基，M^和Ma每一個(gè)代表氫原子、堿金屬原子或銨基。下面說明式(2)所代表的化合物。在式(2)中，Z所代表的烷基是含有優(yōu)選l30個(gè)碳原子、特別是220個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀垸基，其還可以具有上述取代基之外的取代基。Z所代表的芳香基團(tuán)是含有優(yōu)選632個(gè)碳原子的單環(huán)或稠環(huán)，其還可以具有上述取代基之外的取代基。Z所代表的雜環(huán)基團(tuán)是含有優(yōu)選132個(gè)碳原子的單環(huán)或稠環(huán)，并優(yōu)選是含有獨(dú)立地選自氮、氧和硫的16個(gè)雜原子的5-~6-元環(huán)，其還可以具有上述取代基之外的取代基。然而，在雜環(huán)基團(tuán)是四唑的情況下，其不具有取代或未取代的萘基作為取代基。在式(2)所代表的化合物中，其中Z代表含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的雜環(huán)基團(tuán)的化合物是優(yōu)選的。在式(2)所代表的化合物中，優(yōu)選的化合物由下式(2-a)所代表。在上式中，Z代表形成具有一個(gè)或多個(gè)氮原子的不飽和5-元雜環(huán)或6-元雜環(huán)(例如、吡咯環(huán)、咪唑環(huán)、吡唑環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)或吡嗪環(huán))所需的基團(tuán)，所述化合物具有至少一個(gè)-SM基團(tuán)或硫酮基團(tuán)并還具有選自羥基、式(5):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>-COOM基團(tuán)、-S03M基團(tuán)、取代或未取代的氨基和取代或未取代的銨基的至少一個(gè)取代基。在式中，R"和R"每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、-SM基團(tuán)、鹵素原子、烷基(包括具有取代基的烷基)、烷氧基(包括具有取代基的烷氧基)、羥基、-COOM基團(tuán)、-S03M基團(tuán)、烯基(包括具有取代基的烯基)、氨基(包括具有取代基的氨基)、氨基甲?；?包括具有取代基的氨基甲?；?或苯基(包括具有取代基的苯基)，R"和I^可以彼此連接形成環(huán)。形成的環(huán)是5-或6-元環(huán)，并優(yōu)選是含氮雜環(huán)。M與在式(2)中定義的M相同。優(yōu)選地，Z是形成具有兩個(gè)或多個(gè)氮原子的雜環(huán)化合物的基團(tuán)，其還可以具有-SM基團(tuán)或硫酮基團(tuán)之外的取代基。取代基的例子包括鹵素原子、低級(jí)垸基(包括具有取代基的垸基；含有5或更少個(gè)碳原子的垸基如甲基或乙基是優(yōu)選的)、低級(jí)烷氧基(包括具有取代基的垸氧基；含有5或更少個(gè)碳原子的烷氧基如甲氧基、乙氧基或丁氧基是優(yōu)選的)、低級(jí)烯基(包括具有取代基的烯基；含有5或更少個(gè)碳原子的烯基是優(yōu)選的)、氨基甲酰基和苯基。在式(2-a)所代表的化合物中，下式AF所代表的那些化合物是特別優(yōu)選的。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>鹵素原子、低級(jí)垸基(包括具有取代基的垸基；含有5或更少個(gè)碳原子的烷基如甲基或乙基是優(yōu)選的)、低級(jí)垸氧基(包括具有取代基的烷氧基；含有5或更少個(gè)碳原子的烷氧基是優(yōu)選的)、羥基、-COOM2、-8031^5基團(tuán)、低級(jí)烯基(包括具有取代基的烯基；含有5或更少個(gè)碳原子的烯基是優(yōu)選的)、氨基、氨基甲酰基或苯基，其中至少一個(gè)是-SM基團(tuán)。M、！^和MS每一個(gè)代表氫原子、堿金屬原子或銨基。特別優(yōu)選的是所述化合物具有水溶性基團(tuán)作為-SM之外的取代基，如羥基、-COOM2、-S03M5基團(tuán)或氨基。R21、R22、P"或RM所代表的氨基是取代或未取代的氨基，其中優(yōu)選的取代基是低級(jí)烷基。M、MS或MS所代表的銨基是取代或未取代的銨基，其中未取代的銨基是優(yōu)選的。下面示出式(2)所代表的化合物的具體例子，然而不限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>R21R2—15SHOH2—16,SH2—17SHCOOH2—18SHS03H2—19SHOHN,N、、NR"，N、NHR21R222—20SHCOOH2—21NH2SH2—22SHCOOH2—23SHS03H2—24SHOHR21R21R22R23R242_25NH2HHSH2—26COOHHSHSH2—27OHHHSH2—28HNH2HSH2—29SHCOOHHH2—30HHS03HSH<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>下面說明式(l)、(3)(5)所代表的化合物。下面詳細(xì)說明式(l)所代表的化合物。在式(1)中，-D—口-e^每一個(gè)獨(dú)立地代表-CI^基團(tuán)、七(11())=基團(tuán)或^=基團(tuán)，rg代表取代基。l1、17和y可以相同或不同并且每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、鹵素原子或通過碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或磷原子與環(huán)連接的任意取代基，條件是l1、l2、U和I^中的至少一個(gè)是-SM基團(tuán)(其中M代表堿金屬原子、氫原子或銨基)。此外，當(dāng)-D二和-e-之一是-n:基團(tuán)時(shí)，-0=代表-0^=基團(tuán)或-(:(11())=基團(tuán)和七=代表-n二基團(tuán)。作為l1、！^或I7所代表的任意取代基和I^所代表的取代基，可以列舉的有鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子或碘原子)、烷基(包括芳垸基、環(huán)烷基和活性次甲基)、烯基、炔基、芳基、雜環(huán)基團(tuán)、含有季化的氮原子的雜環(huán)基團(tuán)(例如吡啶并基)、?；?、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲?；Ⅳ然蚱潲}、磺?；被柞；?、?；被柞；?、氨磺?；被柞；⑦沁蚧?、草?；?、草氨?；?、氰基、硫代氨基甲?；?、羥基、烷氧基(包括具有重復(fù)的亞乙氧基單元或亞丙氧基單元的基團(tuán))、芳氧基、雜環(huán)氧基團(tuán)、酰氧基、(垸氧基或芳氧基)羰氧基、氨基甲酰氧基、磺酰氧基、氨基、(垸基、芳基或雜環(huán))氨基、羥基氨基、n-取代的飽和或不飽和的含氮雜環(huán)基團(tuán)、酰基氨基、亞磺酰氨基、脲基、硫脲基、亞氨基、(垸氧基或芳氧基)羰基氨基、氨磺?；被㈦灏被?、硫脲氨基、肼基、銨基、草氨?；被?、(烷基或芳基)磺?；寤?、?；寤?、酰基氨磺?；被⑾趸?、巰基、(垸基、芳基或雜環(huán))硫基團(tuán)、(垸基或芳基)磺酰基、(垸基或芳基)亞磺?；⒒撬峄蚱潲}、氨磺?；Ⅴ；被酋；?、磺?；被酋；蚱潲}和具有磷酸酰胺或磷酸酯結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。這些取代基還可以被這些取代基進(jìn)一步取代。作為iAl/或ls所代表的任意取代基和rg所代表的取代基，更優(yōu)選的是含有015個(gè)碳原子的那些取代基，并且是鹵素原子、烷基、芳基、雜環(huán)基團(tuán)、?；?、烷氧基羰基、氨基甲?；?、羧基或其鹽、氰基、烷氧基、芳氧基、酰氧基、氨基、(烷基、芳基或雜環(huán))氨基、羥基氨基、N-取代的飽和或不飽和的含氮雜環(huán)基團(tuán)、酰基氨基、亞磺酰氨基、脲基、硫脲基、氨磺酰基氨基、硝基、巰基、(烷基、芳基或雜環(huán))硫基團(tuán)、磺酸基或其鹽和氨磺?；?，再更優(yōu)選的是垸基、芳基、雜環(huán)基團(tuán)、垸氧基羰基、氨基甲?；?、羧基或其鹽、垸氧基、芳氧基、酰氧基、氨基、(垸基、芳基或雜環(huán))氨基、羥基氨基、N-取代的飽和或不飽和的含氮雜環(huán)基團(tuán)、酰基氨基、磺酰氨基、脲基、硫脲基、氨磺?