專利名稱：一種單晶棒線開方固定裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種單晶棒切割過程中用于固定單晶棒的固定裝置，尤其涉及單晶棒線開方固定裝置。屬于太陽能級(jí)半導(dǎo)體類單晶硅加工領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
能源和環(huán)境是當(dāng)今世界廣泛關(guān)注的兩大問題。太陽能作為一種可再生的綠色能源自然成為人們開發(fā)和研究的焦點(diǎn)。目前世界上許多國家掀起了開發(fā)利用太陽能的熱潮。因此，太陽能電池技術(shù)得到了快速的發(fā)展。根據(jù)所用材料的不同，太陽能電池可分為1、以非晶硅、多晶硅和單晶硅為材料的太陽能電池；2、以III-V族化合物半導(dǎo)體如GaAs、Inp等多元化合物為材料的太陽能電池；
3、以銅銦硒(CuInSe2)為材料生產(chǎn)的太陽能電池；4、以其他材料生產(chǎn)的太陽能電池。太陽·能電池對(duì)材料的一般要求是1、半導(dǎo)體的晶帶不能太寬；2、要有較高的光電轉(zhuǎn)換效率；3、材料本身對(duì)環(huán)境不造成污染；4、材料來源廣泛，并且材料的性能穩(wěn)定。綜合以上幾方面因素考慮，硅材料是最理想的太陽能電池材料。目前硅材料中應(yīng)用最普遍的是晶體硅材料，包括單晶硅和多晶硅，晶體硅太陽能電池最突出的特點(diǎn)是它的穩(wěn)定高效性。晶體硅材料的制備方法包括單晶硅的直拉(Czochralski)法和區(qū)熔(Floating Zone)法以及多晶娃的定向凝固法(DirectionalSolidification)。定向凝固法可以生產(chǎn)大的多晶娃錠,相對(duì)于目前的單晶娃制備方法,其生長工藝過程簡單，生產(chǎn)成本低，并且在硅錠開方時(shí)可以獲得大的方形多晶硅片，降低了下游電池加工過程中的成本。準(zhǔn)單晶(Mono Like，又可稱為近單晶、類單晶)鑄錠技術(shù)是基于多晶硅鑄錠工藝，在長晶時(shí)通過單晶籽晶引晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的準(zhǔn)單晶硅片，這種技術(shù)的功耗只比普通多晶硅鑄錠工藝多5%，所生產(chǎn)的單晶硅的質(zhì)量接近直拉單晶硅。準(zhǔn)單晶鑄錠技術(shù)主要可分為兩種(I)無籽晶鑄錠。無籽晶引導(dǎo)鑄錠工藝對(duì)晶核初期成長控制過程要求很高。一種方法是使用底部開槽的坩堝。這種方式的要點(diǎn)是精密控制定向凝固時(shí)的溫度梯度和晶體生長速度來提高多晶晶粒的尺寸大小，槽的尺寸以及冷卻速度決定了晶粒的尺寸，凹槽有助于增大晶粒。因?yàn)樾枰刂频膮?shù)太多，無籽晶鑄錠工藝顯得尤為困難。(2)有籽晶鑄錠。當(dāng)下量產(chǎn)的準(zhǔn)單晶技術(shù)大部分為有籽晶鑄錠。這種技術(shù)先把籽晶、硅料摻雜元素放置在坩堝中，籽晶一般位于坩堝底部，再加熱融化硅料，并保持籽晶不被完全融掉，最后控制降溫，調(diào)節(jié)固液相的溫度梯度，確保單晶從籽晶位置開始生長。有籽晶準(zhǔn)單晶鑄錠工藝的籽晶通常是采用直拉(Czochralski)法或區(qū)熔(Floating Zone)法單晶硅制造的圓柱形單晶棒，為了方便在坩堝底部鋪設(shè)籽晶，通常先將單晶棒切割成片狀或塊狀的籽晶。目前常用的籽晶加工工藝是使用帶鋸把單晶棒加工成籽晶，首先將常規(guī)單晶棒(已用帶鋸去好邊皮)與尼龍托盤進(jìn)行粘接，單晶棒粘接后需完全固化4小時(shí)，并使用聚氨酯泡沫劑，其耗用量為200 350ml/棒；然后將粘接好的單晶棒(邊皮已去)上機(jī)切割，例如MB-BS801機(jī)器進(jìn)行操作，其切割用鋸條的鋸縫為I. 80mm ;每刀加工時(shí)間為0. 60 0. 75小時(shí)/刀，平均加工周期為6 8小時(shí)/棒。因此，現(xiàn)有技術(shù)中單晶棒切割成籽晶的加工工藝存在如下的缺點(diǎn)I、切割過程中需要使用聚氨酯泡沫,聚氨酯泡沫泡沫劑成本為150 250元/棒，同時(shí)廢棄的聚氨酯泡沫劑也會(huì)污染環(huán)境； 2、每根單晶棒可切割10 15刀，切割用鋸條成本為20000元/棒，即折合成切割后的每根籽晶大約1333 2000元；3、由于鋸條的鋸縫為I. 