專利名稱：一種矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能多晶硅片切割技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法。
背景技術(shù)：
目前，整個(gè)太陽(yáng)能多晶硅電池制造行業(yè)正處在降低成本，革新各環(huán)節(jié)加工技術(shù)以提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的時(shí)期，其中多晶硅片切割領(lǐng)域一直是降低成本的重頭戲。在該制造環(huán)節(jié)的幾個(gè)主要工藝加工過(guò)程為先由開(kāi)方設(shè)備通過(guò)多線切割把整個(gè)硅錠加工成若干個(gè)端面為正方形的長(zhǎng)方體硅塊，然后再由研磨設(shè)備把硅塊表面逐個(gè)研磨拋光，最后是粘接工序把加工好的硅塊定位粘接在特定托盤(pán)上，待膠干后上多線切割機(jī)進(jìn)行切片加工。正是在硅錠開(kāi)方和硅塊研磨的實(shí)際生產(chǎn)環(huán)節(jié)，偶爾會(huì)出現(xiàn)由于多線切割過(guò)程中漿 料斷流或者鋼線跳槽，或是在硅塊研磨環(huán)節(jié)，由于操作失誤致使單側(cè)研磨量過(guò)大所引起的硅塊尺寸加工不合格(實(shí)際尺寸小于標(biāo)準(zhǔn)尺寸)的事故。這類加工異常發(fā)生頻率并不高，但是一旦發(fā)生所造成的硅塊損失就很?chē)?yán)重。分析這類硅塊的特點(diǎn)，它們無(wú)外乎下面這三種情況如圖I所示，待切割的硅塊均為方形，其截面尺寸包括A和B;第一種情況是A和B的雙側(cè)尺寸都小于標(biāo)準(zhǔn)；第二種是A或B單側(cè)尺寸全部小于標(biāo)準(zhǔn)；第三種是A或B單側(cè)尺寸部分小于標(biāo)準(zhǔn)；而第一種情況出現(xiàn)的幾率非常低，因?yàn)樵诰€切割過(guò)程中很少有相交的兩條鋼線同時(shí)出現(xiàn)異常的情況，而另外兩種情況則較為普遍。目前，針對(duì)這類由于硅塊加工異常造成尺寸小于標(biāo)準(zhǔn)要求的不合格硅塊，只能采取報(bào)廢處理，計(jì)入硅塊損失，而這些不合格硅塊只能作為回收硅料重新被用于鑄造新硅錠。這顯然是一種巨大的浪費(fèi)，由于硅塊除了尺寸異常之外并沒(méi)有其它任何缺陷，完全可以用于制造娃片,直接報(bào)廢處理必然帶來(lái)制造成本的升高。因此，如何解決在硅塊加工環(huán)節(jié)出現(xiàn)的因加工異常所致硅塊損失的問(wèn)題，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的重要技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法，避免了單側(cè)尺寸不合格硅塊直接被報(bào)廢處理的浪費(fèi)，大大減少了加工硅塊損失量，從而降低了硅片制造成本。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法，用于對(duì)實(shí)際尺寸小于標(biāo)準(zhǔn)尺寸的硅塊進(jìn)行再加工，取硅塊單側(cè)的標(biāo)準(zhǔn)尺寸為C，包括步驟I)測(cè)量得到不合格硅塊的具體尺寸，包括所述硅塊的實(shí)際長(zhǎng)度L和不合格側(cè)的實(shí)際尺寸D ；2)在所述硅塊單側(cè)部分尺寸不合格的情況下，加工至該尺寸不合格側(cè)的實(shí)際尺寸完全統(tǒng)一；否則，直接進(jìn)入步驟3)；
3)將所述硅塊的實(shí)際尺寸不合格的ー側(cè)朝上，且所述硅塊中軸線與所述玻璃板中軸線相交，粘接到所述玻璃板上。優(yōu)選的，取所述硅塊中軸線與所述玻璃板中軸線間的夾角為b，b=arcc0S (D/C)。優(yōu)選的，取用于粘接所述硅塊的玻璃板的寬度為E，合格的硅塊正常定位粘接時(shí)其頂面對(duì)角線與所述玻璃板中軸線的夾角為a，所述不合格硅塊定位粘接時(shí)探出角距所述玻璃板側(cè)邊的間距為X，則
權(quán)利要求
1.一種矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法，用于對(duì)實(shí)際尺寸小于標(biāo)準(zhǔn)尺寸的硅塊(I)進(jìn)行再加工，取硅塊單側(cè)的標(biāo)準(zhǔn)尺寸為C，其特征在于，包括步驟 1)測(cè)量得到不合格硅塊(I)的具體尺寸，包括所述硅塊(I)的實(shí)際長(zhǎng)度L和不合格側(cè)的實(shí)際尺寸D ； 2)在所述硅塊(I)單側(cè)部分尺寸不合格的情況下，加工至該尺寸不合格側(cè)的實(shí)際尺寸完全統(tǒng)ー；否則，直接進(jìn)入步驟3)； 3)將所述硅塊(I)的實(shí)際尺寸不合格的ー側(cè)朝上，且所述硅塊(I)中軸線與切割裝置的線網(wǎng)設(shè)置方向傾斜，粘接到所述玻璃板(3)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法，其特征在于，取所述硅塊(I)中軸線與所述玻璃板(3)中軸線間的夾角為b, b=arccos (D/C)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法，其特征在于，取用于粘接所述硅塊(I)的玻璃板(3)的寬度為E，合格的硅塊(I)正常定位粘接時(shí)其頂面對(duì)角線與所述玻璃板(3 )中軸線的夾角為a，所述不合格硅塊(I)定位粘接時(shí)探出角距所述玻璃板(3)側(cè)邊的距離為X，則 X= sm(a + b)*y[D2+L2 -E ,2其中，a=arctg (D/L), b=arccos (D/C)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法，其特征在于，在所述步驟2)中，使用研磨機(jī)加工硅塊至該尺寸不合格側(cè)的實(shí)際尺寸完全統(tǒng)一。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法，針對(duì)單側(cè)尺寸不合格硅塊的特點(diǎn)(絕大多數(shù)尺寸不合格硅塊為單側(cè)全部或單側(cè)部分尺寸異常硅塊)，在硅塊粘接工序，采用相對(duì)于晶棒定位托盤(pán)傾斜定位粘接的方法來(lái)處理此類異常硅塊，即利用直角三角形斜邊永遠(yuǎn)大于直角邊的基本原理，并根據(jù)異常硅塊的具體尺寸和矯正后的硅片目標(biāo)尺寸計(jì)算得出相對(duì)傾斜探出量，然后再進(jìn)行后續(xù)的正常切割加工得到尺寸合格的硅片。
文檔編號(hào)B28D5/00GK102825666SQ20121029329
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月16日
發(fā)明者田歡 申請(qǐng)人:保定天威英利新能源有限公司