；被€基、(垸基、芳基或雜環(huán))硫基團(tuán)和磺酸基或其鹽，最優(yōu)選氨基、垸基、芳基、烷氧基、芳氧基、垸基氨基、芳基氨基、烷硫基、芳硫基、巰基、羧基或其鹽和磺酸基或其鹽。在式(1)中，L1、L2、I和RG可以彼此連接形成稠環(huán)，其中烴環(huán)、雜環(huán)和/或芳環(huán)彼此稠合。在式(1)中，L1、L2、！^和Re中的至少一個(gè)代表-SM基團(tuán)(其中M代表堿金屬原子、氫原子或銨基)。堿金屬原子具體而言是Na、K、Li、Mg、Ca等，其作為-S—的抗衡離子。M優(yōu)選是氫原子、銨基、Na+或K+，其中氫原子是特別優(yōu)選的。在式(l)所代表的化合物中，下式(1-A)或(1-B)所代表的那些化合物是優(yōu)選的。1-AR31-BR6接下來，下面詳細(xì)說明式(1-A)。R^W每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、鹵素原子或通過碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或磷原子與環(huán)連接的任意取代基，并且與對(duì)L1、L2、W定義的相同，其優(yōu)選范圍也相同。然而，W和RS不代表羥基。R^R"可以相同或不同，其中至少一個(gè)是-SM基團(tuán)(其中M代表氫原子、堿金屬原子或銨基)。此外，RJ和W可以彼此連接形成稠環(huán)，其中烴環(huán)、雜環(huán)或芳環(huán)稠合。在式(1-A)中，R'I^中的至少一個(gè)是-SM基團(tuán)。更優(yōu)選地，RLW中的至少兩個(gè)是-SM基團(tuán)。在R'R"中的至少兩個(gè)是-SM基團(tuán)的情況下，優(yōu)選R4和R1、或R4和R3是-SM基團(tuán)。在本發(fā)明中，式(1-A)所代表的化合物，特別優(yōu)選的是下式(1-A-1)~(1-A-3)所代表的那些化合物。1-A-1SH1-A-2SH1-A-3SH在式(1-A-1)中，R^代表巰基、氫原子或任意取代基，X代表水溶性基團(tuán)或被水溶性基團(tuán)取代的取代基。在式(l-A-2)中，Y'代表水溶性基團(tuán)或被水溶性基團(tuán)取代的取代基，R^代表氫原子或任意取代基。在式(l-A-3)中，￥2代表水溶性基團(tuán)或被水溶性基團(tuán)取代的取代基，R^代表氫原子或任意取代基。然而，R^和Y'不代表羥基。接下來，下面詳細(xì)說明式(l-A-l)(l-A-3)所代表的化合物。在式(1-A-1)中，R'a代表巰基、氫原子或任意取代基。這里，作為任意取代基，可以列舉的有對(duì)式(1-A)中R^R，所述的那些。R"優(yōu)選是選自巰基、氫原子和含有015個(gè)碳原子的取代基的基團(tuán)。gp，可以列舉的有氨基、垸基、芳基、烷氧基、芳氧基、酰基氨基、磺酰氨基、烷硫基、芳硫基、垸基氨基和芳基氨基。在式(1-A-1)中，X代表水溶性基團(tuán)或被水溶性基團(tuán)取代的取代基。這里，水溶性基團(tuán)是磺酸基團(tuán)或羧酸基團(tuán)或其鹽、或含有能夠在堿性顯影溶液中部分或完全解離的解離性基團(tuán)的基團(tuán)。具體而言，X代表磺酸基(或其鹽)、羧基(或其鹽)、羥基、巰基、氨基、銨基、亞磺酰氨基、?；被酋；?、磺酰基氨磺?；?、活性次甲基或含有這些基團(tuán)的取代基。此外，在本發(fā)明中，活性次甲基指被兩個(gè)吸電子基團(tuán)取代的甲基，其具體例子包括二氰基甲基、a-氰基-a-乙氧基(etoxy)羰基甲基和a-乙?；?a-乙氧基羰基甲基。作為在式(1-A-1)中X所代表的取代基，可以是上述水溶性基團(tuán)或被水溶性基團(tuán)取代的取代基。取代基是含有015個(gè)碳原子的取代基，其例子包括烷基、芳基、雜環(huán)基團(tuán)、烷氧基、芳氧基、雜環(huán)氧基團(tuán)、酰氧基、(烷基、芳基或雜環(huán))氨基、?；被?、亞磺酰氨基、脲基、硫脲基、亞氨基、氨磺?；被?、(垸基、芳基或雜環(huán))硫基團(tuán)、(烷基或芳基)磺酰基、氨磺酰基和氨基，其中含有110個(gè)碳原子的垸基(特別是被氨基取代的甲基)、芳基、芳氧基、氨基、(烷基、芳基或雜環(huán))氨基和(烷基、芳基或雜環(huán))硫基團(tuán)是優(yōu)選的。在式(l-A-l)所代表的化合物中，下式(l-A-l-a)所代表的化合物是更優(yōu)選的。在式中，R"與對(duì)式(1-A-1)中R"定義的相同，其優(yōu)選范圍也相同。R'2和RB可以相同或不同，每一個(gè)代表氫原子、垸基、芳基或雜環(huán)基團(tuán)，條件是11|2和1113中的至少一個(gè)具有至少一個(gè)水溶性基團(tuán)。這里，水溶性基團(tuán)指磺酸基(或其鹽)、羧基(或其鹽)、羥基、巰基、氨基、銨基、亞磺酰氨基、?；被酋；?、磺酰基氨磺?；?、活性次甲基或含有這種基團(tuán)的取代基，其中磺酸基(或其鹽)、羧基(或其鹽)、羥基和氨基是優(yōu)選的。&2和11'3優(yōu)選是烷基或芳基，并且當(dāng)R。和R。是垸基時(shí)，烷基優(yōu)選是含有14個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基。作為取代基，水溶性基團(tuán)是優(yōu)選的，其中磺酸基(或其鹽)、羧基(或其鹽)、羥基或氨基是特別優(yōu)選的。當(dāng)R^和R是芳基時(shí)，芳基優(yōu)選是含有610個(gè)碳原子的取代或未取代的苯基。作為取代基，水溶性基團(tuán)是優(yōu)選的，其中磺酸基(或其鹽)、羧基(或其鹽)、羥基或氨基是特別優(yōu)選的。當(dāng)1112和1113每一個(gè)代表烷基或芳基時(shí)，它們可以彼此連接形成環(huán)結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^這種環(huán)結(jié)構(gòu)形成飽和的雜環(huán)。在式(l-A-2)中，Y'代表水溶性基團(tuán)或被水溶性基團(tuán)取代的取代基，并且與對(duì)式(1-A-1)中的X定義的相同。更優(yōu)選地，在式(1-A-2)中Y'所代表的水溶性基團(tuán)或被水溶性基團(tuán)取代的取代基是活性次甲基或以下被水溶性基團(tuán)取代的基團(tuán)，即，氨基、垸氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基或芳基。再更優(yōu)選地，V是活性次甲基或被水溶性基團(tuán)取代的(垸基、芳基或雜環(huán))氨基，其中水溶性基團(tuán)特別優(yōu)選是羥基、羧基或其鹽、或磺酸基或其鹽。y'特別優(yōu)選是被羥基、羧基(或其鹽)或磺酸基(或其鹽)取代的(烷基、芳基或雜環(huán))氨基，可以由-n(rw)(r,代表，其中rw和r^與対式(i-a)中的r"和r13定義的相同，其優(yōu)選范圍也相同。在式(l-a-2)中，112()代表氫原子或任意取代基。作為"任意取代基"，可以列舉的有與對(duì)r'r"所述相同的那些。r"優(yōu)選是選自氫原子和含有015個(gè)碳原子的取代基的基團(tuán)。即，作為r2可以列舉的有羥基、氨基、垸基、芳基、烷氧基、芳氧基、?；被喕酋０被③蚧⒎剂蚧?、垸基氨基、芳基氨基和羥基氨基。r"最優(yōu)選是氫原子。在式(l-A-3)中，￥2代表水溶性基團(tuán)或被水溶性基團(tuán)取代的取代基，R3()代表氫原子或任意取代基。式(1-a-3)中的y嘴r^分別與對(duì)式(1-a-2)中的y1和式(1-a-2)中的r"定義的相同，其優(yōu)選范圍也相同。接下來，下面詳細(xì)說明式(1-B)。式(1-B)中的RSW每一個(gè)獨(dú)立地與對(duì)式(l-a)中R'R"定義的相同，其優(yōu)選范圍也相同。在式(1-B)所代表的化合物中，特別優(yōu)選的是式(1-B-1)所代表的那些化合物在式(1-B-1)中，R^與對(duì)式(l-B)中的RSie定義的相同，更優(yōu)選的是對(duì)式(l-Ad)G-A-3)中的X、Y'和YZ定義的相同水溶性基團(tuán)或被水溶性基團(tuán)取代的相同取代基。此外，在式(1-B-1)所代表的化合物中，最優(yōu)選的化合物是式(l-B-l-a)所代表的那些化合物式(l-B-l-a)式(1-B-1)在式(l-B-l-a)中，R"和R52與對(duì)式(l-A-l-a)中的R'2和R。