800mm，因此造成單晶棒材料的損耗，大約每根單晶棒材料損耗為3公斤/棒，從而導(dǎo)致籽晶加工成本升高；4、整個(gè)切割過程時(shí)間長，從而導(dǎo)致切割效率低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)簡單，固定操作便捷且固定效果好的單晶棒線開方固定裝置。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案一種單晶棒線開方固定裝置，包括托盤和固定在所述托盤上用于承托所述單晶棒的至少一排底座組；每排所述底座組包括兩個(gè)或兩個(gè)以上間隔設(shè)置且上表面位于同一水平面的底座，每個(gè)所述底座上間隔設(shè)有多個(gè)相互平行的切割縫；每排所述底座組的底座上的切割縫相互一一對(duì)應(yīng)且分別與沿所述單晶棒的長度方向設(shè)置的用于切割所述單晶棒的切割線一一對(duì)應(yīng)；所述單晶棒線開方固定裝置還包括與每排所述底座組成排排列且位于每排的兩端的用于定位所述單晶棒兩端面的擋板，所述擋板由多根間隔設(shè)置的擋條構(gòu)成，相鄰兩根擋條之間的間隙分別與與其對(duì)應(yīng)的所述底座組是所述底座上的所述切割縫一一對(duì)應(yīng)；每根所述擋條上分別設(shè)有穿過所述擋條且與所述單晶棒的長度方向一致的至少一個(gè)緊固螺桿；相鄰兩根所述擋條上的所述緊固螺桿之間具有供所述切割線通過的水平間距。作為優(yōu)選，所述擋板連接在每排底座組兩端的所述底座的外側(cè)端，且構(gòu)成所述擋板的多根擋條分別連接在所述底座上。作為優(yōu)選，每個(gè)所述底座均由等間距設(shè)置的多個(gè)金屬塊構(gòu)成，相鄰兩個(gè)所述金屬塊之間形成所述切割縫，位于兩端的所述底座的每個(gè)所述金屬塊的外側(cè)分別連接有一根所述擋條。作為優(yōu)選，構(gòu)成每個(gè)所述底座的金屬塊的上表面上分別設(shè)置尼龍墊，所述尼龍墊與所述金屬塊的上表面粘接或采用連接件連接。作為優(yōu)選，構(gòu)成所述底座的金屬塊的底部與所述托盤焊接或采用連接件連接。作為優(yōu)選，每組所述底座組包括三個(gè)底座，其中一個(gè)底座位于另外兩個(gè)底座的之間。作為優(yōu)選，所述擋條的長度為150 300mm,寬度為13 15mm,相鄰兩根所述擋條的間隙不小于2mm，所述緊固螺桿的直徑為12 14mm，且連接在同一所述底座上的相鄰兩根所述擋條的間隙小于相鄰兩個(gè)所述緊固螺桿的間距。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置至少具有以下有益效果本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置結(jié)構(gòu)簡單，對(duì)單晶棒的固定容易操作，固定效果牢固。同時(shí)固定過程中省去了泡沫劑的使用，因此節(jié)省成本的同時(shí)也減少了環(huán)境污染。

圖I為本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置的另一方向的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置中的底座的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置中的底座、擋條與緊固螺桿的連接關(guān) 系結(jié)構(gòu)意圖；圖5為本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置固定了一根單晶棒的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖5中A部分的放大圖；圖7為本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置的另一種立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為采用本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置進(jìn)行線切割后單晶棒的端面結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說明I-托盤2-底座21-金屬塊22-切割縫3-擋條4-緊固螺桿5-間隙6-連接孔100-單晶棒
