專利名稱：金屬薄膜的除去方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如通過蒸鍍或電鍍形成的金屬薄膜不能滿足質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)時，將該金屬薄膜從基板除去的方法及實施該方法的裝置。
背景技術(shù)：
具有優(yōu)良的光學(xué)性能(透過率等)及機(jī)械性能(平坦度等)的高性能玻璃基板可用于諸如平面顯示器等。但由于其價格昂貴，因此當(dāng)其表面上形成的金屬薄膜不能夠滿足質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)時，希望將該金屬薄膜除去，而玻璃基板則可再加以利用。
除去該金屬薄膜的方法有化學(xué)浸蝕除去法。如

圖18所示，該方法是將需除去形成于其表面的金屬薄膜的基板2浸漬于化學(xué)溶液1中，使金屬薄膜通過化學(xué)反應(yīng)溶解于該化學(xué)溶液中(例如，參照日本專利特開平6-321581號、日本專利特開平9-86968號)。
但是，由于化學(xué)浸蝕除去法要使用強(qiáng)酸及強(qiáng)堿等化學(xué)溶液，因此存在以下問題1)使用時必須十分注意，操作性差，2)對裝置必須進(jìn)行耐腐蝕性處理，成本高，3)化學(xué)溶液基本上是使用后即廢棄，由此產(chǎn)生大量的廢液。
4)使用后，化學(xué)廢液的處理困難。
本發(fā)明是鑒于上述技術(shù)問題而完成的發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供不使用強(qiáng)酸及強(qiáng)堿等化學(xué)溶液、且不需要精確的位置控制、能基本上以非接觸狀態(tài)有效地除去金屬薄膜的方法及實施該方法的裝置。
發(fā)明的揭示本發(fā)明的第1金屬薄膜的除去方法是使用由傾斜設(shè)置的、引導(dǎo)電解流的流下的金屬平板電極、安裝在該金屬平板電極的上游或下游側(cè)且一部分應(yīng)浸入電解液中的輔助電極、施加于上述兩電極的直流電壓電源構(gòu)成的本發(fā)明的第1金屬薄膜的除去裝置，在對上述金屬平板電極與輔助電極施加直流電壓的狀態(tài)下，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產(chǎn)生碰撞，將金屬薄膜除去。
并且，該第1發(fā)明未使用強(qiáng)酸及強(qiáng)堿這樣的化學(xué)溶液，不需要控制噴嘴電極相對于絕緣物表面的金屬薄膜的精確位置，由于是非接觸狀態(tài)，所以不會對絕緣物造成損傷，能高效地除去金屬薄膜。
本發(fā)明的第2金屬薄膜的除去方法使用必須經(jīng)過上述本發(fā)明的第1金屬薄膜的除去裝置的上述金屬平板電極與輔助電極之間、在該兩電極的下方安裝底面電極，對該底面電極也必須由直流電壓電源施加上述輔助電極和上述金屬平板電極的直流電壓而構(gòu)成的本發(fā)明的第2金屬薄膜的除去裝置；在上述的本發(fā)明的第1金屬薄膜的除去方法中，以對配置于上述絕緣物的內(nèi)面?zhèn)鹊牡酌骐姌O也施加了直流電壓的狀態(tài)，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產(chǎn)生碰撞，將金屬薄膜除去。
這樣的話，比第1發(fā)明更有助于效果的發(fā)揮。
在上述的第1或第2發(fā)明中，設(shè)置至少使浸漬于電解液的絕緣物或金屬平板電極的任一方相對于另一方移動的移動裝置，如果使上述絕緣物與金屬平板電極能在相對移動的同時除去金屬薄膜的話，那么就能除去更大范圍的金屬薄膜。
本發(fā)明的第3金屬薄膜的除去方法是使用上述第1或第2發(fā)明中，在上述金屬平板電極的絕緣物的進(jìn)入側(cè)設(shè)置了電解液的侵入抑制構(gòu)件的本發(fā)明的第3金屬薄膜的除去裝置，以抑制早期的電解液侵入絕緣物的邊緣側(cè)。
這樣的話，就能防止產(chǎn)生麻面狀金屬薄膜。
本發(fā)明的第4金屬薄膜的除去方法是使用上述第1～第3的發(fā)明中，將金屬平板電極做成能旋轉(zhuǎn)的電極、在與該電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位安裝了研磨基材、具備向與上述電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位供給研磨基材的供給手段的本發(fā)明的第4金屬薄膜的除去裝置，通過位于與上述電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜的表面。
