專利名稱：抗靜電功能增強(qiáng)板和它的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在抗靜電功能方面得到增強(qiáng)、以便防止由于靜電導(dǎo)致的靜電吸附的板狀部件，例如配備有自動(dòng)原片饋送機(jī)構(gòu)的復(fù)印機(jī)的頂板，以及該板狀部件的制造方法。
由原片和玻璃頂板之間的機(jī)械摩擦產(chǎn)生的靜電所導(dǎo)致的靜電吸附可以按照在配備有自動(dòng)原片饋送機(jī)構(gòu)的復(fù)印機(jī)中原片被卡住的情況加以說明。因此，為了防止原片被卡住，需要降低玻璃頂板表面的摩擦阻力和電阻。
關(guān)于降低摩擦阻力和電阻的方法，已知有一種常規(guī)的、形成兩層膜的方法，這兩層膜包括位于玻璃頂板之上的一個(gè)由有機(jī)硅化合物構(gòu)成的上部潤(rùn)滑層和一個(gè)由氧化錫-氧化銻(ATO)、氧化銦-氧化錫(ITO)或類似的材料構(gòu)成的下部透明導(dǎo)電層，結(jié)果使得上述的上部潤(rùn)滑層可以降低摩擦阻力，而下部透明導(dǎo)電層可以降低電阻。
關(guān)于形成上述的潤(rùn)滑層的方法，有一種方法是使用有機(jī)化合物，例如含有多氟烷基的化合物或碳原子數(shù)等于或大于10的較高級(jí)的胺化合物，還有一種方法是使用有機(jī)硅化合物，例如與異氰酸鹽基團(tuán)結(jié)合的硅化合物或兩端變性的聚硅氧烷。
被稱為形成透明導(dǎo)電膜的方法，已知有(1)真空沉積法、(2)濺射法、(3)CVD法、(4)熱解法和其他一些方法。
此外，還知道有一種形成具有精細(xì)結(jié)構(gòu)的抗靜電膜的方法，在這種精細(xì)結(jié)構(gòu)中，通過用在其中分散有諸如ITO或ATO一類的透明導(dǎo)電粒子的silica zol溶液涂敷氧化硅基質(zhì)并煅燒該溶液的方式分散透明導(dǎo)電粒子。
由于以上(1)、(2)或(3)上述的方法通過使晶體粒子從類似島形的結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的方式形成一種單層，然而，該膜層粒子尺寸大并且表面光滑度低，所以需要拋光或形成潤(rùn)滑層，以便得到摩擦系數(shù)小的雙層抗靜電膜層。
另一方面，以上(4)上述的方法具有解決由(1)、(2)或(3)上述的方法提出的問題的可能性，但是幾乎不可能形成可實(shí)際使用的膜層。例如，當(dāng)使用諸如硝酸銦、氯化銦或四氯化錫一類的無機(jī)化合物的有機(jī)溶液時(shí)，該方法呈現(xiàn)出所形成的膜層呈混濁白色或機(jī)械強(qiáng)度不足、和容易損壞的缺陷。此外，使用諸如辛酸銦一類具有強(qiáng)離子鍵性能的有機(jī)酸銦的方法具有這樣一種缺陷，這就是由于有機(jī)酸銦易于水解并且相當(dāng)容易化學(xué)變性使得涂料溶液被膠凝。
同樣，形成具有如下這樣一種精細(xì)結(jié)構(gòu)的抗靜電膜的方法，盡管它具有允許通過一種單一的涂敷-煅燒步驟形成膜的優(yōu)點(diǎn)，但是它也帶來了一些在所得到的膜的光滑度和強(qiáng)度方面的問題。在上述的這種精細(xì)結(jié)構(gòu)中，通過用在其中分散有透明導(dǎo)電粒子的silica zol溶液來涂敷氧化硅基質(zhì)并煅燒該溶液的方式來分散透明導(dǎo)電粒子。
