專利名稱：干蝕刻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種干蝕刻裝置，尤其是，一種能夠在基板表面上形成均勻圖案的干蝕刻裝置。
背景技術(shù)：
具有半導(dǎo)體特性的太陽能電池可將光能轉(zhuǎn)化為電能。下面對(duì)根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的太陽能電池的構(gòu)造和原理進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。太陽能電池以P 型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起的PN結(jié)的構(gòu)造形成。當(dāng)太陽光線照射在具有PN結(jié)構(gòu)造的太陽能電池上的時(shí)候，由于太陽光線的能量而在該半導(dǎo)體上生成空穴⑴和電子㈠。由于在PN結(jié)的區(qū)域產(chǎn)生了電場(chǎng)，空穴(+)向P型半導(dǎo)體漂移，電子(_)向N型半導(dǎo)體漂移，因此隨著電勢(shì)的出現(xiàn)而形成電能。太陽能電池主要分為晶片太陽能電池和薄膜型太陽能電池。晶片太陽能電池使用諸如硅等半導(dǎo)體材料制成的晶片。同時(shí)，薄膜型太陽能電池是通過在玻璃基板上以薄膜的形式形成半導(dǎo)體而制成。晶片太陽能電池的缺點(diǎn)是，與薄膜型太陽能電池相比，晶片太陽能電池較厚并且其通過利用昂貴的材料而制成。然而，在效率上，晶片太陽能電池優(yōu)于薄膜型太陽能電池。為了最大化晶片太陽能電池中太陽光線的吸收，在晶片太陽能電池的基板表面上形成不平整結(jié)構(gòu)(或凹凸圖案)。如果使用單晶硅基板，將進(jìn)行諸如堿蝕刻的濕蝕刻以便在單晶硅基板表面上形成不平整結(jié)構(gòu)(或圖案)。同時(shí)，如果使用多晶硅基板，晶體分子被布置為不同取向方向，因此難以通過堿蝕刻在多晶硅基板的表面上形成不平整結(jié)構(gòu)(或圖案)。另外，如果通過濕蝕刻形成不平整結(jié)構(gòu)(或圖案)，基板的厚度減小。在這方面，當(dāng)進(jìn)行濕蝕刻時(shí)，必須使用厚基板。使用厚基板導(dǎo)致太陽能電池的生產(chǎn)成本增加。因此，需要提出一種用于在基板表面均勻地形成不平整結(jié)構(gòu)的新方法，而不需考慮晶體分子的取向。當(dāng)基板被通過用于制造半導(dǎo)體器件或平板顯示器的工藝的濕蝕刻蝕刻時(shí)，使用厚基板導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加。另外，難以在基板上實(shí)現(xiàn)均勻的圖案。最終，對(duì)于當(dāng)制造太陽能電池、半導(dǎo)體器件或平板顯示器時(shí)在基板上形成均勻圖案的方法的需求正在增加。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提出一種干蝕刻裝置，基本避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而產(chǎn)生的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種干蝕刻裝置，其能夠在基板表面上形成均勻的圖案。本發(fā)明其它的特點(diǎn)和方面將在下面的說明中部分地闡明，并且部分地，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，通過查閱下文而變得明顯，或者可以從實(shí)踐本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過在書面說明書及其權(quán)利要求和附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)和獲得。為了達(dá)到這些和其它優(yōu)點(diǎn)并與本發(fā)明的目的一致，如在此具體地和概括地描述的，一種用于通過利用等離子體蝕刻至少一個(gè)基板的干蝕刻裝置，包括放置于腔室內(nèi)部的托盤上的至少一個(gè)基板；基座，設(shè)置在腔室內(nèi)部同時(shí)對(duì)著至少一個(gè)基板，用于提供高頻電能從而形成等離子體；接地部件，設(shè)置在基座的下面但是不與基座接觸；以及，絕緣部件，設(shè)置在基座和接地部件之間。接地部件形成為矩形或圓形的、具有中心孔的平板。并且，接地部件包括網(wǎng)孔部分。接地部件包括以網(wǎng)格布局排列的多個(gè)開口。接地部件形成為矩形或圓形框架。絕緣部件由陶瓷或特氟隆(Teflon)材料形成。絕緣部件包括對(duì)著基座中心部分的第一絕緣體；以及與第一絕緣體結(jié)合的多個(gè)第二絕緣體，其中第二絕緣體是彎曲的從而對(duì)著基座的側(cè)面和基座除中心部分外的其余部分。各個(gè)階梯形表面形成在用于使第一絕緣體和第二絕緣體彼此結(jié)合的部分上，以及使相鄰的第二絕緣體彼此結(jié)合的部分上，并且，其中第一和第二絕緣體通過階梯形表面結(jié)