定義的相同，其優(yōu)選范圍也相同。下面列出式(l)所代表的化合物的具體例子。然而，本發(fā)明可以使用的式(l)化合物不僅限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula><image>imageseeoriginaldocumentpage32</image><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>在式(3)和(4)中，R21、R22、R23、R24和R25所代表的垸基含有優(yōu)選13個(gè)碳原子，可以列舉的有甲基、乙基和丙基。R26和R27所代表的垸基含有優(yōu)選15個(gè)碳原子，可以列舉的有甲基、乙基、丙基、丁基和戊基，R26和R27所代表的酰基含有優(yōu)選18或更少個(gè)碳原子，可以列舉的有乙?；捅郊柞；?。M22所代表的垸基含有優(yōu)選l4個(gè)碳原子，可以列舉的有甲基、乙基、丙基和丁基，M22所代表的芳基可以列舉的有苯基和萘基，M22所代表的芳烷基含有優(yōu)選15或更少個(gè)碳原子，可以列舉的有芐基和苯乙基。已經(jīng)已知對(duì)于式(3)或(4)所代表的化合物的各種合成法。例如，可以使用已知用于合成氨基酸的Strecker氨基酸合成法，并且通過將堿和乙酸酐交替地加到氨基酸的水溶液中進(jìn)行氨基酸的乙?；＝酉聛?，下面說明式(3)或(4)所代表的化合物的具體例子，然而不以任何方式限制本發(fā)明。式(5)中X4。所代表的低級(jí)烷基是含有優(yōu)選15個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基，可以列舉的有甲基、乙基和異丙基。下面列出式(5)所代表的化合物的具體例子，然而不限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>這些防銹劑可以單獨(dú)使用或組合多種使用。本發(fā)明中使用的防銹劑可以通過在含有防銹劑的浴中處理電磁波屏蔽膜而被浸漬在電磁波屏蔽膜中，并可以例如通過制備水溶液、并在其中浸漬其上形成有導(dǎo)電金屬部的透明基板而被涂布到導(dǎo)電金屬部上。優(yōu)選在燒結(jié)處理后對(duì)導(dǎo)電金屬部進(jìn)行防銹處理。防銹劑的水溶液優(yōu)選含有濃度為10'610"mol/l，優(yōu)選10'510—2mol/l的防銹劑化合物。為溶解防銹劑，水溶液的pH值優(yōu)選調(diào)節(jié)到212(更優(yōu)選510)，不僅可以通過常用的堿或酸如氫氧化鈉或硫酸進(jìn)行pH調(diào)整，而且可以通過緩沖液如磷酸或其鹽、碳酸鹽、乙酸或其鹽、硼酸或其鹽進(jìn)行pH調(diào)整。從溶解防銹劑的觀點(diǎn)來看，水溶液的溫度選擇在0100。C，優(yōu)選1080。C的范圍內(nèi)。據(jù)估計(jì)，防銹劑可以吸附在阿狀細(xì)線上，并且認(rèn)為在這種狀態(tài)下表現(xiàn)出防銹效果和穩(wěn)定化效果。此外，在本發(fā)明中，從耐變色的效果和經(jīng)濟(jì)效益等的觀點(diǎn)來看，相對(duì)于金屬圖案而言，防銹劑優(yōu)選范圍為0.0010.04g/m。小于O.OOlg/m4勺量易于使耐變色性差。此外，其上限根據(jù)經(jīng)濟(jì)原因選擇，因?yàn)槌^0.04g/m卩的量不會(huì)進(jìn)一步改進(jìn)耐變色性。其范圍更優(yōu)選為0.0030.03g/m2，再優(yōu)選0.01~0.02g/m2?？梢愿鶕?jù)防銹劑水溶液的濃度、pH、溫度和浸漬時(shí)間調(diào)整防銹劑的含量。此外，通過從本發(fā)明的樣品中提取防銹劑，然后進(jìn)行分析如色譜或NMR，可以量化防銹劑的含量。通過例如選自用硝酸或EDTAFe(III)配合物氧化和溶解金屬圖案的方法和用堿水溶液提取的方法的適宜方法，可以進(jìn)行防銹劑的提取。下面詳細(xì)說明本發(fā)明，本發(fā)明涉及一種透光性電磁波屏蔽膜的制備方法。此外，在本說明書中，"~"用于指包括在""之前和之后的數(shù)字分別作為下限值和上限值。[透明基板]在本發(fā)明中使用的透明基板，例如，可以使用聚酯類，如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯；聚烯烴類，如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯和EVA;乙烯基系樹脂，如聚氯乙烯和聚偏二氯乙烯；其他類，如聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSE)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰胺、聚酰亞胺、丙烯酸類樹脂和三乙?；w維素(TAC)。在本發(fā)明中，從透明度、耐熱性、易處理性和成本的觀點(diǎn)來看，透明塑料基板優(yōu)選是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜。透明塑料基板的厚度優(yōu)選為5200jam，更優(yōu)選10130pm，再更優(yōu)選4080nm，因?yàn)檩^小厚度的基板將劣化處理性能，而較大厚度的基板其對(duì)可見光的透射率下降?；逍枰哂懈咄该鞫龋?yàn)轱@示面板用的電磁波屏蔽膜需要是透明的。在這種情況下，透明塑料基板的全可見光透射率優(yōu)選為70~100%，更優(yōu)選85~100%，特別優(yōu)選90~100%。在本發(fā)明中，作為透明塑料基板，還可以使用著色程度不會(huì)妨礙本發(fā)明效果的那些基板。在本發(fā)明中，透明塑料基板可以用作單層，還可以用作包括兩層或更多層的多層膜。在本發(fā)明中，還可以使用玻璃板作為透明基板。對(duì)于玻璃板的種類沒有限制。然而，在用作顯示器的電磁波屏蔽膜時(shí)，優(yōu)選使用在表面上設(shè)有強(qiáng)化層的強(qiáng)化玻璃。與未強(qiáng)化的玻璃相比，強(qiáng)化玻璃具有可以防止玻璃破損的高度可能性。此外，由于通過風(fēng)冷方法得到的強(qiáng)化玻璃，即使在萬一破碎的情況下，也碎成沒有銳利端面的小片，從安全性的觀點(diǎn)來看這是優(yōu)選的。[含銀鹽層]在本發(fā)明中，含銀鹽層設(shè)在透明基板上。除了銀鹽之外，含銀鹽層還可以含有粘結(jié)劑和溶劑。<銀鹽>作為在本發(fā)明中使用的銀鹽，可以列舉的有無機(jī)銀鹽如鹵化銀和有機(jī)銀鹽如乙酸銀。優(yōu)選使用作為光傳感器具有優(yōu)異特性的鹵化銀。下面，說明本發(fā)明優(yōu)選使用的鹵化銀。在本發(fā)明中，使用起到光傳感器作用的鹵化銀。關(guān)于用在銀鹽照相膠片或照相印刷紙、印刷制版用薄膜、光掩模用乳化掩模中的鹵化銀技術(shù)也適用于本發(fā)明。鹵化銀中所含的鹵元素可以是氯、溴、碘和氟中的任一種，并可以是其混合物。例如，優(yōu)選使用含有AgCl、AgBr或AgI作為主要成分的鹵化銀，更優(yōu)選使用含有AgBr作為主要成分的鹵化銀。本說明書中，術(shù)語"含有AgBr(溴化銀)作為主要成分的鹵化銀"指鹵化銀組合物中溴離子的摩爾比達(dá)到50%或更大的鹵化銀。除了溴離子之外，含有AgBr作為主要成分的鹵化銀顆粒還可以含有碘離子或氯離子。鹵化銀是固體顆粒形式，并且考慮到曝光和顯影后形成的圖案化金屬銀層的圖像質(zhì)量，以等效球直徑表示的鹵化銀顆粒的平均粒徑優(yōu)選為0.11000nm(l|im)，更優(yōu)選0.1100nm，再更優(yōu)選150mn。此外，本說明書中，術(shù)語鹵化銀顆粒的"等效球直徑"指具有相同體積的球狀顆粒的直徑。鹵化銀顆粒的形狀沒有特別限制，可以是各種形狀，如球狀、立方體狀、平板狀(六邊形板、三角形板或四方形板)、八面體狀和14-面體狀。本發(fā)明使用的鹵化銀可以含有其他金屬。例如，在照相乳劑中，為獲得反差強(qiáng)的乳劑，可以摻雜金屬離子。特別地，優(yōu)選使用過渡金屬如銠離子或銥離子，因?yàn)樵谛纬山饘巽y圖像時(shí)易于在曝光部和未曝光部之間產(chǎn)生明顯差別。銠離子或銥離子所代表的過渡金屬離子可以是具有各種配體的化合物。這種配體的例子包括氫酸根離子、鹵素離子、硫代氫酸根離子、亞硝酰(nitrosil)離子、水和氫氧根離子。具體化合物的例子包括K3Rh2Br9和K2IrCl6。在本發(fā)明中，鹵化銀中銠化合物和/或銥化合物的含量按每摩爾鹵化銀的銀計(jì)優(yōu)選為1(T1Q~10—2mol/molAg，更優(yōu)選10'910—3mol/mo1Ag。