專利名稱：帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高透明的帶有導(dǎo)電膜的透光性基板。
背景技術(shù)：
作為帶有薄膜透明導(dǎo)電膜的透光性基板，有在特開平7-242442號公報中記載的基板，其摻雜有錫的氧化銦(ITO)的膜厚為23nm，550nm的穿透率為95.1％(由圖1可知，400nm的穿透率為87.6％)；在特開平7-242443號公報中記載的基板，其ITO的膜厚為20nm，400nm下的穿透率為86.8％，500nm下的穿透率為92.2％。另外，普遍認為帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板的導(dǎo)電膜一旦成為納米級的極薄的膜，就無法得到連續(xù)的膜。

發(fā)明內(nèi)容
雖然人們在尋求高透明的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，但是，即使是上述公報的ITO膜，其在可見光區(qū)域(380～780nm)也不能說是充分高透明的。
本發(fā)明的目的是提供充分高透明的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板。本發(fā)明人等為了解決上述課題進行了深入研究，結(jié)果成功地將帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板的導(dǎo)電膜制成納米級的極薄膜的連續(xù)膜，從而完成了本發(fā)明。
也就是說，本發(fā)明內(nèi)容如下(1)帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，在透光性基板上形成膜厚為12～2nm的、連續(xù)的透明導(dǎo)電膜。
(2)前述(1)所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，透明導(dǎo)電膜是柱狀單晶的集合體。
(3)根據(jù)前述(1)～(2)中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，透明導(dǎo)電膜的最大表面粗糙度為1～20nm。
(4)根據(jù)前述(1)～(3)中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，透明導(dǎo)電膜的平均表面粗糙度為0.1～10nm。
(5)根據(jù)前述(1)～(4)中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，透明導(dǎo)電膜是摻雜有錫的氧化銦薄膜。
(6)根據(jù)前述(5)所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，錫原子均勻地分布在摻雜有錫的氧化銦薄膜中。
(7)根據(jù)前述(1)～(6)中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，透明導(dǎo)電膜是用噴霧熱分解法或超聲波噴霧熱分解法(パィルゾル法)在基板上制造的導(dǎo)電膜。
(8)根據(jù)前述(7)所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，在基板上的溫度為400～750℃下形成導(dǎo)電膜。
(9)根據(jù)前述(1)～(8)中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，對于波長為400nm的光的穿透率為88％或更多。
(10)根據(jù)前述(1)～(9)中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，對于波長為350nm的光的穿透率為85％或更多。
(11)根據(jù)前述(1)～(10)中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，全光線穿透率(全光線透過率)為90％或更多。