該第4發(fā)明能完全除去因電解溶出而殘留的膜。
附圖的簡單說明圖1是實施第1發(fā)明的金屬薄膜除去裝置的一例的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是實施第1發(fā)明的金屬薄膜除去裝置的例2的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖2的整體結(jié)構(gòu)圖。圖4是表示形成直流電壓電源—金屬平板電極—連續(xù)流—金屬薄膜—加工槽內(nèi)的電解液—輔助電極—直流電壓電源的閉路時的電壓與電流關(guān)系的示意圖。圖5的(a)是在第1發(fā)明中金屬薄膜殘留在終端部位的理由說明圖。圖5的(b)是金屬薄膜殘留在終端部位的絕緣物的圖。圖6是在第1發(fā)明中不使金屬薄膜殘留在終端部位情況發(fā)生的方法的說明圖。圖7的(a)(b)是在第1發(fā)明中不使金屬薄膜殘留在終端部位的情況發(fā)生的其它狀態(tài)的說明圖。圖8是實施第2發(fā)明的金屬薄膜除去裝置的一例的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖9是在絕緣物的端部以麻面狀殘留的金屬薄膜的說明圖。圖10是實施第3發(fā)明的一例金屬薄膜除去裝置的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖11是實施第3發(fā)明的金屬薄膜除去裝置的另一例的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖12是實施第3發(fā)明的其它實施例的一例金屬薄膜除去裝置的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖13是實施第4發(fā)明的一例金屬薄膜除去裝置的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖14是實施第4發(fā)明的金屬薄膜除去裝置的例2的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖15是實施第4發(fā)明的金屬薄膜除去裝置的例3的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖16是實施第4發(fā)明的金屬薄膜除去裝置的例4的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖17是實施第4發(fā)明的金屬薄膜除去裝置的例5的概略結(jié)構(gòu)示意圖。圖18是通過化學(xué)浸蝕除去金屬薄膜的方法的說明圖。
實施發(fā)明的最佳方式為更詳細(xì)地解釋本發(fā)明，現(xiàn)根據(jù)附圖加以說明。
首先，本發(fā)明的第1金屬薄膜除去裝置的一例用圖1～圖3表示。
在圖1～圖3中，21是具有與例如后述的絕緣物24大致相同的寬度、在電解液26的上方以傾斜狀立設(shè)的金屬平板電極，22為下端部浸漬于電解液26的輔助電極，23為直流電壓電源，24為浸漬在加工槽25內(nèi)的電解液(如食鹽水)26中的絕緣物，在其表面形成了欲除去的金屬薄膜24a。另外，M表示電解溶出部，V表示閥門。
其中，圖1中所示的例子表示通過泵28將電解液槽27內(nèi)的電解液26送至金屬平板電極21的情況，輔助電極22為圓柱狀，以與上述絕緣物24表面的金屬薄膜24a不接觸的狀態(tài)豎立設(shè)置。
在圖2及圖3所示的例子中，輔助電極22例如形成自由旋轉(zhuǎn)的滾筒狀并與金屬平板電極21平行配置，使該輔助電極22與絕緣物24表面的金屬薄膜24a接觸，并且，如圖3所示，將加工后的電解液26回收入電解液槽27，回收的電解液經(jīng)過濾器30過濾送至金屬平板電極21，這樣就表示循環(huán)使用了電解液26。滾筒狀的輔助電極22也可以與絕緣物24表面的金屬薄膜24a不接觸的狀態(tài)固定配置。
上述的第1發(fā)明按以下原理除去金屬薄膜24a。
1)從金屬平板電極21向金屬薄膜24a流出電解液26，形成連續(xù)電流26a。
2)例如施加以金屬平板電極21為負(fù)極、以輔助電極22為正極的直流電壓，則形成直流電壓電源23-金屬平板電極21-連續(xù)流26a-金屬薄膜24a-電解液26-輔助電極22-直流電壓電源23的閉路。