此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選使用含有Pd(II)離子和域Pd金屬的鹵化銀。Pd可以均勻分布在鹵化銀顆粒內(nèi)，但優(yōu)選包含在鹵化銀顆粒的表面層附近。本說明書中，術(shù)語"包含在鹵化銀顆粒的表面層附近"指鹵化銀顆粒具有鈀含量比其他層更高的層，該層的深度距鹵化銀顆粒表面50nm。通過在形成鹵化銀顆粒的過程中加入Pd可以制備這種鹵化銀顆粒。優(yōu)選的是在加入占總量50。/。或更大的銀離子和鹵素離子之后加入Pd。還優(yōu)選的是通過例如在后熟化中加入Pd(II)離子的方法，使Pd(II)離子存在于鹵化銀的表面層中。含有Pd的鹵化銀顆?？纱龠M(jìn)物理顯影或非電解電鍍，并提高所需的透光性電磁波屏蔽材料的制造效率，從而有助于降低制造成本。眾所周知的是，Pd用作非電解電鍍的催化劑。在本發(fā)明中，可以在鹵化銀顆粒的表面層中使Pd局部化，從而節(jié)省極昂貴的Pd。在本發(fā)明中，按每摩爾鹵化銀中的銀計(jì)，在鹵化銀中的Pd離子和/或Pd金屬的含量?jī)?yōu)選為10—40.5mol/molAg，更優(yōu)選0.010.3mol/mo1Ag。使用的Pd化合物的例子包括PdCl4和Na2PdCU。在本發(fā)明中，為進(jìn)一步改進(jìn)作為光傳感器的感光度，可以使用照相乳劑對(duì)鹵化銀進(jìn)行化學(xué)增感。作為化學(xué)增感，可以使用貴金屬增感如金增感、硫族元素增感如硫增感以及還原增感。作為在本發(fā)明中使用的乳劑，可以優(yōu)選使用例如在JP-A-ll-305396、JP-A-2000-3221698、JP-A-13-281815和JP-A-2002-72429的實(shí)施例中記載的負(fù)工作彩色膠片用乳劑、在JP-A-2002-214731中記載的彩色反轉(zhuǎn)膠片用乳劑和在JP-A-2002-107865中記載的彩色照相印刷紙用乳劑。<粘結(jié)劑>在本發(fā)明的含銀鹽層中，可以使用粘結(jié)劑以均勻分散銀鹽顆粒并有助于含銀鹽層和透明基板之間的粘合。在本發(fā)明中，非水溶性聚合物或水溶性聚合物可以用作粘結(jié)劑，優(yōu)選使用水溶性聚合物。粘結(jié)劑的例子包括明膠、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、多糖如淀粉、纖維素和其衍生物、聚環(huán)氧乙垸、聚乙烯基胺、殼聚糖、聚賴氨酸、聚丙烯酸、聚褐藻酸、聚透明質(zhì)酸、羧基纖維素等。這些材料根據(jù)官能團(tuán)的離子性能具有中性、陰離子或陽離子性能。本發(fā)明的含銀鹽層中粘結(jié)劑的含量沒有特別限制，可以在表現(xiàn)分散性和粘合性的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)卮_定。按Ag/粘結(jié)劑體積比計(jì)，含銀鹽層中粘結(jié)劑的含量?jī)?yōu)選為1/4100，更優(yōu)選1/3~10，再更優(yōu)選1/2~2，最優(yōu)選1/1~2。按Ag/粘結(jié)劑體積比計(jì)，加入含量為l/4或更大的粘結(jié)劑可以促進(jìn)物理顯影和/或電鍍處理步驟中金屬顆粒之間的相互接觸，并可以提供高導(dǎo)電性，因而是優(yōu)選的。<溶劑>本發(fā)明的含銀鹽層中使用的溶劑沒有特別限制，其例子包括水、有機(jī)溶劑(例如，醇類，如甲醇；酮類，如丙酮；酰胺類，如甲酰胺；亞砜類，如二甲基亞砜；酯類，如乙酸乙酯；和醚類)、離子液體和其混合溶劑。按含銀鹽層中所含的銀鹽、粘結(jié)劑等的總質(zhì)量計(jì)，本發(fā)明的含銀鹽層中所用溶劑量為30~90質(zhì)量％，優(yōu)選50~80質(zhì)量％。[曝光]在本發(fā)明中，對(duì)在透明基板上設(shè)置的含銀鹽層進(jìn)行曝光?？梢杂秒姶挪ㄟM(jìn)行曝光。電磁波的例子包括諸如可見光、紫外光等光和諸如X-射線等射線。此外，在曝光中，可以使用具有波長(zhǎng)分布的光源或可以使用特定波長(zhǎng)的光源。作為光源，可以列舉的有使用陰極射線(CRT)的掃描曝光。與利用激光的裝置相比，陰極射線管曝光裝置更方便、更緊湊和更便宜。此外，也容易調(diào)節(jié)光軸和顏色。作為用于圖像曝光的陰極射線管，使用在所需的光譜區(qū)發(fā)光的各種發(fā)光體。例如，紅色發(fā)光體、綠色發(fā)光體和藍(lán)色發(fā)光體可以單獨(dú)使用或以兩種或多種的混合物使用。光譜區(qū)不限于上述紅色、綠色和藍(lán)色區(qū)，還可以使用在黃色區(qū)、橙色區(qū)、紫色區(qū)或紅外區(qū)發(fā)光的熒光體。特別地，經(jīng)常使用具有這些熒光體的混合物而發(fā)白光的陰極射線管。此外，紫外線燈也是優(yōu)選的，還可以使用水銀燈的g-線和水銀燈的i-線。此外，在本發(fā)明中，可以使用各種激光束進(jìn)行曝光。例如，在本發(fā)明的曝光中，可以優(yōu)選使用掃描曝光系統(tǒng)，其中使用氣體激光器、發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器、包括半導(dǎo)體激光器作為激勵(lì)光源的固態(tài)激光器與非線性光學(xué)晶體組合的第二諧波產(chǎn)生器(SHG)的單色高密度光。此外，還可以使用KrF受激準(zhǔn)分子激光器(eximalaser)、ArF受激準(zhǔn)分子激光器、F2激光器等。為獲得緊湊和便宜的系統(tǒng)，優(yōu)選的是使用半導(dǎo)體激光器作為激勵(lì)光源的固態(tài)激光器與非線性光學(xué)晶體組合的第二諧波產(chǎn)生器(SHG)進(jìn)行曝光。特別地，為了設(shè)計(jì)緊湊、便宜、長(zhǎng)壽命和高穩(wěn)定性的裝置，優(yōu)選使用半導(dǎo)體激光器進(jìn)行曝光。作為激光器光源，具體而言，可以優(yōu)選使用波長(zhǎng)430460nm的藍(lán)色半導(dǎo)體;敫光器(由NichiaKagaku在48"1OyoButsurigakuKankeiRengoKoenkai(AssociatesMeetingofthe48thAppliedPhysicConference)，2001年3月發(fā)表)；通過具有波導(dǎo)型(waveguidechannel)反轉(zhuǎn)疇結(jié)構(gòu)的LiNb03的SHG晶體的半導(dǎo)體激光器(振動(dòng)波長(zhǎng)約1060nm)對(duì)光波長(zhǎng)變換而得到的約530nm的綠光發(fā)射激光器；波長(zhǎng)約685nm的紅色半導(dǎo)體激光器(Hitachi，型號(hào)HL6738MG);以及波長(zhǎng)約650nm的紅色半導(dǎo)體激光器。關(guān)于使含銀鹽層圖案曝光的方法，可以使用光掩模進(jìn)行平面曝光，或可以使用激光束進(jìn)行掃描曝光。在這種情況下，可以使用利用透鏡的折射式曝光或利用反射鏡的反射式曝光。作為曝光方法，可以使用接觸曝光、接近曝光、縮小投影曝光、反射投影曝光。[顯影處理]在本發(fā)明中，在曝光含銀鹽層后進(jìn)行顯影處理。可以使用在銀鹽照相膠片、照相印刷紙、印刷制版用膜、光掩模用的乳劑掩模中常用的顯影技術(shù)進(jìn)行顯影處理。顯影溶液沒有特別限制，可以使用PQ顯影溶液、MQ顯影溶液或MAA顯影溶液。例如，可以使用諸如FujiPhotoFilmCo.，Ltd.制造的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3和PAPITOL以及KODAK制造的C-41、E-6、RA-4、D-19和D-72等顯影溶液，試劑盒中含有的顯影溶液，以及平版印刷顯影溶液如D-85。在本發(fā)明中，通過進(jìn)行曝光和顯影處理形成金屬銀部，優(yōu)選圖案化形式的金屬銀部，同時(shí)形成后述的透光性部分。本發(fā)明中的顯影處理包括用于除去未曝光部中的銀鹽從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定化的定影處理。在本發(fā)明的定影處理中，可以使用在銀鹽照相膠片、照相印刷紙、印刷制版用膜、光掩模用的乳劑掩模中所用的定影處理技術(shù)。顯影處理中使用的顯影溶液可以含有用于改進(jìn)圖像質(zhì)量的圖像質(zhì)量改進(jìn)劑。