專利名稱：減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光纖用玻璃母材及其制造方法，特別是涉及一種減少羥基(OH)引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法。
背景技術(shù)：
在使用光纖的通訊中，由于可以使用廉價(jià)的半導(dǎo)體激光，故主要利用1300nm附近或1550nm附近的波長(zhǎng)。但是，最近伴隨光波分復(fù)用(WDM)通訊技術(shù)的進(jìn)步，為了增加傳送容量，產(chǎn)生了利用從1300nm到1600nm的寬波長(zhǎng)帶域的必要。
請(qǐng)參閱圖1所示，通常的單模式(Single Mode)光纖的傳輸損失與波長(zhǎng)的關(guān)系。
請(qǐng)參閱圖1所示，通常的單模式光纖的傳輸損失，在1385nm附近急劇地增加。傳輸損失增加時(shí)，不能進(jìn)行使用1385nm附近的光的傳輸，并且在CWDM(Coarse-WDM)等中可利用的通道(Channel)數(shù)減少，從而使總的傳輸容量下降。為了長(zhǎng)距離傳輸光信號(hào)，必須增設(shè)使光中繼增幅的中繼站，因此，存在著通訊系統(tǒng)總成本增加之類的不合適的問題。
因此，有必要抑制波長(zhǎng)1385nm附近的傳輸損失急劇地增加。波長(zhǎng)1385nm附近的傳輸損失的急劇地增加，是由于光纖中含有的OH基的吸收所致，這是由于OH基振動(dòng)，吸收光而發(fā)生的。為了縮小因這樣的OH基產(chǎn)生的吸收峰，有必要在作為光纖母材的玻璃母材階段，就減少OH基的量。
另外，從圖1中的波長(zhǎng)1385nm附近的傳輸損失的峰值，與用傳輸損失緩慢減少時(shí)的虛線表示的曲線的波長(zhǎng)1385nm附近的傳輸損失的值之差，得到OH基吸收峰的值。而且，在圖1中的OH吸收峰的值約為0.1dB/km。
對(duì)于提供減少OH基的單模式纖維用玻璃母材的方法，可以舉出采用外包層法的專利第3301602號(hào)。該方法，是在將含芯的玻璃條調(diào)節(jié)到規(guī)定直徑的拉伸操作中，為了不使玻璃條被OH基污染，或用等離子體火焰，或在火焰下進(jìn)行拉伸后除去被污染層，減少OH基。
然而，通常，在光纖用玻璃母材的制造工序中，使用等離子體火焰的方法不是一般的方法，而使用氫氧焰的方法才是廣泛采用的方法。但是采用由氫氧焰的拉伸方法時(shí)，必要的除去OH基污染層的工序，是通常的單模式光纖制造中不需要的工序，因此使得成本上升。
另外，罩套中空?qǐng)A筒管的方法是眾所周知的。該方法，是在含芯的玻璃條上直接堆積玻璃微粒并進(jìn)行脫水/透明玻璃化的方法。與OVD法或軸向VAD法相比，成本高。其理由是，中空?qǐng)A筒管本身要用OVD法或軸向VAD法來制作，還必須進(jìn)行其后的形狀加工和表面加工。
由此可見，上述現(xiàn)有的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法在結(jié)構(gòu)、方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法存在的缺陷，而提供一種新的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法，所要解決的技術(shù)問題是使其低成本，以及OH基少而減少了吸收，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材的制造方法，其特征在于其包括制作具有芯部和包層的一部分的芯棒，在該芯棒的外周堆積玻璃微粒形成追加包層，然后將得到的多孔質(zhì)母材進(jìn)行焙燒·透明玻璃化處理的光纖用玻璃母材的制造方法，其特征在于，將該光纖用玻璃母材進(jìn)行拉絲得到的光纖，在令上述芯棒相當(dāng)部的外徑為a，令波長(zhǎng)1385nm處的模態(tài)場(chǎng)徑(Mold Field Diameter)為m時(shí)，其比滿足3.75≤a/m≤6的關(guān)系地制作上述芯棒。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材的制造方法，其中所述的芯棒是采用VAD(軸向氣相沉積)、OVD(外氣相沉積)、MCVD(改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積)、PCVD(等離子化學(xué)氣相沉積)中的任一種方法制造的。
前述的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材的制造方法，其中所述的芯棒至少其外徑的90％以內(nèi)的部分內(nèi)，平均含OH的濃度為1ppb以下。