合O另外，干蝕刻裝置還包括設(shè)置在絕緣部件與基座之間的第一密封構(gòu)件；以及設(shè)置在絕緣部件與接地部件之間的第二密封構(gòu)件。并且，干蝕刻裝置包括基座支承構(gòu)件，用于通過升高接地部件使基座與基板的后表面電連接；以及用于向基座提供高頻電能的電極棒，所述電極棒穿過基座支承構(gòu)件?；С袠?gòu)件包括通過穿過腔室、接地部件和絕緣部件而與基座連接的第一支承件；通過穿過腔室與接地部件連接的第二支承件；以及與第一和第二支承件連接的板。并且，通過升高基座使用于支承至少一個(gè)基板的托盤與基座電連接。另外，干蝕刻裝置包括設(shè)置在腔室和板之間的彈簧。干蝕刻裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在腔室底面和接地部件之間的彈簧。接地部件通過彈簧接地。應(yīng)該理解，本發(fā)明的上述的概括描述和下述的詳細(xì)描述都是舉例和說明性的，并且意在提供所主張的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


包括的附圖，用于提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且包括在說明書中構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，闡明本發(fā)明的實(shí)施例并與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的干蝕刻裝置；圖2圖示了用于說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的干蝕刻裝置中的絕緣部件的透視圖；圖3圖示了用于說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的接地部件的透視圖；圖4圖示了用于說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的另一接地部件的透視圖；圖5圖示了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的干蝕刻裝置；圖6圖示了用于說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的接地部件的透視圖；圖7圖示了用于說明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的接地部件的透視圖；圖8圖示了用于說明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的接地部件的透視圖；以及圖9A和圖9B圖示了根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置的操作。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)講述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其例子在附圖中說明。在所有可能的情況下，在全部附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同或相似的部件。在下文中，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置及其操作方法。圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的干蝕刻裝置。參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的干蝕刻裝置100包括腔室110 ；置于腔室110 內(nèi)部的至少一個(gè)基板130 ；用于形成等離子體以便蝕刻基板130表面的基座160 ；用于防止基座160下面發(fā)生反常放電的接地部件162，所述接地部件162設(shè)置在基座160的下面；用于使基座160和接地部件162彼此絕緣的絕緣部件164，所述絕緣部件164設(shè)置在基座160 和接地部件162之間；以及，用于向基座160提供用于產(chǎn)生等離子體的高頻電能的電極棒 180，所述電極棒180通過穿過接地部件162和絕緣部件164與基座160電連接。