圖像質(zhì)量改進(jìn)劑的例子包括含氮雜環(huán)化合物如苯并三唑。在利用平版印刷顯影溶液的情況下，特別優(yōu)選使用聚乙二醇。按曝光之前曝光部中所含的銀的質(zhì)量計(jì)，顯影處理后曝光部中所含的金屬銀的質(zhì)量?jī)?yōu)選為50質(zhì)量％或更大，更優(yōu)選80質(zhì)量％或更大。只要按曝光之前曝光部中所含的銀的質(zhì)量計(jì)，曝光部中所含的銀的質(zhì)量為50質(zhì)量％或更大，就可以獲得高導(dǎo)電性，因而這種質(zhì)量是優(yōu)選。在本發(fā)明中，顯影處理后的等級(jí)(gradation)沒有特別限制，但優(yōu)選高于4.0。在顯影處理后的等級(jí)超過4.0的情況下，可以增加導(dǎo)電金屬部的導(dǎo)電性，同時(shí)保持透光性部分的透明度在較高水平。作為將等級(jí)提高到4.0或更大的方法，可以通過例如上述慘雜銠離子或銥離子。[物理顯影和電鍍處理]在本發(fā)明中，為了賦予通過前述曝光和顯影處理的金屬銀部以導(dǎo)電性，可以對(duì)支持在金屬銀部上的導(dǎo)電金屬顆粒進(jìn)行物理顯影和/或電鍍處理。在本發(fā)明中，物理顯影或電鍍處理可以在金屬部分上支持導(dǎo)電金屬顆粒。此外，可以通過組合物理顯影和電鍍處理以在金屬銀部上支持導(dǎo)電金屬顆粒。在本發(fā)明中，"物理顯影"指用還原劑還原金屬離子如銀離子，以在金屬或金屬化合物的核上沉積金屬顆粒。這種物理顯影已用在立即黑白膠片、立即滑膜、印刷版制造中，并且這種技術(shù)也可用在本發(fā)明中。此外，物理顯影可以與曝光之后的顯影處理同時(shí)進(jìn)行，或可以在顯影處理后單獨(dú)進(jìn)行。在本發(fā)明中，電鍍處理可以是非電極電鍍(化學(xué)還原電鍍或置換電鍍)、電解電鍍或非電解電鍍與電解電鍍的組合。在本發(fā)明的非電極電鍍中，可以使用已知的非電極電鍍技術(shù)。例如，可以使用用在印刷線路板中的非電極電鍍技術(shù)，并且非電極電鍍優(yōu)選為非電極銅鍍。作為非電極銅鍍?nèi)芤褐兴幕瘜W(xué)物質(zhì)，可以列舉的有硫酸銅或氯化銅、還原劑如福爾馬林或乙醛酸、銅配體如EDTA或三乙醇胺、用于浴穩(wěn)定化和改進(jìn)電鍍薄膜光滑度的添加劑如聚乙二醇、黃血鹽或聯(lián)吡啶。作為電解銅鍍?cè)?，可以列舉的有硫酸銅浴或焦磷酸銅浴。本發(fā)明的電鍍處理中的電鍍速度可以是慢的，或者可以是高速的，達(dá)到5pm/hr或更大。在電鍍處理中，從改進(jìn)電鍍?nèi)芤旱姆€(wěn)定性的觀點(diǎn)來看，可以使用各種添加劑，如EDTA的配體。[氧化處理]在本發(fā)明中，優(yōu)選對(duì)顯影處理后的金屬銀部和通過物理顯影和/或電鍍處理后形成的導(dǎo)電金屬部進(jìn)行氧化處理。在金屬略微沉積在透光性部分上的情況下，通過進(jìn)行氧化處理可以除去金屬，從而使透光性部分的透明度為約100%。作為氧化處理，可以列舉的有利用各種氧化劑的已知方法，如Fe(III)離子處理?？梢栽诤y鹽層的曝光和顯影處理之后、或者在物理顯影或電鈹處理之后進(jìn)行氧化處理。此外，可以在顯影處理之后和物理顯影或電鍍處理之后進(jìn)行氧化處理。在本發(fā)明中，可以用含有Pd的溶液處理曝光和顯影處理之后的金屬銀部。Pd可以是二價(jià)鈀離子或金屬鈀。這種處理可以加速非電極電鍍或物理顯影。在通過曝光和顯影處理含銀鹽層形成金屬銀部的同時(shí)形成本發(fā)明的透光性部分。從改進(jìn)透明度的觀點(diǎn)來看，在顯影處理之后以及在物理顯影或電鍍處理之后，透光性部分優(yōu)選進(jìn)行氧化處理。接下來，下面說明本發(fā)明中使用的有機(jī)巰基化合物。作為有機(jī)巰基化合物，可以列舉的有垸基巰基化合物、芳基巰基化合物和雜環(huán)巰基化合物。有機(jī)巰基化合物優(yōu)選是用于本發(fā)明中的防銹劑的有機(jī)巰基化合物，本發(fā)明涉及一種透光性電磁波屏蔽膜，其包括其上設(shè)置有含有銀作為主要成分的印刷圖案和上述防銹劑的透明基板。因此，有機(jī)巰基化合物優(yōu)選是上面式(1)(5)所代表的有機(jī)巰基化合物，式(1)(5)所代表的化合物的具體例子也相同。本發(fā)明中使用的有機(jī)巰基化合物通過制備化合物的水溶液、并在水溶液中浸漬其上形成有導(dǎo)電金屬部的透明基板被涂布到導(dǎo)電金屬部上。在這種情況下使用的有機(jī)巰基化合物的水溶液含有上面式(1)(5)之一所代表的化合物，濃度為10-6~10"mo1/1，優(yōu)選10-5~10-2mo1/1。浸漬時(shí)間為2秒30分鐘，優(yōu)選5秒10分鐘。從溶解有機(jī)巰基化合物的觀點(diǎn)來看，水溶液的pH優(yōu)選調(diào)節(jié)到212。在調(diào)節(jié)pH時(shí)，可以使用常見堿或酸如氫氧化鈉或硫酸以及緩沖劑如磷酸或其鹽、碳酸鹽、乙酸或其鹽、或硼酸或其鹽。接下來，下面說明本發(fā)明的導(dǎo)電金屬部。在本發(fā)明中，通過使經(jīng)曝光和顯影處理形成的金屬銀部進(jìn)行物理顯影或電鍍處理從而在金屬銀部上支持導(dǎo)電金屬顆粒來形成導(dǎo)電金屬部。在曝光部或未曝光部中形成金屬銀。利用物理顯影核的銀鹽擴(kuò)散轉(zhuǎn)印法(DTR法)在未曝光部中形成金屬銀。在本發(fā)明中，優(yōu)選在曝光部中形成金屬銀以增強(qiáng)透明度。作為支持在金屬部分上的導(dǎo)電金屬顆粒，除了上述銀之外，可以列舉的有諸如銅、鋁、鎳、鐵、金、鈷、錫、不銹鋼、鎢、鉻、鈦、鈀、鉑、錳、鋅和銠等金屬、或這些金屬組合的合金的顆粒。從導(dǎo)電性和價(jià)格的觀點(diǎn)來看，導(dǎo)電金屬顆粒優(yōu)選是銅、鋁或鎳的顆粒。此外，在賦予磁場(chǎng)屏蔽性能的情況下，優(yōu)選使用順磁性金屬顆粒作為導(dǎo)電金屬顆粒。從增強(qiáng)導(dǎo)電金屬部的對(duì)比度并防止其隨時(shí)間氧化而褪色，導(dǎo)電金屬部所含的導(dǎo)電金屬顆粒優(yōu)選是銅顆粒，其中銅顆粒至少其表面優(yōu)選被黑化處理?？梢允褂迷谟∷⒕€路板領(lǐng)域中進(jìn)行的方法來進(jìn)行黑化處理。例如通過在氯化鈉(31g/1)、氫氧化鈉(15g/l)和磷酸三鈉(12g/l)的水溶液中于95。C下浸漬2分鐘來進(jìn)行黑化處理。按導(dǎo)電金屬部含有的金屬總質(zhì)量計(jì)，導(dǎo)電金屬部的銀含量為50質(zhì)量％或更大，更優(yōu)選60質(zhì)量％或更大。當(dāng)銀含量為50質(zhì)量％或更大時(shí)，可以縮短物理顯影和/或電鍍處理所需的時(shí)間，可以改進(jìn)生產(chǎn)率，并可以降低制造成本。此外，在使用銅和鈀作為用于形成導(dǎo)電金屬部的導(dǎo)電金屬顆粒的情況下，按導(dǎo)電金屬部含有的金屬總質(zhì)量計(jì)，銀、銅和鈀的總質(zhì)量?jī)?yōu)選為80質(zhì)量％或更大，更優(yōu)選90質(zhì)量％或更大。本發(fā)明中的導(dǎo)電金屬部支持導(dǎo)電金屬顆粒，因此可以獲得良好的導(dǎo)電性。因此，本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜(導(dǎo)電金屬部)的表面電阻值優(yōu)選為10D/sq或更小，更優(yōu)選2.5Q/sq或更小，再更優(yōu)選1.5Q/sq，最優(yōu)選O.lQ/sq或更小。為用作透光性電磁波屏蔽膜，本發(fā)明的導(dǎo)電金屬部?jī)?yōu)選具有一定幾何形狀，其中組合三角形如等邊三角形、等腰三角形或直角三角形，四邊形如正方形、矩形、菱形、平行四邊形或梯形，(正)六邊形或(正)八邊形，更優(yōu)選由這些幾何形狀構(gòu)成的網(wǎng)狀。在本發(fā)明中，最優(yōu)選由等邊三角形構(gòu)成的格子狀網(wǎng)。為用作透光性電磁波屏蔽膜，導(dǎo)電金屬部的線寬優(yōu)選為20(im或更小，線間隔優(yōu)選為IOOpm或更大。此外，為建立接地連接，導(dǎo)電金屬部可以具有線寬大于20pm的子部分。此外，從使金屬部分不顯著的觀點(diǎn)來看，導(dǎo)電金屬部更優(yōu)選的線寬小于15pm。關(guān)于導(dǎo)電金屬部的厚度，較薄的金屬部分對(duì)于用于顯示面板是更優(yōu)選的，因?yàn)榭梢詳U(kuò)大視角。厚度優(yōu)選為l^m20pm,更優(yōu)選lpm~13jim，再更優(yōu)選210拜，最優(yōu)選37pm。