前述的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材的制造方法，其中所述的追加包層至少其內(nèi)徑的150％以內(nèi)的部分內(nèi)，平均含OH的濃度為50ppm以下。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材，其特征在于其是用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的制造方法制造的。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種光纖，其特征在于其是將權(quán)利要求5所述的光纖用玻璃母材加熱·拉絲得到的。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的光纖，其中所述的其在波長(zhǎng)1385nm附近的光纖的傳輸損失光譜中，起因于OH基的吸收損失的貢獻(xiàn)份是0.04dB/km以下。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材的制造方法，該方法是包括制作具有芯部和包層的一部分的芯棒，在該芯棒的外周堆積玻璃微粒形成追加包層，然后將得到的多孔質(zhì)母材進(jìn)行焙燒·透明玻璃化處理的光纖用玻璃母材的制造方法，其特征在于，將該光纖用玻璃母材進(jìn)行拉絲得到的光纖，在令上述芯棒相當(dāng)部的外徑為a，令波長(zhǎng)1385nm處的模態(tài)場(chǎng)徑(Mode Field Diameter)為m時(shí)，其比滿足3.75≤a/m≤6的關(guān)系地制作上述芯棒。
芯棒，可以使用采用VAD(軸向氣相沉積)、OVD(外氣相沉積)、MCVD(改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積)、PCVD(等離子化學(xué)氣相沉積)中的任何一種方法制作的，且在至少其外徑的90％以內(nèi)的部分，平均含OH的濃度為1ppb以下。另外，追加包層，在至少其內(nèi)徑的150％以內(nèi)的部分，平均含OH的濃度達(dá)到50ppm以下。
本發(fā)明的光纖用玻璃母材，是采用上述制造方法制造的。光纖，是將該玻璃母材進(jìn)行加熱·拉絲得到的，在該光纖的傳輸損失光譜中，波長(zhǎng)1385nm附近的OH基引起的吸收損失的貢獻(xiàn)份是0.04dB/km以下。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是關(guān)于一種減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法，其提供一種成本低，且OH基少而減少了吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法。該方法是包括制作具有芯部和包層的一部分的芯棒，在該芯棒的外周堆積玻璃微粒形成追加包層，然后將得到的多孔質(zhì)母材進(jìn)行焙燒·透明玻璃化處理的光纖用玻璃母材的制造方法，其特征在于，將該光纖用玻璃母材進(jìn)行拉絲得到的光纖，在令上述芯棒相當(dāng)部的外徑為a，令波長(zhǎng)1385nm處的模態(tài)場(chǎng)徑為m時(shí)，其比滿足3.75≤a/m≤6的關(guān)系地制作上述芯棒。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)不需要除去被污染層的工序，所以能夠以更簡(jiǎn)易的工序，且廉價(jià)地制造OH吸收峰小的光纖。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法，使其低成本，以及OH基少而減少了吸收，從而更加適于實(shí)用。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品及制造方法中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及方法公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。
本發(fā)明的具體結(jié)構(gòu)及其制造方法由以下實(shí)施例及附圖詳細(xì)給出。


圖1是示出以往的光纖的傳輸損失特性的圖。
圖2是示出本發(fā)明的光纖的放大斷面圖。
圖3是示出本發(fā)明的光纖用玻璃母材的制造工序的一例的工序說明圖。
圖4是示出OH吸收峰的高度與a/m的關(guān)系圖。
圖5是示出本發(fā)明的光纖的傳輸損失特性的圖。
1芯棒相當(dāng)部 2模態(tài)場(chǎng)徑3芯徑 4光纖徑5芯用燃燒器 6包層用燃燒器7玻璃微粒流 8芯棒用多孔質(zhì)母材9加熱爐 10芯棒11玻璃轉(zhuǎn)盤12拉伸的芯棒13玻璃微粒流 14多孔質(zhì)玻璃層15光纖用多孔質(zhì)母材16加熱爐17光纖用玻璃母材具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、制造方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