就由常規(guī)的抗靜電功能增強(qiáng)板所帶來的一些問題來看，本發(fā)明首要的任務(wù)是提供一種在不加拋光處理的條件下就具有小的摩擦系數(shù)和良好的抗靜電性能并且容易制造和成本低的抗靜電功能增強(qiáng)板及其制造方法。
權(quán)利要求1上述的本發(fā)明的抗靜電功能增強(qiáng)板在其基底上包括兩層其上按不同量摻雜錫的摻錫氧化銦薄膜；兩層其上按不同量摻雜銻的摻銻氧化錫薄膜；或兩層其上按不同量摻鋁的摻鋁氧化鋅薄膜。
權(quán)利要求2上述的本發(fā)明的抗靜電功能增強(qiáng)板在其基底上包括具有在其中摻錫比呈梯度的梯度結(jié)構(gòu)的摻錫的氧化銦薄膜；具有在其中摻銻比呈梯度的梯度結(jié)構(gòu)的摻銻的氧化錫薄膜；或具有在其中摻鋁比呈梯度的梯度結(jié)構(gòu)的摻鋁的氧化鋅薄膜。
根據(jù)權(quán)利要求1或2的權(quán)利要求3所述的本發(fā)明的抗靜電功能增強(qiáng)板的特征在于上述的板包括一個(gè)在上述的摻錫氧化銦薄膜、上述的摻銻氧化錫薄膜或上述的摻鋁氧化鋅薄膜上的主要成分為氧化硅的薄膜。
根據(jù)權(quán)利要求1的權(quán)利要求4所述的本發(fā)明的抗靜電功能增強(qiáng)板的特征在于在上述的摻錫氧化銦薄膜、上述的摻銻氧化錫薄膜或上述的摻鋁氧化鋅薄膜的上(表面)層中錫、銻或鋁的攙雜量大于下層。
根據(jù)權(quán)利要求2的權(quán)利要求5所述的抗靜電功能增強(qiáng)板的特征在于在上述的摻錫氧化銦薄膜、上述的摻銻氧化錫薄膜或上述的摻鋁氧化鋅薄膜中錫、銻或鋁的攙雜比率從內(nèi)部朝向表面逐漸升高。
根據(jù)權(quán)利要求1至5之中任意一項(xiàng)的權(quán)利要求6所述的抗靜電功能增強(qiáng)板的特征在于上述的薄膜或那些薄膜的總厚度不超過80nm。
根據(jù)權(quán)利要求1至6之中任意一項(xiàng)的權(quán)利要求7所述的抗靜電功能增強(qiáng)板的特征在于上述的基底是用玻璃制造的。
根據(jù)權(quán)利要求1至7之中任意一項(xiàng)的權(quán)利要求8所述的抗靜電功能增強(qiáng)板的特征在于上述的板被用做復(fù)印機(jī)的頂板。
權(quán)利要求9上述的、抗靜電功能增強(qiáng)板的制造方法包括用含有揮發(fā)性銦化合物、非揮發(fā)性錫化合物和有機(jī)溶劑的，形成抗靜電膜的組合物涂敷基底的抗靜電膜涂敷步驟，在上述的抗靜電膜涂敷步驟之后將上述的形成抗靜電膜的組合物干燥的抗靜電膜干燥步驟；以及在上述的抗靜電膜干燥步驟之后通過煅燒上述的形成抗靜電膜的組合物形成抗靜電膜的抗靜電膜煅燒步驟。
根據(jù)權(quán)利要求9的權(quán)利要求10上述的、抗靜電功能增強(qiáng)板的制造方法，在上述的抗靜電膜煅燒步驟之后還包括一個(gè)通過用含有由金屬醇鹽(酚鹽)衍生出的有機(jī)硅化合物的縮合物的有機(jī)溶液涂敷上述的抗靜電膜的上表面，然后干燥并煅燒上述的有機(jī)溶液的方式形成保護(hù)膜的步驟。
根據(jù)權(quán)利要求9或10的權(quán)利要求11上述的、抗靜電功能增強(qiáng)板的制造方法的特征在于上述的非揮發(fā)性錫化合物是草酸錫。
根據(jù)權(quán)利要求9至11之中任意一項(xiàng)的權(quán)利要求12上述的抗靜電功能增強(qiáng)板的制造方法的特征在于上述的揮發(fā)性銦化合物是硝酸銦或氯化銦和β-二酮的有機(jī)化合物、多元醇或多元醇的縮合物之間的反應(yīng)產(chǎn)物。
