專利名稱：自潔微晶玻璃鍍膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微晶玻璃的制備方法，具體為具有自潔功能的微晶玻璃鍍膜方法，即自潔微晶玻璃鍍膜方法。
背景技術(shù)：
目前常用的自潔玻璃主要是使用普通的玻璃進(jìn)行表面鍍膜處理達(dá)到自潔功能，但是普通玻璃本身材質(zhì)的原因，限制自潔玻璃的應(yīng)用范圍，而微晶玻璃具有較低的熱膨脹系數(shù)和較高的機(jī)械強(qiáng)度，使用領(lǐng)域較為廣泛，但是不具有自潔功能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述技術(shù)問題，提供一種可以制作出具有自潔功能的微晶玻璃鍍膜方 法，包括以下步驟
(1)按照重量比的配方配料，高爐渣與正長(zhǎng)石比例為19T22 :1，原料經(jīng)過粉碎成型后燒結(jié)，燒成溫度為1100°C 1300，保溫2小時(shí)；
(2)將四乙氧基硅烷、無水乙醇和蒸餾水體積比按照48 1混合，用稀鹽酸調(diào)節(jié)pH值3-4形成硅溶膠；
硅溶膠和聚四氟乙烯乳液按照體積比為1: l(Tl: 20混合，用稀鹽酸調(diào)節(jié)pH值9-10，在室溫下密閉陳化6-8小時(shí)，形成修飾液；
(3)將整個(gè)洗凈的基板浸入修飾液中，然后以精確控制的均勻速度將基板平穩(wěn)地從修飾液中提拉出來，提拉速率l-2mm/s，鍍膜后把樣品放入烘箱中，高溫干燥20分鐘，重復(fù)多次；
(4)在電爐內(nèi)進(jìn)行熱處理，處理溫度為360-400°C，時(shí)間為10-15分鐘。本發(fā)明提供的自潔微晶玻璃鍍膜方法，制備的微晶玻璃的主晶相是鎂黃長(zhǎng)石，聚四氟乙烯對(duì)硅溶膠有良好的修飾作用，自潔凈微晶玻璃的接觸角已達(dá)到120°，具有較強(qiáng)的疏水性。
具體實(shí)施例方式結(jié)合具體實(shí)施方式
說明本發(fā)明的技術(shù)方案，實(shí)施例為
(1)按照重量比的配方配料，高爐渣190kg，正長(zhǎng)石20kg，原料分別經(jīng)過球磨、干燥、干壓成型工藝后，采用常壓空氣氣氛下燒結(jié)，燒成溫度為1200°C，保溫2小時(shí)；
(2)將四乙氧基硅烷、無水乙醇和蒸餾水體積比按照4:8 :1混合，滴加稀鹽酸，調(diào)節(jié)pH值3-4，攪拌，靜置，形成硅溶膠；
再各稱量硅溶膠和聚四氟乙烯乳液，體積比為1:17，先把硅溶膠倒入容器中攪拌，在攪拌的過程中，逐滴加入四氟乙烯乳液，用稀鹽酸調(diào)節(jié)PH值9-10，磁力攪拌，在室溫下密閉陳化8小時(shí),形成修飾液；
(3)將整個(gè)洗凈的基板浸入修飾液中，然后以精確控制的均勻速度將基板平穩(wěn)地從修飾液中提拉出來，提拉速率2mm/s，鍍膜后把樣品放入烘箱中，高溫干燥20分鐘，重復(fù)5次；
(4)在電爐內(nèi)進(jìn)行熱處理，處理溫度為380°C，時(shí)間為10分鐘。·
權(quán)利要求
1.自潔微晶玻璃鍍膜方法，其特征在于包括以下步驟，(1)按照重量比的配方配料，高爐渣與正長(zhǎng)石比例為19Γ22 :1，原料經(jīng)過粉碎成型后燒結(jié)，燒成溫度為1200°C，保溫2小時(shí)，制成基板；(2)將四乙氧基硅烷、無水乙醇和蒸餾水體積比按照4:8 :1混合，用稀鹽酸調(diào)節(jié)pH值 3-4形成硅溶膠；硅溶膠和聚四氟乙烯乳液按照體積比為1: l(Tl: 20混合，用稀鹽酸調(diào)節(jié)pH值9-10，在室溫下密閉陳化6-8小時(shí)，形成修飾液；(3)將整個(gè)洗凈的基板浸入修飾液中，然后以精確控制的均勻速度將基板平穩(wěn)地從修飾液中提拉出來，提拉速率l-2mm/s，鍍膜后把樣品放入烘箱中，高溫干燥20分鐘，重復(fù)多次；(4)在電爐內(nèi)進(jìn)行熱處理，處理溫度為360-400°C，時(shí)間為10-15分鐘。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微晶玻璃的制備方法，具體為具有自潔功能的微晶玻璃鍍膜方法，即自潔微晶玻璃鍍膜方法，以高爐礦渣和正長(zhǎng)石為原料制成微晶玻璃坯體，然后利用溶膠-凝膠的工藝制備出硅溶膠／聚四氟乙烯鍍液，利用浸漬提拉法在微晶玻璃表面進(jìn)行鍍膜，最后通過熱處理制成表面具有自潔凈功能的微晶玻璃。本發(fā)明制備的微晶玻璃的主晶相是鎂黃長(zhǎng)石，聚四氟乙烯對(duì)硅溶膠有良好的修飾作用，自潔凈微晶玻璃的接觸角已達(dá)到120°，具有較強(qiáng)的疏水性。
文檔編號(hào)C03C17/32GK102992646SQ20121049108
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月28日
發(fā)明者蔣達(dá)光 申請(qǐng)人:江蘇宜達(dá)光電科技有限公司