專利名稱：晶舟清洗裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及集成電路制造領域，尤其涉及一種晶舟清洗裝置。
背景技術：
隨著科技的進步，電子產品已經應用到社會生活的各個領域，而這些半導體電子產品都。在半導體產品制造行業(yè)，晶舟作為晶片的承載裝置被廣泛應用于氧化、擴散及氣相沉積(CVD)等工序中。以擴散制程為例，是先將多片晶片放置在一晶舟上，再將該晶舟放置在爐管內進行批次制造。一般的，晶舟是由多個石英圓環(huán)平行固定在支撐桿上形成，每個石英圓環(huán)的間隔相等，石英圓環(huán)的邊緣均勻分布有石英小突起，用于放置晶片，一個晶舟通?？梢苑胖枚鄠€晶片。然而，用以放置晶片的晶舟在使用一定時間后，其表面會附著一層擴散工藝帶來的薄膜層(如氧化層)或者其他的顆粒，這將影響晶片的質量。為此，需要對晶舟的表面進行清洗。一種晶舟的清洗方法是將晶舟橫臥在清洗槽內，使晶舟浸泡在清洗液內，并通過升降晶舟，加強清洗液的流動，進而提高晶舟表面的清洗效果。然而石英圓環(huán)薄并且脆，晶舟一旦移動很容易損傷到石英圓環(huán)，從而使整個晶舟報廢。另一種晶舟的清洗方法是將晶舟豎直立在噴洗腔內，并利用噴頭向晶舟表面噴淋清洗液，來達到清洗晶舟的目的，然而由于噴淋的清洗液在重力的作用下，使晶舟下部聚積的清洗液比晶舟的上部多，使晶舟的清洗不均勻。

實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種晶舟清洗裝置，以解決現(xiàn)有清洗晶舟過程中損傷晶舟以及清洗不均勻的問題。為解決上述問題，本實用新型提出了一種晶舟清洗裝置，用于清洗晶舟，所述晶舟清洗裝置包括清洗槽；用于承載晶舟的旋轉盤，所述旋轉盤設置在所述清洗槽底部；用于驅動所述旋轉盤旋轉的驅動裝置，與所述旋轉盤連接；設置在所述清洗槽內的噴管以及與所述噴管連通的若干噴頭。優(yōu)選地，所述噴管與所述清洗槽底部垂直固定設置。優(yōu)選地，所述噴頭的數量為3 6個。 優(yōu)選地，所述清洗槽的形狀為立方體。優(yōu)選地，所述旋轉盤的形狀為圓柱形。優(yōu)選地，所述噴管與一清洗液供給裝置連通。優(yōu)選地，所述驅動裝置為馬達。優(yōu)選地，所述清洗槽設置有監(jiān)控單元，所述監(jiān)控單元設置在所述清洗槽的外壁上。優(yōu)選地，所述監(jiān)控單元為視鏡。本實用新型提供的晶舟清洗裝置通過將噴管設置在清洗槽內，可將清洗槽浸泡和噴頭噴淋這兩種清洗方式結合起來，對晶舟進行清洗，大大提高了清洗效果；將晶舟垂直設置在所述旋轉盤上，避免了在清洗過程中晶舟的側邊與清洗槽壁接觸而受到損傷；此外，通過旋轉盤帶動晶舟轉動，可以使晶舟得到充分的清洗。

圖1為本實用新型實施例的晶舟清洗裝置的結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型提出的晶舟清洗裝置及其清洗方法作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。本實用新型的核心思想在于提供一種晶舟清洗裝置，其將噴管設置在清洗槽內， 可將清洗槽浸泡和噴頭噴淋這兩種清洗方式結合起來，對晶舟進行清洗，提高了清洗效果；將晶舟垂直設置在所述旋轉盤上，避免了在清洗過程中晶舟的側邊與清洗槽壁接觸而受到損傷；此外，通過旋轉盤帶動晶舟轉動，可以使晶舟得到充分的清洗。圖1為本實用新型實施例的晶舟清洗裝置的結構示意圖。參照圖1，晶舟清洗裝置，用于清洗晶舟，所述晶舟清洗裝置包括清洗槽11 ；用于承載晶舟15的旋轉盤12，所述旋轉盤12設置在所述清洗槽11底部；用于驅動所述旋轉盤12旋轉的驅動裝置(圖中未示出)，與所述旋轉盤12連接；設置在所述清洗槽11內的噴管13以及與所述噴管13連通的若干噴頭14。在本實施例中，晶舟15垂直設置在所述旋轉盤12上，晶舟15依靠自身的重量固定在所述旋轉盤12上，所述旋轉盤12的轉速例如為1 3轉/分鐘，較慢的轉速能夠保證晶舟15相對于旋轉盤12靜止，并且能夠使晶舟15得到充分的清洗。本領域的普通技術人員應該理解，所述晶舟15與所述旋轉盤12不僅僅局限于上述位置關系，在晶舟15與旋轉盤12之間還可以設置有一固定元件，以使重量較輕的晶舟15固定在旋轉盤12上而不會發(fā)生傾倒的狀況。具體地，所述清洗槽11裝有清洗液，所述清洗液浸沒過晶舟15，在本實施例中，所述清洗液裝滿清洗槽11。所述清洗槽11的形狀為立方體，所述旋轉盤12的形狀為圓柱形。具體地，所述清洗槽11設置有監(jiān)控單元17，所述監(jiān)控單元17設置在所述清洗槽 11的外壁上，在本實施例中，所述監(jiān)控單元17為視鏡，通過設置在清洗槽11外壁上的視鏡， 可以清楚地觀測清洗槽11內晶舟15的清洗情況，便于及時發(fā)現(xiàn)問題進行解決。