專利名稱：電極包覆用玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在玻璃基板上形成了ITO(摻入了錫的氧化銦)、氧化錫等透明電極或在該透明電極表面的一部分形成了Cr-Cu-Cr電極或Ag電極時(shí)，適用于絕緣包覆這些電極的電極包覆用玻璃。
背景技術(shù)：
等離子顯示裝置(PDP)是具有代表性的大畫(huà)面全彩色顯示裝置。
在PDP的顯示側(cè)基板(前基板)上形成了引發(fā)面放電的多個(gè)顯示電極對(duì)，在背面?zhèn)鹊幕?背基板)上形成了與該顯示電極對(duì)正交的尋址電極、條紋狀障壁及包覆這些電極和障壁的熒光體層。
PDP的驅(qū)動(dòng)如下實(shí)施。即，對(duì)顯示電極對(duì)施加大電壓，復(fù)位，在顯示電極對(duì)的一方的電極和尋址電極間放電，利用該放電產(chǎn)生的壁電荷在顯示電極對(duì)之間施加維持電壓，產(chǎn)生維持放電。
該顯示電極對(duì)作為等離子放電用掃描電極使用，為了維持放電，典型的是在其上形成厚20～30μm的透明的電介質(zhì)層。
前述掃描電極通常由ITO等透明電極及形成于其表面的一部分的Cr-Cu-Cr電極、Ag電極等匯流電極構(gòu)成。
以往，前述透明電介質(zhì)層使用含有PbO的低熔點(diǎn)玻璃，但近年提出了不含PbO的電極包覆用低熔點(diǎn)玻璃(參照日本專利特開(kāi)2004-146357號(hào)公報(bào)及特開(kāi)2001-195989號(hào)公報(bào))。
日本專利特開(kāi)2004-146357號(hào)公報(bào)中，以前述電介質(zhì)層中氣泡不易殘存、且電極近旁無(wú)大氣泡殘存為目的，提出了以質(zhì)量百分率表示含有3～25％的BaO、25～60％的ZnO、15～35％的B2O3、3～30％的SiO2、0.2～6％Li2O及0～1.5％的Al2O3的無(wú)鉛玻璃。
日本專利特開(kāi)2001-195989號(hào)公報(bào)中，以即使大畫(huà)面化·高清晰化耗電量也不會(huì)增加為目的，提出了含有ZnO和10重量％以下的堿金屬氧化物、且低介電常數(shù)的無(wú)鉛玻璃。
發(fā)明的揭示日本專利特開(kāi)2004-146357號(hào)公報(bào)揭示的玻璃是包覆Ag電極時(shí)不易在該電極近旁殘存大氣泡的玻璃，但也是煅燒時(shí)易析出結(jié)晶的玻璃(后述的例44、45的玻璃)。
日本專利特開(kāi)2001-195989號(hào)公報(bào)揭示的前述玻璃的介電常數(shù)和軟化點(diǎn)都低、且不會(huì)引發(fā)由Ag電極導(dǎo)致的電介質(zhì)層黃變，但針對(duì)用于Cr-Cu-Cr電極的包覆時(shí)殘存于電極近旁的氣泡數(shù)變少的預(yù)想而測(cè)定其150℃時(shí)的電阻率(ρ)的結(jié)果卻是，大多數(shù)較小，不足1012Ω·cm，絕緣性并不一定好(后述的例46、48～53的玻璃)。此外，前述玻璃中的ρ在1012Ω·cm以上的玻璃形成為粉末，在該公報(bào)中記載的溫度(575℃)下煅燒的結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)其未軟化流動(dòng)，很難進(jìn)行煅燒(后述的例47的玻璃)。
本發(fā)明的目的是提供能夠解決上述問(wèn)題的電極包覆用玻璃。
本發(fā)明提供電極包覆用玻璃(本發(fā)明的玻璃1)，所述玻璃不含PbO，以基于下述氧化物的摩爾％表示實(shí)質(zhì)上由15～65％的B2O3、2～38％的SiO2、2～30％的MgO、5～45％的MgO+CaO+SrO+BaO、1～15％的Li2O、2～25％的Li2O+Na2O+K2O、0～30％的Al2O3、0～15％的P2O5構(gòu)成，含ZnO時(shí)其含量在15摩爾％以下。
此外，本發(fā)明提供電極包覆用玻璃(本發(fā)明的玻璃2)，所述玻璃不含PbO，以基于下述氧化物的摩爾％表示實(shí)質(zhì)上由25～65％的B2O3、2～38％的SiO2、2～30％的MgO、5～45％的MgO+CaO+SrO+BaO、1～15％的Li2O、2～25％的Li2O+Na2O+K2O、0～30％的Al2O3、0～10％的TiO2、0～15％的ZnO構(gòu)成。
