金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)及顯示設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及顯示產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)及顯示設(shè)備。金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，包括底面開(kāi)口的金屬罩體，以及設(shè)置于開(kāi)口邊緣的圍邊，金屬罩體的側(cè)壁具有分別對(duì)應(yīng)于顯示設(shè)備的高頻工作模塊和低頻工作模塊的高頻區(qū)和低頻區(qū)，低頻區(qū)上開(kāi)設(shè)有多個(gè)用以供低頻工作模塊散熱的散熱孔。顯示設(shè)備，包括顯示模組，設(shè)置于顯示模組背側(cè)的高頻工作模塊和低頻工作模塊，以及罩設(shè)于高頻工作模塊和低頻工作模塊上的上述金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型提出的金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)及顯示設(shè)備，通過(guò)在金屬罩體側(cè)壁的對(duì)應(yīng)于低頻工作模塊的低頻區(qū)上開(kāi)設(shè)多個(gè)散熱孔，既保證了低頻工作模塊的能夠有效進(jìn)行散熱，也保證了顯示設(shè)備內(nèi)的高頻工作模塊等功率器件的有效屏蔽。
【專利說(shuō)明】
金屬屏敝卓結(jié)構(gòu)及顯不設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示產(chǎn)品的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)及顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，市場(chǎng)上的顯示設(shè)備，在品質(zhì)要求及成本允許的情況下，絕大部分都會(huì)增加金屬屏蔽罩。同時(shí)，考慮到內(nèi)部功率器件(高頻工作模塊和低頻工作模塊)的散熱問(wèn)題，該金屬屏蔽罩都不會(huì)做成密閉的屏蔽罩，而會(huì)把該屏蔽罩增加一些開(kāi)孔，以利散熱。但是，如果開(kāi)孔處理不好，對(duì)安規(guī)測(cè)試項(xiàng)目來(lái)說(shuō)可能一點(diǎn)用處也起不到，從而浪費(fèi)了金屬屏蔽罩應(yīng)有的價(jià)值。此處，安規(guī)測(cè)試項(xiàng)目包含有電磁干擾測(cè)試、靜電釋放測(cè)試等等，其中，電磁干擾，即Electromagnetic Interference，簡(jiǎn)稱“EMI” ;靜電釋放，即Electro-Static discharge，簡(jiǎn)稱 “ESD” ο
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)及顯示設(shè)備，保證了低頻工作模塊的有效散熱，保證了功率器件的有效屏蔽。
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，所述金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)用于顯示設(shè)備中，所述金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)包括底面開(kāi)口的金屬罩體，以及設(shè)置于所述開(kāi)口邊緣的圍邊，所述金屬罩體的側(cè)壁具有分別對(duì)應(yīng)于所述顯示設(shè)備的高頻工作模塊和低頻工作模塊的高頻區(qū)和低頻區(qū)，所述低頻區(qū)上開(kāi)設(shè)有多個(gè)用以供所述低頻工作模塊散熱的散熱孔。
[0005]進(jìn)一步地，所述多個(gè)散熱孔呈陣列狀均勻分布。
[0006 ]優(yōu)選地，所述散熱孔的孔徑范圍為3?5mm。
[0007]進(jìn)一步地，所述高頻區(qū)上開(kāi)設(shè)有多個(gè)所述散熱孔，且所述高頻區(qū)上覆蓋有用于屏蔽電磁波輻射的金屬封堵件，所述金屬封堵件封堵所述高頻區(qū)上的多個(gè)所述散熱孔。
[0008]優(yōu)選地，所述金屬封堵件為銅箔或者鋁箔。