以下，我們?cè)僖淮蝸砻枋霰景l(fā)明的一些主要的內(nèi)容。
根據(jù)本發(fā)明的抗靜電功能增強(qiáng)板的特征在于它包括兩層摻錫量不同的摻錫氧化銦薄膜，或者說特別是在于它的機(jī)械的和化學(xué)的耐久性能在膜表面附近可以得到增強(qiáng)，這是通過如下方式實(shí)現(xiàn)的在上層錫的加入量大于摻入下層的量，使得在該膜層的表面附近含有大量的氧化錫，上述的氧化錫對(duì)熱的、機(jī)械的和化學(xué)的耐久性高于氧化銦對(duì)熱等的耐久性。
此外，通過配置這樣的兩層摻錫氧化銦薄膜使得其厚度不超過80nm的方式，可以獲得適合于用做復(fù)印機(jī)頂板的良好的抗靜電性能、耐久性和透明度。進(jìn)而，還可以通過在兩層摻錫氧化銦薄膜上形成以氧化硅為主要成分的薄膜的方式進(jìn)一步增強(qiáng)膜層表面的機(jī)械的和化學(xué)的耐久性。
根據(jù)本發(fā)明的復(fù)印機(jī)頂板的制造方法通過以下三個(gè)步驟在基底上形成兩層摻錫量不同的摻錫氧化銦薄膜步驟一是用由揮發(fā)性銦化合物、非揮發(fā)性錫化合物和有機(jī)溶劑構(gòu)成的形成抗靜電膜的組合物涂敷基底；步驟二是使該基底干燥；步驟三是煅燒該基底。因?yàn)樵诟稍锊襟E由于有機(jī)溶劑的蒸發(fā)產(chǎn)生揮發(fā)性銦化合物和非揮發(fā)性錫化合物的混合物，并且在煅燒步驟由于揮發(fā)性銦化合物在溫度升高過程中在表面部分的升華或蒸發(fā)，非揮發(fā)性錫化合物的比率增加，所以，做為揮發(fā)性銦化合物和非揮發(fā)性錫化合物高溫分解的結(jié)果，由揮發(fā)性銦化合物、非揮發(fā)性錫化合物和有機(jī)溶劑構(gòu)成的形成抗靜電膜的組合物可以形成兩層摻錫氧化銦薄膜，這兩層膜由呈精細(xì)結(jié)構(gòu)的小顆粒尺寸的粒子構(gòu)成，上層的含錫量大于下層的含錫量。
更進(jìn)一步講，通過改變膜厚度、加熱溫度和摻入材料的升華可以獲得摻入材料的梯度結(jié)構(gòu)。
圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的抗靜電功能增強(qiáng)板的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方案的抗靜電功能增強(qiáng)板的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
以下，將參照


本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。
圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的抗靜電功能增強(qiáng)板的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的剖視圖。準(zhǔn)備將被做為實(shí)施例優(yōu)先選用的抗靜電功能增強(qiáng)板用做復(fù)印機(jī)的頂板。
在圖1中，標(biāo)記數(shù)字1表示一個(gè)由透明鈉鈣玻璃制成的基底，在該基底的上表面上形成含有不同摻入量的錫的兩層摻錫氧化銦薄膜2和3，以及具有以氧化硅為主要成分的薄膜的保護(hù)膜4。摻錫氧化銦薄膜3的上層的錫的摻入量大于摻錫氧化銦薄膜2的下層的錫的摻入量。此外，兩層摻錫氧化銦薄膜2和3總厚度d不超過80nm。
