本發(fā)明屬于芯片加工，更具體而言，涉及一種圓晶夾具以及銦柱剝離方法。

背景技術(shù)：

1、紅外焦平面混成芯片是紅外焦平面探測器組件的核心部件，混成芯片由紅外焦平面陣列芯片及硅讀出電路芯片通過銦柱倒裝互連制備而成，影響紅外焦平面混成芯片合格率很重要的一個(gè)工藝就是圓晶銦柱剝離。

2、目前，多數(shù)銦柱剝離是采用濕法剝離方法，將圓晶放置在吊籃上，浸泡后直接沖洗，銦金屬層容易劃傷銦柱，且圓晶是沒有固定的，容易在沖洗時(shí)掉落。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的在于提供一種圓晶夾具，旨在可以固定圓晶，方便圓晶的拿取，配合沖洗手法可以輕松剝離銦金屬層，避免銦金屬層損傷銦柱；同時(shí)，提供了一種銦柱剝離方法。

2、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種圓晶夾具，包括盤體、提拉桿和壓塊，所述提拉桿與所述盤體連接，所述盤體背向所述提拉桿的一側(cè)設(shè)有至少兩個(gè)限位柱，所述限位柱的外壁設(shè)有凹槽，所述凹槽的槽底用于與圓晶的外周壁接觸；

3、所述壓塊以拆卸的方式固定在所述盤體上，以將圓晶壓緊在所述凹槽中。

4、在上述的圓晶夾具中，所述盤體為圓盤狀，所述限位柱為三個(gè)并圍繞所述盤體的軸線周向布置。

5、在上述的圓晶夾具中，所述凹槽為環(huán)形凹槽。

6、在上述的圓晶夾具中，所述盤體背向所述提拉桿的一側(cè)設(shè)有導(dǎo)槽，所述導(dǎo)槽沿所述盤體的徑向延伸，所述壓塊與所述導(dǎo)槽滑動(dòng)配合并可沿所述導(dǎo)槽的延伸方向調(diào)整位置。

7、在上述的圓晶夾具中，所述壓塊上設(shè)有長腰孔，所述長腰孔的延伸方向與所述導(dǎo)槽的延伸方向相平行；

8、還包括螺絲，所述導(dǎo)槽的槽底設(shè)有一螺紋孔，所述螺絲穿過所述長腰孔與所述螺紋孔螺紋連接。

9、在上述的圓晶夾具中，所述壓塊包括本體，所述本體上設(shè)有與所述導(dǎo)槽適配的導(dǎo)向部；

10、所述本體靠近所述盤體的軸線的一端設(shè)有壓緊部，所述壓緊部背向所述盤體的一端設(shè)有限位齒，所述限位齒沿靠近所述盤體的軸線的方向凸出，所述限位齒與所述盤體之間設(shè)有間隙。

11、在上述的圓晶夾具中，所述限位齒朝向所述盤體的一面為斜面，所述斜面沿遠(yuǎn)離所述盤體的軸線的方向朝著所述盤體傾斜。

12、在上述的圓晶夾具中，所述盤體背向所述提拉桿的一側(cè)設(shè)有多個(gè)第一支撐柱，多個(gè)所述第一支撐柱圍繞所述盤體的軸線周向布置；

13、所述凹槽遠(yuǎn)離所述盤體的一側(cè)與所述盤體之間的間距為第一間距，所述凹槽靠近所述盤體的一側(cè)與所述盤體之間的間距為第二間距，所述第一支撐柱的高度小于所述第一間距并大于所述第二間距。

14、在上述的圓晶夾具中，所述盤體背向所述提拉桿的一側(cè)設(shè)有多個(gè)第二支撐柱，多個(gè)所述第二支撐柱圍繞所述盤體的軸線周向布置，所述第二支撐柱的高度大于所述限位柱的高度。

15、根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種銦柱剝離方法，涉及如第一方面所述的圓晶夾具，包括以下步驟；