本發(fā)明的第一方案涉及的是光纖用玻璃母材的制造方法，該方法是為得到降低在波長(zhǎng)1385nm處的、起因于光纖中的OH基的傳輸損失的光纖而使用的光纖用玻璃母材的制造方法，并且是將該玻璃母材進(jìn)行拉絲得到的光纖，在令上述芯棒相當(dāng)部分的外徑為a，令波長(zhǎng)1385nm處的模態(tài)場(chǎng)徑為m時(shí)，以其比滿足3.75≤a/m≤6的關(guān)系的方式制作芯棒，而且，在該芯棒的外周形成追加包層，并進(jìn)行焙燒·透明玻璃化處理而制造光纖用玻璃母材的方法。
本發(fā)明的光纖用玻璃母材，是經(jīng)過以下各步驟制造的，例如，按照滿足上述3.75≤a/m≤6關(guān)系的條件，準(zhǔn)備具有芯部和包層部的一部分的芯棒的步驟；將該芯棒用火焰加熱拉伸到規(guī)定的直徑的步驟；在拉伸的芯棒外周，將玻璃原料進(jìn)行火焰水解合成的玻璃微粒進(jìn)行堆積，賦予成為多孔質(zhì)母材的追加包層的步驟；以及將該多孔質(zhì)母材在含氯氣氣氛中，在900～1250℃下進(jìn)行脫水處理的步驟；進(jìn)一步在以氦氣作為主要成分的氣氛中，在1400℃以上的溫度下進(jìn)行透明玻璃化處理的步驟。光纖，是將該玻璃母材拉絲得到的。
在圖2中用模擬圖示出將本發(fā)明的光纖用玻璃母材拉絲得到的光纖的斷面。
芯和包層的一部分構(gòu)成的芯棒相當(dāng)部1內(nèi)有芯，在波長(zhǎng)1385nm處的模態(tài)場(chǎng)徑2，比芯徑3更寬。從模態(tài)場(chǎng)徑2往外側(cè)的區(qū)域也存在光能量，并向外側(cè)呈現(xiàn)指數(shù)函數(shù)的減少。在芯棒相當(dāng)部1的表面附近，通過用火焰拉伸該芯棒而導(dǎo)致的OH基，以數(shù)ppm～數(shù)十ppm的濃度存在，但是當(dāng)使該區(qū)域充分離開模態(tài)場(chǎng)徑2時(shí)，可以抑制OH吸收峰，則不需要去除OH基引起的被污染層。另外，符號(hào)4是光纖直徑。
芯棒，可以用VAD、OVD、MCVD、PCVD中的任何一種方法制造。其中，特別是VAD法是容易減少OH基含量的方法，這是因?yàn)?，在芯棒中央部從制造開始直至結(jié)束，不存在孔穴的緣故。其他的方法都在芯棒中央部存在孔穴，所以為要減少OH基含量必須格外地注意。
另外，芯棒的平均含OH的濃度，在芯棒的至少外徑的90％以內(nèi)的部分達(dá)到1ppb以下。在使用VAD法制造芯棒用多孔質(zhì)母材，并且非常注意地對(duì)得到的多孔質(zhì)母材進(jìn)行脫水處理時(shí)，則較容易地達(dá)到該濃度。
另外，對(duì)于芯棒可以附加追加包層，而追加包層的平均含OH的濃度，在追加包層的至少內(nèi)徑的150％以內(nèi)的部分達(dá)到50ppm以下。如果采用上述的方法，即將玻璃微粒堆積在芯棒的外周后，進(jìn)行脫水/透明玻璃化的方法，就容易達(dá)到這樣的濃度。
請(qǐng)參閱圖3所示本發(fā)明的OH基含量少的光纖用玻璃母材的制造工序的一例，且是由VAD法制造芯棒時(shí)的工序說明圖。
將玻璃微粒原料、氧和氫供給芯用燃燒器5和包層用燃燒器6，形成玻璃微粒流7，制造芯棒用多孔質(zhì)母材8。而且，還將調(diào)節(jié)折射率用的摻雜劑同時(shí)流入芯用燃燒器5中，形成折射率高的部分。
此時(shí)，將該芯棒用多孔質(zhì)母材8脫水·玻璃化得到的芯棒10的外徑和芯徑，可以通過將使用其制造的玻璃母材拉絲得到的光纖，按照該芯棒相當(dāng)部的外徑a和1385nm處的模態(tài)場(chǎng)徑為m之比滿足3.75≤a/m≤6的關(guān)系的方式，制造出來。
在圖3中，只示出1個(gè)包層用燃燒器6，但是為了給予必要的包層量，也可以使用多個(gè)。而對(duì)于芯用燃燒器5，為得到通常的突變指數(shù)型以外的，階梯型或段節(jié)型等復(fù)雜的外形也有使用多個(gè)的情況。
將如此得到的芯棒用多孔質(zhì)母材8，從加熱爐9內(nèi)部通過，并在含氯氣氣氛中，于900～1250℃下進(jìn)行脫水處理，除去芯棒用多孔質(zhì)母材中的OH基。將脫水處理完了的芯棒用多孔質(zhì)母材，進(jìn)一步在以氦氣作為主要成分的氣氛中，加熱到1400℃以上的溫度下進(jìn)行玻璃化，由此得到透明的芯棒10。在以氦氣作為主要成分的含氯氣氣氛中，于1400℃以上進(jìn)行處理時(shí)，可以同時(shí)進(jìn)行該脫水工序和透明玻璃化工序。
將芯棒10安裝在玻璃轉(zhuǎn)盤11上，用火焰加熱直至拉伸到規(guī)定的直徑，得到調(diào)節(jié)了外徑的芯棒12。
然后，將火焰水解玻璃原料生成的玻璃微粒流13吹送到該芯棒12的外周，堆積多孔質(zhì)玻璃層14。該操作反復(fù)進(jìn)行直到堆積成必要量的包層，得到光纖用多孔質(zhì)母材15。
