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清潔裝置的制作方法

文檔序號(hào):1328259閱讀:165來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:清潔裝置的制作方法
專利說(shuō)明本實(shí)用新型涉及液晶面板技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于陣列基板制造中的清潔裝置。
背景技術(shù)
液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)是利用液晶材料的特性來(lái)顯示圖像的一種平板顯示裝置(Flat Panel Display,F(xiàn)PD),其相較于其他顯示裝置而言具輕薄、低驅(qū)動(dòng)電壓及低功耗等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為整個(gè)消費(fèi)市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。液晶面板是液晶顯示器最主要的組成元件,液晶面板的制作工藝主要分為前段陣列制程、中段成盒制程及后段模組組裝。其中,前段陣列制程包括首先在基板上通過(guò)沉積薄膜層進(jìn)行成膜;然后在薄膜層上涂光刻膠,并通過(guò)對(duì)其曝光、顯影、蝕刻、去光刻膠等制程以形成掃描線、半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、保護(hù)層及透明導(dǎo)電層等。上述陣列制程中,受各種因素的影響,所述掃描線、數(shù)據(jù)線可能存在短路或者斷路的情況。因此,在前段陣列制程完成后,還需要對(duì)陣列基板進(jìn)行相應(yīng)的檢測(cè),以檢測(cè)陣列基板的掃描線或數(shù)據(jù)線中是否存在短路或斷路,若存在短路或斷路,則需要通過(guò)修補(bǔ)機(jī)對(duì)其進(jìn)行處理。當(dāng)發(fā)現(xiàn)斷路時(shí),修補(bǔ)機(jī)先使用激光除去斷路的兩端點(diǎn)上的覆蓋物,如半導(dǎo)體層等,然后在斷路的兩端點(diǎn)間進(jìn)行鍍膜,從而形成通路。但是,在修補(bǔ)機(jī)用激光除去斷路的兩端點(diǎn)上的覆蓋物時(shí),覆蓋物會(huì)碳化而形成雜質(zhì),并且修補(bǔ)機(jī)在進(jìn)行補(bǔ)線鍍膜時(shí),陣列基板也會(huì)受其他制程的影響而殘留有雜質(zhì),若補(bǔ)線鍍膜下存在雜質(zhì),則修補(bǔ)機(jī)的補(bǔ)線鍍膜在后續(xù)的清洗等制程中容易剝落,造成補(bǔ)線鍍膜的成功率下降。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的是提供一種清潔裝置,旨在清除陣列基板上的殘留物,提高修補(bǔ)機(jī)的鍍膜成功率。本實(shí)用新型提供了一種清潔裝置,包括吸氣管及吹氣管;所述吹氣管設(shè)置在所述吸氣管的四周,所述吹氣管相對(duì)于吸氣管傾斜且呈異面設(shè)置。優(yōu)選地,所述清潔裝置還包括一殼體,所述吸氣管及吹氣管均設(shè)置在所述殼體上;所述吸氣管垂直殼體設(shè)置;所述吹氣管具有吹氣口,該吹氣口向吸氣管傾斜設(shè)置。優(yōu)選地,所述吸氣管具有吸氣口,所述吹氣管的吹氣口與殼體的垂直距離大于所述吸氣管的吸氣口與所述殼體的垂直距離。優(yōu)選地,所述吹氣管的吹氣口圍合形成的面積小于或等于所述吸氣管的吸氣口的面積。優(yōu)選地,所述清潔裝置還包括與所述吹氣管連接的控制器,所述控制器用于控制所述吹氣管的吹氣口向所述吸氣管運(yùn)動(dòng)。優(yōu)選地,所述清潔裝置還包括一殼體,該殼體具有下表面,所述吸氣管設(shè)置在所述殼體的中部且貫穿下表面;所述吹氣管設(shè)置在所述殼體內(nèi)且貫穿殼體的下表面。