專利名稱：清潔基板的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于半導(dǎo)體基板清潔的方法及設(shè)備，且更明確而言，是關(guān)于基板清 潔中所用的噴涂器(jet sprays)。
背景技術(shù)：
基板清潔是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程的重要步驟。若基板未經(jīng)適當(dāng)清潔，基板 上形成的一或多個(gè)器件可能會(huì)遭受損壞。因此，半導(dǎo)體器件的良率會(huì)因未適當(dāng) 清潔而有不良影響。故業(yè)界亟需要能可靠且有效率地在半導(dǎo)體器件制造期間清 潔基板的改良方法。發(fā)明內(nèi)容于本發(fā)明一些實(shí)施方面中提供清潔基板的方法，包括調(diào)整噴嘴的操作參數(shù) 以產(chǎn)生均勻的流體噴霧圖案；以及利用該均勻的流體噴霧圖案來(lái)清潔基板。 于本發(fā)明其它實(shí)施方面中提供一種清潔基板的方法，其包括供應(yīng)第一流體及第二流體至一噴嘴；調(diào)整第一流體及第二流體至該噴嘴的流率；調(diào)整噴嘴在 基板上方的高度；其中調(diào)整噴嘴的流率及高度可得均勻的流體噴霧圖案，并且 該流體噴霧圖案中具有預(yù)定百分比的微滴在預(yù)定尺寸范圍內(nèi)；于基板上方掃掠 均勻的流體噴霧圖案以清潔基板；以及旋轉(zhuǎn)該基板。在本發(fā)明又另一實(shí)施方面中系提供一種用于清潔基板的設(shè)備，其包括一控 制器及一耦接至該控制器的噴嘴。該控制器適于引導(dǎo)噴嘴，以將均勻流體噴霧 圖案分配至基板上。該控制器通過(guò)調(diào)整該噴嘴的至少一個(gè)操作參數(shù)來(lái)形成均勻 流體噴霧圖案。于本發(fā)明再另一實(shí)施方面中提供一種用于清潔基板的系統(tǒng)，其包括一第一 流體供應(yīng)器； 一第二流體供應(yīng)器； 一第一流體控制器，耦接至該第一流體供應(yīng) 器； 一第二流體控制器，耦接至該第二流體供應(yīng)器； 一主要控制器，耦接至該第一及第二流體控制器； 一噴嘴，耦接至該第一及第二流體控制器，該噴嘴適 于接收第一及第二流體，以及用于分配該第一和第二流體的混合物； 一促動(dòng)器， 耦接至該噴嘴及該主要控制器；以及一基板支撐件，其經(jīng)設(shè)置以在噴嘴下方旋轉(zhuǎn)基板。該主要控制器適于調(diào)整該第一及第二流體控制器，以控制流體通過(guò)該 噴嘴的速度。該主要控制器經(jīng)配置以調(diào)整該促動(dòng)器而控制該噴嘴及位在基板支 撐件上一基板之間的距離。該主要控制器亦經(jīng)配置以調(diào)整該第一及第二流體控 制器以及該促動(dòng)器，以使預(yù)定百分比的微滴在預(yù)定尺寸范圍內(nèi)。本發(fā)明其它特征及實(shí)施方面在參照下文詳細(xì)說(shuō)明、附加申請(qǐng)專利范圍及圖 式后將更為清楚。


第1圖說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例中用于清潔基板的系統(tǒng)。第2A-2C圖說(shuō)明在依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例清潔基板的同時(shí)第1圖系統(tǒng)所提供的 例示性噴霧圖案。第3圖說(shuō)明第1圖系統(tǒng)依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所提供的噴霧圖案的例示性方向。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供在半導(dǎo)體器件制造期間用于清潔基板的改良方法及設(shè)備。