本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)使B2O3-SiO2-RO-R2O系電極包覆用玻璃(RO為堿土類金屬氧化物、R2O為堿金屬氧化物)中的ZnO含量減少或不含ZnO，可有效地解決前述問(wèn)題中的在電極近旁殘存大氣泡的問(wèn)題，從而完成了本發(fā)明。
采用本發(fā)明的電極包覆用玻璃(以下稱為本發(fā)明的玻璃)進(jìn)行PDP前基板的電極包覆，可減少PDP前基板的電極包覆玻璃層(透明電介質(zhì)層)中的大氣泡。特別是如前所述的在透明電介質(zhì)層的一部分表面形成有作為匯流電極的Cr-Cu-Cr電極時(shí)，該效果更明顯。
此外，本發(fā)明的優(yōu)選形態(tài)可提高透明電介質(zhì)層的電絕緣性或者可利用耐水性高的玻璃包覆PDP前基板的電極等。
實(shí)施發(fā)明的最佳方式本發(fā)明的玻璃通常在粉末化后被用于電極包覆。粉末化通常在粉碎玻璃后分級(jí)再實(shí)施。
采用玻璃漿料實(shí)施電極包覆時(shí)，被粉末化的本發(fā)明的玻璃(以下稱為本發(fā)明的玻璃粉末)與載體(vehicle)混煉形成玻璃漿料。將該玻璃漿料涂布于例如形成有透明電極等電極的玻璃基板后進(jìn)行煅燒，形成包覆該透明電極的玻璃層。PDP前基板的制造中，煅燒比較典型的在600℃以下的溫度下進(jìn)行。
采用生片材(green sheet)實(shí)施電極包覆時(shí)，本發(fā)明的玻璃粉末與樹(shù)脂混煉，所得混煉物被涂布于聚乙烯薄膜等支承膜上，形成生片材。該生片材例如被轉(zhuǎn)印至形成于玻璃基板上的電極上后被煅燒，結(jié)果形成包覆該電極的玻璃層。
本發(fā)明的玻璃粉末的質(zhì)量平均粒徑(D50)優(yōu)選0.5μm以上。D50如果不足0.5μm，則實(shí)現(xiàn)粉末化所要的時(shí)間可能會(huì)變得過(guò)長(zhǎng)，更好為0.7μm以上。此外，D50優(yōu)選4μm以下，更好為3μm以下。
本發(fā)明的玻璃粉末的最大粒徑優(yōu)選20μm以下。最大粒徑如果超過(guò)20μm，則用于形成厚度通常要求在30μm以下的PDP的電極包覆玻璃層時(shí)，在該玻璃層的表面會(huì)有凹凸產(chǎn)生，PDP的圖像可能會(huì)出現(xiàn)變形，更好為10μm以下。
本發(fā)明的玻璃在50～350℃下的平均線膨脹系數(shù)(α)優(yōu)選70×10-7～90×10-7/℃，典型的為70×10-7～85×10-7/℃。
本發(fā)明的玻璃的軟化點(diǎn)(Ts)優(yōu)選650℃以下。如果超過(guò)650℃，則在600℃以下的溫度下的煅燒可能很難獲得高透過(guò)率的玻璃層。
更好的是α為70×10-7～90×10-7/℃，且Ts在650℃以下，典型的是α為70×10-7～85×10-7/℃，且Ts在650℃以下。
本發(fā)明的玻璃的頻率1MHz下的介電常數(shù)(ε)優(yōu)選9以下。如果ε超過(guò)9，則驅(qū)動(dòng)電壓或放電維持電壓升高，發(fā)光效率下降或耗電量可能會(huì)因此而增加，更好為8.5以下，特好為8以下。
本發(fā)明的玻璃的150℃下的電阻率(ρ)優(yōu)選1012Ω·cm以上。ρ如果不足1012Ω·cm，則Cr-Cu-Cr電極、Ag電極等作為匯流電極形成于透明電極表面的一部分時(shí)，易發(fā)生Ag、Cu的遷移。
接著，將摩爾％簡(jiǎn)單地以％表示對(duì)本發(fā)明的玻璃的組成進(jìn)行說(shuō)明。首先對(duì)本發(fā)明的玻璃1進(jìn)行說(shuō)明。
B2O3是使玻璃穩(wěn)定化或降低Ts的成分，是必須成分。B2O3如果不足15％，則Ts變得過(guò)高，優(yōu)選20％以上，典型的是26％以上。B2O3如果超過(guò)65％，則玻璃化變得困難，優(yōu)選60％以下，典型的是54％以下。