所述吹氣管具有吹氣口,該吹氣口的邊緣具有導(dǎo)向環(huán)。優(yōu)選地,所述清潔裝置還包括吹氣裝置及吸氣裝置,所述吸氣裝置與所述吸氣管連通,所述吹氣裝置與所述吹氣管連通。優(yōu)選地,所述清潔裝置還包括控制所述吹氣裝置及吸氣裝置工作的控制器,所述控制器分別與所述吹氣裝置及吸氣裝置連接。優(yōu)選地,所述吹氣管與所述殼體下表面之間的夾角為30° 60°。本實(shí)用新型通過(guò)上述的清潔裝置,可有效地清除陣列制程中陣列基板上的殘留雜 質(zhì),使得在對(duì)數(shù)據(jù)線或掃描線進(jìn)行補(bǔ)線鍍膜時(shí),避免由于陣列基板上殘留的雜質(zhì)而造成補(bǔ)線鍍膜在后續(xù)的清洗等制程中剝落,從而提高了補(bǔ)線鍍膜的成功率。

圖I是本實(shí)用新型清潔裝置第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是圖I中清潔裝置的正視結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是圖I中清潔裝置的仰視結(jié)構(gòu)示意圖;圖4是本實(shí)用新型清潔裝置第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖5是本實(shí)施新型清潔裝置的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6是圖5所示清潔裝置的仰視結(jié)構(gòu)示意圖;圖7是圖6中清潔裝置沿A-A線的剖面示意圖。本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例,參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合說(shuō)明書附圖及具體實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。圖I是本實(shí)用新型清潔裝置第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。參照?qǐng)D1,本實(shí)施例中,該清潔裝置用于清除陣列基板上的殘留雜質(zhì),該清潔裝置設(shè)置在陣列基板的上方;當(dāng)然也可以放置在其他物體上方,用于清除其他物體上的殘留雜質(zhì)。所述清潔裝置包括一殼體10,該殼體10具有一下表面14,且該殼體10的下表面14上設(shè)置吸氣管11及吹氣管21。所述吹氣管21設(shè)置在所述吸氣管11的四周,所述吹氣管21相對(duì)于吸氣管11傾斜設(shè)置,且所述吹氣管21與吸氣管11呈異面設(shè)置。上述吹氣管21設(shè)置在吸氣管11的四周,且吹氣管21相對(duì)于吸氣管10傾斜并呈異面設(shè)置,因此將該清潔裝置設(shè)置在陣列基板上方,且與陣列基板相隔一合適距離時(shí),從吹氣管21吹出的氣流可以將陣列基板上的殘留物吹起,且該殘留物隨著氣流自吸氣管21吸入殼體10內(nèi),從而清除陣列基板上殘留的雜質(zhì)。本實(shí)用新型通過(guò)上述清潔裝置,使得在陣列制程中對(duì)陣列基板上的殘留雜質(zhì)進(jìn)行清除,從而使得在對(duì)數(shù)據(jù)線或掃描線進(jìn)行補(bǔ)線鍍膜時(shí),避免陣列基板上殘留的雜質(zhì)造成補(bǔ)線鍍膜在后續(xù)的清洗等制程中剝落,從而提高了補(bǔ)線鍍膜的成功率。進(jìn)一步的,所述吸氣管11垂直殼體10設(shè)置,其具有吸氣口 111。所述吹氣管21具有吹氣口 211,且吹氣管21的吹氣口 211向吸氣管11傾斜。所述吹氣管21與所述殼體10的下表面14之間的夾角為30° 60°,優(yōu)選的,吹氣管21與殼體10的下表面14之間的夾角為45°。具體地,結(jié)合參照?qǐng)D2,圖2是圖I中清潔裝置的正視結(jié)構(gòu)示意圖。