新型微通道板清洗方法
【專利摘要】一種新型微通道板清洗方法：利用超聲波多被清洗的所述微通道板表面進(jìn)行清洗2~5分鐘；利用不活潑氣體Ar在高壓電場作用下產(chǎn)生的高速運動的等離子體束流沖擊被清洗的所述微通道板表面，該方法綠色環(huán)保、無污染，清洗效果佳。
【專利說明】新型微通道板清洗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體電子器件，特別是一種新型微通道板清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]20世紀(jì)70年代在單通道電子倍增器基礎(chǔ)上發(fā)展起來一種多通道電子倍增器MCP。微通道板具有結(jié)構(gòu)簡單、增益高、時間響應(yīng)快和空間成像等特點，因而得到廣泛應(yīng)。
[0003]但在MCP的工藝制造過程中，不可避免遭到塵埃、金屬、有機(jī)物和無機(jī)物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內(nèi)污垢，產(chǎn)生發(fā)射點、黑點、暗斑等，導(dǎo)致MCP的良品率下降，使得管子質(zhì)量不穩(wěn)定以至失效，因此在MCP的制造過程中利用清洗技術(shù)去除污染物十分重要。
[0004]從制作MCP所用玻璃材料的化學(xué)成分分析，它是以二氧化硅為基本骨架的三維網(wǎng)絡(luò)，因引入Na20，CaO等堿性氧化物嵌入晶格中間，晶格受到破壞，造成玻璃性質(zhì)不穩(wěn)定，在表層附近形成很不純的膠狀組織，高溫時會吸附氣體，這種含有氣體的膠狀組織使MCP表面易受腐蝕，隨著時間的延長而使腐蝕深入到玻璃內(nèi)部，同時也使外部的污染物容易玷污玻璃表面，形成MCP表觀缺陷。
[0005]從結(jié)構(gòu)上分析，MCP經(jīng)過拋光后形成的超光滑玻璃表面存在活性很強(qiáng)、能量很高的剩余力場，這些力場與環(huán)境(介質(zhì))容易發(fā)生吸附現(xiàn)象或化學(xué)反應(yīng)，以降低其表面能量，達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，因此MCP表面是強(qiáng)活性的。MCP的整個制作過程中還需要使用一些有機(jī)物和無機(jī)物介質(zhì)，如:拋光粉、酸、堿、乙醇、水等，高溫氫還原和鍍膜工藝中還易產(chǎn)生金屬粒子污染，這些都不可避免的造成MCP表面和孔內(nèi)的污染。
[0006]根據(jù)MCP材料、結(jié)構(gòu)特性，結(jié)合制造工藝和接觸介質(zhì)的性質(zhì)分析，可將污染物類別分為顆粒、有機(jī)物、金屬及其氧化物、反應(yīng)生成物、曝露空氣生成的霉菌及水印等五類。
[0007]因此需要一種新型微通道板清洗方法，在滿足去污的同時，實現(xiàn)操作的簡便，環(huán)境的友好。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種新型微通道板清洗方法，包括:
1)利用超聲波多被清洗的所述微通道板表面進(jìn)行清洗2飛分鐘；
2)利用不活潑氣體Ar在高壓電場作用下產(chǎn)生的高速運動的等離子體束流沖擊被清洗的所述微通道板表面。
[0009]本發(fā)明采用超聲波和等離子進(jìn)行清洗，避免了環(huán)境的污染。
【具體實施方式】
[0010]本發(fā)明提供一種新型微通道板清洗方法，包括:
1)利用超聲波多被清洗的所述微通道板表面進(jìn)行清洗2飛分鐘；
2)利用不活潑氣體Ar在高壓電場作用下產(chǎn)生的高速運動的等離子體束流沖擊被清洗的所述微通道板表面。
[0011]本發(fā)明采用超聲波和等離子進(jìn)行清洗，不適用化學(xué)制劑和相應(yīng)的大量的高純水進(jìn)行徹底清洗。因此其工藝先進(jìn)、避免了環(huán)境的污染。
[0012]作為本發(fā)明的一個實施例，所述超聲波采用空化閾約1/3 W/cm2，聲強(qiáng)1(T20 ff/cm2，頻率 20?120 kHz ο
[0013]同時，優(yōu)選的，所述超聲波對I μ m以下的小顆粒污染物，選用頻率4(Tl20 kHz的
超聲波進(jìn)行清洗。
[0014]微通道板MCP是由微米級細(xì)孔構(gòu)成的復(fù)雜網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，普通的清洗方法一般不能達(dá)到孔內(nèi)，而孔內(nèi)芯料的反應(yīng)生成物及其他污染物會在后序工藝中會產(chǎn)生重復(fù)污染。無論是采用有機(jī)溶劑或是清洗液清洗都容易引入新的污染源，然而利用超聲波清洗技術(shù)卻可以實現(xiàn)無重復(fù)污染，而且能深入MCP孔內(nèi)的效果。
[0015]作為本發(fā)明的另一個實施例，在等離子清洗中，所述不活潑氣體Ar在低真空條件下作用。
[0016]優(yōu)選的，所述低真空條件的真空度范圍為0.27?133.32 Pa
作為更進(jìn)一步的優(yōu)選方案，所述步驟2)中為在0.3 Pa的Ar氣氛下，采用電子能量0.5keV的離子源，清洗5?10分鐘。
[0017]利用高速運動的等離子體束流沖擊被清洗物表面，把等離子體具有的動能傳遞給MCP表面的污物粒子，將污物解析從而達(dá)到清洗的目的。Ar等不活潑氣體用于等離子體清洗MCP，它的物理作用比較突出，特別是對MCP表面吸附著的微量殘留水膜和有機(jī)物的去除很有效。使用的電壓越高，產(chǎn)生的廢物氣體越易去除，也有利于防止清洗對象被再次污染，因此有必要使用高電壓，而且真空度越高，清洗的效果越明顯。
[0018]應(yīng)了解本發(fā)明所要保護(hù)的范圍不限于非限制性實施方案，應(yīng)了解非限制性實施方案僅僅作為實例進(jìn)行說明。本申請所要要求的實質(zhì)的保護(hù)范圍更體現(xiàn)于獨立權(quán)利要求提供的范圍，以及其從屬權(quán)利要求。
【權(quán)利要求】
1.一種新型微通道板清洗方法，包括: .1)利用超聲波多被清洗的所述微通道板表面進(jìn)行清洗2飛分鐘； . 2)利用不活潑氣體Ar在高壓電場作用下產(chǎn)生的高速運動的等離子體束流沖擊被清洗的所述微通道板表面。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于:所述超聲波采用空化閾約1/3ff/cm2,聲強(qiáng) 10?20 W/cm2，頻率 20?120 kHz。
3.如權(quán)利要求2所述的清洗方法，其特征在于:所述超聲波對Iμ m以下的小顆粒污染物，選用頻率4(Tl20 kHz的超聲波進(jìn)行清洗。
4.如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于:所述不活潑氣體Ar在低真空條件下作用。
5.如權(quán)利要求4所述的清洗方法，其特征在于:所述低真空條件的真空度范圍為.0.27?133.32 Pa 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于:所述步驟2)為在0.3 Pa的Ar氣氛下，采用電子能量0.5 keV的離子源，清洗5?10分鐘。
【文檔編號】B08B3/12GK103624036SQ201310538719
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月5日
【發(fā)明者】夏澤軍 申請人:昆山宏凌電子有限公司