SiO2是形成玻璃的骨架的成分，是必須成分。SiO2如果不足2％，則不易玻璃化或煅燒時(shí)結(jié)晶易析出，優(yōu)選2.5％以上。SiO2如果超過(guò)38％，則Ts變得過(guò)高。作為優(yōu)選形態(tài)之一，SiO2在30％以下，這種情況下，SiO2更好為25％以下，典型的是22％以下。
MgO是降低α的成分，是必須成分。MgO如果不足2％，則α變大，典型的是5～25％。
CaO、SrO及BaO是降低Ts或α的成分，MgO為5％以上時(shí)，這些成分都不是必須的，MgO不足5％時(shí)，必須含有任意的1種以上。
這3種成分加上MgO的4成分的含量的合計(jì)如果不足5％，則Ts升得過(guò)高，優(yōu)選10％以上。前述合計(jì)如果超過(guò)45％，則難以玻璃化，優(yōu)選40％以下，典型的是33％以下。
含有CaO時(shí)，其含量?jī)?yōu)選20％以下，更好為15％以下，典型的是1～9％。
含有SrO時(shí)，其含量?jī)?yōu)選20％以下，更好為15％以下，典型的是1～6％。
含有BaO時(shí)，其含量?jī)?yōu)選20％以下，更好為15％以下，典型的是1～6％。
優(yōu)選0～20％的CaO、0～20％的SrO、0～20％的BaO。
Li2O是易于玻璃化或降低Ts的成分，是必須成分。Li2O如果不足1％，則難以玻璃化或Ts升高，如果超過(guò)15％，則電絕緣性下降或α變得過(guò)大。Li2O典型的為3～9％。
Na2O及K2O是易于玻璃化或降低Ts的成分，在Li2O達(dá)到2％以上時(shí)它們都不是必須成分，如果Li2O不足2％，則必須含有任意的1種以上。
這2種成分加上Li2O的3成分的含量的合計(jì)如果不足2％，則Ts升得過(guò)高，優(yōu)選5％以上，典型的是8％以上。前述合計(jì)如果超過(guò)25％，則Ts變得過(guò)低或α變得過(guò)大，優(yōu)選20％以下，典型的是17％以下。
含有Na2O時(shí)其含量?jī)?yōu)選15％以下，更好為10％以下，典型的是1～9％。
含有K2O時(shí)其含量?jī)?yōu)選15％以下，更好為10％以下，典型的是1～9％。
優(yōu)選0～15％的Na2O，且0～15％的K2O。
Al2O3不是必須成分，但為了使玻璃穩(wěn)定化等，可在不超過(guò)30％的范圍內(nèi)含有該成分。Al2O3如果超過(guò)30％，則難以玻璃化，或者煅燒時(shí)易析出結(jié)晶，優(yōu)選25％以下。含有Al2O3時(shí)其含量典型的是在1％以上。
P2O5不是必須成分，但在為了提高煅燒而形成的玻璃層表面的平滑性而希望提高玻璃的流動(dòng)性等的情況下，可在不超過(guò)15％的范圍內(nèi)含有該成分，優(yōu)選10％以下，典型的是7％以下。含有P2O5時(shí)其含量典型的是在0.5％以上。
典型的是20～60％的B2O3、5～25％的MgO、10～40％的MgO+CaO+SrO+BaO、5～20％的Li2O+Na2O+K2O、0～25％的Al2O3。
本發(fā)明的玻璃l實(shí)質(zhì)上由上述成分形成，但在不影響本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)也可含有其它成分。這種情況下的上述成分以外的成分的含量的合計(jì)優(yōu)選15％以下，典型的是10％以下，更典型的是5％以下。
作為該成分，可例示TiO2、ZrO2、SnO2、CeO2、CuO、CoO。這些成分通常以調(diào)整α、Ts、化學(xué)耐久性、玻璃層透過(guò)率、玻璃穩(wěn)定性等為目的而添加。
在希望抑制煅燒時(shí)的脫粘合劑不充分、煅燒后的玻璃中殘留碳及玻璃著色現(xiàn)象，以及抑制實(shí)施銀電極包覆時(shí)所產(chǎn)生的銀顯色現(xiàn)象等時(shí)，這些成分中的CeO2、CuO及CoO的含量合計(jì)優(yōu)選5％以下，典型的是在0.9％以下的范圍內(nèi)含有上述成分。
