專利名稱：蝕刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種蝕刻設(shè)備，尤其涉及一種能夠提供均勻的蝕刻液于 基板上而達(dá)到蝕刻目的的統(tǒng)。
背景技術(shù)：
參考圖2，為現(xiàn)有技術(shù)中的一種蝕刻設(shè)備，該蝕刻設(shè)備基本包含有一送 料區(qū)A、 一蝕刻室B、 一初步洗凈室C、 一主洗凈室D、 一干燥室E、 一出 料區(qū)F，工作室之間設(shè)有一連續(xù)的送料導(dǎo)輪G，該送料導(dǎo)輪G是由一外埠電 控室(圖未示)控制。其中該蝕刻室包含一浸泡槽B1，該浸泡槽B1還外接一 藥液工作槽H，該藥液工作槽H基本上包含一浸泡泵Hl做為動力源供給藥 液至浸泡槽B1，以及電阻偵測計(jì)H3、酸堿度偵測計(jì)H2、溫度偵測器H4、 加熱器H5、冷卻盤管H6控制藥液的構(gòu)件。玻璃基板I是由送料區(qū)A藉由輸 送導(dǎo)輪G輸送進(jìn)入蝕刻室B浸泡槽Bl，滾輪停止運(yùn)行，浸泡泵Hl打入藥 液至浸泡槽B1，使浸泡槽B1內(nèi)的藥液覆蓋玻璃基板I，玻璃基板I浸泡一 段時間后，送料導(dǎo)輪G啟動，將玻璃基板I運(yùn)送至初步洗凈室C。玻璃基板 I 一端(以下稱首端)先進(jìn)入初步洗凈室C清洗，爾后另一端(以下稱末端)被送 料導(dǎo)輪G帶動也進(jìn)入初步洗凈室C接受清洗，將殘留在基板上的藥液及副生 成物初步?jīng)_掉。在蝕刻過程中出現(xiàn)幾點(diǎn)問題，第一、由于現(xiàn)有技術(shù)中的蝕刻過程是等基 板完全進(jìn)入浸泡槽，并靜置于送料導(dǎo)輪上，才供給藥液至浸泡槽，如此便延 長了基板在蝕刻階段的時間。第二、蝕刻過程，是基板全面同步接受浸泡槽 的藥液浸泡，浸泡后由基板首端先離開浸泡槽，同時末端還浸泡于槽內(nèi)，這 樣的傳輸運(yùn)作會造成玻璃基板首、末兩端接觸藥液的時間不同，而導(dǎo)致蝕刻 程度不同，使蝕刻結(jié)果不均勻。第三、在浸泡過程中，必須不斷的更新藥液， 方能維持藥液的濃度。第四、以浸泡方式會使基板上鍍膜的厚度過厚。實(shí)用新型內(nèi)容在現(xiàn)有技術(shù)中的蝕刻過程中，需待玻璃基板完全靜置于浸泡槽后，方開 始進(jìn)行蝕刻作業(yè)，會造成蝕刻階段的工時過長問題，因此本實(shí)用新型主要目 的是提供一種能節(jié)省蝕刻時間的蝕刻設(shè)備。在玻璃基板在被蝕刻的過程中，基板首、末端接觸藥液的時間不同，會 導(dǎo)致蝕刻不均的情形，因此本實(shí)用新型另一目的是使玻璃基板每一處浸泡到 蝕刻液的時間均相同，以提供一種能使基板被均勻蝕刻的蝕刻設(shè)備。有鑒于玻璃基板在浸泡藥液的過程中，完全未更換藥液，蝕刻下所產(chǎn)生 的物質(zhì)可能影響藥液濃度，藥液溫度也會隨蝕刻時間增長而受影響，因此本 實(shí)用新型又一目的是使基板表面各處能同時且均勻的接觸新藥液。本實(shí)用新型再一目的，是欲減少基板上鍍膜的厚度，以節(jié)省材料。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供一種蝕刻設(shè)備，該設(shè)備包含 一蝕刻室； 一送料導(dǎo)輪，用以承載一基板，使該基板可通過該蝕刻室； 一噴霧統(tǒng)，其具有一接設(shè)在該蝕刻室外部的藥液工作槽，以及與該藥液 工作槽以管路相連的多個噴源，噴源是平均設(shè)置于該蝕刻室上方并對應(yīng) 于送料導(dǎo)輪；該藥液工作槽以高壓打入藥液至所述噴源，所述噴源以高 速噴出霧狀的藥液，使所述蝕刻室彌漫霧狀藥液。本實(shí)用新型有別于現(xiàn)有技術(shù)中的蝕刻浸泡式而采用霧氣沾附式主要能 節(jié)省基板上鍍膜的厚度，以此方式也可達(dá)到使基板表面的光學(xué)膜被均勻蝕刻 的目的。另一方面，藥液工作槽不斷供給新的藥液予噴源，不但維持蝕刻室 內(nèi)的藥液濃度，且基板表面各處接受藥液更新的時間相同，能提升蝕刻的均 勻度。又，本實(shí)用新型采用基板首端先接觸藥液、先接受清洗的程序，使基 板全面接觸藥液的總時間是相同的，能進(jìn)一步確保蝕刻度相同。


圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中蝕刻設(shè)備的示意圖。 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中一種蝕刻設(shè)備結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