3)若形成上述電路，則電壓與電流呈圖4所示的曲線。若超過該圖4中的A電壓，則從金屬平板電極21及金屬薄膜24a的表面開始產(chǎn)生氫·氧離子以及微小氣泡。若超過B電壓，則電流開始急劇上升，隨之氣泡的產(chǎn)生量急劇加大。
4)進(jìn)一步若超過電壓C，則電壓與電流呈大致的比例關(guān)系，以下①式所示的庫侖定律大致成立，出現(xiàn)薄膜金屬的溶出，并能進(jìn)行薄膜金屬24a的除去加工。不言而喻，這時絕緣物24不會電解溶出。D電壓為金屬溶出的最小電壓值，即分解電壓，D電壓由電極材料(表面活性度)、電解液濃度、電路電阻等決定。
W＝η1·η2·k·I·t……①其中，η1溶出效率(％)，η2電流效率(％)，k電化學(xué)當(dāng)量(mg/c)，I電解電流(A)，T電解時間(scc)。
上述第1發(fā)明(除圖2、3所示的例以外)由于是非接觸的加工法，因此不損傷絕緣物，并且不需要對電極與金屬薄膜間的位置進(jìn)行精確控制。另外，由于不是化學(xué)除去法，而是通過電解溶出的加工法，所以只要是可通電的電解液即可，可使用NaNO3、NaCl等中性鹽電解液，因此操作性好，且電解液的廢液處理較容易。圖2、3所示的第1發(fā)明也只有滾筒狀的輔助電極22發(fā)生接觸，因此基本上與上述相同。
上述的第1發(fā)明中，例如移動絕緣物24，金屬薄膜24a被漸漸除去，到達(dá)其最終端的話，如圖5(a)所示，金屬薄膜24a與輔助電極22間的距離漸漸遠(yuǎn)離，流過金屬薄膜24a的電流量比電解液26中的少，因此，電流效率降低，如圖5(b)所示，最終，金屬薄膜24a便殘留在下游側(cè)(圖5的紙面左側(cè))端部。
因此，如圖6所示，在第1發(fā)明中，若在絕緣物24的下游側(cè)(圖6的紙面左側(cè))端部設(shè)置與絕緣物24厚度大致相同的導(dǎo)電體板31，則即使在絕緣物24的最終端通過輔助電極22之后，由于形成直流電壓電源23-金屬平板電極21-連續(xù)流26a-金屬薄膜24a-導(dǎo)電體板31-電解液26-輔助電極22-直流電壓電源23的閉路，所以也能防止電流效率的降低，并在下游側(cè)端部不殘留金屬薄膜24a。要形成上述的閉路，則導(dǎo)電體板31的電極移動方向的長度必須比金屬平板電極21與輔助電極22間的間隔a要長。
此外，用于溶出的電極采用如圖7(a)所示，交替設(shè)置多個陰極(如金屬平板電極21)和陽極(如輔助電極22)電極，或如圖7(b)所示，設(shè)置多個以圓筒32的內(nèi)側(cè)為陰極、以外側(cè)為陽極的電極來代替圖6所示的在絕緣物24的下游側(cè)端部設(shè)置的與絕緣物24厚度大致相同的導(dǎo)電體板31，也可起到與設(shè)置導(dǎo)電體板31同樣的效果。
圖7(a)所示的是以絕緣體33連接陰極與陽極的結(jié)構(gòu)。
然后，本發(fā)明的第2金屬薄膜除去裝置的一例如圖8所示。在圖8中，29為必須經(jīng)過上述金屬平板電極21與輔助電極22之間、在這兩個電極21、22的下方配置的底面電極，其余結(jié)構(gòu)與圖3所示的例子相同。
但是，這些第1、第2發(fā)明中，由于陽極部分正下方的金屬薄膜溶出，并隨著溶出的不斷進(jìn)行，陽極與薄膜的距離加大，電流便不能流過，溶出停止，因此，絕緣物24的表面較寬時，就不能全部除去在表面上形成的金屬薄膜24a。
因此，在這些第1、第2發(fā)明中，設(shè)置至少浸漬于電解液中的絕緣物24或金屬平板電極21的任一方能相對于另一方移動的移動結(jié)構(gòu)，若使上述絕緣物24與金屬平板電極21相對移動的同時除去金屬薄膜24a，則能除去較大范圍的金屬薄膜24a。這時，在第1及第2發(fā)明中，設(shè)金屬平板電極21的寬度為W(cm)，相對移動速度為V(cm/min)，電流為I(A)，最好以滿足下述關(guān)系的相對移動速度移動。
0.1≥I/(W×V)≥0.03使該金屬平板電極21相對于另一方移動時，在第1及第2的發(fā)明中，例如施加于正極的輔助電極22比施加于負(fù)極的金屬平板電極21更加位于上游側(cè)，也就是說，最好將輔助電極22設(shè)置得比金屬平板電極21先通過絕緣物24表面的金屬薄膜24a上。
其理由是因為電解溶出是從施加于正極的陽極部分溶出，金屬薄膜24a的溶出靠近施加于負(fù)極的陰極，如圖1～圖3、圖5及圖6、圖8所示的例子是從位于金屬平板電極21下方的金屬薄膜24a溶出的緣故?？傊舴捶较蛞苿?，則金屬薄膜24a溶出的部分通過電極間，不能形成先前所說的閉路，且不能連續(xù)地溶出。為防止陽極的溶出，最好在陽極電極上使用碳或?qū)嵤╁儼捉稹?br> 在上述第1、第2的發(fā)明中，使金屬平板電極21相對絕緣物24移動時，若輔助電極22是固定的，則隨著金屬平板電極21的移動，極間距離發(fā)生變化，因而電壓—電流產(chǎn)生變化，會引起不能均勻地除去金屬薄膜24a的情況發(fā)生。