得到的多孔質(zhì)母材15從加熱爐16內(nèi)部通過，并在含氯氣氣氛中，于900～1250℃下進(jìn)行脫水處理，除去多孔質(zhì)母材中的OH基。將脫水處理完了的多孔質(zhì)母材15，在以氦氣作為主要成分的氣氛中，加熱到1400℃以上的溫度下進(jìn)行玻璃化，由此得到透明的光纖用玻璃母材17。在以氦氣作為主要成分的含氯氣氣氛中，于1400℃以上進(jìn)行處理時(shí)，可以同時(shí)進(jìn)行該脫水工序和透明玻璃化工序。
將該光纖用玻璃母材，使用通常的拉絲裝置進(jìn)行拉絲時(shí)，可以得到波長(zhǎng)1385nm附近的OH吸收峰小的光纖。
采用上述方法，制作出外徑125μm、波長(zhǎng)1385nm處的模態(tài)場(chǎng)徑9.6μm的，光纖中的芯棒相當(dāng)部的外徑不同的5種突變指數(shù)型(Step Index)單模式纖維，評(píng)價(jià)其傳輸損失的結(jié)果示于表1和圖4，纖維(Fiber)ID No.3的傳輸損失光譜示于圖5。
表1

如從這些結(jié)果表明的那樣，為要將OH吸收峰抑制在0.04dB/km以下，就必須使a/m≥3.75。a/m成為6.0時(shí)OH吸收峰的高度達(dá)到檢出極限。從制造成本方面看時(shí)，包層賦予工序的價(jià)格比芯制造工序便宜，所以優(yōu)選a/m小者，另外，使a/m＞6時(shí)對(duì)于成本效能比是不利的，所以優(yōu)選的范圍是3.75≤a/m≤6。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材的制造方法，其特征在于其包括制作具有芯部和包層的一部分的芯棒，在該芯棒的外周堆積玻璃微粒形成追加包層，然后將得到的多孔質(zhì)母材進(jìn)行焙燒·透明玻璃化處理的光纖用玻璃母材的制造方法，其特征在于，將該光纖用玻璃母材進(jìn)行拉絲得到的光纖，在令上述芯棒相當(dāng)部的外徑為a，令波長(zhǎng)1385nm處的模態(tài)場(chǎng)徑(Mold Field Diameter)為m時(shí)，其比滿足3.75≤a/m≤6的關(guān)系地制作上述芯棒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材的制造方法，其特征在于其中所述的芯棒是采用VAD(軸向氣相沉積)、OVD(外氣相沉積)、MCVD(改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積)、PCVD(等離子化學(xué)氣相沉積)中的任一種方法制造的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材的制造方法，其特征在于其中所述的芯棒的至少其外徑的90％以內(nèi)的部分內(nèi)，平均含OH的濃度為1ppb以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材的制造方法，其特征在于其中所述的追加包層的至少其內(nèi)徑的150％以內(nèi)的部分內(nèi)，平均含OH的濃度為50ppm以下。
5.一種減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材，其特征在于其是用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的制造方法制造的。
6.一種光纖，其特征在于其是將權(quán)利要求5所述的光纖用玻璃母材加熱·拉絲得到的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖，其特征在于其在波長(zhǎng)1385nm附近的光纖的傳輸損失光譜中，起因于OH基的吸收損失的貢獻(xiàn)份是0.04dB/km以下。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種減少羥基引起的吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法，其提供一種成本低，且OH基少而減少了吸收的光纖用玻璃母材及其制造方法。該方法是包括制作具有芯部和包層的一部分的芯棒，在該芯棒的外周堆積玻璃微粒形成追加包層，然后將得到的多孔質(zhì)母材進(jìn)行焙燒·透明玻璃化處理的光纖用玻璃母材的制造方法，其特征在于，將該光纖用玻璃母材進(jìn)行拉絲得到的光纖，在令上述芯棒相當(dāng)部的外徑為a，令波長(zhǎng)1385nm處的模態(tài)場(chǎng)徑為m時(shí)，其比滿足3.75≤a/m≤6的關(guān)系地制作上述芯棒。
文檔編號(hào)C03B37/018GK1541962SQ20041003100
公開日2004年11月3日 申請(qǐng)日期2004年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月8日
發(fā)明者乙坂哲也, 井上大, 小山田浩, 平?jīng)g秀夫, 夫, 浩 申請(qǐng)人:信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社