此外，導(dǎo)電部分優(yōu)選呈圖案化形式。導(dǎo)電金屬部可以是單層或可以是由兩層或更多層構(gòu)成的層狀結(jié)構(gòu)。從可見光透射率的觀點(diǎn)來看，本發(fā)明的導(dǎo)電金屬部?jī)?yōu)選其開口率為85%或更大，更優(yōu)選90°/?；蚋螅顑?yōu)選95%或更大。本說明書中，術(shù)語"開口率"指不含構(gòu)成網(wǎng)格的細(xì)線的面積在整個(gè)面積中所占比例。例如，線寬10Um和間距200um的正方形格子網(wǎng)其開口率約為90。/。。此外，對(duì)于本發(fā)明金屬部分的開口率的上限沒有特別限制。然而，從表面電阻值和線寬之間關(guān)系的觀點(diǎn)來看，開口率優(yōu)選為98%或更小。本說明書中，術(shù)語"透光性部分"指除了透光性電磁波屏蔽膜的導(dǎo)電金屬部之外的具有透明性的部分。如上所述，透光性部分的透射率指具有在380~780nm波長(zhǎng)區(qū)內(nèi)由最小透射率指示的透射率，不包括透明基板的光吸收和反射的貢獻(xiàn)，其透射率為卯％或更大，優(yōu)選95%或更大，更優(yōu)選97%或更大，再更優(yōu)選98%或更大，最優(yōu)選99%或更大。從改進(jìn)透明度的觀點(diǎn)來看，本發(fā)明的透光性部分優(yōu)選基本上沒有物理顯影核。與常規(guī)銀絡(luò)合鹽擴(kuò)散轉(zhuǎn)印法不同，在溶解未曝光的鹵化銀并轉(zhuǎn)化成可溶的銀絡(luò)合鹽之后，不必須進(jìn)行擴(kuò)散，因此透光性部分優(yōu)選基本上沒有物理顯影核。本說明書中，術(shù)語"基本上沒有物理顯影核"指物理顯影核在透光性部分中的存在率為0~5%。在本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜上或在通過本發(fā)明的上述制造方法得到的透光性電磁波屏蔽膜上，在需要時(shí)可以設(shè)置具有所需功能的功能性透明層。例如，為用于顯示面板，可以設(shè)置含有紅外線吸收化合物或金屬的具有紅外線屏蔽能力的層；難以受到擦傷的硬涂層；折射率或膜厚已被調(diào)整的具有抗反射能力的抗反射層；具有防眩性能如防耀眼性能的無光澤層或防眩層；抗靜電層；具有易于除去污漬如指紋功能的防污層；紫外線阻斷層；具有氣體阻擋性能的層；和具有防止因例如玻璃破損而使玻璃片飛散的功能的防止顯示面板破損層。這些功能層可以設(shè)置在導(dǎo)電金屬部上或經(jīng)在其間插入透明基板而設(shè)置在導(dǎo)電金屬部的相對(duì)側(cè)。下面進(jìn)一步說明一些功能性透明層。紅外線屏蔽層，例如，近紅外線吸收層，是含有近紅外線吸收染料如金屬絡(luò)合物化合物或?yàn)R射的銀層的層。這里，當(dāng)通過在基板上交替疊置介電層和金屬層形成層時(shí)，濺射的銀層也阻斷從近紅外線、遠(yuǎn)紅外線到電磁波的1000nm或更長(zhǎng)的光。介電層含有透明金屬氧化物如氧化銦或氧化鋅作為介電材料。作為金屬層中含有的金屬，通常有銀或銀鈀合金。上述濺射的銀層通常具有以下結(jié)構(gòu)其中疊置約3、5、7或11層，介電層是第一層。在PDP中，發(fā)藍(lán)光的熒光體具有除藍(lán)光之外略發(fā)射紅光的特性，因此解決了將要顯示藍(lán)色的部分實(shí)際上顯示為紫色的問題。具有吸收特定波長(zhǎng)區(qū)的可見光從而調(diào)節(jié)色調(diào)的功能的層是為解決該問題而校正發(fā)光顏色的層，其含有能夠在約595nm吸收光的染料。作為形成具有抗反射性能的抗反射層的方法，有根據(jù)氣相沉積法、濺射法、離子電鍍法或離子束輔助法，形成無機(jī)材料如金屬氧化物、氟化物、硅化物、硼化物、碳化物、氮化物或硫化物的單層或多層的方法；和在功能層上形成折射率不同的樹脂如丙烯酸類樹脂或含氟樹脂的單層或多層的方法。此外，還可以在膜上貼合已經(jīng)進(jìn)行過抗反射處理的膜。作為形成無光澤層或防眩層的方法，可以使用在表面上涂布從氧化硅、三聚氰胺或丙烯酸類樹脂的微粉末得到的油墨的方法。在這種情況下，可以使用熱固化或光固化進(jìn)行油墨的固化。還可以在膜上貼合已經(jīng)進(jìn)行過無光澤處理或防眩處理的膜。本發(fā)明的透光性電磁波屏蔽膜具有良好的電磁波屏蔽性能和良好的透光性，因此特別適于作為顯示面板用膜。本發(fā)明的顯示面板用膜通過提供例如上述功能性透明層而可以在等離子體顯示面板中用作濾光器。這些元件可以應(yīng)用于CRT、PDP、液晶或EL的顯示屏幕、微波爐、電子器件和印刷線路板，特別適用于PDP。本發(fā)明的PDP具有高電磁波屏蔽能力、高對(duì)比度和高明度，并可以低成本制造。實(shí)施例下面結(jié)合實(shí)施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明。此外，所用的材料、用量和比例以及處理內(nèi)容和處理順序可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)馗淖?。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)被解釋為限于下述具體例子。使用其上設(shè)置明膠底涂層的100屮m厚的透明聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜作為透明基板，根據(jù)絲網(wǎng)印刷法，將以下的銀膏印刷在其上。然后，在150。C下將膜加熱處理60分鐘。這樣得到的網(wǎng)狀圖案是線寬20iam、間距300pn的銀格子狀網(wǎng)。此外，使用本發(fā)明中含有本發(fā)明化合物的水溶液(O.lmol/L)進(jìn)行防銹處理。此外，通過將膜在上述水溶液中浸漬3分鐘進(jìn)行防銹處理。在防銹處理后，用水洗滌膜，干燥，得到本發(fā)明的樣品。(制備銀膏)根據(jù)Carey-Lea的銀溶膠制備法[參見M.CareyLea,Brit.J.Photog.,vol.24，p.297(1877)和vol.27,p.279(1880)]還原硝酸銀溶液，從而制得金屬銀微粒。然后，加入氯金酸溶液制備含有銀作為主要成分的銀-金微粒，然后進(jìn)行超濾除去副產(chǎn)物鹽。使用電子顯微鏡觀察，得到的微粒的粒徑為約IOnm。將顆粒與含有異丙醇的溶劑和粘結(jié)劑混合，制得糊狀物。按構(gòu)成印刷圖案的金屬總質(zhì)量計(jì)，銀含量為96質(zhì)量％。(比較例l)按與實(shí)施例l相同的方式制備樣品，除了未進(jìn)行防銹處理。<評(píng)價(jià)方法>(表面電阻)使用MitsubishiChemical制造的低電阻率計(jì)Loresta測(cè)量表面電阻率。下表l記載的樣品其表面電阻率為0.6Q/口。(耐化學(xué)品性(耐鹽水性))將上述各樣品在等滲壓的氯化鈉溶液中浸漬l小時(shí)，干燥后，目視評(píng)價(jià)浸漬部分中的金屬部分的變色程度。表現(xiàn)出變色的樣品記作x，未表現(xiàn)出變色的樣品記作O。(耐熱性)耐熱性試驗(yàn)在100。C下進(jìn)行1周，試驗(yàn)后表面電阻上升(導(dǎo)電性下降)1Q/口或更大的樣品記作x，表面電阻上升小于lQ/口的樣品記作0。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>從表l可以看出，實(shí)施例1中示出的本發(fā)明樣品具有優(yōu)異的耐化學(xué)品性如耐鹽水性和優(yōu)異的耐久性如耐熱性。已經(jīng)確實(shí)，它們具有充分低的表面電阻率，并具有良好的電磁波屏蔽能力。此外，令人驚訝地是，發(fā)現(xiàn)在鉛筆硬度(表面硬度)和帶剝離性(粘合性)方面有改進(jìn)效果。按與實(shí)施例l相同的方式制備銀膏，但在制備實(shí)施例1的銀膏時(shí)未使用氯金酸，按與實(shí)施例l相同的方式印刷銀膏。按與實(shí)施例l相同的方式制備含有本發(fā)明的防銹劑的樣品2-A2-D，除了在加熱處理后用Na2PdCU.2H20的水溶液(0.01M)進(jìn)行處理。此外，制備未利用防銹劑的比較樣品2。lL七外，制備未用Na2PdCU.2H20處理和未用防銹劑的比較樣品3。<評(píng)價(jià)方法>(透光性部分的耐變色性)靜置試驗(yàn)在100。C下進(jìn)行1周，試驗(yàn)后410nm下透射率下降8。/?；蚋蟮臉悠酚涀鱴，下降48。/。的樣品記作A，下降4%或更小的樣品記作0。表2No.