做為本發(fā)明的實(shí)施例優(yōu)先選用的抗靜電功能增強(qiáng)板包括兩層摻錫氧化銦薄膜2和3，并且摻錫氧化銦薄膜3的上層的錫的摻入量大于摻錫氧化銦薄膜2的下層的錫的摻入量。以便在該膜表面附近增加氧化錫的量，上述氧化錫對(duì)熱的、機(jī)械的和化學(xué)的耐久性比氧化銦對(duì)熱等的耐久性高。因此，該膜表面的機(jī)械的和化學(xué)的耐久性得到增強(qiáng)。此外，構(gòu)成的兩層摻錫氧化銦薄膜2和3總厚度不超過80nm，從而具有適合于用做復(fù)印機(jī)項(xiàng)板的抗靜電性能和耐久性。如果這些薄膜的膜厚度超過80nm，那么對(duì)可見光的透明度將不大于80％，從而這種抗靜電功能增強(qiáng)板將不適合于用做復(fù)印機(jī)頂板。更進(jìn)一步講，通過在兩層摻錫氧化銦薄膜2和3上形成具有以氧化硅為主要成分的薄膜的保護(hù)膜4，進(jìn)一步增強(qiáng)機(jī)械的和化學(xué)的耐久性。
以下將描述根據(jù)本發(fā)明的抗靜電功能增強(qiáng)板的制造方法的一個(gè)實(shí)施例。
首先，用由揮發(fā)性銦化合物、非揮發(fā)性錫化合物和有機(jī)溶劑構(gòu)成的形成抗靜電膜的組合物涂敷由透明鈉鈣玻璃制成的基底的上表面。然后，將涂敷在基底1上的形成抗靜電膜的組合物加以干燥。然后，將涂敷在基底1上的抗靜電膜的組合物加以煅燒，從而形成其上摻有不同量的錫的兩層摻錫氧化銦薄膜2和3。此后，在兩層摻錫氧化銦薄膜2和3上涂敷含有由金屬醇鹽衍生出的有機(jī)硅化合物的縮合物的有機(jī)溶液，加以干燥，而后煅燒，從而形成保護(hù)膜4。
揮發(fā)性銦化合物可能是任意化合物，只要它在處于低于形成抗靜電膜的組合物的熱分解溫度以下的一個(gè)溫度下具有蒸汽壓力?？梢杂米鰮]發(fā)性銦化合物材料例如可以是硝酸銦或氯化銦和β-二酮，例如乙酰丙酮、多元醇，例如亞丙基二醇或丙三醇、或多元醇的縮合物，例如二甘醇或三甘醇，的有機(jī)化合物之間的反應(yīng)產(chǎn)物。此外，非揮發(fā)性錫化合物可能是任意化合物，只要它在空氣中是穩(wěn)定的但容易通過熱處理分解?？梢杂米龇菗]發(fā)性錫化合物的材料例如有羧酸錫或二羧酸錫，較為可取是使用碳原子數(shù)少的甲酸錫或乙酸錫，最好選用草酸錫。更進(jìn)一步講，有機(jī)溶劑可能是任意的有機(jī)溶劑，只要它能夠溶解以上上述的有機(jī)化合物和無機(jī)化合物。可以用做上述的有機(jī)溶劑的有機(jī)溶劑例如有醇(如乙醇或異丙醇)，乙酸酯(如乙酸乙酯或乙酸丁酯)，酮(如丙酮或二乙基酮)，或醚醇(如甲氧乙醇或乙氧乙醇)。此外，盡管可以使用網(wǎng)板印刷法、輥式涂布法、浸涂法、旋涂法等等，但是涂布形成抗靜電膜的組合物最好采用浸涂法和旋涂法。就煅燒來講，所選擇的溫度較好不低于形成的抗靜電膜的組合物被分解的溫度，同時(shí)不高于上述的基底被變形的溫度，或者說較好是300至500℃。