這時，如圖2及圖3所示，將輔助電極22與金屬平板21平行配置，使兩者同時移動，便能解決上述問題。
此外，上述第1、第2的發(fā)明中，在進(jìn)行金屬薄膜24a的除去處理的正當(dāng)中，若電解液26泄漏，覆蓋在絕緣物24上面，則絕緣物24的端部在通過金屬平板電極21或輔助電極22之前便開始電解溶出。這是因為通常由于電極間的電場(電流集中的強(qiáng)度)最強(qiáng)，只是在電極間析出，而浸于電解液26的絕緣物24的端部集中產(chǎn)生電場，達(dá)到與電極間同等的電場強(qiáng)度的緣故。
并且，由于絕緣物24端部的電場不均勻，引起金屬薄膜24a的除去也不均勻，因此在絕緣物24的端部，金屬薄膜24a如圖9所示，以麻面狀殘留。圖9的24b表示以麻面狀殘留的金屬薄膜。
即使這樣的麻面狀金屬薄膜24b殘留的部分通過金屬平板電極21，由于金屬薄膜在麻面狀部位被連續(xù)地切斷，因此不能形成先前所說的閉路，因而金屬薄膜24b未被除去而殘留著。
因此，在第1或第2的發(fā)明中，在金屬平板電極21的絕緣物24的進(jìn)入側(cè)設(shè)置控制電解液26侵入的構(gòu)件，如具有與絕緣物24大致等寬的圖10所示的橡膠制隔壁34a，使其盡可能地接觸絕緣物24的表面；或設(shè)置具有與絕緣物24大致等寬的圖11所示的橡膠制滾筒34b，由彈簧35將其壓緊在絕緣物24的表面?zhèn)?，這樣的話，就能控制早期的電解液26對絕緣物24端部的侵入，防止產(chǎn)生麻面狀金屬薄膜24b。這就是第3發(fā)明。
在上述第1～第3的發(fā)明中，由于電流借助電解液26流過，因此電解液26中流過的電流使金屬薄膜24a的溶出效率變差。
因此，在第1～第3的發(fā)明中，在絕緣物24表面?zhèn)鹊慕饘倨桨咫姌O21與輔助電極22之間，設(shè)置與絕緣物26大致等寬的絕緣壁36，如圖12所示的那樣，使之盡可能地接近絕緣物24的表面，這樣能減少電解液26中流過的電流，提高金屬薄膜24a的溶出效率。
上述第1～第3的發(fā)明盡管能在不損傷絕緣物24的情況下有效地除去金屬薄膜24a，但是由于是流過電解液26的電流使金屬薄膜24a溶出而除去金屬薄膜24a的，因而有時也會產(chǎn)生因電解溶出而有殘量的膜殘留的情況。
在第1～第3的發(fā)明中，用能旋轉(zhuǎn)的電極37代替金屬平板電極21，并在與該電極37的金屬薄膜24a進(jìn)行接觸的部位配置研磨基材，具備向與上述電極37的金屬薄膜24a進(jìn)行接觸的部位提供研磨基材的供給手段。該構(gòu)成中，用位于與上述電極37的金屬薄膜24a進(jìn)行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜24a的表面，就能完全除去因電解溶出而殘留的膜。這就是第4發(fā)明。
例如，圖13所示的例子中，由電解液槽27向在外周配置了具有通水性的研磨基材的可旋轉(zhuǎn)的棒狀電極37的中心部位提供電解液26，使電解液26從棒狀電極37的外周部流出。此外，圖14所示的例子是圖13所示的例子的輔助電極22與棒狀電極37平行配置的情況；圖15所示的例子是配置了下面裝有具有通水性的研磨基材的可旋轉(zhuǎn)的圓盤狀的電極37的情況，以代替圖13所示的棒狀電極；圖16所示的例子是使圖14所示的輔助電極22形成滾筒狀并與絕緣物24表面的金屬薄膜24a接觸的情況；圖17所示的例子是電解液26不是在電極37的內(nèi)部而是從外部供給的情況。
以上例子表示在與電極37的金屬薄膜24a進(jìn)行接觸的部位配置了研磨基材的情況，但是，不在電極27配置研磨基材，而是在與該電極37的金屬薄膜24a進(jìn)行接觸的部位提供研磨基材也可以。
以下，對為確認(rèn)本發(fā)明效果而進(jìn)行的實施結(jié)果加以說明。
A.第1發(fā)明的實施例(之一)使用圖3所示構(gòu)成的本發(fā)明的第1金屬薄膜的除去裝置(金屬平板電極寬1000mm)，在如下的加工條件下，實施本發(fā)明的第1金屬薄膜的除去方法，能有效除去蒸鍍在1000mm×1000mm的玻璃基板上的、厚1000×10-10m的鋁薄膜，并且玻璃基板能再利用。另外，將滾筒狀輔助電極與玻璃基板以非接觸狀態(tài)固定配置，電流變?yōu)?00A，除此之外其它加工條件相同，實施本發(fā)明的第2金屬薄膜的除去方法，與上述同樣，能有效除去蒸鍍在玻璃基板上的鋁薄膜，并且玻璃基板能再利用。