防銹處理耐變色性用鹽水處理后的變色備注2-A化合物210o本發(fā)明實(shí)施例2-B化合物320o本發(fā)明2-C苯并三唑△o本發(fā)明實(shí)施例2-D化合物5-1o本發(fā)明比較例2無X(觀察到顯著變色)0比較例比較例3無0X比較例(顯著的銀反射)從上述結(jié)果可見，在用Na2PdCU.2H20水溶液處理的樣品中，未經(jīng)防銹劑處理的那些樣品表現(xiàn)出在靜置后有顯著變色的缺點(diǎn)，不是在金屬部分中，而是在透光性部分中。相比而言，令人驚訝地是，在金屬上進(jìn)行過防銹處理的本發(fā)明樣品，在透光性部分中而不是在金屬部分中表現(xiàn)出較小的透射率損失(變色)。此外，在本發(fā)明中，作為式(1)化合物的化合物21和32表現(xiàn)出特別優(yōu)異的效果。此外，與未進(jìn)行鈀處理從而具有銀著色反射的樣品相比，由于鈀處理而具有黑色印刷圖案的實(shí)施例樣品表現(xiàn)出顯著降低的反射。因此，它們可有利地用作顯示裝置用的透光性電磁波屏蔽膜。(實(shí)施例3)制備在水性介質(zhì)中含有7.5g明膠/60gAg、含有等效球直徑為0.05,的溴碘化銀顆粒(1=2mol。/。)的乳劑。在這種情況下，將Ag順膠體積比調(diào)節(jié)到1/1，平均分子量為20000的低分子量明膠用作明膠物質(zhì)。此外，向乳劑中加入K3Rh2Br9和K2lrCl6，至濃度為l(T7(mol/mol銀)，從而用Rh離子和Ir離子摻雜溴化銀顆粒。將Na2PdCU加到乳劑中，在使用氯金酸和硫代硫酸鈉進(jìn)行金硫增感后，將乳劑涂布在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)上，銀的涂布量為lg/m2。作為PET，使用之前進(jìn)行過親水化處理的PET。干燥涂布的PET，并使用紫外線燈通過格子狀光掩模(具有線/空間=195pm/5pm的格子狀空間的光掩模；間距200pm)進(jìn)行曝光，然后在以下顯影溶液中在25。C下顯影45秒，使用定影溶液(SUPERFUJIFIX;FujiPhotoFilmCo.，Ltd.制造)進(jìn)行定影處理3分鐘，并用純水漂洗。每升顯影溶液中含有以下化合物。對(duì)苯二酚0.037mol/LN-甲基氨基苯酚0.016mol/L偏硼酸鈉0.140mol/L氫氧化鈉0.360mol/L溴化鈉0.031mol/L偏亞硫酸氫鉀0.187mol/L此外，使用電鍍?nèi)芤?非電極電鍍銅溶液，pH12.5，含有0.06mol/L硫酸銅、0.22mol/L福爾馬林、(U2mol/L三乙醇胺、100ppm聚乙二醇、50ppm黃血鹽和20ppma,a'-聯(lián)吡啶)在45。C下進(jìn)行非電極電鍍。"ppm"與"mg/L"的含義相同。此外，使用含有表3記載的本發(fā)明化合物的水溶液(0.1mol/L)進(jìn)行防變色處理。此外，通過在水溶液中浸漬3分鐘進(jìn)行這種處理。在防變色處理后，用水洗滌各樣品，干燥，得到本發(fā)明的樣品。(比較例4)按與實(shí)施例3相同的方式制備比較樣品，除了未進(jìn)行防變色處理。<評(píng)價(jià)方法>(表面電阻)使用MitsubishiChemical制造的低電阻率計(jì)Loresta測(cè)量表面電阻率。下表3記載的樣品其表面電阻率為0.3D/口。(導(dǎo)電金屬部的耐熱性/變色)在80。C和90。/。RH的條件下進(jìn)行2天的耐濕熱性試驗(yàn)，目視評(píng)價(jià)試驗(yàn)的導(dǎo)電金屬部中的變化。通過觀察金屬銅的顏色從綠色變?yōu)樽厣默F(xiàn)象來評(píng)價(jià)變色，從而判斷耐濕熱性。變色的樣品記作x，未變色的樣品記作O。(透光性部分的耐熱性/著色)耐熱性試驗(yàn)在100。C下進(jìn)行1周，試驗(yàn)后410nm下透射率下降3。/?；蚋蟮臉悠酚涀鱴。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>從表3可以看出，發(fā)現(xiàn)實(shí)施例3中示出的本發(fā)明樣品難于變色。此外，令人驚訝地是，發(fā)現(xiàn)了意外效果，即本發(fā)明的處理防止不形成導(dǎo)電金屬部的透光性部分的著色，，因此不能被認(rèn)為生銹。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種透光性電磁波屏蔽膜，其具有優(yōu)異的耐化學(xué)品性如耐鹽水性、優(yōu)異的耐熱性、優(yōu)異的耐濕熱性、優(yōu)異的耐久性、隨時(shí)間變化變色小和高電磁波屏蔽能力，其產(chǎn)生較小的光散射并具有高透光率；還提供使用所述透光性電磁波屏蔽膜的顯示面板用膜、顯示面板用濾光器和等離子體顯示器用等離子體顯示面板。此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種可以低成本地大量制造透光性電磁波屏蔽膜的制造方法，所述透光性電磁波屏蔽膜具有優(yōu)異的耐久性和高電磁波屏蔽能力，產(chǎn)生較小的光散射并具有高光透射率。此外，本發(fā)明可以提供一種通過所述制造方法得到的透光性電磁波屏蔽膜、具有所述透光性電磁波屏蔽膜的顯示器用膜、顯示面板用濾光器和等離子體顯示面板。此外，令人驚訝地是，本發(fā)明使用的用有機(jī)巰基化合物處理可以防止著色。在本發(fā)明中加入本申請(qǐng)要求優(yōu)先權(quán)的每個(gè)外國(guó)專利申請(qǐng)的全部公開內(nèi)容作為參考，其程度就好象完全公開一樣。權(quán)利要求1.一種透光性電磁波屏蔽膜，包括透明基板；含有銀作為主要成分的印刷圖案；和至少一種防銹劑，其中所述含有銀作為主要成分的印刷圖案包括導(dǎo)電金屬部；和透光性部分，和其中按構(gòu)成所述印刷圖案的金屬總質(zhì)量計(jì)，所述印刷圖案的銀含量為60質(zhì)量％或更大。2.如權(quán)利要求l所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述印刷圖案的銀含量為85質(zhì)量％或更大。3.如權(quán)利要求1或2所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述印刷圖案含有銀和除銀之外的貴金屬。4.如權(quán)利要求13任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述印刷圖案含有銀和鈀、或銀和金。5.如權(quán)利要求14任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述至少一種防銹劑是具有N-H結(jié)構(gòu)的5-元環(huán)唑化合物。6.如權(quán)利要求14任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述至少一種防銹劑是有機(jī)巰基化合物。7.如權(quán)利要求14任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述至少一種防銹劑是具有N-H結(jié)構(gòu)的5-元環(huán)唑化合物和有機(jī)巰基化合物的組合。8.如權(quán)利要求6或7所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述有機(jī)巰基化合物是式(2)所代表的化合物式(2)Z-SM其中Z代表烷基、芳香基團(tuán)或雜環(huán)基團(tuán)，它們被至少一種選自羥基、-S03M嗜團(tuán)、《00^/[2基團(tuán)、氨基和銨基的基團(tuán)所取代或被至少一種選自羥基、-S03M2基團(tuán)、《001^2基團(tuán)、氨基和銨基的基團(tuán)取代的取代基所取代，其中l(wèi)v^代表氫原子、堿金屬原子或銨基；以及M代表氫原子、堿金屬原子或脒基，其可任選地形成氫鹵酸鹽或磺酸鹽。9.如權(quán)利要求6或7所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述有機(jī)巰基化合物是式(1)和(3)(5)所代表的至少一種有機(jī)巰基化合物式(l):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中，-D-和-E:每一個(gè)獨(dú)立地代表-CH-基團(tuán)、-C(R())=基團(tuán)或-N=基團(tuán)；W代表取代基；以及L、1和LS每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、鹵素原子或通過碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或磷原子與環(huán)連接的取代基，條件是L1、L2、！