[0009]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示設(shè)備，包括顯示模組，設(shè)置于所述顯示模組背側(cè)的高頻工作模塊和低頻工作模塊，以及罩設(shè)于所述高頻工作模塊和低頻工作模塊上的金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，所述金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)包括底面開(kāi)口的金屬罩體，以及設(shè)置于所述開(kāi)口邊緣的圍邊，所述金屬罩體的側(cè)壁具有分別對(duì)應(yīng)于所述高頻工作模塊和所述低頻工作模塊的高頻區(qū)和低頻區(qū)，所述低頻區(qū)上開(kāi)設(shè)有多個(gè)用以供所述低頻工作模塊散熱的散熱孔。
[0010]進(jìn)一步地，所述高頻區(qū)上開(kāi)設(shè)有多個(gè)所述散熱孔，且所述高頻區(qū)上覆蓋有用于屏蔽電磁波輻射的金屬封堵件，所述金屬封堵件封堵所述高頻區(qū)上的多個(gè)所述散熱孔。
[0011]優(yōu)選地，所述金屬封堵件為銅箔或者鋁箔。
[0012]基于上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型實(shí)施例提出的金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)及顯示設(shè)備，通過(guò)在金屬罩體側(cè)壁上劃分對(duì)應(yīng)于高頻工作模塊的高頻區(qū)和對(duì)應(yīng)于低頻工作模塊的低頻區(qū)，并在金屬罩體側(cè)壁的低頻區(qū)上開(kāi)設(shè)多個(gè)散熱孔，如此，既保證了顯示設(shè)備的低頻工作模塊能夠有效散熱，同時(shí)也保證了對(duì)顯示設(shè)備內(nèi)的高頻工作模塊等功率器件的有效屏蔽，提升了顯示設(shè)備整體性能。
【附圖說(shuō)明】

[0013]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的顯示設(shè)備的分解示意圖；
[0014]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0016]需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或可能同時(shí)存在居中元件。當(dāng)一個(gè)元件被稱為是“連接于”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。
[0017]另外，還需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中的左、右、上、下等方位用語(yǔ)，僅是互為相對(duì)概念或是以產(chǎn)品的正常使用狀態(tài)為參考的，而不應(yīng)該認(rèn)為是具有限制性的。以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0018]如圖1至圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提出了一種金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，用于顯示設(shè)備中。具體地，該金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)包括金屬罩體I，該金屬罩體I的底面具有開(kāi)口，該金屬罩體I設(shè)置在顯示設(shè)備的顯示模組3的背側(cè)，并將設(shè)置在顯示模組3背側(cè)的高頻工作模塊4和低頻工作模塊5罩住。另外，金屬罩體I的開(kāi)口邊緣具有用于連接顯示模組3的圍邊13，此處，該圍邊13與金屬罩體I 一體成型。值得注意的是，金屬罩體I的側(cè)壁上具有高頻區(qū)11和低頻區(qū)12，這里，高頻區(qū)11和低頻區(qū)12分別對(duì)應(yīng)于顯示模組3背側(cè)的高頻工作模塊4和低頻工作模塊5，其中，金屬罩體I的低頻區(qū)12上開(kāi)設(shè)有多個(gè)散熱孔10，該散熱孔10用于低頻工作模塊5散熱，也可供金屬罩體I內(nèi)其他功率件散熱。
[0019]如上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提出的金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，通過(guò)在金屬罩體I的側(cè)壁上劃分對(duì)應(yīng)于高頻工作模塊4的高頻區(qū)11和對(duì)應(yīng)于低頻工作模塊5的低頻區(qū)12，并在該金屬罩體I側(cè)壁的低頻區(qū)12上開(kāi)設(shè)多個(gè)散熱孔10，如此，既保證了顯示設(shè)備的低頻工作模塊5能夠有效散熱，同時(shí)也保證了對(duì)顯示設(shè)備內(nèi)的高頻工作模塊4等功率器件的有效屏蔽，可有效通過(guò)安規(guī)測(cè)試。