以其中一個(gè)吹氣管21a為例,其吹氣管21a吹出的氣流方向?yàn)镻1,吸氣管11吸入的氣流方向?yàn)镻2,且兩氣流方向P1、P2既不相交,也不平行,即不在同一平面上。同時(shí),吹氣管21a的吹氣口 211a向吸氣管11傾斜設(shè)置。其他的吹氣管21也可以參照前面所述,在此就不再贅述。結(jié)合圖3所示,圖3是圖I中清潔裝置的仰視結(jié)構(gòu)示意圖。所有吹氣管21的上述設(shè)置,使得從吹氣管21的吹氣口 211吹出的氣流呈逆時(shí)針的回旋狀,該回旋狀的氣流將使得陣列基板上的殘留物被吹起;而吸氣管11內(nèi)的氣壓小于吸氣管11外的氣壓,氣流帶動(dòng)殘留物一起向上運(yùn)動(dòng),進(jìn)而使得殘留物隨氣流一起從吸氣管11的吸氣口 111吸入??梢岳斫獾氖牵瑓⒄?qǐng)D4,圖4是本實(shí)用新型清潔裝置第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。若所有吹氣管21相對(duì)于殼體10的傾斜方向與上述實(shí)施例中的吹氣管21相對(duì)于殼體10的傾斜方向以殼體10的徑向方向?qū)ΨQ,則使得吹氣管21內(nèi)吹出的氣流呈順時(shí)針的回旋狀。進(jìn)一步的,上述清潔裝置還包括吹氣裝置及吸氣裝置(圖中未示出),該吸氣裝置與所述吸氣管11連通,所述吹氣裝置與所述吹氣管21連通。具體地,上述吹氣裝置及吸氣裝置可以設(shè)置在殼體10內(nèi),也可以設(shè)置在殼體10夕卜。而且該吸氣裝置及吹氣裝置可以獨(dú)立分開(kāi)設(shè)置。例如,吹氣裝置包括一吹氣風(fēng)機(jī),該吹氣風(fēng)機(jī)高速旋轉(zhuǎn),從而帶動(dòng)風(fēng)機(jī)外的氣流進(jìn)入吹氣裝置,并從吹氣管21吹出。吸氣裝置包括一吸氣風(fēng)機(jī),該風(fēng)機(jī)將高速旋轉(zhuǎn),并且使得吸氣管11內(nèi)的氣壓比吸氣管11外的氣壓小,從而使得可以將外界的氣流不斷的沿吸氣管11進(jìn)入吸氣裝置內(nèi),此時(shí)基板上的殘留物或顆粒等雜質(zhì)可以隨氣流一起流入吸氣裝置內(nèi)。而且,所述吸氣裝置可進(jìn)一步包括一過(guò)濾裝置,氣流進(jìn)入吸氣裝置后,將通過(guò)過(guò)濾裝置,將殘留物過(guò)濾后,氣流再?gòu)奈鼩怙L(fēng)機(jī)的另一側(cè)流出??梢岳斫獾氖牵鲜鑫鼩庋b置與吹氣裝置的風(fēng)道可以相連通,即吸氣裝置自吸氣管11吸入的氣流,經(jīng)過(guò)過(guò)濾裝置的過(guò)濾后,將通過(guò)吹氣裝置的吹氣管21吹出。進(jìn)一步的,上述清潔裝置還可以包括控制所述吹氣裝置及吸氣裝置工作的控制器(圖中未示出),所述控制器分別與所述吹氣裝置及吸氣裝置連接。相應(yīng)地,該控制器也可以設(shè)置在殼體10內(nèi),或者設(shè)置在殼體10外。具體地,上述控制器可以先控制吹氣裝置工作,待一預(yù)置時(shí)間后,控制吸氣裝置工作。如此可以使得陣列基板的殘留物被吹氣管21吹出的氣流吹起后,吸氣裝置可以快速地將其自吸氣管11的吸氣口 111吸入其內(nèi),從而提高了工作效率。進(jìn)一步的,該控制器還可以與吹氣管21連接,用于控制吹氣管21的吹氣口 211向吸氣管11運(yùn)動(dòng)。具體地,在控制吹氣裝置從吹氣管21吹氣的同時(shí),控制吹氣管21的吹氣口 211向吸氣管11移動(dòng),使經(jīng)吹氣管21吹起的殘留物聚集,從而吸氣管11能更有效地吸取雜質(zhì)。通過(guò)所述控制器,不但可以提高殘留物清除的效率,而且還節(jié)約了能耗。進(jìn)一步的,上述吹氣管21的吹氣口 211與殼體10的垂直距離大于所述吸氣管11的吸氣口 111與所述殼體10的垂直距離。優(yōu)選的,所述吹氣管21的吹氣口 211圍合形成的面積小于或等于所述吸氣管11的吸氣口 111的面積。