電解液20％NaCl噴出流量約30升/min施加電壓約100V電流150A
玻璃基板移動速度1m/minB.第1發(fā)明的實施例(之二)使用圖3所示構(gòu)成的本發(fā)明的第1金屬薄膜的除去裝置，如圖6所示，在1000mm×1000mm的玻璃基板(厚0.7mm)的終端設(shè)置相同厚度的碳板，在如下的加工條件下，實施本發(fā)明的第1金屬薄膜的除去方法，能至端部為止有效除去蒸鍍在上述玻璃基板上的1000×10-10m厚的鋁薄膜，并且玻璃基板能再利用。
電解液5％NaCl噴出流量約30升/min施加電壓約100V電流300A玻璃基板移動速度1m/minC.第3發(fā)明的實施例(之一)使用圖10所示構(gòu)成的本發(fā)明的第3金屬薄膜的除去裝置，在如下的加工條件下，實施本發(fā)明的第3金屬薄膜的除去方法，能至端部為止有效除去蒸鍍在1000mm×1000mm的玻璃基板(厚0.7mm)上的1000×10-10m厚的鋁薄膜，并且玻璃基板能再利用。
電解液5％NaCl噴出流量約30升/min附加電壓約100V電流300A玻璃基板移動速度1m/min侵入控制構(gòu)件橡膠制隔壁D.第3發(fā)明的實施例(之二)使用圖12所示構(gòu)成的本發(fā)明的第3金屬薄膜的除去裝置，在如下的加工條件下，實施本發(fā)明的第3金屬薄膜的除去方法，即使移動速度較其它實施例提高10％，也能有效除去蒸鍍在1000mm×1000mm的玻璃基板(厚0.7mm)上的1000×10-10m厚的鋁薄膜，并且玻璃基板能再利用。
電解液5％NaCl
噴出流量約30升/min施加電壓約100V電流300A玻璃基板移動速度1.1m/min絕緣物隔壁聚氯乙烯制隔壁E.第4發(fā)明的實施例使用圖16所示構(gòu)成的本發(fā)明的第4金屬薄膜的除去裝置，在如下的加工條件下，實施本發(fā)明的第4金屬薄膜的除去方法，能無殘留地完全除去蒸鍍在1000mm×1000mm玻璃基板上的1000×10-10m厚的鋁薄膜，并且玻璃基板能再利用。
電解液20％NaCl供給流量約30升/min棒狀電極旋轉(zhuǎn)數(shù)600rpm研磨劑磨粒#3000氧化鋁磨粒(與電解液混合供給)施加電壓約100V電流200A玻璃基板移動速度1m/min不言而喻，上述實施例并不完全對應(yīng)所有的權(quán)利要求項，但即使是未作為實施例列舉的權(quán)利要求項中記載的發(fā)明，也能有效地地除去絕緣物上形成的金屬薄膜，并且能實現(xiàn)絕緣物的再生。
產(chǎn)業(yè)中利用的可能性如上所述，本發(fā)明不使用強(qiáng)酸、強(qiáng)堿這樣的化學(xué)溶液，并且不需要進(jìn)行對應(yīng)于絕緣物表面的金屬薄膜的電極的精確的位置控制，能以基本非接觸的方式，不損傷絕緣物地有效除去金屬薄膜，使半導(dǎo)體領(lǐng)域中使用的高價的機(jī)能性玻璃基板的再生利用成為可能。
權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)1.金屬薄膜的除去方法，其特征在于，以對傾斜配置的金屬平板電極與配置在該金屬平板電極的上游或下游側(cè)且一部分應(yīng)浸漬于電解液中的輔助電極施加了直流電壓的狀態(tài)，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產(chǎn)生碰撞，將金屬薄膜除去。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，在上述絕緣物的內(nèi)面?zhèn)扰渲帽仨毥?jīng)過上述金屬平板電極與輔助電極之間的底面電極，以對該底面電極也施加輔助電極和金屬平板電極的直流電壓的狀態(tài)，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產(chǎn)生碰撞，將金屬薄膜除去。
3.如權(quán)利要求1或2所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，使上述絕緣物與金屬平板電極在相對移動的同時除去金屬薄膜。
4.如權(quán)利要求1或2所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，在上述金屬平板電極的絕緣物進(jìn)入側(cè)設(shè)置電解液的侵入抑制構(gòu)件，以抑制電解液的早期的侵入。
5.如權(quán)利要求3所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，在上述金屬平板電極的絕緣物進(jìn)入側(cè)設(shè)置電解液的侵入抑制構(gòu)件，以抑制電解液的早期的侵入。