以下配合圖式對本實(shí)用新型的實(shí)施方式做更詳細(xì)的說明，使本領(lǐng)域的技說明書后能據(jù)以實(shí)施。參考圖1，為本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備的較佳實(shí)施例示意圖。主要在一蝕刻 室10內(nèi)設(shè)有一通至內(nèi)部的抽氣裝置1、 一連續(xù)的送料導(dǎo)輪2的其中一段部通過，以及一噴灑統(tǒng)3。該噴灑統(tǒng)3包含有以管路相連的一排噴源31與一藥液 工作槽32，該噴源31是指具有多數(shù)微小孔洞的噴嘴，噴嘴是平均設(shè)置在蝕 刻室10上方，并分別對應(yīng)于送料導(dǎo)輪2各處；該藥液工作槽32是接設(shè)于蝕 刻室10外部，藥液工作槽32內(nèi)部包含有一噴灑泵33做為動力源供給藥液 至各噴源31，以及一電阻偵測計(jì)34、 一酸堿度偵測計(jì)35、 一溫度偵測器36、 一加熱器37、 一冷卻盤管38等控制藥液溫度或濃度的構(gòu)件。蝕刻設(shè)備的運(yùn)作方式，是由一外部控制室(圖未示)控制送料導(dǎo)輪2、噴灑 統(tǒng)6啟動，由噴灑泵33高壓打入高濃度藥液至各噴源31，藥液從噴源31的 細(xì)小噴孔以高速噴出，經(jīng)一段時間后，整個蝕刻室10形成濃霧狀態(tài)，玻璃 基板20被送料導(dǎo)輪2送進(jìn)蝕刻室10，玻璃基板20靜置于送料導(dǎo)輪2上接受 藥液均勻的沾附于表面，并等待預(yù)定時間到來，過程中藥液工作槽32不斷 供給藥液予各噴源31產(chǎn)生濃霧狀藥液，以維持蝕刻室10內(nèi)的藥液濃度，使 玻璃基板20表面的光學(xué)膜均勻的被蝕刻；所述抽氣裝置1則會使蝕刻室10 內(nèi)保持負(fù)壓，藥氣不會溢漏至蝕刻室外。蝕刻達(dá)一預(yù)定時間后，控制室啟動 送料導(dǎo)輪2帶動玻璃基板20離開蝕刻室10，隨后進(jìn)入水洗程序。本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備是以霧狀藥液沾附于基板的方式進(jìn)行蝕刻，不但能 達(dá)到基板表面各處蝕刻程度均勻，且可節(jié)省基板上鍍膜的厚度。又由于玻璃 基板的首端先進(jìn)入蝕刻室接觸到藥液，也是由首端先離開蝕刻室接受清洗， 故玻璃基板首、末兩端(全面)浸泡藥液的時間與接受沖洗的總時間是相同 的，表示藥液殘留在玻璃基板表面任一處的時間是相同的，俾能產(chǎn)生均勻的 蝕刻面。以上所述僅為用以解釋本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非企圖據(jù)以對本實(shí) 用新型做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的實(shí)用新型精神下所作有關(guān) 本實(shí)用新型的任何修飾或變更，皆仍應(yīng)包括在本實(shí)用新型意圖保護(hù)的范疇。
權(quán)利要求1.一種蝕刻設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備包含一蝕刻室；一送料導(dǎo)輪，用以承載一基板，使該基板可通過該蝕刻室；一噴霧統(tǒng)，其具有一接設(shè)在該蝕刻室外部的藥液工作槽，以及與該藥液工作槽以管路相連的多個噴源，噴源是平均設(shè)置于該蝕刻室上方并對應(yīng)于送料導(dǎo)輪；該藥液工作槽以高壓打入藥液至所述噴源，所述噴源以高速噴出霧狀的藥液，使所述蝕刻室彌漫霧狀藥液。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種蝕刻設(shè)備，主要是于一蝕刻室內(nèi)設(shè)有運(yùn)送基板的送料導(dǎo)輪，以及一噴灑統(tǒng)，該噴灑統(tǒng)包含有多個噴源，噴源平均設(shè)置于蝕刻室上方，噴源為具有多個微小孔洞的噴嘴，噴源接受一接設(shè)于蝕刻室外部的藥液工作槽供給藥液。噴源以超高速噴灑出霧狀藥液，使蝕刻室彌漫霧狀藥液，當(dāng)基板通過蝕刻室便能均勻的沾附藥液于表面，達(dá)到蝕刻的目的。
文檔編號C03C15/00GK201381281SQ20092000695
公開日2010年1月13日 申請日期2009年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月16日
發(fā)明者朱德銘, 李玟澄, 陳麒文 申請人:亞智科技股份有限公司