本發(fā)明的玻璃1含有ZnO時(shí)其含量在15％以下。ZnO如果超過(guò)15％，則玻璃層的透過(guò)率下降或者玻璃層中易存在大氣泡，優(yōu)選12％以下，典型的是不足5％，更典型的是2％以下，有時(shí)更好的是不含ZnO。即使在該更好的情況下有時(shí)也會(huì)以雜質(zhì)水平含有ZnO，這種情況下的含量典型的為0.1％以下，更典型的為0.01％以下。
以下，對(duì)本發(fā)明的玻璃2進(jìn)行說(shuō)明。該玻璃適合于希望Ts下降的情況，例如希望Ts降至600℃以下的情況。
B2O3是使玻璃穩(wěn)定化或降低Ts的成分，是必須成分。B2O3如果不足25％，則Ts變得過(guò)高，典型的是35％以上。如果超過(guò)65％，則玻璃化變得困難，典型的是50％以下。
SiO2是形成玻璃的骨架的成分，是必須成分。SiO2如果不足2％，則不易玻璃化或煅燒時(shí)結(jié)晶易析出，優(yōu)選2.5％以上。如果超過(guò)38％，則Ts變得過(guò)高。作為優(yōu)選形態(tài)之一，SiO2在30％以下，這種情況下，SiO2典型的是20％以下。
MgO是降低α的成分，是必須成分。如果不足2％，則α變大，典型的是5～20％。
CaO、SrO及BaO是降低Ts或α的成分，MgO為5％以上時(shí)，這些成分都不是必須的，MgO不足5％時(shí)，必須含有任意的1種以上。
這3種成分加上MgO的4成分的含量的合計(jì)如果不足5％，則Ts升得過(guò)高，優(yōu)選10％以上。前述合計(jì)如果超過(guò)45％，則難以玻璃化，典型的是30％以下。
含有CaO時(shí)，其含量典型的是10％以下。
含有SrO時(shí)，其含量典型的是5％以下。
含有BaO時(shí)，其含量典型的是5％以下。
典型的是0～10％的CaO、O～5％的SrO、0～5％的BaO。
Li2O是易于玻璃化或降低Ts的成分，是必須成分。Li2O如果不足1％，則難以玻璃化或Ts升高，如果超過(guò)15％，則電絕緣性下降或α變得過(guò)大。Li2O典型的為3～9％。
Na2O及K2O是易于玻璃化或降低Ts的成分，在Li2O達(dá)到2％以上時(shí)它們都不是必須成分，如果Li2O不足2％，則必須含有任意的1種以上。
這2種成分加上Li2O的3成分的含量的合計(jì)如果不足2％，則Ts升得過(guò)高，優(yōu)選5％以上。前述合計(jì)如果超過(guò)25％，則Ts變得過(guò)低或α或ε變得過(guò)大，優(yōu)選20％以下。
含有Na2O時(shí)其含量?jī)?yōu)選15％以下，更好為10％以下，典型的是l～9％。
含有K2O時(shí)其含量?jī)?yōu)選15％以下，更好為10％以下，典型的是1～9％。
優(yōu)選0～15％的Na2O，且0～15％的K2O。
Al2O3不是必須成分，但為了使玻璃穩(wěn)定化等，可在不超過(guò)30％的范圍內(nèi)含有該成分。Al2O3如果超過(guò)30％，則反而難以玻璃化，或者煅燒時(shí)易析出結(jié)晶，典型的是15％以下。含有Al2O3時(shí)其含量典型的是在1％以上。
TiO2不是必須成分，但在希望調(diào)整α的情況下，可在不超過(guò)10％的范圍內(nèi)含有該成分，典型的是7％以下。含有TiO2時(shí)其含量典型的是在1％以上。
ZnO不是必須成分，但是降低Ts的成分，可在不超過(guò)15％的范圍內(nèi)含有該成分。ZnO如果超過(guò)15％，則前述大氣泡容易產(chǎn)生或ε變大，優(yōu)選12％以下。
典型的是35～50％的B2O3、2～20％的SiO2、5～20％的MgO、5～30％的MgO+CaO+SrO+BaO、5～20％的Li2O+Na2O+K2O、0～15％的Al2O3、0～12％的ZnO。
本發(fā)明的玻璃2實(shí)質(zhì)上由上述成分形成，但在不影響本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)也可含有其它成分。這種情況下的上述成分以外的成分的含量合計(jì)典型的是10％以下，更典型的是5％以下。
作為該成分，可例示ZrO2、SnO2、P2O5、CeO2、CuO、CoO。這些成分通常以調(diào)整α、Ts、化學(xué)耐久性、玻璃層透過(guò)率、玻璃穩(wěn)定性、玻璃的流動(dòng)性等為目的而添加。
