技術(shù)編號：1814501
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種單晶硅生長用石英坩堝的兩步制備法及裝置，屬半導(dǎo)體制造。背景技術(shù)生產(chǎn)單晶硅時(shí)，全部采用石英坩堝做盛裝高溫硅熔融體的容器.現(xiàn)有的石英坩堝在制造時(shí)均用電弧法生產(chǎn)，此法生產(chǎn)過程中能耗大，噪聲高而質(zhì)量不高。近二十年，不少人都在努力尋找新的坩堝生產(chǎn)方法，方案很多，但因存在各種問題，均未能最后成功。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是找到一種單晶硅生長用石英坩堝的新制備方法及裝置。此法生產(chǎn)坩堝時(shí)，過程中能耗低、噪聲小，產(chǎn)品的質(zhì)量好。本發(fā)明采用兩步法生產(chǎn)此石英坩堝石英坩...
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