[0020]進(jìn)一步地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，上述金屬罩體I側(cè)壁的低頻區(qū)12上的多個(gè)散熱孔10呈陣列狀均勻分布。如此，通過(guò)將多個(gè)散熱孔10以陣列形式均勻分布，保證了金屬罩體I散熱的均勻性，提升了散熱效果。當(dāng)然，根據(jù)實(shí)際情況和具體需求，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，上述多個(gè)散熱孔10還可以其他的形式分布，此處不作唯一限定。
[0021]進(jìn)一步地，依據(jù)電磁波輻射理論可知，在金屬屏蔽罩厚度不變的情況下，散熱孔的孔徑越小，屏蔽效果越好。但同時(shí)，散熱孔的直徑也不能太小，一是會(huì)減低散熱效果，二是會(huì)增加金屬屏蔽罩的加工難度，從而增加成本。因此，散熱孔的孔徑大小，要根據(jù)本設(shè)備自身的工作頻率來(lái)確定。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，上述散熱孔10的孔徑范圍優(yōu)選為3?5mm，該孔徑完全可以滿足正常需求，對(duì)應(yīng)的顯示設(shè)備的工作頻率可以為1000MHz左右。當(dāng)然，根據(jù)實(shí)際情況和具體需求，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，上述散熱孔10的孔徑還可為其他取值，此處不作唯一限定。
[0022]進(jìn)一步地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，上述金屬罩體I側(cè)壁的高頻區(qū)11上也開(kāi)設(shè)有多個(gè)散熱孔10，且該高頻區(qū)11上覆蓋有用于屏蔽電磁波輻射的金屬封堵件6，此處，該金屬封堵件6將高頻區(qū)11上的多個(gè)散熱孔10封堵住。這里，在金屬罩體I生產(chǎn)時(shí)，對(duì)其側(cè)壁一次性開(kāi)孔，這樣，在其側(cè)壁的高頻區(qū)11和低頻區(qū)12上均開(kāi)設(shè)有散熱孔10，由于高頻區(qū)11包圍顯示設(shè)備的高頻工作模塊4，為了避免此處的散熱孔10導(dǎo)致輻射泄漏，故在此處通過(guò)金屬封堵件6進(jìn)行封堵。當(dāng)然，根據(jù)實(shí)際情況和具體需求，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，金屬罩體I側(cè)壁的高頻區(qū)11也可以直接不開(kāi)孔，而僅僅在低頻區(qū)12上開(kāi)孔。
[0023]進(jìn)一步地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，上述金屬封堵件6優(yōu)選為銅箔或者鋁箔。當(dāng)然，根據(jù)實(shí)際情況和具體需求，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，該金屬封堵件6還可選用其他金屬件，此處不作唯一限定。
[0024]如圖1至圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例還提出了一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括顯示模組3、高頻工作模塊4和低頻工作模塊5以及上述金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，其中，高頻工作模塊4和低頻工作模塊5設(shè)置在顯示模組3的背側(cè)，金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)罩設(shè)于高頻工作模塊4和低頻工作模塊5上并與顯示模組3固定連接。此處，高頻工作模塊4用于顯示設(shè)備的圖像、控制信號(hào)處理，低頻工作模塊5為電源部分。另外，金屬罩體I的底面具有開(kāi)口，該開(kāi)口邊緣具有用于連接顯示模組3的圍邊13，此處，該圍邊13與金屬罩體I 一體成型。值得注意的是，金屬罩體I的側(cè)壁上具有高頻區(qū)11和低頻區(qū)12，這里，高頻區(qū)11和低頻區(qū)12分別對(duì)應(yīng)于顯示模組3背側(cè)的高頻工作模塊4和低頻工作模塊5，其中，金屬罩體I的低頻區(qū)12上開(kāi)設(shè)有多個(gè)散熱孔10，該散熱孔10用于低頻工作模塊5散熱，也可供金屬罩體I內(nèi)其他功率件散熱。
