發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，可增加外圍超氧根離子(O2-)濃度，該陶瓷半導(dǎo)體于成型時(shí)摻加有可增強(qiáng)空間電荷效應(yīng)的氧化物材料，且該陶瓷半導(dǎo)體具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿的通孔，該陶瓷半導(dǎo)體通電后產(chǎn)生電流及熱，造成該陶瓷半導(dǎo)體的外層電子脫離，并留在該陶瓷半導(dǎo)體的通孔，且在該通孔累積形成電子云，空氣經(jīng)過(guò)該通孔后，空氣中的氧與電子經(jīng)沖撞后再結(jié)合，即形成超氧根離子(O2-)，由此，增加外圍超氧根離子(O2-)量，以此高濃度超氧根離子(O2-)作為殺菌、活化細(xì)胞及幫助傷口愈合等效果。
【專利說(shuō)明】發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體 【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001] 本發(fā)明是關(guān)于一種發(fā)熱后空氣經(jīng)過(guò)可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，尤 指一種陶瓷半導(dǎo)體成型時(shí)摻加有可增強(qiáng)空間電荷效應(yīng)的氧化物材料，且該陶瓷半導(dǎo)體具有 貫穿的通孔，使該陶瓷半導(dǎo)體通電后，即產(chǎn)生電流及熱，造成該陶瓷半導(dǎo)體外層電子脫離， 在通孔處累積形成電子云，空氣經(jīng)過(guò)通孔后，空氣中的氧與電子沖撞后再結(jié)合，形成超氧根 離子，由此提升超氧根離子濃度。 【【背景技術(shù)】】
[0002] 我們所呼吸的空氣中，氧占體積21%，該氧是以O(shè)2
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在于：該陶瓷半導(dǎo)體 于成型時(shí)摻加有可增強(qiáng)空間電荷效應(yīng)的氧化物材料，且該陶瓷半導(dǎo)體具有一個(gè)以上貫穿的 通孔；由此，該陶瓷半導(dǎo)體通電后產(chǎn)生電流及熱，造成該陶瓷半導(dǎo)體外層電子脫離并留在通 孔，且在通孔累積形成電子云，空氣經(jīng)過(guò)通孔后，空氣中的氧與電子沖撞后結(jié)合，形成超氧 根離子，使該陶瓷半導(dǎo)體可釋出超氧根離子。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在 于：該可增強(qiáng)空間電荷效應(yīng)的氧化物材料為二氧化鈦（Ti02)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在 于：該可增強(qiáng)空間電荷效應(yīng)的氧化物材料為氧化鋅（ZnO)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在 于：該可增強(qiáng)空間電荷效應(yīng)的氧化物材料為三氧化鎢（W03)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在 于：該可增強(qiáng)空間電荷效應(yīng)的氧化物材料為三氧化二鐵（Fe203)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在 于：該可增強(qiáng)空間電荷效應(yīng)的氧化物材料為鈦酸鍶（SrTi03)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在 于：該通孔的孔徑為Olmm-Zmm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1-7所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征 在于：該陶瓷半導(dǎo)體的外側(cè)設(shè)置一風(fēng)扇，該風(fēng)扇的風(fēng)是吹向該陶瓷半導(dǎo)體的通孔。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1-7所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征 在于：該陶瓷半導(dǎo)體受一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)而走移。
【文檔編號(hào)】C04B35/00GK104418590SQ201310409582
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月10日
【發(fā)明者】張崇泰, 張家豪 申請(qǐng)人:張崇泰, 張家豪