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。如圖I至圖5所示，本實(shí)用新型的實(shí)施例公開的一種單晶棒線開方固定裝置，用于固定單晶棒100，所述固定裝置包括托盤I和用于承托所述單晶棒的至少一排底座組(圖
I、圖2和圖5中示出了兩排底座組)，每排所述底座組包括兩個(gè)或兩個(gè)以上間隔設(shè)置且上表面位于同一水平面的底座2，每個(gè)底座2上均間隔設(shè)有多個(gè)相互平行的切割縫22 ;每排所述底座組的底座2上的切割縫22相互一一對(duì)應(yīng)且與單晶棒100的長度方向一致，并且切割縫22與于切割所述單晶棒的切割線一一對(duì)應(yīng)，當(dāng)切割線切透單晶棒時(shí)，切割線從切割縫22通過。本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置還包括與每排所述底座組成排排列且位于每排的兩端用于定位單晶棒100兩端面的擋板，所述擋板由多根間隔設(shè)置的擋條3構(gòu)成，相鄰的兩根擋條3之間的間隙和與其對(duì)應(yīng)的那排底座組的底座2上的切割縫22 —一對(duì)應(yīng)，也就是和所述切割線一一對(duì)應(yīng)。每根擋條3上分別設(shè)有穿過擋條3且與單晶棒100的長度方向一致的一個(gè)或多個(gè)緊固螺桿4，每根擋條3上設(shè)置的緊固螺桿4的數(shù)量可根據(jù)實(shí)際情況確定，本實(shí)施例中僅以每根擋條3上設(shè)置一個(gè)緊固螺桿4為例進(jìn)行說明。[0043]如圖I和圖2所示，本實(shí)施例中托盤I為平板狀，規(guī)格為890 1100mmX890 1100mm。當(dāng)然，托盤I也可以做成具有一平板狀的底板及在所述底板的四周設(shè)置側(cè)邊的結(jié)構(gòu)。如圖3和圖5所示，每個(gè)底座2均由等間距設(shè)置的多個(gè)金屬塊21構(gòu)成，相鄰兩個(gè)金屬塊21之間形成切割縫22。繼續(xù)結(jié)合圖I和圖2，至少兩個(gè)底座2排成一排構(gòu)成一排底座組固定設(shè)置在托盤I上，用于支撐一根單晶棒100，每排底座組的排列方向均與底座2的切割縫22的方向一致，屬于同一底座組的多個(gè)底座2的切割縫22 —一對(duì)應(yīng)且分別位于多條且相互平行的直線上，屬于同一組的底座2的上表面位于同一水平面上，以穩(wěn)定支撐單晶棒100，使單晶棒100的底面與底座2緊密接觸。如圖I、圖2和圖5所不，本實(shí)施例中的所述擋板連接在每排底座組兩端的底座2的外側(cè)端，即位于每排底座組的兩端的兩個(gè)底座2的每個(gè)金屬塊21的外側(cè)端分別固定連接向上伸出底座2的擋條3，相鄰兩根擋條3之間形成間隙5，相鄰的兩個(gè)金屬塊21之間的切割縫22及連接在該兩個(gè)金屬塊21上的兩根擋條3之間的間隙5相對(duì)應(yīng)且連通以使切割線(鋼絲線)通過。每根擋條3上分別設(shè)置至少一個(gè)緊固螺桿4(圖I、圖2和圖5中僅在一個(gè)底座2的擋條3上示出了緊固螺桿，其他的擋條上開設(shè)了連接孔)，緊固螺桿4采用不銹鋼材料。緊固螺桿4的設(shè)置方向與底座2的排列方向一致(即平行于切割縫22)。相鄰兩根擋條3上的緊固螺桿4之間具有供所述切割線通過的水平間距。如圖5和圖6所示，設(shè)置擋條3和緊固螺桿4的目的是從單晶棒100的兩端對(duì)支撐在底座2上的單晶棒100進(jìn)行固定。擋條3的上端應(yīng)高出單晶棒100的上表面。每根擋條3上均開設(shè)有連接孔6，緊固螺桿4通過連接孔6設(shè)置在擋條3上。如圖6所示，緊固螺桿4的設(shè)置位置應(yīng)保證能抵在單晶棒100的端部。以保證切割過程中單晶棒100的穩(wěn)定。所述擋板的設(shè)置方式有多種，并不限于上述情況，如可以按圖I、圖2的設(shè)置位置設(shè)置擋條3，擋條3與金屬塊21緊鄰，但擋條3不與金屬塊21連接，而是擋條3的底端直 接固定在托盤I上。