在希望抑制煅燒時(shí)的脫粘合劑不充分、煅燒后的玻璃中殘留碳及玻璃著色現(xiàn)象，以及抑制實(shí)施銀電極包覆時(shí)所產(chǎn)生的銀顯色現(xiàn)象等時(shí)，這些成分中的CeO2、CuO及CoO的含量合計(jì)在5％以下，典型的是在0.9％以下的范圍內(nèi)含有上述成分。
希望提高耐水性時(shí)，本發(fā)明的玻璃1及玻璃2優(yōu)選以摩爾％表示的36～44％的B2O3、17～24％的SiO2、5～15％的MgO、5～20％的Li2O+K2O、6～14％的Al2O3、0～12％的ZnO的組成，或者28～39％的B2O3、23～38％的SiO2、5～15％的MgO、5～20％的Li2O+K2O、0～4％的Al2O3、23～38％的SiO2+Al2O3、0～12％的ZnO的組成。
本發(fā)明的玻璃1及玻璃2不含PbO，最好也不含Bi2O3。
實(shí)施例調(diào)合并混合原料，形成表中的B2O3至ZnO或CeO2欄中以摩爾％表示的組成。采用鉑坩堝，對(duì)例1～15、32、37、38、41～45的原料在1250～1350℃的溫度下加熱使其熔融60分鐘，對(duì)例16～31、39、40的原料在1150～1350℃的溫度下加熱使其熔融60分鐘，對(duì)例33的原料在1350℃的溫度下加熱使其熔融60分鐘，對(duì)例34～36、46～53的原料在1250℃的溫度下加熱使其熔融60分鐘。例1～36為實(shí)施例，例37～53為比較例。例44、45分別相當(dāng)于日本專利特開(kāi)2004-146357號(hào)公報(bào)的實(shí)施例2、10，例46～53分別相當(dāng)于日本專利特開(kāi)2001-195989號(hào)公報(bào)的表5的No.31～38。此外，表中的RO表示MgO+CaO+SrO+BaO，R2O表示Li2O+Na2O+K2O。
將所得熔融玻璃的一部分流入不銹鋼制型箱內(nèi)，使其慢慢冷卻。將慢慢冷卻了的玻璃加工成長(zhǎng)20mm、直徑5mm的圓柱狀，將此為試樣，采用ブルカ-エイエックスエス公司制水平差示檢測(cè)方式熱膨脹計(jì)(TD5010SA-N)，測(cè)定前述α。結(jié)果示于表中(單位10-7/℃)。
將前述熔融玻璃的余下的一部分流入不銹鋼制型箱內(nèi)，使其慢慢冷卻。將慢慢冷卻了的玻璃加工成直徑40mm、厚3mm的圓盤(pán)狀，在其兩面蒸鍍作為電極的鋁，形成試樣，采用橫河ヒュ-レットパッカ-ド公司制LCR測(cè)定器4192A，通過(guò)電極接觸法測(cè)定前述ε。結(jié)果示于表中。
將殘留的熔融玻璃流入不銹鋼制輥中，使其薄片化。用氧化鋁制球磨機(jī)對(duì)所得玻璃薄片進(jìn)行16小時(shí)的干式粉碎后實(shí)施氣流分級(jí)，制得D50為2～4μm的玻璃粉末。
將該玻璃粉末作為試樣，采用差示熱分析裝置(DTA)測(cè)定前述Ts，結(jié)果示于表中(單位℃)。此外，例47相當(dāng)于日本專利特開(kāi)2001-195989號(hào)公報(bào)的表5的No.32，在575℃進(jìn)行了煅燒，將玻璃粉末同樣在575℃進(jìn)行了煅燒，但完全未燒結(jié)。
混煉100g例1～40、42～45的前述玻璃粉末和25g在α-萜品醇等中溶解了10質(zhì)量％的乙基纖維素所得的有機(jī)載體，制成漿料(玻璃漿料)，在大小為50mm×75mm、厚為2.8mm的鈉鈣玻璃基板(α87×10-7/℃)上通過(guò)絲網(wǎng)印刷均一地涂布該漿料，使煅燒后的膜厚達(dá)到30μm，于120℃干燥10分鐘。然后，以每分鐘10℃的升溫速度將例16～36的玻璃基板加熱至570℃，將例1～15、37～40、42～45的玻璃基板加熱至600℃，在該溫度下保持30分鐘～45分鐘進(jìn)行煅燒，在玻璃基板上形成玻璃層。
測(cè)定該帶玻璃層的玻璃基板對(duì)標(biāo)準(zhǔn)C光源的可見(jiàn)光透射率(Tv)。結(jié)果示于表中(單位％)，Tv優(yōu)選75％以上，更好為80％以上。