在本實施例中，晶舟15用于承載的晶圓已經進行淀積氧化層的工藝，因此在晶舟 15的表面也淀積了一層氧化層，為了使晶舟15再次使用時能夠不對承載在其上的晶圓有負面影響，需要去除晶舟15表面的氧化層并對晶舟15表面進行清洗，清除氧化層需要用到的清洗液為濃氫氟酸。因此，在對清洗槽11注滿濃氫氟酸后，需要在清洗槽11上加一塊蓋板16，以防止?jié)鈿浞釗]發(fā)，造成污染。為了加強濃氫氟酸的清洗效果，需要在此之前進行預清洗，預清洗是通過在清洗槽11內注入去離子水，利用去離子水提高晶舟15表面的活性，以便加強后期采用濃氫氟酸清洗晶舟15的效果。在用濃氫氟酸清洗晶舟15后，為了去除晶舟15表面剩余的濃氫氟
4酸，使用去離子水對晶舟15表面進行清洗，為了將濃氫氟酸徹底清洗掉，可以重復幾次采用去離子水對晶舟15表面進行清洗。本實用新型提供的晶舟清洗裝置的清洗方法如下將晶舟15豎直放置在清洗槽11內的旋轉盤上；具體地，將晶舟15豎直放置在清洗槽11內的旋轉盤12上，晶舟15依靠自身的重量在旋轉盤12轉動時能夠相對旋轉盤12 保持靜止。啟動旋轉盤12以及噴頭14，同時往所述清洗槽11內注入清洗液直至注滿，在本實施例中，所述噴頭14的數量是5個，噴頭14具有多個時間控制點，噴頭14可以和旋轉盤12同時啟動，也可以在所述清洗槽11內注滿清洗液后啟動；開啟與旋轉盤12連接的驅動裝置啟動旋轉盤12，并且通過清洗液供給裝置往噴管13內輸入清洗液，從而使清洗液從噴頭14噴出，此時，往所述清洗槽11內注入清洗液。在本實施例中，所述驅動裝置為馬達， 所述清洗液為去離子水，噴頭14中噴出的液體也為去離子水，采用去離子水浸泡并清洗晶舟15表面能夠加強晶舟15表面的活性，經過10 15分鐘后，可將清洗槽11內的去離子水排出。接著，再往清洗槽11內注入濃氫氟酸，用于去除晶舟15表面的氧化層。在本實施例中，氧化層為例如為5 10微米，需要經過15 30分鐘的清洗，再將濃氫氟酸排出。最后，通過注入去離子水，去除晶舟15表面的濃氫氟酸，清洗大約30分鐘后將去離子水排出，再重復注入、清洗以及排出。在本實施例中，重復注入去離子水、清洗以及排出三至六次，以保證濃氫氟酸被完全沖洗掉。當然，上述數值并不用于限定本實用新型，還可以根據具體的氧化層的厚度決定清洗液在清洗槽11內停留的時間。清洗完畢后，將所述清洗液排出。最后取出所述晶舟15。顯然，本領域的技術人員可以對實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求1.一種晶舟清洗裝置，用于清洗晶舟，其特征在于，包括清洗槽；用于承載晶舟的旋轉盤，所述旋轉盤設置在所述清洗槽底部；用于驅動所述旋轉盤旋轉的驅動裝置，與所述旋轉盤連接；設置在所述清洗槽內的噴管以及與所述噴管連通的若干噴頭。
2.如權利要求1所述的晶舟清洗裝置，其特征在于，所述噴管與所述清洗槽底部垂直固定設置。
3.如權利要求1所述的晶舟清洗裝置，其特征在于，所述噴頭的數量為3 6個。
4.如權利要求1所述的晶舟清洗裝置，其特征在于，所述清洗槽的形狀為立方體。
5.如權利要求1所述的晶舟清洗裝置，其特征在于，所述旋轉盤的形狀為圓柱形。
6.如權利要求1所述的晶舟清洗裝置，其特征在于，所述噴管與一清洗液供給裝置連通。
7.如權利要求1所述的晶舟清洗裝置，其特征在于，所述驅動裝置為馬達。
8.如權利要求1所述的晶舟清洗裝置，其特征在于，所述清洗槽設置有監(jiān)控單元，所述監(jiān)控單元設置在所述清洗槽的外壁上。
9.如權利要求8所述的晶舟清洗裝置，其特征在于，所述監(jiān)控單元為視鏡。
專利摘要本實用新型提出一種晶舟清洗裝置，用于清洗晶舟，所述晶舟清洗裝置包括清洗槽；用于承載晶舟的旋轉盤，所述旋轉盤設置在所述清洗槽底部；用于驅動所述旋轉盤旋轉的驅動裝置，與所述旋轉盤連接；設置在所述清洗槽內的噴管以及與所述噴管連通的若干噴頭。本實用新型提供的晶舟清洗裝置通過將噴管設置在清洗槽內，可將清洗槽浸泡和噴頭噴淋這兩種清洗方式結合起來，對晶舟進行清洗，大大提高了清洗效果；將晶舟垂直設置在所述旋轉盤上，避免了在清洗過程中晶舟的側邊與清洗槽壁接觸而受到損傷；此外，通過旋轉盤帶動晶舟轉動，可以使晶舟得到充分的清洗。
文檔編號B08B3/02GK202087548SQ201120160960
公開日2011年12月28日 申請日期2011年5月19日 優(yōu)先權日2011年5月19日
發(fā)明者周成志, 李向輝, 王楊, 秦國強, 趙慶 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司, 武漢新芯集成電路制造有限公司