6.金屬薄膜的除去裝置，其特征在于，由傾斜配置的、引導(dǎo)電解液的流下的金屬平板電極、配置在該金屬平板電極的上游或下游側(cè)且一部分應(yīng)浸入電解液中的輔助電極、以及施加于上述兩電極的直流電壓電源構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求6所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，必須經(jīng)過上述金屬平板電極與輔助電極之間、在該兩電極的下方配置底面電極，對該底面電極上也必須由直流電壓電源施加輔助電極和金屬平板電極的直流電壓。
8.如權(quán)利要求6或7所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，設(shè)置至少使浸漬于電解液中的絕緣物或金屬平板電極的任一方相對于另一方移動的移動裝置。
9.如權(quán)利要求6或7所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，在上述金屬平板電極的絕緣物進(jìn)入側(cè)設(shè)置了電解液的侵入抑制構(gòu)件。
10.如權(quán)利要求8所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，在上述金屬平板電極的絕緣物進(jìn)入側(cè)設(shè)置了電解液的侵入抑制構(gòu)件。
權(quán)利要求
1.金屬薄膜的除去方法，其特征在于，以對傾斜配置的金屬平板電極與配置在該金屬平板電極的上游或下游側(cè)且一部分應(yīng)浸漬于電解液中的輔助電極施加了直流電壓的狀態(tài)，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產(chǎn)生碰撞，將金屬薄膜除去。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，在上述絕緣物的內(nèi)面?zhèn)扰渲帽仨毥?jīng)過上述金屬平板電極與輔助電極之間的底面電極，以對該底面電極也施加輔助電極和金屬平板電極的直流電壓的狀態(tài)，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產(chǎn)生碰撞，將金屬薄膜除去。
3.如權(quán)利要求1或2所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，使上述絕緣物與金屬平板電極在相對移動的同時除去金屬薄膜。
4.如權(quán)利要求1或2所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，在上述金屬平板電極的絕緣物進(jìn)入側(cè)設(shè)置電解液的侵入抑制構(gòu)件，以抑制電解液的早期的侵入。
5.如權(quán)利要求3所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，在上述金屬平板電極的絕緣物進(jìn)入側(cè)設(shè)置電解液的侵入抑制構(gòu)件，以抑制電解液的早期的侵入。
6.如權(quán)利要求1或2所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，將上述金屬平板電極做成能旋轉(zhuǎn)的電極，通過位于與該電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜的表面。
7.如權(quán)利要求4所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，將上述金屬平板電極做成能旋轉(zhuǎn)的電極，通過位于與該電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜的表面。
8.如權(quán)利要求5所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，將上述金屬平板電極做成能旋轉(zhuǎn)的電極，通過位于與該電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜的表面。
9.如權(quán)利要求3所述的金屬薄膜的除去方法，其特征還在于，將上述金屬平板電極做成能旋轉(zhuǎn)的電極，通過位于與該電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜的表面。