用光學(xué)顯微鏡(倍率100)觀察該帶玻璃層的玻璃基板的玻璃層，觀察有無(wú)結(jié)晶析出。結(jié)果示于表中的析出結(jié)晶欄，確認(rèn)有析出結(jié)晶的試樣很難作為PDP前基板的透明電介質(zhì)層使用。
此外，在大小為25mm×50mm、厚為2.8mm、在其一面由ITO形成的透明電極和由Cr-Cu-Cr形成的金屬電極形成了線狀圖形的玻璃基板上涂布例1～40、42的前述漿料，再以每分鐘10℃的升溫速度將例16～36的玻璃基板加熱至570℃，將例1～15、37～40、42的玻璃基板加熱至600℃，在該溫度下保持15分鐘～30分鐘進(jìn)行煅燒，形成電極包覆玻璃層。用光學(xué)顯微鏡(倍率20)觀察該玻璃層的25mm×25mm的范圍內(nèi)的電極近旁存在的直徑20μm以上的氣泡的個(gè)數(shù)，并進(jìn)行計(jì)數(shù)。結(jié)果示于表中的氣泡數(shù)欄(單位個(gè))，氣泡數(shù)優(yōu)選4個(gè)以下，更好為3個(gè)以下。
各玻璃的ρ如下測(cè)定。即，將熔融玻璃流入不銹鋼制型箱內(nèi)，進(jìn)行熱處理消除形變后，加工成直徑40mm、厚3mm的形態(tài)，在其兩面蒸鍍作為電極的鋁，形成試樣，再用アドバンテスト公司制數(shù)字超高電阻/微小電力計(jì)(R8340A)測(cè)定100V、150℃下的體積電阻率。ρ(單位Ω·cm)的常用對(duì)數(shù)示于表中的logρ欄，例1、5、6、10、13～15、23、25、30的logρ為推定值。
此外，對(duì)例33～36的玻璃進(jìn)行如下的耐水性試驗(yàn)。即，將熔融玻璃流入不銹鋼制型箱內(nèi)，進(jìn)行熱處理消除變形后，加工成直徑5mm、長(zhǎng)50mm的形態(tài)，將其在80℃的水中浸漬24小時(shí)，測(cè)定浸漬前后的重量，用重量差值除以浸漬前的重量求得重量減少率Rw(單位％)。結(jié)果示于表中。作為提高耐水性的優(yōu)選形態(tài)的例35、36的玻璃的Rw在1.0％以下，顯現(xiàn)出高耐水性。
表中的“-”表示未進(jìn)行測(cè)定。








產(chǎn)業(yè)上利用的可能性可作為包覆PDP的透明電極等的玻璃使用?？色@得前基板的透明電極近旁不存在或較少存在大氣泡的PDP。
這里，引用了2004年12月21日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2004-369295號(hào)、2005年2月25日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2005-50983號(hào)的說(shuō)明書(shū)、2005年6月28日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2005-188261號(hào)的說(shuō)明書(shū)及2005年8月25日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2005-244333號(hào)的說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)、附圖
及摘要的全部?jī)?nèi)容作為本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)的揭示。
權(quán)利要求
1.一種電極包覆用玻璃，其特征在于，不含PbO，以基于下述氧化物的摩爾％表示實(shí)質(zhì)上由15～65％的B2O3、2～38％的SiO2、2～30％的MgO、5～45％的MgO+CaO+SrO+BaO、1～15％的Li2O、2～25％的Li2O+Na2O+K2O、0～30％的Al2O3、0～15％的P2O5構(gòu)成，含ZnO時(shí)其含量在15摩爾％以下。