腔室110為干蝕刻工藝(例如，反應(yīng)離子蝕刻工藝)提供反應(yīng)室。在腔室110的前面，安裝有噴淋頭120，以便向反應(yīng)室提供用于形成等離子體的處理氣體。為了向腔室110 內(nèi)部均勻的提供處理氣體，噴淋頭120可設(shè)置有多個(gè)擴(kuò)散構(gòu)件。例如，噴淋頭120可包括 用于使從反應(yīng)室外部提供的處理氣體第一次擴(kuò)散的第一擴(kuò)散構(gòu)件(未示出)；以及，第二擴(kuò)散構(gòu)件(未示出)，包括多個(gè)噴孔用以將由第一擴(kuò)散構(gòu)件第一次擴(kuò)散后的處理氣體第二次擴(kuò)散到反應(yīng)室內(nèi)部。這時(shí)，第一擴(kuò)散構(gòu)件和第二擴(kuò)散構(gòu)件中至少有一個(gè)可被旋轉(zhuǎn)。處理氣體可以是Cl2 (氯氣)、SF6(六氟化硫)、NF3(三氟化氮)、HBr (溴化氫)或其混合物。如有需要，可以將Ar (氬氣)、O2 (氧氣)、N2 (氮?dú)?、He (氦氣)或它們的混合物添加到處理氣體中。至少一個(gè)基板130可以以其對(duì)著基座160的方式放置于噴淋頭120和基座160之間的反應(yīng)室中。在這種情況下，至少一個(gè)基板130可以是用于制造太陽能電池的基板或晶片，用于制造半導(dǎo)體器件的基板或晶片，或者用于制造平板顯示器的基板或玻璃基板中的任何一個(gè)。至少一個(gè)基板130在被放置于托盤140上時(shí)可以放置于腔室110的內(nèi)部。托盤 140可以形成為矩形或圓形，并且托盤140由金屬材料形成，例如鋁。就是說，如果置于托盤140上的至少一個(gè)基板130相當(dāng)于用于制造太陽能電池的基板或晶片，或者用于制造平板顯示器的基板或晶片，那么托盤140可形成為矩形。如果置于托盤140上的至少一個(gè)基板130相當(dāng)于用于制造半導(dǎo)體器件的基板或晶片，那么托盤140可形成為圓形。同時(shí)，如果將多個(gè)基板130置于托盤140上，那么多個(gè)基板130可以在矩陣布局中以固定間隔排列，但不限于此布局。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的干蝕刻裝置100可進(jìn)一步包括用于支承托盤140的托盤支承構(gòu)件150。兩個(gè)分別設(shè)置在腔室110的兩個(gè)側(cè)壁，其中托盤支承構(gòu)件150被平行排列。托盤支承構(gòu)件150支承通過托盤傳送裝置穿過腔室門(未示出)傳送到反應(yīng)室的托盤140。這時(shí)，托盤支承構(gòu)件150可能是輥構(gòu)件，并且托盤傳送裝置可以是傳送自動(dòng)機(jī)或輸送機(jī)。基座160以對(duì)著托盤140后表面的方式放置于腔室110內(nèi)部。基座160通過利用從電極棒180提供的高頻電能而產(chǎn)生等離子體，由此蝕刻置于托盤140上的基板130的表面?；?60與托盤140形狀相同。絕緣部件164放置于基座160和接地部件162之間，以便使基座160的后表面和側(cè)面與接地部件162絕緣。因此，如圖2所示，絕緣部件164可包括具有通孔210的第一絕緣體220 ；以及與第一絕緣體220結(jié)合的多個(gè)第二絕緣體230。第一絕緣體220以其對(duì)著基座160中心部分的方式放置。多個(gè)第二絕緣體230中的每一個(gè)都設(shè)置有對(duì)著基座160除中心部分的其余部分的水平部分；以及對(duì)著基座160側(cè)面的豎直部分。各個(gè)第二絕緣體230中的平行部分與相鄰的第二絕緣體230及第一絕緣體220結(jié)合。在這種情況下，至少一個(gè)階梯形表面240形成在用于使第一絕緣體220和第二絕緣體 230彼此結(jié)合的部分上，以及使相鄰的第二絕緣體230彼此結(jié)合的部分上。階梯形表面240能夠增加基座160和接地部件162之間的接地路徑，并且還能夠
