技術(shù)總結(jié)
提供晶片的生成方法，能夠從錠高效地生成晶片。從六方晶單晶錠生成晶片的晶片的生成方法包含改質(zhì)層形成步驟，c軸相對(duì)于錠正面的垂線傾斜偏離角，在正面與c面之間在與形成有偏離角的方向垂直的方向上使激光束的聚光點(diǎn)相對(duì)地移動(dòng)而形成直線狀的改質(zhì)層。在改質(zhì)層形成步驟中，在激光束的光斑面積全部與錠的上表面交疊之前以從未達(dá)到相當(dāng)于晶片的厚度的深度的位置起描繪拋物線的方式定位激光束的聚光點(diǎn)，在光斑面積全部與上表面交疊的時(shí)刻將聚光點(diǎn)定位在相當(dāng)于晶片的厚度的深度。

技術(shù)研發(fā)人員：平田和也
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社迪思科
文檔號(hào)碼：201610512179
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.30
技術(shù)公布日：2017.01.25