2.如權(quán)利要求1所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，含ZnO時(shí)其含量不足5摩爾％。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，CaO為0～20摩爾％，SrO為0～20摩爾％，BaO為0～20摩爾％。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，B2O3為20～60摩爾％、MgO為5～25摩爾％、MgO+CaO+SrO+BaO為10～40摩爾％、Li2O+Na2O+K2O為5～20摩爾％、Al2O3為0～25摩爾％。
5.一種電極包覆用玻璃，其特征在于，不含PbO，以基于下述氧化物的摩爾％表示實(shí)質(zhì)上由25～65％的B2O3、2～38％的SiO2、2～30％的MgO、5～45％的MgO+CaO+SrO+BaO、1～15％的Li2O、2～25％的Li2O+Na2O+K2O、0～30％的Al2O3、0～10％的TiO2、0～15％的ZnO構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，SiO2為30摩爾％以下。
7.如權(quán)利要求5所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，B2O3為35～50摩爾％、SiO2為2～20摩爾％、MgO為5～20摩爾％、MgO+CaO+SrO+BaO為5～30摩爾％、Li2O+Na2O+K2O為5～20摩爾％、Al2O3為0～15摩爾％、ZnO為0～12摩爾％。
8.如權(quán)利要求7所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，CaO為0～10摩爾％，SrO為0～5摩爾％，BaO為0～5摩爾％。
9.如權(quán)利要求1、3、4或5中任一項(xiàng)所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，B2O3為36～44摩爾％、SiO2為17～24摩爾％、MgO為5～15摩爾％、Li2O+K2O為5～20摩爾％、Al2O3為6～14摩爾％、ZnO為0～12摩爾％。
10.如權(quán)利要求1、3、4或5中任一項(xiàng)所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，B2O3為28～39摩爾％、SiO2為23～38摩爾％、MgO為5～15摩爾％、Li2O+K2O為5～20摩爾％、Al2O3為0～4摩爾％、SiO2+Al2O3為23～38摩爾％、ZnO為0～12摩爾％。
11.如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，Na2O為0～15摩爾％，K2O為0～15摩爾％。
12.如權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，不含Bi2O3。
13.如權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，不含ZnO。
14.如權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，50～350℃下的平均線膨脹系數(shù)為70×10-7～90×10-7/℃，軟化點(diǎn)在650℃以下。
15.如權(quán)利要求1～14中任一項(xiàng)所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，頻率1MHz下的介電常數(shù)在9以下。
16.如權(quán)利要求1～15中任一項(xiàng)所述的電極包覆用玻璃，其特征在于，150℃下的電阻率在1012Ω·cm以上。
全文摘要
電極包覆用無(wú)鉛玻璃，以摩爾％表示由15～65％的B
文檔編號(hào)C03C8/04GK1993297SQ20058002574
公開(kāi)日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2005年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月21日
發(fā)明者小野田仁, 五島悠, 青木由美子 申請(qǐng)人:旭硝子株式會(huì)社