當(dāng)將該清潔裝置設(shè)置在陣列基板上方時(shí),通過(guò)吹氣管21與吸氣管11的上述設(shè)置,可以使得吹氣管21吹出的氣流都被吹氣管21吸入,從而提高陣列基板上殘留的雜質(zhì)的清除效率。進(jìn)一步的,上述吹氣管21為偶數(shù)個(gè),并且該吹氣管21相對(duì)于所述吸氣管11呈對(duì)稱設(shè)置。請(qǐng)參閱圖5至圖7,圖5是本實(shí)施新型清潔裝置的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6是圖5所示清潔裝置的仰視結(jié)構(gòu)示意圖;圖7是圖6中清潔裝置沿A-A線的剖面示意圖。該清潔裝置具有殼體100,該殼體100呈圓柱狀,其具有上表面101及下表面102。該殼體100的中部開(kāi)設(shè)有貫穿下表面102的吸氣管200,該殼體100在吸氣管200的四周還還設(shè)置有若干個(gè)貫穿下表面102的吹氣管300。所述吸氣管200與殼體100的下表面102垂直,其具有吸氣口 201。所述吹氣管300具有吹氣口 301,且吹氣管300的吹氣口 301向吸氣管200傾斜。所述吹氣管300與所述殼體100的下表面102之間的夾角為30° 60°,優(yōu)選的,吹氣管300與所述殼體100 的下表面102之間的夾角為45°。以其中一個(gè)吹氣管300a為例,其吹氣管300a吹出的氣流方向?yàn)镼l,吸氣管11吸入的氣流方向?yàn)镼2,且兩氣流方向Ql、Q2既不相交,也不平行,即不在同一平面上。同時(shí),吹氣管300a的吹氣口 301a向吸氣管200傾斜設(shè)置。其他的吹氣管300也可以參照前面所述,在此就不再贅述。所有吹氣管300的上述設(shè)置,使得從吹氣管300吹氣口 301吹出的氣流呈逆時(shí)針的回旋狀,該回旋狀的氣流不斷上升,進(jìn)而從吸氣管200的吸氣口 201吸入。可以理解的是,若所有吹氣管300相對(duì)于殼體100的傾斜方向與上述實(shí)施例中的吹氣管300相對(duì)于殼體100的傾斜方向以殼體100的徑向方向?qū)ΨQ,則使得吹氣管300內(nèi)吹出的氣流呈順時(shí)針的回旋狀。進(jìn)一步的,上述清潔裝置還包括吹氣裝置及吸氣裝置(圖中未示出),該吸氣裝置與所述吸氣管200連通,所述吹氣裝置與所述吹氣管300連通。具體地,上述吸氣裝置及吹氣裝置可以設(shè)置在殼體100內(nèi)或殼體100外,且吸氣裝置及吹氣裝置可以獨(dú)立分開(kāi)設(shè)置。例如,吹氣裝置主要包括一吹氣風(fēng)機(jī),該吹氣風(fēng)機(jī)將高速旋轉(zhuǎn),從而將吹氣裝置內(nèi)的惰性氣體從吹氣管300吹出。吸氣裝置主要包括一吸氣風(fēng)機(jī),該吸氣風(fēng)機(jī)將高速旋轉(zhuǎn),并且使得吸氣管200內(nèi)的氣壓比吸氣管200外的氣壓小,從而使得可以將外界的氣流不斷的從吸氣管200吸入吸氣裝置內(nèi)??梢岳斫獾氖?,上述吸氣裝置與吹氣裝置也可以組合為同一裝置。例如,吸氣裝置與吹氣裝置的風(fēng)道相連通,即吸氣裝置自吸氣管200吸入的惰性氣體,可以再經(jīng)過(guò)吹氣裝置的吹氣風(fēng)機(jī)從吹氣管300吹出。進(jìn)一步的,上述清潔裝置還包括控制所述吹氣裝置及吸氣裝置工作的控制器(圖中未示出),所述控制器分別與所述吹氣裝置及吸氣裝置連接。具體地,上述控制器可以先控制吹氣裝置工作,待一預(yù)置時(shí)間后,再控制吸氣裝置工作。如此可以使得被吹氣管300吹出的惰性氣體回旋上升后,吸氣裝置可以快速地將其子吸氣管200的吸氣口 201吸入其內(nèi),從而提高了工作效率。所述吹氣管300的吹氣口 301的邊緣具有導(dǎo)向環(huán)302。在該清潔裝置工作時(shí),吹氣管300吹出的氣流經(jīng)過(guò)導(dǎo)向環(huán)302導(dǎo)向后,由外向內(nèi)聚集,并帶動(dòng)殘留物回旋上升,進(jìn)而被吸氣裝置自吸氣管200吸入,達(dá)到清除殘留物的目的。