16、步驟1：利用圓晶夾具來裝夾圓晶，將圓晶浸入到去膠液中，加熱預(yù)定時(shí)長；

17、步驟2：從去膠液中提出圓晶，使用注射器在圓晶邊緣噴射去膠液，進(jìn)行沖洗，直至銦金屬層膨脹鼓起，使用鑷子將銦金屬層揭掉。

18、在上述的銦柱剝離方法中，步驟1中，加熱時(shí)采用水浴加熱的方式，加熱溫度為75℃～85℃。

19、在上述的銦柱剝離方法中，步驟1中，加熱時(shí)長為0.8～1.2h。

20、在上述的銦柱剝離方法中，步驟2中，去除銦金屬層后，利用丙酮來沖洗掉圓晶上的去膠液；之后利用酒精沖洗圓晶上的讀出電路，再進(jìn)行烘干。

21、本發(fā)明上述技術(shù)方案中的一個(gè)技術(shù)方案至少具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果之一：

22、在本發(fā)明中，在盤體上設(shè)置了限位柱，從而定位圓晶的位置，限位柱的外壁設(shè)有凹槽，當(dāng)壓塊將圓晶壓緊到凹槽中后，便可以固定圓晶，同時(shí)讓圓晶與盤體之間也有留空隙，確保圓晶處于懸空狀態(tài)；依靠提拉桿可以輕松拿取圓晶，在銦柱剝離時(shí)，由于有夾具的夾持，操作人員噴射去膠液時(shí)更加方便，可以更加直觀地觀察銦金屬層的膨脹，進(jìn)而輕松揭掉銦金屬層，避免銦金屬層在沖洗時(shí)損傷銦柱。

技術(shù)特征：

1.一種圓晶夾具，其特征在于，包括盤體、提拉桿和壓塊，所述提拉桿與所述盤體連接，所述盤體背向所述提拉桿的一側(cè)設(shè)有至少兩個(gè)限位柱，所述限位柱的外壁設(shè)有凹槽，所述凹槽的槽底用于與圓晶的外周壁接觸；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓晶夾具，其特征在于，所述盤體為圓盤狀，所述限位柱為三個(gè)并圍繞所述盤體的軸線周向布置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓晶夾具，其特征在于，所述凹槽為環(huán)形凹槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圓晶夾具，其特征在于，所述盤體背向所述提拉桿的一側(cè)設(shè)有導(dǎo)槽，所述導(dǎo)槽沿所述盤體的徑向延伸，所述壓塊與所述導(dǎo)槽滑動(dòng)配合并可沿所述導(dǎo)槽的延伸方向調(diào)整位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圓晶夾具，其特征在于，所述壓塊上設(shè)有長腰孔，所述長腰孔的延伸方向與所述導(dǎo)槽的延伸方向相平行；

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圓晶夾具，其特征在于，所述壓塊包括本體，所述本體上設(shè)有與所述導(dǎo)槽適配的導(dǎo)向部；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圓晶夾具，其特征在于，所述限位齒朝向所述盤體的一面為斜面，所述斜面沿遠(yuǎn)離所述盤體的軸線的方向朝著所述盤體傾斜。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圓晶夾具，其特征在于，所述盤體背向所述提拉桿的一側(cè)設(shè)有多個(gè)第一支撐柱，多個(gè)所述第一支撐柱圍繞所述盤體的軸線周向布置；

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圓晶夾具，其特征在于，所述盤體背向所述提拉桿的一側(cè)設(shè)有多個(gè)第二支撐柱，多個(gè)所述第二支撐柱圍繞所述盤體的軸線周向布置，所述第二支撐柱的高度大于所述限位柱的高度。

10.一種銦柱剝離方法，其特征在于，涉及如權(quán)利要求1-9任一所述的圓晶夾具，包括以下步驟；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種圓晶夾具以及銦柱剝離方法，旨在可以固定圓晶，方便圓晶的拿取，配合沖洗手法可以輕松剝離銦金屬層，避免銦金屬層損傷銦柱；圓晶夾具包括盤體、提拉桿和壓塊，所述提拉桿與所述盤體連接，所述盤體背向所述提拉桿的一側(cè)設(shè)有至少兩個(gè)限位柱，所述限位柱的外壁設(shè)有凹槽，所述凹槽的槽底用于與圓晶的外周壁接觸；所述壓塊以拆卸的方式固定在所述盤體上，以將圓晶壓緊在所述凹槽中，屬于芯片加工技術(shù)領(lǐng)域。

技術(shù)研發(fā)人員：李強(qiáng),宋升,王從學(xué)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽光智科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19