使結(jié)合容易。絕緣部件164可以由陶瓷材料或特氟隆材料制成，其中特氟隆材料能夠增加在反應(yīng)室產(chǎn)生的等離子體的密度，并且還能夠防止反常放電。優(yōu)選地，絕緣部件164由特氟隆材料形成，但不是必需地。特氟隆材料的介電常數(shù)比陶瓷的介電常數(shù)高。由于特氟隆材料的高介電常數(shù)，即使絕緣部件164形成的厚度小(例如，40mm或更小)，也可以實(shí)現(xiàn)高絕緣效率。并且，因?yàn)樘胤〔牧喜慌c蝕刻氣體反應(yīng)，所以可以最小化基座160上的凹陷。形成為與基座160形狀相同的接地部件162通過地面(未示出)電氣接地。就普通干蝕刻裝置來說，不可能使基座160直接接地，由此在基座160下面產(chǎn)生反常放電。同時(shí)， 就根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置來說，接地部件162在放置于基座160的下面時(shí)接地，以便可以阻止在基座160的下面發(fā)生反常放電。如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的接地部件162可以是具有中心孔312的矩形平板310，但不限于此結(jié)構(gòu)。接地部件162可以是基于基座160的形狀的圓形平板。如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的接地部件162可進(jìn)一步包括以網(wǎng)格布局排列的多個(gè)開口 314。在這種情況下，各個(gè)開口 314可形成為矩形或圓形。第一密封構(gòu)件169a設(shè)置在基座160和絕緣部件164之間，第二密封構(gòu)件169b設(shè)置在接地部件162和絕緣部件164之間。在這種情況下，第一密封構(gòu)件169a和第二密封構(gòu)件169b可以分別是0-形環(huán)，并且第一密封構(gòu)件169a可放置于第一絕緣體220之上。第一密封構(gòu)件169a和第二密封構(gòu)件169b使在腔室內(nèi)部的反應(yīng)室和外界大氣空間分開?；?60、接地部件162和絕緣部件164可與通過連接構(gòu)件(未示出)放置于其間的第一密封構(gòu)件169a和第二密封構(gòu)件169b集成到一個(gè)主體中。
同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的干蝕刻裝置100可進(jìn)一步包括基座支承構(gòu)件170 和高頻電能供給設(shè)備182?；С袠?gòu)件170包括第一支承件172、第二支承件174和板176。第一支承件 172的一端通過順序地穿過腔室110的底面、接地部件162的中心孔312和絕緣部件164的通孔210而與基座160的中心部分連接；第一支承件172的另一端支承基座160的后表面， 同時(shí)與板176連接。第二支承件174通過穿過腔室110的底面支承接地部件162的后表面。因此，第二支承件174可包括上支承件174a，連接到接地部件162上，其間插置有第三密封構(gòu)件 178 ；側(cè)支承件174b，由上支承件17 向下成直角地彎曲而得到，與第一支承件172鄰近； 以及，下支承件174c，由側(cè)支承件174b彎曲而得到，同時(shí)與上支承件17 平行，并且連接到板176上，所述下支承件17 和板176之間插置有第四密封構(gòu)件179。此時(shí)，側(cè)支承件 174b可設(shè)置有通孔，第一支承件172穿過該通孔。第三密封構(gòu)件178和第四密封構(gòu)件179 可以分別是0形環(huán)。板176支承第一支承件172的另一端和第二支承件174的下支承件17如。上述的基座支承構(gòu)件170可以支承基座160，并且還可以通過升降裝置(未示出) 升高或降低基座160。此時(shí)，當(dāng)托盤140裝載到托盤支承構(gòu)件150或從中卸載時(shí)，升降裝置將基座支承構(gòu)件170升高到適于裝載和卸載的預(yù)定高度。在完成托盤140的裝載和卸載后， 升降裝置升高基座支承構(gòu)件170以便基座160與托盤140電連接，由此進(jìn)行蝕刻工藝。高頻電能供給設(shè)備182向電極棒180提供高頻電能，電極棒180通過穿過基座支承構(gòu)件170與基座160電連接。當(dāng)基座160通過基座支承構(gòu)件170與托盤140電連接時(shí)， 高頻電能供給設(shè)備182向電極棒180提供高頻電能，以便將高頻電能施加到托盤140上。通過穿過在基座支承構(gòu)件170上的板176和第一支承件172，電極棒180與基座 160的中心部分電連接。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的干蝕刻裝置100可進(jìn)一步包括彈簧190，彈簧190用于保護(hù)暴露在腔室110外部的高頻電能供給設(shè)備182和基座支承構(gòu)件170。彈簧190設(shè)置在腔室110的下表面和基座支承構(gòu)件170的板176之間。