專利名稱：單晶硅生長用石英坩堝的兩步制備法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明公開了一種單晶硅生長用石英坩堝的兩步制備法及裝置，屬半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
生產(chǎn)單晶硅時，全部采用石英坩堝做盛裝高溫硅熔融體的容器.現(xiàn)有的石英坩堝在制造時均用電弧法生產(chǎn)，此法生產(chǎn)過程中能耗大，噪聲高而質(zhì)量不高。近二十年，不少人都在努力尋找新的坩堝生產(chǎn)方法，方案很多，但因存在各種問題，均未能最后成功。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是找到一種單晶硅生長用石英坩堝的新制備方法及裝置。此法生產(chǎn)坩堝時，過程中能耗低、噪聲小，產(chǎn)品的質(zhì)量好。本發(fā)明采用兩步法生產(chǎn)此石英坩堝石英坩堝的制備分兩步進(jìn)行，第一步，利用石英玻璃連續(xù)電熔爐，拉制與坩堝直徑相同的石英玻璃管；第二步，截斷此管后，按一般玻璃管材用火焰加熱收口封頭相似的工藝，在專用火焰收口封底裝置上，對截斷的石英玻璃管進(jìn)行火焰收口封底，封底后的制品即為所需的石英坩堝。本發(fā)明中的專用程序火焰收口封底裝置由機(jī)架，位于機(jī)架之上、與待加工的坩堝同軸、可自轉(zhuǎn)、可軸向移動、帶密封圈、帶氣道的兩段外型與坩堝內(nèi)壁吻合的石墨芯模，數(shù)組可軸問移動、可徑向移動和擺動的環(huán)形多個燃燒頭組成的燃?xì)饧訜崛统?、充氣系統(tǒng)組成。本發(fā)明的坩堝及制備法有如下優(yōu)點1，本制備法所采用的各個分工序均是現(xiàn)有的成熟工藝。2，本法制備的坩堝，其內(nèi)在質(zhì)量和外形尺寸比現(xiàn)有的電弧法產(chǎn)品更容易控制好。3，本法在生產(chǎn)過程中對原料的利用率高(可近于到100% )；噪聲??；粉塵少；能耗低很多。本發(fā)明生產(chǎn)的石英玻瑞坩堝質(zhì)量好，生產(chǎn)過程節(jié)能，環(huán)保，此二步制備法將能完全替代現(xiàn)有的石英坩堝的電弧生產(chǎn)法。發(fā)明附1為本發(fā)明的專用火焰收口封底裝置的示意圖發(fā)明具體實施以下是本發(fā)明的一個具體實施例本實施例中，專用火焰收口封底裝置由機(jī)架(7)，位于機(jī)架之上、與待加工的坩堝 (2)同軸(5)、可自轉(zhuǎn)、可軸向移動、帶密封圈(3)、帶氣道的兩段外形與坩堝內(nèi)壁吻合的石墨芯模，數(shù)組可轉(zhuǎn)動、可軸問移動、可徑向移動和擺動的環(huán)形、多個燃燒頭組成的燃?xì)饧訜崛Β藕统?、充氣系統(tǒng)(6)組成。其制備方法為1，首先利用專利申請?zhí)枮?01010204350. 1的內(nèi)熱式石英玻璃連續(xù)電熔爐，直接生產(chǎn)與坩堝口徑相同的石英玻璃管；2，截斷此管，將裁下的管放在專用火焰收口封底裝置上，再按一般玻璃管材用火焰加熱收口封頭相似的工藝，對管進(jìn)行收口封底，封底后的制品即為所需的單晶硅生長用石英玻璃坩堝。本實施例中，利用石英玻璃連續(xù)電熔爐，生產(chǎn)與石英坩堝直徑相同的石英玻璃管， 截斷此管后，再按一般玻璃管材用火焰加熱收口封頭相似的工藝，在專用火焰收口封底裝置上，對截斷的玻管進(jìn)行火焰收口封底，封底后的石英制品即單晶硅生長用石英坩堝。
權(quán)利要求
1.單晶硅生長用石英坩堝的兩步制備法及裝置，其特征在于石英坩堝的制備分兩步進(jìn)行，第一步，利用石英玻璃連續(xù)電熔爐，拉制與坩堝直徑相同的石英玻璃管；第二步，截斷此管后，按一般石英玻璃管材用火焰加熱收口封頭相似的工藝，在專用火焰收口封底裝置上，對截斷的玻璃管進(jìn)行火焰收口封底，封底后的制品即為所需的石英坩堝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅生長用石英坩堝的兩步制備法及裝置，其特征在于 拉制石英玻璃管時，首先采用申請?zhí)枮?01010204350. 1的內(nèi)熱式石英玻璃連續(xù)電熔爐。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅生長用石英坩堝的兩步制備法及裝置，其特征在于 專用火焰收口封底機(jī)由機(jī)架(7)，位于機(jī)架之上、與待加工的坩堝O)同軸(5)、可自轉(zhuǎn)、可軸向移動、帶密封圈(3)、帶氣道的兩段外形與坩堝內(nèi)壁吻合的石墨芯模G)，數(shù)組可轉(zhuǎn)動、 可軸問移動、可徑向移動和擺動的環(huán)形、多個燃燒頭組成的燃?xì)饧訜崛?1)和抽、充氣系統(tǒng) (6)組成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種單晶硅生長用的石英坩堝的兩步制備法及裝置.本發(fā)明第一步首選專利中請分號為201010204350.1，其單位時間產(chǎn)量很高的內(nèi)熱式由石英波巨皮玻璃連續(xù)電熔爐，按與一般連續(xù)電熔石英玻璃相近的工藝，熔制出與坩堝直徑相同的石英玻璃管；第二步，將此管截斷后，放在專用程控火焰收口封底裝置上，采用與常用玻璃管材收口封底相似的工藝，進(jìn)行收口封底，將管材制成坩堝.本發(fā)明制備的坩堝質(zhì)量好；本發(fā)明的生長單晶硅石英坩堝的兩步制備法，可大量生產(chǎn)坩堝，且節(jié)能，環(huán)保.可代替電弧法生產(chǎn)拉制單晶硅用的石英坩堝。
文檔編號C03B20/00GK102557400SQ20101059377
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者張洪齊 申請人:羅萬前