擋條3也可以不固定設(shè)置在金屬塊21的側(cè)端，而是固定連接在金屬塊21的上端靠近側(cè)端處。當(dāng)然擋條3也可以與底座2分離設(shè)置，如圖7所示，擋條3與金屬塊21保持一定的距離，并固定在托盤I上。如圖I和圖2所示,本實(shí)施例中在托盤I上設(shè)置了兩排底座組,每排底座組包括三個(gè)底座2，其中一個(gè)底座2位于另外兩個(gè)底座2的之間，三個(gè)底座2間隔設(shè)置，兩端的兩個(gè)底座2上設(shè)置檔條3。每排底座組所包括的底座2的數(shù)量可以根據(jù)所要加工的單晶棒100的長度以及重量進(jìn)行確定，至少為兩個(gè)，還可以為多個(gè)。當(dāng)然托盤I上也可以設(shè)置一排、兩排、三排或四排，甚至更多的底座組等等。底座組數(shù)的設(shè)置視托盤I的尺寸以及被切割的單晶棒100的長度以及與之配套的切割機(jī)的尺寸確定。如圖4所示，為了保護(hù)需要切割的單晶棒100，防止單晶棒100與底座2之間的硬接觸，以及緩解在切割過程中對(duì)單晶棒100的作用力。在底座2的金屬塊21的上表面上均分別設(shè)置緩沖墊(圖中未標(biāo)示出)。緩沖墊可以采用尼龍墊或塑料墊等。緩沖墊與金屬塊21的上表面可以采用粘接的方式連接，也可以在緩沖墊和金屬塊21上分別開孔，然后采用連接件將兩種連接在一起。緩沖墊的厚度一般為5 15mm。設(shè)置緩沖墊后的底座2 (屬于同一組)的上表面也應(yīng)處于同一水平面上，以保證被支撐的單晶棒100的水平度，進(jìn)而保證切割的精確度。因?yàn)榈鬃?將用于支撐被切割的單晶棒100，因此應(yīng)該將底座2固定在托盤I上，防止在切割過程中因底座2移動(dòng)而導(dǎo)致單晶棒100移動(dòng)產(chǎn)生切割的偏差。本實(shí)施例中構(gòu)成底座2的金屬塊21的底部分別與托盤I焊接在一起或采用連接件連接在一起。當(dāng)然，也可以將構(gòu)成同一個(gè)底座2的多塊金屬塊21的底部連接在一起，然后再一起固定在托盤I上。另外，底座2也可以這樣形成在一塊方形的金屬體上均勻間隔的開設(shè)多條相互平行的切割縫，每條切割縫均不開至金屬體的底部，也就形成多個(gè)底部連接在一起的金屬塊。作為本實(shí)施例的一種優(yōu)選方案，如圖3和圖4所示，為了保證切割過程中，切割線(鋼絲線)不會(huì)出現(xiàn)觸碰到擋條3的情況，相鄰兩根擋條3的間距一般不小于2mm。擋條3的長度為150 300mm，寬度為13 15mm。緊固螺桿4的直徑一般為12 14mm，且同一底座2上的相鄰兩根擋條3的間距大于相鄰兩個(gè)緊固螺桿4的間距。綜上所述，每排底座組中的底座2上的切割縫22以及擋條3之間的間隙5的設(shè)置以及彼此之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，均是為了與單晶棒100上的切割位置相對(duì)應(yīng)，以使用于切割的切割線(鋼絲線)能夠切透單晶棒100。本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置中的托盤I、底座2和擋條3均采用金屬材質(zhì)制成，以增強(qiáng)強(qiáng)度。下面結(jié)合圖I至圖6對(duì)采用本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置的單晶棒線開方方法進(jìn)行如下介紹在進(jìn)行線開方之前，首先要對(duì)需要線開方的單晶棒100進(jìn)行前期處理即將單晶棒100截?cái)嘀烈欢ㄩL度，如一般單晶棒100的長度為350 1000mm，并去除單晶棒100兩邊的邊皮，保證單晶棒高度(水平放置后)在一定范圍內(nèi)。同時(shí)將托盤I清理干凈，托盤I的規(guī)格一般為890 1100mm*890 1100mm。使用本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置進(jìn)行單晶棒線開方的方法包括如下步驟I)首先將底座2 (由多個(gè)金屬塊21均勻間隔排列而成)固定在托盤I上，并保證底座2是成排(組)間隔布置的，即至少兩個(gè)底座2為一組成排間隔固定設(shè)置在托盤I上。