該彈簧 190由彈性材料形成，通過所述彈性材料的壓縮和伸長(zhǎng)，所述彈性材料能夠保護(hù)暴露于腔室 110外部的高頻電能供給設(shè)備182和基座支承構(gòu)件170。如圖5所示，彈簧190可設(shè)置在腔室1 10的內(nèi)底面和基座160的接地部件162之間。在這種情況下，可省略圖1中所示的第三密封構(gòu)件178和第四密封構(gòu)件179。因此，設(shè)置在腔室110內(nèi)部的彈簧190能夠減小干蝕刻裝置的大小。在圖5中，接地部件162可以通過彈簧190接地到外部地面。圖6圖示了用于說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的接地部件的透視圖。參照?qǐng)D6，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的接地部件162可設(shè)置有外框架410、中心框架 420和網(wǎng)孔部分430。與基座160的邊緣相對(duì)應(yīng)，外框架410形成為矩形形狀。圖6圖示了矩形的外框架410，但是外框架410的形狀不限于矩形。如果基座160形成為圓形形狀，外框架410就會(huì)形成為圓形形狀。中心框架420形成在外框架410中，以便第一支承件172穿過中心框架420。然后，第二密封構(gòu)件169b和第三密封構(gòu)件178可分別設(shè)置在中心框架420的上、下表面上，以便使在腔室110內(nèi)部的反應(yīng)室和外界大氣空間分開。網(wǎng)孔部分430形成為網(wǎng)孔樣式用以使外框架410和中心框架420彼此連接。圖7圖示了用于說明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的接地部件的透視圖。參照?qǐng)D7，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的接地部件162可形成為矩形框架從而與基座 160的邊緣重疊。然后，第二密封構(gòu)件169b和第三密封構(gòu)件178可分別設(shè)置在形成為矩形框架的接地部件162的上、下表面上，以便使在腔室110內(nèi)部的反應(yīng)室和外界大氣空間分開。圖8圖示了用于說明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的接地部件的透視圖。參照?qǐng)D8，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的接地部件可形成為圓形框架從而與基座160 的邊緣重疊。然后，第二密封構(gòu)件169b和第三密封構(gòu)件178可分別設(shè)置在形成為圓形框架的接地部件162的上、下表面上，以便使在腔室110內(nèi)部的反應(yīng)室和外界大氣空間分開。下面將參照?qǐng)D9A和圖9B說明根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置的操作。如圖9A所示，外部的托盤140被裝載到托盤支承構(gòu)件150上。如果驅(qū)動(dòng)升降裝置， 那么會(huì)降低基座支承構(gòu)件170使得基座160保持在預(yù)定高度。當(dāng)托盤支承構(gòu)件150支承托盤140時(shí)，如圖9B所示，根據(jù)升降裝置的操作，通過升高基座支承裝置170來升高基座160，由此基座160與托盤140的后表面電連接。當(dāng)從高頻電能供給設(shè)備182提供到電極棒180的高頻電能通過基座160施加到托盤140上時(shí)，并同時(shí)從噴淋頭120向反應(yīng)室提供處理氣體時(shí)，等離子體(P)產(chǎn)生在腔室110 的反應(yīng)室中，即，產(chǎn)生在噴淋頭120和托盤140之間。然后，通過處理氣體與被等離子體(P) 加速的電子之間的碰撞而產(chǎn)生離子和原子團(tuán)，并且產(chǎn)生的離子和原子團(tuán)進(jìn)入置于托盤140 上的基板130中，由此進(jìn)行蝕刻工藝。在完成蝕刻工藝后，降低基座160，并且卸出由托盤支承構(gòu)件150支承的托盤140。在根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置100中，接地部件162設(shè)置在基座160的下面以便防止從基座160下面發(fā)生放電，因此，通過增加等離子體的密度，可以實(shí)現(xiàn)寬的處理范圍和均勻蝕刻。同時(shí)，當(dāng)制造晶片太陽能電池時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置100可以用于在基板的表面上形成不平整結(jié)構(gòu)(或凹凸圖案)從而最大化太陽光線的吸收。