[0052]進(jìn)一步的,上述吹氣管300為偶數(shù)個(gè),并且該吹氣管300相對(duì)于所述吸氣管200呈對(duì)稱設(shè)置。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,并非因此限制其專利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種清潔裝置,其特征在于,包括吸氣管及吹氣管;所述吹氣管設(shè)置在所述吸氣管的四周,所述吹氣管相對(duì)于吸氣管傾斜且呈異面設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的清潔裝置,其特征在于,所述清潔裝置還包括一殼體,所述吸氣管及吹氣管均設(shè)置在所述殼體上;所述吸氣管垂直殼體設(shè)置;所述吹氣管具有吹氣口,該吹氣口向吸氣管傾斜設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的清潔裝置,其特征在于,所述吸氣管具有吸氣口,所述吹氣管的吹氣口與殼體的垂直距離大于所述吸氣管的吸氣口與所述殼體的垂直距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的清潔裝置,其特征在于,所述吸氣管包括吸氣口,所述吹氣管的吹氣口圍合形成的面積小于或等于所述吸氣管的吸氣口的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清潔裝置,其特征在于,所述清潔裝置還包括與所述吹氣管連接的控制器,該控制器用于控制所述吹氣管的吹氣口向所述吸氣管運(yùn)動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的清潔裝置,其特征在于,所述清潔裝置還包括一殼體,該殼體具有下表面,所述吸氣管設(shè)置在所述殼體的中部且貫穿下表面;所述吹氣管設(shè)置在所述殼體內(nèi)且貫穿殼體的下表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清潔裝置,其特征在于,所述吹氣管具有吹氣口,該吹氣口的邊緣具有導(dǎo)向環(huán)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的清潔裝置,其特征在于,所述清潔裝置還包括吹氣裝置及吸氣裝置,所述吸氣裝置與所述吸氣管連通,所述吹氣裝置與所述吹氣管連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清潔裝置,其特征在于,所述清潔裝置還包括控制所述吹氣裝置及吸氣裝置工作的控制器,所述控制器分別與所述吹氣裝置及吸氣裝置連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的清潔裝置,其特征在于,所述吹氣管與所述殼體的下表面之間的夾角為30° 60°。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種清潔裝置,包括吸氣管及吹氣管;所述吹氣管設(shè)置在所述吸氣管的四周,所述吹氣管相對(duì)于吸氣管傾斜且呈異面設(shè)置。本實(shí)用新型通過(guò)該清潔裝置,可有效地清除陣列制程中對(duì)陣列基板上的殘留雜質(zhì),使得在對(duì)數(shù)據(jù)線或掃描線進(jìn)行補(bǔ)線鍍膜時(shí),避免由于陣列基板上殘留的雜質(zhì)而造成補(bǔ)線鍍膜在后續(xù)的清洗等制程中剝落,從而提高了補(bǔ)線鍍膜的成功率。
文檔編號(hào)B08B5/02GK202725553SQ20122032951
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月9日
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