本實(shí)施例中的托盤I上設(shè)置了兩組底座2，每組包括三個(gè)底座2。每組底座2的排列方向均與其底座2的切割縫22的方向一致，屬于同一組的多個(gè)底座2的切割縫22 —一對(duì)應(yīng)且分別位于多條不同且相互平行的直線上，在每個(gè)金屬塊的上表面設(shè)置緩沖墊(尼龍墊)，同時(shí)保證每組底座2的上表面位于同一水平面上；2)每組位于兩端的底座2的每個(gè)金屬塊21的外側(cè)端分別固定連接向上伸出底座2的擋條3,擋條3的長為150 300mm,寬為13 15mm,相鄰兩根擋條3之間至少保證2mm的間隙，以保證線切割過程中不會(huì)出現(xiàn)鋼絲線觸碰到擋條3的情況，每根擋條3上都設(shè)置一個(gè)直徑為12 14mm的不銹鋼緊固螺桿4，緊固螺桿4的設(shè)置方向與底座2的排列方向一致；3)將需要線開方的單晶棒100水平放置在屬于同一組的底座2上，同時(shí)保證放置后的單晶棒100的底部與底座2緊密接觸，且單晶棒100的兩端分別位于每組兩端的底座2上；單晶棒100的兩端分別與對(duì)應(yīng)的緊固螺桿4之間留有一定的間隙，以方便單晶棒100的取放；每個(gè)托盤I上一般可以固定2 4個(gè)去完邊皮的單晶棒100，隨著托盤I尺寸的變換，相應(yīng)所固定的單晶棒100的數(shù)量也會(huì)隨之變化；4)依次調(diào)節(jié)多個(gè)緊固螺桿4，使每個(gè)緊固螺桿4都頂緊在于其對(duì)應(yīng)的單晶棒100的端部，使單晶棒100被固定在托盤I上；[0058]5)將固定有單晶棒100的托盤I送入機(jī)器切割室(圖中未示出)，利用線開方機(jī)對(duì)單晶棒100進(jìn)行線切割，首先使托盤I位于線開方機(jī)的多條切割線的下方，且所述切割線與底座2上的切割縫22 —一對(duì)應(yīng)，以使所述切割線在切割至單晶棒100的底部時(shí)，所述切割線進(jìn)入到切割縫22中，以便將單晶棒100切透；6)啟動(dòng)線開方機(jī)，并保持托盤I和單晶棒100固定不動(dòng)，使所述切割線下降對(duì)單晶棒100進(jìn)行切割，直到切至單晶棒100的底部將單晶棒100切透，切割線進(jìn)行到切割縫22中將單晶棒切割成一定數(shù)量的單晶塊，從而完成單晶棒的切割，切割后的單晶棒10 0的端面如圖8所示。作為一種優(yōu)選方案，所述切割線是直徑為200 350 iim的預(yù)變形鋼絲線，所述切割線的下降速度即所述單晶棒被切割的速度為500 1500 iim/min，所述切割線的線速度 為 9 16m/s。作為再進(jìn)一步的優(yōu)選方案，所述切割線對(duì)單晶棒的切割是利用不斷噴落在高速運(yùn)動(dòng)的所述切割線表面的漿料對(duì)單晶棒進(jìn)行擠壓式切割的，所述漿料的流量為120 220kg/min，所述切割線的切割張力60 90N。所述機(jī)器切割室內(nèi)的切割頭是由鋼材焊接成的方形框架，在框架四邊都安裝一個(gè)一定長度的切割導(dǎo)輪，在切割導(dǎo)輪上方有對(duì)應(yīng)的支架和過輪，每個(gè)導(dǎo)輪軸的一端都有一部一定功率的伺服電機(jī)，通過皮帶驅(qū)動(dòng)導(dǎo)輪。切割導(dǎo)輪上繞制有成網(wǎng)狀的切割線，所述切割線是直徑為200 350 ii m的預(yù)變形鋼絲線，形成線網(wǎng)的切割線線速度控制在9 16M/S，通過機(jī)器切割室繞線方式的變化讓切割頭以從上往下的切割方式將每個(gè)單晶棒(已去邊皮)線開方成不定數(shù)量的單晶塊，線開方單晶棒的原理是以200 350mm的預(yù)變形鋼線為載體利用落在高速運(yùn)動(dòng)的鋼線表面的漿料(漿料由碳化硅與PEG按照一定比例配置而成)中的碳化硅對(duì)單晶棒進(jìn)行擠壓式切割而成單晶塊，單晶塊的規(guī)格為長度350 1000mm，寬度可調(diào)，厚度可調(diào)。以上實(shí)施例僅為本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例，不用于限制本實(shí)用新型，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍由權(quán)利要求書限定。