專利名稱：：高性能中溫?zé)Y(jié)片式多層瓷介電容器瓷料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種電容器瓷料，特別是多層片狀瓷介電容器瓷料。中溫?zé)Y(jié)多層片狀瓷介電容器，其燒成過程是瓷料與內(nèi)電極一起燒成，這就要求內(nèi)電極的熔點(diǎn)必須高于瓷料的燒成溫度，用貴金屬Pt.Pd等作內(nèi)電極成本高，用Pd-Ag.Au等電極材料，成本較低，但要求介質(zhì)瓷料的燒溫必須低于1160度，才能與介質(zhì)瓷料相匹配。有采用鐵電材料BaTiO3為主晶相的瓷料，來提高介電常數(shù)和介電性能，但由于它的工藝性能差、電氣性能仍達(dá)不到要求，無法實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用。本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)，提供一種高性能中溫?zé)Y(jié)片式多層瓷介電容器瓷料，其制成的多層片狀瓷介電容器，產(chǎn)品一致性好、成品率高、介電性能優(yōu)良，滿足生產(chǎn)線應(yīng)用。本發(fā)明的配方(重量比)組成為BaTiO386.0～94.0％(wt)Bi2O32.5～8.5％(wt)TiO21.6～3.5％(wt)Nb2O50.7～2.0％(wt)MnO20.8～2.0％(wt)硅酸鉛玻璃1.0～3.0％其中硅酸鉛玻璃的組成(重量比)為Pb3O465～80％S1O21～3％H3BO315～20％ZnO3～6％最佳配方組成為(重量比)BaTiO390～92％Bi2O36～7％TiO22.6～3％Nb2O50.8～1.4％MnO20.12～0.14％硅酸鉛玻璃1.5～2.5％本發(fā)明最佳比例配方(重量百分比)，如下將上述1至8的樣品均在箱式爐中焙燒，焙燒溫度列于下表，并列出它們的電氣性能。</tables>本瓷料是以BaTiO3為主晶相，用2Bi2O3.3TiO2的鉍層結(jié)構(gòu)來調(diào)整及降低瓷料的燒成溫度，同時加入低溶物硅硼酸玻璃，且加過渡元素氧化物。上述BaTiO3是采用固相法合成的BaO/TiO2的摩爾比是1來高溫制備的，具體用合成溫度在1200度～1280度，保溫2小時。將上述配方經(jīng)一定比例稱取，經(jīng)球磨成超細(xì)磨，獲得合適的顆粒度和混合均勻的，電性能合格的瓷粉。本發(fā)明屬BaTiO3-Bi2O3·3TiO3系材料，BaTiO3具有強(qiáng)的鐵電性，有很高的介電常數(shù)，從附圖1可知峰值可達(dá)5000～6000，且居里溫度在100度，其中Tε-居里-外期特性溫度，Tc-居里溫度。由于本發(fā)明加入鉍層化合物，即Bi2O3.3TiO2來調(diào)整容量溫度特性及降低瓷料的燒成溫度；加入的鉍層化合物是一種低介相，也是低溶相，介質(zhì)在高溫功力作用下，高介的BaTiO3的鐵電相晶粒會被這低相包裹著，鐵電相的電致應(yīng)變必然受到抑制，因而居里峰也必然受到壓抑，如附圖2，陶瓷模擬結(jié)構(gòu)，其中1-低ε相Bi(TiO3)，2-高ε相BaTiO3。加入BaTiO3·nTiO2的鉍層結(jié)構(gòu)的化合物來降低BaTiO2為主的瓷料燒成溫度及改善瓷料的容量溫度特性，如附圖3所增，隨著鉍層化合物含量的增加，燒成溫度隨之下降，當(dāng)其量達(dá)0.05左右時，隨著含量的增加，燒成溫度變化不明顯，而介電常數(shù)隨含量增加而降低。本發(fā)明與美國TAM公司該型號瓷料主要性能比較，見附圖3、附圖4。本發(fā)明流延制得的膜片光平、透光均勻，無針孔、氣泡、龜裂現(xiàn)象。其介電常數(shù)(20度)＝2600；介質(zhì)損耗≤120×10-4；絕緣電阻率ρυ＞1012Ω·cm；電容量溫度變化率(-55～+125度)≤±10％，適合生產(chǎn)線應(yīng)用。權(quán)利要求1.一種中溫?zé)Y(jié)片式多層瓷介電容器瓷料，其特征在于其配方組成(重量比)為BaTiO386.0～94.0％(wt)Bi2O32.5～8.5％(wt)TiO21.6～3.5％(wt)Nb2O50.7～2.0％(wt)MnO20.8～2.0％(wt)硅酸鉛玻璃1.0～3.0％(wt)其中硅酸鉛玻璃的組成(重量比)為Pb3O465～80％(wt)SiO21～3％(wt)H3BO315～20％(wt)ZnO3～6％(wt)2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中溫?zé)Y(jié)片式多層瓷介電容器瓷料，其特征在于所述最佳配方組成為(重量比)BaTiO390～92％(wt)Bi2O36～7％(wt)TiO22.6～3％(wt)Nb2O50.8～1.4％(wt)MnO20.12～0.14％(wt)硅酸鉛玻璃1.5～2.5％(wt)全文摘要一種中溫?zé)Y(jié)式多層瓷介電容器瓷料,其以BaTiO文檔編號C04B35/46GK1186313SQ9611734公開日1998年7月1日申請日期1996年12月24日優(yōu)先權(quán)日1996年12月24日發(fā)明者梁力平,陳錦清,李富勝,歐明,祝忠勇,楊仕基,莫天橋,龐溥生,吳小飛,賴永雄,顧碎難申請人:廣東肇慶風(fēng)華電子工程開發(fā)有限公司