在本發(fā)明中，作為透光性基板，優(yōu)選容易獲得、光通透性和其他物性優(yōu)異的玻璃基板或樹脂基板。玻璃基板可大致分為堿玻璃和無堿玻璃。堿玻璃價格便宜、容易得到，因此在成本方面的優(yōu)點大，不過，其含有13～14％左右的堿金屬氧化物，必須采取防止被這些堿金屬污染的措施，還有耐熱性差等缺點。另外，無堿玻璃則無需擔心堿金屬的污染、具有耐熱性，因此是優(yōu)選的。
作為堿玻璃，例如已知的有，組成為SiO272重量％、Al2O32重量％、CaO8重量％、MgO4重量％、Na2O13.5重量％的堿石灰玻璃等；作為無堿玻璃，例如已知的有，組成為SiO249重量％、Al2O310重量％、B2O315重量％、BaO25重量％的硼硅酸(7059)玻璃、組成為SiO253重量％、Al2O311重量％、B2O311重量％、CaO2重量％、MgO2重量％、BaO15重量％、ZnO6重量％的硼硅酸(AN)玻璃、組成為SiO254重量％、Al2O314重量％、B2O315重量％、MgO25重量％的硼硅酸(NA-40)玻璃、硼硅酸(BLC)玻璃、無堿(OA-10)玻璃等。
作為這些玻璃等基板的表面粗糙度，可以優(yōu)選地研磨成平均表面粗糙度Ra≤10nm、最大表面粗糙度Rmax≤50nm。特別是，對于使用堿玻璃的基板，優(yōu)選的是，平均表面粗糙度Ra≤10nm、最大表面粗糙度Rmax≤50nm；對于使用無堿玻璃的基板，優(yōu)選的是，平均表面粗糙度Ra≤5、最大表面粗糙度Rmax≤20nm。作為其下限值沒有特別的限制，不過通常為平均表面粗糙度Ra≥0.1nm、最大表面粗糙度Rmax≥0.5nm左右。作為將玻璃基板的表面粗糙度調(diào)整在上述范圍內(nèi)的方法，可以是使用金剛石、氧化鈰等的鏡面研磨等。
作為樹脂具體地可例示出聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等聚酯、聚醚砜系樹脂、無定形聚烯烴、聚苯乙烯、丙烯酸類樹脂等制成的膜、片材或板。特別是，從透明性和成形性的角度考慮，優(yōu)選聚烯烴系的透明熱固性樹脂制成的材料，更優(yōu)選使用由含有具有2個或更多個不飽和基團的多官能單體的組合物聚合而成的聚烯烴系共聚物。
作為具有2個或更多個不飽和基團的上述多官能單體的具體例，可舉出(i)二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸二甘醇酯、二(甲基)丙烯酸三甘醇酯、二(甲基)丙烯酸甘油酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等多元醇的二-、三-、四-(甲基)丙烯酸酯類；(ii)對二乙烯基苯、鄰二乙烯基苯等芳香族多官能單體；(iii)(甲基)丙烯酸乙烯基酯、(甲基)丙烯酸烯丙基酯等酯類；(iv)丁二烯、己二烯、戊二烯等二烯類；(v)以二氯磷腈為原料導(dǎo)入聚合多官能基團而具有磷腈骨架的單體；(vi)異氰尿酸三烯丙基酯等具有雜原子環(huán)狀骨架的多官能單體等。
從耐光性、耐氧化劣化性和防靜電性的各方面考慮，上述的透明熱固性樹脂優(yōu)選含有各種紫外線吸收劑、防氧化劑和防靜電劑的物質(zhì)。當透明熱固性樹脂為上述的聚烯烴系共聚物時，該聚烯烴系共聚物優(yōu)選使用了具有紫外線吸收性或防氧化性的單體的共聚物。作為這樣的單體的優(yōu)選例子，可舉出具有不飽和雙鍵的二苯甲酮系紫外線吸收劑、具有不飽和雙鍵的苯甲酸苯酯系紫外線吸收劑、具有將受阻氨基作為取代基的(甲基)丙烯酸單體等。為了得到目的聚烯烴系共聚物，這些單體優(yōu)選在相對于所用單體的總量的0.5～20wt％的范圍使用。
使用的樹脂基板的表面狀態(tài)優(yōu)選的是，表面粗糙度的二乘平均值為30nm或更小且在該平坦面上的500μm見方的區(qū)域內(nèi)存在的60nm或更大的突起的數(shù)目為20個或更少的面。此外，對于上述平坦面，本發(fā)明所述的“表面粗糙度的二乘平均值”是指其表面的凹凸與其高度的平均值的差的二乘平均值，意味著表面凹凸大小的程度。此外，本發(fā)明的“在該平坦面上的500μm見方的區(qū)域內(nèi)存在的60nm或更大的突起的數(shù)目”是指，在前述平坦面上任意設(shè)定10處500μm見方的區(qū)域，在各區(qū)域存在的高度為60nm或更高的突起的數(shù)目的平均值。各區(qū)域內(nèi)的突起的高度及其數(shù)目可以使用電子顯微鏡、原子力顯微鏡等求得。