^和RG中的至少一個(gè)是-SM基團(tuán)，其中M代表堿金屬原子、氫原子或銨基。式(3)和(4):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(4)其中，R2,和R22每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子或垸基，條件是尺2|和尺22不同時(shí)代表氫原子并且所述烷基可以具有取代基；R23和R24每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子或垸基；R25代表羥基或羥基的鹽、氨基、垸基或苯基；R26和R27每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、垸基、?；?COOM22，條件是R:和1127不同時(shí)代表氫原子；M^代表氫原子、堿金屬原子或鉸基；M22代表氫原子、烷基、堿金屬原子、芳基或芳烷基；m代表0、l或2;以及n代表2;式(5):其中，X4。代表氫原子、羥基、低級(jí)烷基、低級(jí)烷氧基、鹵素原子、羧基或磺酸基；M4,和Ma每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、堿金屬原子或銨基。10.如權(quán)利要求9所述的透光性電磁波屏蔽膜，其中所述有機(jī)巰基化合物由式(l)所代表。11.如權(quán)利要求110任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，相對(duì)于所述印刷圖案而言，其包括量為0.0010.04g/i^的至少一種防銹劑。12.如權(quán)利要求111任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜，其還包括具有選自以下一種或多種功能的功能性透明層紅外線屏蔽性能、硬涂層性能、抗反射性能、防眩性能、抗靜電性能、防污性能、紫外線阻斷性能、氣體阻擋性能和顯示面板破損防止性能。13.—種顯示面板用膜，其包括如權(quán)利要求112任一項(xiàng)所述的透光性電磁波屏蔽膜。14.一種等離子體顯示面板用濾光器，其包括如權(quán)利要求13所述的顯示面板用膜。15.—種等離子體顯示面板，其包括如權(quán)利要求13所述的顯示面板用膜或如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板用濾光器。16.—種制造透光性電磁波屏蔽膜的方法，其包括通過在透明基板上印刷含有銀作為主要成分的微粒形成導(dǎo)電金屬部和透光性部分，其中按金屬總質(zhì)量計(jì)，銀含量為60質(zhì)量％或更大；和用至少一種防銹劑處理所述導(dǎo)電金屬部和所述透光性部分。17.—種制造透光性電磁波屏蔽膜的方法，其包括通過在透明基板上印刷含有銀作為主要成分的微粒形成導(dǎo)電金屬部和透光性部分，其中按金屬總質(zhì)量計(jì)，銀含量為60質(zhì)量％或更大；用含有Pd離子的液體處理所述導(dǎo)電金屬部和所述透光性部分；以及用至少一種防銹劑處理所述導(dǎo)電金屬部和所述透光性部分。18.—種制造透光性電磁波屏蔽膜的方法，其包括通過使設(shè)置在透明基板上的含銀鹽層曝光并顯影處理曝光層，形成金屬銀部和透光性部分；使所述金屬銀部進(jìn)行物理顯影和電鍍處理中的至少一種處理，形成導(dǎo)電金屬部，其中導(dǎo)電金屬負(fù)載于所述金屬銀部上；和用有機(jī)巰基化合物使所述導(dǎo)電金屬部進(jìn)行防止變色處理。19.如權(quán)利要求18所述的制造透光性電磁波屏蔽膜的方法，其中所述有機(jī)巰基化合物由式(2)所代表式(2)Z-SM其中Z代表烷基、芳香基團(tuán)或雜環(huán)基團(tuán)，它們被至少一種選自羥基、-S03MZ基團(tuán)、《00]^2基團(tuán)、氨基和銨基的基團(tuán)所取代或被至少一種選自羥基、-803^[2基團(tuán)、-COOlV^基團(tuán)、氨基和銨基的基團(tuán)取代的取代基所取代，其中n^代表氫原子、堿金屬原子或銨基；以及m代表氫原子、堿金屬原子或脒基，其可任選地形成氫鹵酸鹽或磺酸鹽。20.如權(quán)利要求18或19所述的制造透光性電磁波屏蔽膜的方法，其中所述有機(jī)巰基化合物是式(1)和(3)(5)所代表的至少一種有機(jī)巰基化合物式(l):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中，-D-和-E-每一個(gè)獨(dú)立地代表-CI^基團(tuán)、-(3(!1())=基團(tuán)或^=基團(tuán)；RG代表取代基；以及l(fā)'、l7和l7每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、鹵素原子或通過碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或磷原子與環(huán)連接的取代基，條件是l1、l2、"和rG中的至少一個(gè)是-sm基團(tuán)，其中m代表堿金屬原子、氫原子或銨基。式(3)和(4):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>(3)(4)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中，r2,和r22每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子或烷基，條件是r2,和r22不同時(shí)代表氫原子并且所述垸基可以具有取代基；R23和R24每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子或垸基；R25代表羥基或羥基的鹽、氨基、烷基或苯基；R26和R27每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、烷基、?；?coom22，條件是R26和R27不同時(shí)代表氫原子；m2,代表氫原子、堿金屬原子或銨基；m22代表氫原子、烷基、堿金屬原子、芳基或芳垸基；m代表0、l或2;以及n代表2;式(5):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中，X訓(xùn)代表氫原子、羥基、低級(jí)垸基、低級(jí)烷氧基、鹵素原子、羧基或磺酸基；M^和Ma每一個(gè)獨(dú)立地代表氫原子、堿金屬原子或銨基。21.—種根據(jù)權(quán)利要求1820任一項(xiàng)的制造方法制造的透光性電磁波屏蔽膜。22.如權(quán)利要求21所述的透光性電磁波屏蔽膜，其還包括具有選自以下一種或多種功能的功能性透明層紅外線屏蔽性能、硬涂層性能、抗反射性能、防眩性能、抗靜電性能、防污性能、紫外線阻斷性能、氣體阻擋性能和顯示面板破損防止性能。23.—種顯示面板用膜，其包括如權(quán)利要求21或22所述的透光性電磁波屏蔽膜。24.—種等離子體顯示面板用濾光器，其包括如權(quán)利要求23所述的顯示面板用膜。25.—種等離子體顯示面板，其包括如權(quán)利要求23所述的顯示面板用膜或如權(quán)利要求24所述的等離子體顯示面板用濾光器。全文摘要一種透光性電磁波屏蔽膜，其包括透明基板；含有銀作為主要成分的印刷圖案；和至少一種防銹劑。一種制造透光性電磁波屏蔽膜的方法，其包括通過使設(shè)置在透明基板上的含銀鹽層曝光并顯影處理曝光層，形成金屬銀部和透光性部分；使所述金屬銀部進(jìn)行物理顯影和電鍍處理中的至少一種處理，形成導(dǎo)電金屬部，其中導(dǎo)電金屬負(fù)載于所述金屬銀部上；和用有機(jī)巰基化合物使所述導(dǎo)電金屬部進(jìn)行防止變色處理。通過所述方法制造的透光性電磁波屏蔽膜以及包括所述透光性電磁波屏蔽膜的顯示面板用膜、等離子體顯示面板用濾光器和等離子體顯示面板。文檔編號(hào)B32B15/08GK101305648SQ2006800420公開日2008年11月12日申請(qǐng)日期2006年9月22日優(yōu)先權(quán)日2005年9月22日發(fā)明者佐佐木博友申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社