按照以下上述的方式合成含有由用于形成上述的保護(hù)膜的金屬醇鹽衍生出的有機(jī)硅化合物的縮合物的有機(jī)溶液。將用化學(xué)式1表示的硅的金屬醇鹽溶于一種有機(jī)溶劑。[化學(xué)式1]Si(OR)4上述的有機(jī)溶劑可能是任意的溶劑，只要它能夠溶解以上上述的金屬醇鹽。可以用做上述的有機(jī)溶劑的溶劑例如有醇(如乙醇或異丙醇)，或醚醇(如甲氧乙醇或乙氧乙醇)。通過在酸性條件下使金屬醇鹽部分水解，合成含有有機(jī)硅化合物的縮合物的有機(jī)溶液。由化學(xué)式2表示的有機(jī)硅化合物的縮合物具有一維結(jié)構(gòu)并且適合于形成光滑度高的保護(hù)膜層。[化學(xué)式1]HO-Si(OR)2-[O-Si(OR)2]n-Si(OR)2-OH盡管可以使用網(wǎng)板印刷法、輥式涂布法、浸涂法、旋涂法等等方法，但涂敷含有有機(jī)硅化合物的縮合物的有機(jī)溶液最好采用浸涂法和旋涂法，就煅燒來講，所選擇的溫度較好不低于有機(jī)硅化合物的縮合物被縮聚時(shí)的溫度，同時(shí)不高于上述的基底的變形溫度，較好是80至500℃。
做為本發(fā)明的實(shí)施例優(yōu)先選用的抗靜電功能增強(qiáng)板的制造方法可以形成兩層摻錫氧化銦薄膜2和3，這兩層薄膜在其精細(xì)結(jié)構(gòu)中由具有小顆粒尺寸的粒子構(gòu)成，并且在上層錫的含量大于在下層中的錫含量，這是因?yàn)樾纬煽轨o電膜的組合物由于在干燥步驟中有機(jī)溶劑的蒸發(fā)產(chǎn)生揮發(fā)性銦化合物和非揮發(fā)性錫化合物的混合物，由于在煅燒步驟的加熱過程中揮發(fā)性銦化合物的升華或蒸發(fā)在表面部分非揮發(fā)性錫化合物的的比率增加，以及這兩種化合物被分解。通常已知，較小的顆粒尺寸有利于增強(qiáng)薄膜的機(jī)械強(qiáng)度和薄膜表面的光滑度，從而降低了薄膜的摩擦阻力。一些例子以下將詳細(xì)地說明相應(yīng)于上述實(shí)施例的一些例子，但是本發(fā)明并不限于此。(例1)稱出45g硝酸銦(化學(xué)式3)加入一個(gè)1升的錐形燒瓶(愛倫美氏瓶)，將50g乙酰丙酮加入硝酸銦中，將這些材料在室溫下混合以便使它們?nèi)芙?。向這樣得到的溶液中加入5.4g草酸亞錫(化學(xué)式4)[按(式1)，10mol％]和甲醇并加熱回流?；亓骱螅瑢⒃撊芤豪鋮s到室溫上下，通過向該溶液中加入丙酮，加以攪拌并使這些材料混合的方式合成形成抗靜電膜的組合物。按照30cm/min的抽回速度，用上述的抗靜電膜的組合物浸涂鈉鈣玻璃(470mm×350mm×3mm厚)。在室溫下保持5分鐘后，將該基底在60℃的溫度下干燥5分鐘，然后在500℃的溫度下煅燒1個(gè)小時(shí)。[化學(xué)式3]In(NO3)3·3H2O[式1]Sn/(In+Sn)×100[化學(xué)式4]SnC2O4(例2)稱出9g硝酸銦(化學(xué)式3)加入一個(gè)200毫升的錐形燒瓶中并將8g二甘醇加入硝酸銦中后，將這些材料在室溫下混合以便使它們?nèi)芙?。向這樣得到的溶液中加入5.4g草酸亞錫(化學(xué)式4)[按(式1)，10mol％]和甲氧基乙醇并加熱回流?；亓骱?，將該溶液冷卻到室溫上下，從而合成出形成抗靜電膜的組合物。用上述的抗靜電膜的組合物旋涂鈉鈣玻璃基底。在室溫下保持5分鐘后，將該基底在60℃的溫度下干燥5分鐘，然后在400℃的溫度下煅燒1個(gè)小時(shí)。