只要具有上述平坦面，無論是使用任何聚合方法和成形方法所得到的物質(zhì)均可。此外，其厚度可以根據(jù)目的用途等而適當選擇，不過，當該透明熱固性樹脂基板含有上述聚烯烴系共聚物時，從機械特性方面考慮，其厚度優(yōu)選為0.1～1.5mm，更優(yōu)選為0.1～1.0mm。
為了防止堿成分等侵入透明導(dǎo)電膜中，可以根據(jù)需要在透光性基板與透明導(dǎo)電膜之間形成無機氧化物膜。作為無機氧化物膜，具體地可例示出硅氧化物(SiOX)，鋁氧化物(Al2OX)、鈦氧化物(TiOX)、鋯氧化物(ZrOX)、釔氧化物(Y2OX)、鐿氧化物(Yb2OX)、鎂氧化物(MgOX)、鉭氧化物(Ta2OX)、鈰氧化物(CeOX)或鉿氧化物(HfOX)、有機聚硅烷化合物形成的聚硅烷膜、MgF2膜、CaF2膜、含有SiOX與TiOX的復(fù)合氧化物等的膜。
無機氧化物膜的膜厚可根據(jù)材質(zhì)而進行適當改變，不過大致在2～20nm的范圍。膜過薄則無法防止堿成分等的侵入。另外，膜過厚則透光性下降。
無機氧化物膜的表面的平坦性優(yōu)選是與作為該無機氧化物膜的底材的前述基板的平坦面的平坦性同等程度地高。具有這樣的平坦性的無機氧化物膜，可以利用直流方式、磁控管方式、高頻放電方式等的濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法、等離子CVD法、浸漬法、噴霧熱分解法、超聲波噴霧熱分解法(パィロゾル)等方法形成。無論是用哪種方法形成無機氧化物膜的情況下，成膜時的基板溫度優(yōu)選設(shè)定為前述基板實質(zhì)上不發(fā)生熱變形的溫度。
作為透明導(dǎo)電膜，可舉出摻雜有錫的氧化銦(ITO)、摻雜有鋅的氧化銦(IZO)、摻雜有鋁的氧化鋅、FTO、ATO、ZnO、SnO2、In2O3等膜，優(yōu)選ITO膜。在提高光穿透率的情況下，透明導(dǎo)電膜越薄越好，不過因為必須是不形成島狀結(jié)構(gòu)的連續(xù)膜，所以膜厚為12～2nm、優(yōu)選為10～2nm，為了提高光穿透率優(yōu)選為9～2nm，為了進一步提高光穿透率，優(yōu)選為8～2nm。就本發(fā)明的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板的光穿透率而言，對于波長為400nm的光的穿透率優(yōu)選為88％或更多、更優(yōu)選為90％或更多，全光線穿透率優(yōu)選為90％或更多、更優(yōu)選為92％或更多、更進一步優(yōu)選為93％或更多。此外，帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，對于更短波長350nm的光的穿透率也優(yōu)選為85％或更多，該值優(yōu)選大的值。
使用ITO作為透明導(dǎo)電膜的情況下，通常按化學計量組成含有In2O3與SnO2，氧量由此多少有些偏差也是可以的。如果為InOX·SnOY，則優(yōu)選X為1.0～2.0、Y為1.6～2.4的范圍。相對于In2O3而言，SnO2的混合比優(yōu)選為0.05～40重量％的范圍、更優(yōu)選為1～20重量％、更進一步優(yōu)選為5～12重量％的范圍。SnO2的比例高則熱穩(wěn)定性增加。
作為透明導(dǎo)電膜的制造方法，只要是在基板上形成薄膜的方法就沒有特別的限制，具體地可例示出濺射法、電子束法、離子鍍法、絲網(wǎng)印刷法或化學氣相沉積法(CVD法)、噴霧熱分解法、超聲波噴霧熱分解法等，可優(yōu)選地例示出噴霧熱分解法、超聲波噴霧熱分解法。