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)和保護(hù)范圍內(nèi)，對(duì)本實(shí)用新型做出各種修改或等同替換，這種修改或等同替換也應(yīng)視為落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種單晶棒線開方固定裝置，其特征在于，包括托盤和固定在所述托盤上用于承托所述單晶棒的至少一排底座組；每排所述底座組包括兩個(gè)或兩個(gè)以上間隔設(shè)置且上表面位于同一水平面的底座，每個(gè)所述底座上間隔設(shè)有多個(gè)相互平行的切割縫；每排所述底座組的底座上的切割縫相互一一對(duì)應(yīng)且分別與沿所述單晶棒的長度方向設(shè)置的用于切割所述單晶棒的切割線對(duì)應(yīng)； 所述單晶棒線開方固定裝置還包括與每排所述底座組成排排列且位于每排的兩端的用于定位所述單晶棒兩端面的擋板，所述擋板由多根間隔設(shè)置的擋條構(gòu)成，相鄰兩根擋條之間的間隙分別與與其對(duì)應(yīng)的所述底座組是所述底座上的所述切割縫一一對(duì)應(yīng)； 每根所述擋條上分別設(shè)有穿過所述擋條且與所述單晶棒的長度方向一致的至少一個(gè)緊固螺桿；相鄰兩根所述擋條上的所述緊固螺桿之間具有供所述切割線通過的水平間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單晶棒線開方固定裝置，其特征在于，所述擋板連接在每排底座組兩端的所述底座的外側(cè)端，且構(gòu)成所述擋板的多根擋條分別連接在所述底座上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶棒線開方固定裝置，其特征在于，每個(gè)所述底座均由等間距設(shè)置的多個(gè)金屬塊構(gòu)成，相鄰兩個(gè)所述金屬塊之間形成所述切割縫，位于兩端的所述底座的每個(gè)所述金屬塊的外側(cè)分別連接有一根所述擋條。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶棒線開方固定裝置，其特征在于，構(gòu)成每個(gè)所述底座的金屬塊的上表面上分別設(shè)置尼龍墊，所述尼龍墊與所述金屬塊的上表面粘接或采用連接件連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶棒線開方固定裝置，其特征在于，構(gòu)成所述底座的金屬塊的底部與所述托盤焊接或采用連接件連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單晶棒線開方固定裝置，其特征在于，每組所述底座組包括三個(gè)底座，其中一個(gè)底座位于另外兩個(gè)底座的之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶棒線開方固定裝置，其特征在于，所述擋條的長度為150 300mm,寬度為13 15mm,相鄰兩根所述擋條的間隙不小于2mm,所述緊固螺桿的直徑為12 14mm，且連接在同一所述底座上的相鄰兩根所述擋條的間隙小于相鄰兩個(gè)所述緊固螺桿的間距。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種單晶棒線開方固定裝置，固定裝置包括托盤和至少一排底座組；底座組包括至少兩個(gè)間隔設(shè)置且上表面位于同一水平面的底座，底座上設(shè)有切割縫；每排底座組的底座上的切割縫相互對(duì)應(yīng)；固定裝置還包括位于每排兩端的用于定位單晶棒兩端面的多根間隔設(shè)置的擋條，相鄰兩根擋條的間隙分別與切割縫一一對(duì)應(yīng)；每根擋條上設(shè)有緊固螺桿；相鄰兩根擋條上的所述緊固螺桿之間具有供切割線通過的水平間距。本實(shí)用新型的單晶棒線開方固定裝置結(jié)構(gòu)簡單，固定操作便捷且固定效果好。
文檔編號(hào)B28D7/04GK202480271SQ20122012534
公開日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月28日
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