[0025]基于上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型實(shí)施例提出的顯示設(shè)備，通過(guò)在其金屬罩體I的側(cè)壁上劃分對(duì)應(yīng)于高頻工作模塊4的高頻區(qū)11和對(duì)應(yīng)于低頻工作模塊5的低頻區(qū)12，并在該金屬罩體I側(cè)壁的低頻區(qū)12上開(kāi)設(shè)多個(gè)散熱孔10，如此，既保證了顯示設(shè)備的低頻工作模塊5能夠有效散熱，同時(shí)也保證了對(duì)顯示設(shè)備內(nèi)的高頻工作模塊4等功率器件的有效屏蔽，提升了顯示設(shè)備整體性能，并且，還使得該顯示設(shè)備可有效通過(guò)安規(guī)測(cè)試。
[0026]本實(shí)施例中，金屬罩體I側(cè)壁的高頻區(qū)11上也開(kāi)設(shè)有多個(gè)散熱孔10，且該高頻區(qū)11上覆蓋有用于屏蔽電磁波輻射的金屬封堵件6，此處，該金屬封堵件6優(yōu)選為銅箔或者鋁箔，其將高頻區(qū)11上的多個(gè)散熱孔10封堵住。這里，在金屬罩體I生產(chǎn)時(shí)，對(duì)其側(cè)壁一次性開(kāi)孔，這樣，在其側(cè)壁的高頻區(qū)11和低頻區(qū)12上均開(kāi)設(shè)有散熱孔10，由于高頻區(qū)11包圍顯示設(shè)備的高頻工作模塊4，為了避免此處的散熱孔10導(dǎo)致輻射泄漏，故在此處通過(guò)金屬封堵件6進(jìn)行封堵。當(dāng)然，根據(jù)實(shí)際情況和具體需求，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，金屬罩體I側(cè)壁的高頻區(qū)11也可以直接不開(kāi)孔，而僅僅在低頻區(qū)12上開(kāi)孔。
[0027]以上所述實(shí)施例，僅為本實(shí)用新型【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到各種等效的修改、替換和改進(jìn)等等，這些修改、替換和改進(jìn)都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，用于顯示設(shè)備中，所述金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)包括底面開(kāi)口的金屬罩體，以及設(shè)置于所述開(kāi)口邊緣的圍邊，其特征在于，所述金屬罩體的側(cè)壁具有分別對(duì)應(yīng)于所述顯示設(shè)備的高頻工作模塊和低頻工作模塊的高頻區(qū)和低頻區(qū)，所述低頻區(qū)上開(kāi)設(shè)有多個(gè)用以供所述低頻工作模塊散熱的散熱孔。2.如權(quán)利要求1所述的金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個(gè)散熱孔呈陣列狀均勻分布。3.如權(quán)利要求2所述的金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱孔的孔徑范圍為3?5mm ο4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高頻區(qū)上開(kāi)設(shè)有多個(gè)所述散熱孔，且所述高頻區(qū)上覆蓋有用于屏蔽電磁波輻射的金屬封堵件，所述金屬封堵件封堵所述高頻區(qū)上的多個(gè)所述散熱孔。5.如權(quán)利要求4所述的金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬封堵件為銅箔或者鋁箔。6.顯示設(shè)備，包括顯示模組，設(shè)置于所述顯示模組背側(cè)的高頻工作模塊和低頻工作模塊，以及罩設(shè)于所述高頻工作模塊和低頻工作模塊上的金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)，所述金屬屏蔽罩結(jié)構(gòu)包括底面開(kāi)口的金屬罩體，以及設(shè)置于所述開(kāi)口邊緣的圍邊，其特征在于，所述金屬罩體的側(cè)壁具有分別對(duì)應(yīng)于所述高頻工作模塊和所述低頻工作模塊的高頻區(qū)和低頻區(qū)，所述低頻區(qū)上開(kāi)設(shè)有多個(gè)用以供所述低頻工作模塊散熱的散熱孔。7.如權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述高頻區(qū)上開(kāi)設(shè)有多個(gè)所述散熱孔，且所述高頻區(qū)上覆蓋有用于屏蔽電磁波輻射的金屬封堵件，所述金屬封堵件封堵所述高頻區(qū)上的多個(gè)所述散熱孔。8.如權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述金屬封堵件為銅箔或者鋁箔。
【文檔編號(hào)】G09F9/00GK205726877SQ201620408883
【公開(kāi)日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年5月5日
【發(fā)明人】王智勇, 孔意強(qiáng)
【申請(qǐng)人】合肥惠科金揚(yáng)科技有限公司