通過由根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置100進(jìn)行的干蝕刻工藝，可以在用于晶片太陽能電池的基板表面上均勻的形成不平整結(jié)構(gòu)，而不需考慮晶體分子的取向方向。因此，根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置100能夠在制造晶片太陽能電池的工藝中使用較薄的基板。另外，在制造半導(dǎo)體器件或平板顯示器時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置100可以用于干蝕刻工藝。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置100包括設(shè)置在基座160下面的接地部件 162，由此可以防止在基座160下面發(fā)生反常放電，因此，通過增加等離子體的密度，可以實(shí)現(xiàn)寬的處理范圍和均勻蝕刻。并且，通過由根據(jù)本發(fā)明的干蝕刻裝置100進(jìn)行的干蝕刻工藝，可以在用于晶片太陽能電池的基板表面上均勻的形成不平整結(jié)構(gòu)，而不需考慮晶體分子的取向方向。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不違背本發(fā)明的宗旨和范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明做各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明意在涵蓋落在后附的權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的本發(fā)明的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種干蝕刻裝置，包括腔室，用于在反應(yīng)室中的基板的蝕刻工藝；基座，設(shè)置在所述腔室內(nèi)以位于所述反應(yīng)室下方，并且所述基座與高頻電能供給設(shè)備電連接；以及接地部件，所述接地部件接地，并且所述接地部件被設(shè)置在所述基座的下方但不與所述基座電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的干蝕刻裝置，進(jìn)一步包括用于向所述腔室的所述反應(yīng)室噴射處理氣體的噴淋頭，其中，在所述反應(yīng)室位于所述噴淋頭和所述基座之間的情況下，所述噴淋頭被布置在所述腔室內(nèi)同時(shí)對(duì)著所述基座。
3.如權(quán)利要求2所述的干蝕刻裝置，其中，所述處理氣體通過添加氯氣、氟化硫氣體、 氟化氮?dú)怏w和溴化氫氣體中的至少一種氣體來形成；或者通過向以上添加氣體中加入氬氣、氧氣、氮?dú)夂秃庵械闹辽僖环N氣體來形成。
4.如權(quán)利要求2或3所述的干蝕刻裝置，其中，所述噴淋頭包括第一擴(kuò)散構(gòu)件，用于使從外部提供的所述處理氣體第一次擴(kuò)散；以及第二擴(kuò)散構(gòu)件，用于對(duì)經(jīng)過第一次擴(kuò)散的處理氣體進(jìn)行第二次擴(kuò)散并且將經(jīng)過第二次擴(kuò)散的處理氣體噴射到反應(yīng)室中。
5.如權(quán)利要求4所述的干蝕刻裝置，其中，所述第一擴(kuò)散構(gòu)件和所述第二擴(kuò)散構(gòu)件中的至少一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)。
6.如權(quán)利要求1所述的干蝕刻裝置，其中，所述接地部件形成為具有中心孔的矩形或圓形平板。
7.如權(quán)利要求1或6所述的干蝕刻裝置，其中，所述接地部件包括網(wǎng)孔部分或以網(wǎng)格布局排列的多個(gè)開口。
8.如權(quán)利要求1所述的干蝕刻裝置，進(jìn)一步包括絕緣部件，所述絕緣部件設(shè)置在所述基座和所述接地部件之間，用于使所述基座的后表面及側(cè)面絕緣。
9.如權(quán)利要求8所述的干蝕刻裝置，其中，所述絕緣部件包括第一絕緣體，對(duì)著所述基座的后部中心部分；以及多個(gè)第二絕緣體，與所述第一絕緣體結(jié)合并且互相交叉，所述多個(gè)第二絕緣體對(duì)著所述基座的側(cè)面和后表面，除了所述基座的所述后部中心部分之外。