更具體地，如果利用濺射法，以金屬(例如銦、鋅等)和被摻雜的金屬(例如錫、氟、氟化合物、鋁等)的混合物與氧氣、或?qū)饘傺趸?例如氧化銦、氧化鋅等)進行了燒結(jié)后的物質(zhì)等作為靶物質(zhì)；如果使用電子束法或離子鍍法，則以金屬(例如銦、鋅等)和被摻雜的金屬(例如錫、氟、氟化合物、鋁等)的混合物與氧氣、或?qū)饘傺趸?例如氧化銦、氧化鋅等)進行了燒結(jié)后的物質(zhì)等作為蒸發(fā)物質(zhì)，從而可以形成上述的透明導(dǎo)電膜。
使用濺射法形成含有ITO的導(dǎo)電膜的情況下，優(yōu)選通過使用在In2O3中摻雜了SnO2的靶物質(zhì)的DC濺射或者RF濺射法來形成。
作為濺射氣體沒有特別的限定，可以使用Ar、He、Ne、Kr、Xe等惰性氣體、或者它們的混合氣體。此外，這些氣體中還可以含有20％或更少量的O2。作為這樣的濺射氣體濺射時的壓力，通常可以在0.1～20Pa左右。
成膜時的基板溫度優(yōu)選為150～500℃、特別優(yōu)選為200～400℃的范圍。
ITO等導(dǎo)電膜成膜后，可以根據(jù)需要進行加熱處理。加熱處理的溫度優(yōu)選為100～550℃、更優(yōu)選為150～300℃的范圍，其處理時間優(yōu)選為0.1～3小時、更優(yōu)選為0.3～1小時。作為處理氣氛，優(yōu)選空氣、氮、氧、加氫的氮氣氛、添加有機溶劑的空氣或者氮氣氛等。
CVD法、噴霧熱分解法、超聲波噴霧熱分解法等中所用的銦化合物優(yōu)選為熱分解而成為氧化銦的物質(zhì)，更具體地，可以例示出三(乙酰丙酮)銦(In(CH3COCHCOCH3)3)、三(二苯甲酰甲烷)銦(In(C6H5COCHCOC6H5)3)、三氯化銦(InCl3)、硝酸銦(In(NO3)3)、三異丙醇銦(In(OPr-i)3)等，優(yōu)選三(乙酰丙酮)銦。
此外，作為錫化合物，可以優(yōu)選使用熱分解而成為氧化錫的物質(zhì)，具體地可舉出氯化錫、二氯化二甲基錫、二氯化二丁基錫、四丁基錫、辛酸亞錫(Sn(OCOC7H15)2)、馬來酸二丁基錫、乙酸二丁基錫、二(乙酰丙酮)二丁基錫等。
再有，除了前述銦化合物與錫化合物以外，優(yōu)選添加作為第3成分的下述物質(zhì)來形成ITO膜，即，Mg、Ca、Sr、Ba等元素周期表第2族元素、Sc、Y等第3族元素、La、Ce、Nd、Sm、Gd等鑭系物、Ti、Zr、Hf等第4族元素、V、Nb、Ta等第5族元素、Cr、Mo、W等第6族元素、Mn等第7族元素、Co等第9族元素、Ni、Pd、Pt等第10族元素、Cu、Ag等第11族元素、Zn、Cd等第12族元素、B、Al、Ga等第13族元素、Si、Ge、Pb等第14族元素、P、As、Sb等第15族元素、Se、Te等第16族元素等的單質(zhì)或它們的化合物。
相對于銦而言，這些元素的添加比例優(yōu)選為0.05～20原子％左右，添加比例隨添加元素而異，可以適當選定與目的電阻值相符的元素和添加量。
作為利用超聲波噴霧熱分解法或噴霧熱分解法在玻璃基板上形成ITO膜的方法，將上面例示的銦化合物與錫化合物溶解在甲醇、乙醇等醇類、丙酮、甲基丁基酮、乙酰丙酮等酮類等有機溶劑中，制成混合溶液，然后，將該混合溶液在載氣中進行微?；?、使其分散，可以通過與預(yù)先加熱到400～750℃、優(yōu)選400～550℃的玻璃基板在常壓下接觸的方法來制造。該混合溶液的微?；梢岳贸暡F化法、噴霧法等進行，優(yōu)選超聲波霧化法，其可以穩(wěn)定產(chǎn)生均勻粒徑的微粒。作為載氣，使用氧化性氣體，通常使用空氣。
使用上述的超聲波噴霧熱分解法時，通過使該混合溶液的微粒與加熱的玻璃基板接觸，在玻璃基板上生成具有ITO膜組成的晶核，隨著該晶核的成長，其與相鄰的晶核接觸，因為該接觸晶核被相互制約，成長以垂直于基板面的方向為主流，從而容易得到作為定向了的柱狀單晶的復(fù)合體的ITO膜，該ITO膜的蝕刻性好。用超聲波噴霧熱分解法形成ITO膜時，錫原子從基板向著膜表面而在膜中均勻地分布，所以，此時因為所得到的膜變得均勻，也可以不進行研磨。這里所謂均勻是指，錫原子并不偏析在膜表面，就錫/銦原子比而言，膜表面的值不超過膜中的平均值的2倍。