稱出10g四乙氧基硅(化學(xué)式5)加入一個(gè)200ml錐形燒瓶中，并且在室溫下用500ml無水乙醇混合溶解。通過用9ml無水乙醇稀釋1g已被稀釋至1/10的濃鹽酸，將被稀釋的鹽酸傾入以上所得到的溶液中、同時(shí)加以攪拌的方式來合成含有機(jī)硅化合物的縮合物的有機(jī)溶液。用該有機(jī)溶液旋涂鈉鈣玻璃基底。將該基底在室溫下放置5分鐘，在60℃的溫度下干燥5分鐘并在200℃的溫度下進(jìn)行30分鐘熱處理。[化學(xué)式5]Si(OCH2C3)4(對(duì)照例1)用由含有硅鹵化物、硅烷醇鹽和一種導(dǎo)電物質(zhì)構(gòu)成的silica zol溶液EC涂敷液(由Asahi Glass Co.,Ltd制造)對(duì)經(jīng)過清潔的鈉鈣玻璃基底進(jìn)行旋涂。將該基底在室溫下放置5分鐘，在60℃的溫度下干燥5分鐘，然后在150℃的溫度下煅燒30分鐘。(對(duì)照例2)利用離子鍍方法，在經(jīng)過清潔的鈉鈣玻璃基底上形成ITO膜層。
表1列出了在例1和2以及對(duì)照例1和2中所得到的結(jié)果。通過用配備有一個(gè)自動(dòng)原底片饋送機(jī)構(gòu)的復(fù)印機(jī)按每分鐘復(fù)制46片的速度重復(fù)進(jìn)行三十萬次復(fù)印的方式檢測(cè)耐久性。[表1]
從表1所列結(jié)果可以看出，例1和2同對(duì)照例1和2相比這些膜具有較小的摩擦系數(shù)，較高的抗靜電功能和較高的機(jī)械強(qiáng)度，從而顯示出用做配備有一個(gè)自動(dòng)原底片饋送機(jī)構(gòu)的復(fù)印機(jī)的頂板的優(yōu)良性能。盡管例1和2的板的電阻值大于對(duì)照例1和2板的電阻值，但是仍然可以說電阻值小于1MΩ/□即被認(rèn)為低得足以滿足實(shí)際應(yīng)用的要求，并且與對(duì)照例1和2之間電阻值的差別并不會(huì)導(dǎo)致實(shí)際應(yīng)用的抗靜電功能的降低。
換句話講，例1或2的摩擦系數(shù)低得足以將靜電的產(chǎn)生壓低到盡可能低的程度，從而顯示出作為整體很強(qiáng)的抗靜電功能，盡管它的電阻還相當(dāng)高。
對(duì)于本發(fā)明來說，不僅可以將錫和銦用做上述的添加劑和基質(zhì)，還可以將銻和錫用做添加劑和基質(zhì)或?qū)X和鋅用做添加劑和基質(zhì)。
同時(shí)，本發(fā)明還可以提供這樣一種抗靜電功能增強(qiáng)板，它在一個(gè)基底上包括具有摻錫比率成梯度的梯度結(jié)構(gòu)的摻錫氧化銦薄膜；
具有摻銻比率成梯度的梯度結(jié)構(gòu)的摻銻氧化錫薄膜；或具有摻鋁比率成梯度的梯度結(jié)構(gòu)的摻鋁氧化鋅薄膜。
圖2示出一種抗靜電功能增強(qiáng)板的這樣的剖面圖。5表示梯度結(jié)構(gòu)部分。
這樣的梯度結(jié)構(gòu)具有類似如上上述的本發(fā)明的那些實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)。
從前述說明可以清楚地看出，本發(fā)明提供了這樣一種抗靜電功能增強(qiáng)板，這種抗靜電功能增強(qiáng)板不做拋光處理就具有小的摩擦系數(shù)優(yōu)良的抗靜電功能并且可以很容易地以低成本制造，同時(shí)還提供了一種制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的抗靜電功能增強(qiáng)板適合用做配備有一個(gè)自動(dòng)原底片饋送機(jī)構(gòu)的復(fù)印機(jī)的頂板，以便于防止由于靜電吸附使原底片被卡住。
權(quán)利要求
1．一種抗靜電功能增強(qiáng)板，在其基底上包括兩層其上按不同量摻雜錫的摻錫氧化銦薄膜；兩層其上按不同量摻雜銻的摻銻氧化錫薄膜；或兩層其上按不同量摻鋁的摻鋁氧化鋅薄膜。