10.金屬薄膜的除去裝置，其特征在于，由傾斜配置的、引導(dǎo)電解液的流下的金屬平板電極、配置在該金屬平板電極的上游或下游側(cè)且一部分應(yīng)浸入電解液中的輔助電極、以及施加于上述兩電極的直流電壓電源構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求10所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，必須經(jīng)過上述金屬平板電極與輔助電極之間、在該兩電極的下方配置底面電極，對該底面電極上也必須由直流電壓電源施加輔助電極和金屬平板電極的直流電壓。
12.如權(quán)利要求10或11所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，設(shè)置至少使浸漬于電解液中的絕緣物或金屬平板電極的任一方相對于另一方移動的移動裝置。
13.如權(quán)利要求10或11所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，在上述金屬平板電極的絕緣物進(jìn)入側(cè)設(shè)置了電解液的侵入抑制構(gòu)件。
14.如權(quán)利要求12所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，在上述金屬平板電極的絕緣物進(jìn)入側(cè)設(shè)置了電解液的侵入抑制構(gòu)件。
15.如權(quán)利要求10或11所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，將上述金屬平板電極做成能旋轉(zhuǎn)的電極的同時，在與該電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位配置研磨基材，具備向與上述電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位供給研磨基材的供給手段。
16.如權(quán)利要求12所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，將上述金屬平板電極做成能旋轉(zhuǎn)的電極的同時，在與該電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位配置研磨基材，具備向與上述電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位供給研磨基材的供給手段。
17.如權(quán)利要求13所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，將上述金屬平板電極做成能旋轉(zhuǎn)的電極的同時，在與該電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位配置研磨基材，具備向與上述電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位供給研磨基材的供給手段。
18.如權(quán)利要求14所述的金屬薄膜的除去裝置，其特征還在于，將上述金屬平板電極做成能旋轉(zhuǎn)的電極的同時，在與該電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位配置研磨基材，具備向與上述電極的金屬薄膜進(jìn)行接觸的部位供給研磨基材的供給手段。
全文摘要
使用由傾斜配置的引導(dǎo)電解流的流下的金屬平板電極(21)、安裝在該金屬平板電極(21)的上游或下游側(cè)且一部分應(yīng)浸漬于電解液中的輔助電極(22)、以及施加于上述兩電極的直流電壓電源(23)構(gòu)成的金屬薄膜的除去裝置，在對上述金屬平板電極(21)與輔助電極(22)施加了直流電壓的狀態(tài)下，使從上述金屬平板電極(21)上流下的電解液(26)與絕緣物(24)表面的金屬薄膜(24a)產(chǎn)生碰撞，由此將金屬薄膜(24a)除去。
文檔編號C03C23/00GK1703380SQ20038010120
公開日2005年11月30日 申請日期2003年10月2日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月11日
發(fā)明者大工博之, 前畑英彥, 塚原正德, 濱田省吾, 井上鐵也, 浜崎洋志 申請人:日立造船株式會社, 日立造船金屬工業(yè)股份有限公司