透明導(dǎo)電膜優(yōu)選為結(jié)晶材質(zhì)的導(dǎo)電膜。該膜結(jié)構(gòu)沒有特別的限定，可以是塊狀晶體層積而得的結(jié)構(gòu)，但其中優(yōu)選柱狀單晶的集合體。透明導(dǎo)電膜的晶粒尺寸優(yōu)選20nm～100nm的范圍。微晶的形狀沒有特別的限定，但優(yōu)選球形或旋轉(zhuǎn)橢圓形、優(yōu)選突起、角少的?？梢允褂猛干滹@微鏡(TEM)觀察表面，從而進行微晶形狀與大小的評價。此外，本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜，最大表面粗糙度Rmax優(yōu)選為1～20nm、更優(yōu)選為1～15nm的范圍，平均表面粗糙度Ra優(yōu)選為0.1～10nm、更優(yōu)選為0.1～1nm的范圍。
對于上述在基板上形成的導(dǎo)電膜，可以根據(jù)需要而進一步實施UV臭氧照射或者氧離子、氮離子、氬離子等離子的照射。UV臭氧照射的條件例如為光源的主波長為2537埃、1849埃，照射槽內(nèi)的氧氣導(dǎo)入量為10升/分，基板溫度為10～30℃，照射時間為10分～5小時。此外，離子照射的條件例如為照射槽內(nèi)壓10-6～10-1Pa，照射驅(qū)動電壓為10～1000V，照射時間為10秒～1小時。此外，上述UV臭氧照射和離子照射也可對具有所希望的表面凹凸的導(dǎo)電膜實施。在進行UV臭氧照射或離子照射時，不會損傷基板，可以實現(xiàn)導(dǎo)電膜表面的清潔化。


圖1表示實施例1～4中制作的ITO玻璃的分光特性(穿透率)。
圖2表示實施例1～4中制作的ITO玻璃的分光特性(反射率)。
圖3表示實施例3中制作的ITO玻璃的由原子力顯微鏡得到的表面照片。
圖4表示實施例5～6中制作的ITO玻璃的由ESCA得到的ITO膜深度方向上的銦與錫的含量測定結(jié)果。
具體實施例方式
以下使用實施例進一步詳細說明本發(fā)明，不過，本發(fā)明的范圍并不限于實施例。
實施例1利用超聲波噴霧熱分解法在玻璃基板上制作ITO膜。也就是說，用帶式運輸機將預(yù)涂覆有SiO2膜(膜厚10nm)的硼硅酸(BLC)玻璃研磨基板(260×220×0.4mm)投入加熱到500℃的輸送爐中，將按原子比含有12％的錫原子的氯化錫-乙酰丙酮銦的乙酰丙酮溶液制成霧滴狀，以空氣作為載氣吹入到輸送爐中，使其與玻璃基板的表面接觸而熱分解，從而形成膜厚為12nm的ITO膜。得到的ITO膜的表面電阻值為1.7KΩ/sq(KΩ/□)。此外，用原子力顯微鏡(AFM)觀察膜表面可知，平均表面粗糙度Ra為0.7nm、最大表面粗糙度Rmax為12nm。所得的ITO玻璃的分光特性的穿透率如圖1所示、反射率如圖2所示。
實施例2除了調(diào)整帶式運輸機的速度和試劑霧化量以外，其他與實施例1相同地操作，形成膜厚為10nm的ITO膜。
所得的ITO玻璃的分析結(jié)果如表1所示，分光特性的穿透率如圖1所示，反射率如圖2所示。
實施例3利用超聲波噴霧熱分解法在玻璃基板上制成ITO膜。也就是說，用帶式運輸機將預(yù)涂覆有SiO2膜(膜厚10nm)的硼硅酸(BLC)玻璃研磨基板(260×220×0.4mm)投入加熱到500℃的輸送爐中，將按原子比含有12％的錫原子的氯化錫-乙酰丙酮銦的乙酰丙酮溶液制成霧滴狀，以空氣作為載氣吹入到輸送爐中，使其與玻璃基板表面接觸而熱分解，從而形成膜厚為8nm的ITO膜。用AFM觀察膜表面可知，平均表面粗糙度Ra為0.8nm、最大表面粗糙度Rmax為13nm。所得的ITO玻璃的分光特性的穿透率如圖1所示、反射率如圖2所示。
實施例4除了調(diào)整帶式運輸機的速度和試劑霧化量以外，其他與實施例3相同地操作，形成膜厚為6nm的ITO膜。
所得的ITO玻璃的分析結(jié)果如表1所示，分光特性的穿透率如圖1所示，反射率如圖2所示，用AFM所得的表面照片如圖3所示。
表1表1

實施例1～4中得到的ITO玻璃，即使進行洗滌，其ITO膜也不會剝離，用堿剝離時也沒有被侵蝕。
實施例5以按原子比含有5％的錫原子的氯化錫-乙酰丙酮銦的乙酰丙酮溶液作為試劑，調(diào)整帶式運輸機的速度和試劑霧化量，除此之外，與實施例1相同地操作，形成膜厚為10nm的ITO膜。