2．一種抗靜電功能增強(qiáng)板，在其基底上包括具有在其中摻錫比呈梯度的梯度結(jié)構(gòu)的摻錫的氧化銦薄膜；具有在其中長(zhǎng)摻銻比呈梯度的梯度結(jié)構(gòu)的摻銻的氧化錫薄膜；或具有在其中摻鋁比呈梯度的梯度結(jié)構(gòu)的摻鋁的氧化鋅薄膜。
3．根據(jù)權(quán)利要求1或2上述的抗靜電功能增強(qiáng)板，其中所述的板包括一個(gè)在上述的摻錫氧化銦薄膜、上述的摻銻氧化錫薄膜或上述的摻鋁氧化鋅薄膜上的主要成分為氧化硅的薄膜。
4．根據(jù)權(quán)利要求1上述的抗靜電功能增強(qiáng)板，其中在上述的摻錫氧化銦薄膜、上述的摻銻氧化錫薄膜或上述的摻鋁氧化鋅薄膜的上(表面)層中錫、銻或鋁的攙雜量大于下層。
5．根據(jù)權(quán)利要求2上述的的抗靜電功能增強(qiáng)板，其中在上述的摻錫氧化銦薄膜、上述的摻銻氧化錫薄膜或上述的摻鋁氧化鋅薄膜中錫、銻或鋁的攙雜比率從內(nèi)部朝向表面逐漸升高。
6．根據(jù)權(quán)利要求1至5之中任意一項(xiàng)上述的的抗靜電功能增強(qiáng)板，其中上述的錫薄膜或那些薄膜的總厚度不超過80nm。
7．根據(jù)權(quán)利要求1至6之中任意一項(xiàng)上述的的抗靜電功能增強(qiáng)板，其中上述的基底是用玻璃制造的。
8．根據(jù)權(quán)利要求1至7之中任意一項(xiàng)上述的的抗靜電功能增強(qiáng)板，其中上述的板被用做復(fù)印機(jī)的頂板。
9．一種抗靜電功能增強(qiáng)板的制造方法，包括用含有揮發(fā)性銦化合物、非揮發(fā)性錫化合物和有機(jī)溶劑的形成抗靜電膜的組合物涂敷基底的抗靜電膜涂敷步驟，在上述的抗靜電膜涂敷步驟之后將上述的形成抗靜電膜的組合物干燥的抗靜電膜干燥步驟；以及在上述的抗靜電膜干燥步驟之后通過煅燒上述的形成抗靜電膜的組合物形成抗靜電膜的抗靜電膜煅燒步驟。
10．根據(jù)權(quán)利要求9上述的制造方法，其中在上述的抗靜電膜煅燒步驟之后還包括一個(gè)通過用含有由金屬醇鹽衍生出的有機(jī)硅化合物的縮合物的有機(jī)溶液涂敷上述的抗靜電膜的上表面，然后干燥并煅燒上述的有機(jī)溶液的方式形成保護(hù)膜的步驟。
11．根據(jù)權(quán)利要求9或10上述的制造方法，其中上述的非揮發(fā)性錫化合物是草酸錫。
12．根據(jù)權(quán)利要求9至11之中任意一項(xiàng)上述的制造方法，其中上述的揮發(fā)性銦化合物是硝酸銦或氯化銦和β-二酮的有機(jī)化合物、多元醇或多元醇的縮合物之間的反應(yīng)產(chǎn)物。
全文摘要
一種抗靜電功能增強(qiáng)板,在其基底上包括:兩層其上按不同量摻雜錫的摻錫氧化銦薄膜;兩層其上按不同量摻雜銻的摻銻氧化錫薄膜;或兩層其上按不同量摻鋁的摻鋁氧化鋅薄膜。在上述的摻錫氧化銦薄膜、上述的摻銻氧化錫薄膜或上述的摻鋁氧化鋅薄膜的上(表面)層中錫、銻或鋁的攙雜量大于下層錫、銻或鋁的攙雜量。
文檔編號(hào)C03C17/34GK1212955SQ9812035
公開日1999年4月7日 申請(qǐng)日期1998年9月9日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月9日
發(fā)明者服部章良, 長(zhǎng)谷川真也, 吉池信幸 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社