10.如權(quán)利要求8所述的干蝕刻裝置，進(jìn)一步包括第一密封構(gòu)件，設(shè)置在所述絕緣部件與所述基座之間；以及第二密封構(gòu)件，設(shè)置在所述絕緣部件與所述接地部件之間。
11.如權(quán)利要求10所述的干蝕刻裝置，其中，所述基座、所述接地部件和所述絕緣部件形成為一體。
12.如權(quán)利要求8所述的干蝕刻裝置，進(jìn)一步包括基座支承構(gòu)件，用于通過升高所述基座和所述接地部件使所述基座與所述基板電連接；電極棒，通過穿過所述基座支承構(gòu)件與所述基座電連接；以及高頻電能供給設(shè)備，用于通過所述電極棒向所述基座提供高頻電能。
13.如權(quán)利要求12所述的干蝕刻裝置，其中，所述基座支承構(gòu)件包括第一支承件，用于通過穿過所述腔室、所述接地部件和所述絕緣部件支撐所述基座的后部；第二支承件，用于通過穿過所述腔室來支撐所述接地部件的后部；以及板，用于支撐所述第一支承件和所述第二支承件。
14.如權(quán)利要求13所述的干蝕刻裝置，進(jìn)一步包括第三密封構(gòu)件，設(shè)置在所述第二支承件的一側(cè)和所述接地部件之間；以及第四密封構(gòu)件，設(shè)置在所述第二支承件的另一側(cè)和所述板之間。
15.如權(quán)利要求1所述的干蝕刻裝置，進(jìn)一步包括托盤，用于支撐所述基板并且通過升高所述基座使所述基座與所述基板電連接；以及托盤支承構(gòu)件，設(shè)置為與所述腔室的兩個(gè)側(cè)壁平行，所述托盤支承構(gòu)件用于支撐所述托盤。
16.如權(quán)利要求15所述的干蝕刻裝置，其中，所述托盤由金屬材料制成，并且多個(gè)基板以固定間隔布置在所述托盤上。
17.一種通過利用在腔室的反應(yīng)室中形成的等離子體蝕刻基板的干蝕刻方法，包括 向設(shè)置在所述腔室的所述反應(yīng)室下方的基座提供高頻電能，并且將設(shè)置在所述基座下方的接地部件接地，從而使所述接地部件不與所述基座電連接；以及通過根據(jù)高頻電能在所述腔室的所述反應(yīng)室中形成所述等離子體來蝕刻所述基板。
18.—種通過利用在腔室的反應(yīng)室中形成的等離子體蝕刻基板的干蝕刻方法，包括 將托盤傳送到所述反應(yīng)室，至少一個(gè)基板裝載在所述托盤上；將設(shè)置在所述腔室內(nèi)以位于所述托盤下方的基座與所述托盤電連接； 向所述基座提供高頻電能，并且將設(shè)置在所述基座下方的接地部件接地，從而使所述接地部件不與所述基座電連接；以及通過根據(jù)高頻電能在所述腔室的所述反應(yīng)室中形成所述等離子體來蝕刻所述基板。
19.如權(quán)利要求17或18所述的干蝕刻方法，進(jìn)一步包括，在所述反應(yīng)室位于所述噴淋頭和所述基座之間的情況下，通過利用噴淋頭將處理氣體噴射到所述基板上，所述噴淋頭被布置在所述腔室內(nèi)以對(duì)著所述基座。
20.如權(quán)利要求19所述的干蝕刻方法，其中，所述處理氣體通過添加氯氣、氟化硫氣體、氟化氮?dú)怏w和溴化氫氣體中的至少一種氣體來形成；或者通過向以上添加氣體中加入氬氣、氧氣、氮?dú)夂秃庵械闹辽僖环N氣體來形成。
21.如權(quán)利要求19所述的干蝕刻方法，其中，將所述處理氣體噴射到所述基板上的過程包括對(duì)從外部提供給所述噴淋頭的所述處理氣體進(jìn)行第一次擴(kuò)散；以及對(duì)經(jīng)過第一次擴(kuò)散的處理氣體進(jìn)行第二次擴(kuò)散，并且將經(jīng)過第二次擴(kuò)散的處理氣體噴射到所述基板上。
22.如權(quán)利要求18所述的干蝕刻方法，其中，通過升高所述基座使所述基座支撐所述托盤進(jìn)而使所述基座和所述托盤的后部電連接，來執(zhí)行使所述基座和所述托盤電連接的過
全文摘要
本發(fā)明公開了一種干蝕刻裝置，其能夠在基板表面上形成均勻的圖案，用于通過利用等離子體蝕刻至少一個(gè)基板的干蝕刻裝置，包括放置于腔室內(nèi)部的托盤上的至少一個(gè)基板；基座，設(shè)置在腔室內(nèi)部同時(shí)對(duì)著至少一個(gè)基板，用于提供高頻電能從而形成等離子體；接地部件，設(shè)置在基座的下面但不與基座接觸；以及，絕緣部件，設(shè)置在基座和接地部件之間。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102290328SQ20111018353
公開日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2009年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月3日
發(fā)明者崔鐘龍 申請(qǐng)人:周星工程股份有限公司