所得的ITO玻璃的全光線穿透率為93％。用ESCA測定膜中的金屬原子的組成后可知，錫原子從表面向著基板地在膜中均勻分布，并未偏析。測定結(jié)果如圖4所示。
實施例6除調(diào)整帶式運輸機的速度和試劑霧化量外，其他與實施例5相同地操作，形成膜厚為8nm的ITO膜。所得的ITO玻璃的全光線穿透率為93％。用ESCA測定膜中的金屬原子的組成后可知，錫原子從表面向著基板地在膜中均勻分布，并未偏析。測定結(jié)果如圖4所示。
工業(yè)上的應(yīng)用性本發(fā)明的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板是高透明的，可以節(jié)省裝置的光量和能量，適合作為液晶顯示器(LCD)、液晶調(diào)光裝置、LCD鏡頭等的電極，在工業(yè)上的利用價值高。
權(quán)利要求
1.帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，在透光性基板上形成膜厚為12～2nm的、連續(xù)的透明導(dǎo)電膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，透明導(dǎo)電膜是柱狀單晶的集合體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1～2中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，透明導(dǎo)電膜的最大表面粗糙度為1～20nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，透明導(dǎo)電膜的平均表面粗糙度為0.1～10nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，透明導(dǎo)電膜是摻雜有錫的氧化銦薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，錫原子均勻地分布在摻雜有錫的氧化銦薄膜中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，透明導(dǎo)電膜是用噴霧熱分解法或超聲波噴霧熱分解法在基板上制造的導(dǎo)電膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，在基板上的溫度為400～750℃下形成導(dǎo)電膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，對于波長為400nm的光的穿透率為88％或更多。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，對于波長為350nm的光的穿透率為85％或更多。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其特征在于，全光線穿透率為90％或更多。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供充分高透明的、帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，其是在透光性基板上形成有膜厚為12～2nm的連續(xù)的透明導(dǎo)電膜的帶有透明導(dǎo)電膜的透光性基板，透明導(dǎo)電膜優(yōu)選為柱狀單晶的集合體，透明導(dǎo)電膜的最大表面粗糙度為1～20nm，透明導(dǎo)電膜的平均表面粗糙度為0.1～10nm的范圍，透明導(dǎo)電膜是摻雜有錫的氧化銦薄膜，錫原子均勻地分布在摻雜有錫的氧化銦薄膜中，該基板對于波長400nm的光的穿透率為88％或更多，對于波長350nm的光的穿透率為85％或更多，對于全部光線的穿透率為90％或更多。
文檔編號B32B7/02GK1795516SQ2004800142
公開日2006年6月28日 申請日期2004年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月26日
發(fā)明者神田廣行, 瀨田康弘, 大蘆龍也 申請人:日本曹達株式會社