例 如，本發(fā)明方法及設(shè)備在清潔期間可提供一高均勻噴射噴霧至基板表面。如下 文所述，前述高均勻噴射噴霧可更有效率地將粒子從基板表面上移除的方式來(lái) 改善基板清潔。于至少一實(shí)施例中，高均勻噴射噴霧有一預(yù)定百分比的微滴是落在預(yù)定尺 寸范圍內(nèi)。此外，高均勻噴射噴霧有一預(yù)定百分比的微滴是落在該噴霧平均速 度的預(yù)定容差內(nèi)。例如，噴射噴霧中約97%的微滴直徑可約1至約25微米， 且更佳直徑為約10至約22微米，而約95%的微滴可在約±5%的微滴平均速度 內(nèi)。例示性的平均速度約30至約100米/秒，且較佳約70米/秒。為達(dá)高均勻的噴射噴霧，可調(diào)整一或多項(xiàng)噴霧噴嘴參數(shù)。例如，至噴霧噴 嘴的流體流率及/或噴霧噴嘴及基板間的距離可作調(diào)整，以形成高度均勻的噴射噴霧。前述高均勻噴射噴霧可改善清潔期間由基板所移除粒子(如，污染物)的 效率。此外或者該高均勻噴射噴霧可通過(guò)有效清潔基板的方式降低及/或排除對(duì) 基板及/或其上所形成器件的傷害。第1圖說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例中用于清潔基板的系統(tǒng)101。該基板可為，例 如半導(dǎo)體晶片、面板顯示器的玻璃基板或類似者。參照第1圖，該系統(tǒng)101可包括一控制設(shè)備103，其耦接至一噴嘴105且 適于利用該噴嘴105來(lái)提供噴霧圖案至一基板119表面。該噴霧圖案可以一發(fā) 散噴霧角度(divergent spray angle) 6來(lái)提供，于某些實(shí)施例中可為約50° 、約60°或約90° (然也可采用更大或更小的噴霧角度e)。于至少一實(shí)施例中，噴嘴105可為空氣霧化噴霧噴嘴，例如設(shè)有External Mix Model 1/8JJ的高容量噴霧器或設(shè)有Internal Mix的QuickMist壓力噴霧器， 其等由伊利諾伊州威爾頓市的Sparying System公司所制造。前述噴霧器噴嘴皆 可提供平坦截面噴霧圖案的相異噴霧。也可使用其它噴霧類型。應(yīng)注意的是在 前述實(shí)施例中，并不需要加速管。參照第1圖，該控制設(shè)備103可耦接至該噴嘴105的第一入口 107。此外， 該控制設(shè)備103可耦接至該噴嘴105的第二入口 109。該控制設(shè)備103可適于 以預(yù)定流率提供一或多種流體(如氣體或液體)至噴嘴105，以使噴嘴105可提供 所欲均勻噴霧圖案111至基板表面117。例如，該控制設(shè)備103可以預(yù)定流率 提供第一流體(例如去離子水(DIW))至第一入口 107;以及以預(yù)定流率(或壓力) 提供第二流體(例如氮?dú)?至第二入口 109。于某些實(shí)施例中，該控制設(shè)備103可包括及/或改控制第一流動(dòng)控制器113， 以控制至該噴嘴105的第一入口 107的流體流動(dòng)；及第二流動(dòng)控制器115，以 控制至該噴嘴105的第二入口 109的流體流動(dòng)。例如，該第一及第二流動(dòng)控制 器113、 115可為閥門、質(zhì)流控制器或類似物。如前文所述，噴嘴105可采用內(nèi)部混合，其中流體輸入至噴嘴105的第一 及第二入口 107、 109，并在噴嘴105內(nèi)混合以形成霧化噴霧?；蛘撸瑖娮?05 可采用外部混合，其中流體在離開(kāi)噴嘴105后，輸入至該噴嘴105第一入口 107 的流體系與輸入至該噴嘴105第二入口 109的流體混合，藉以形成霧化噴霧(如， 輸入流體可能會(huì)在離開(kāi)噴嘴105后會(huì)合及混合)。也可使用習(xí)知相異的空氣霧化噴嘴，如外部混合或內(nèi)部混合。應(yīng)注意的是外部混合噴嘴可因避免噴嘴磨損而 提供較長(zhǎng)噴嘴使用壽命，因此本發(fā)明諸多實(shí)施例中較為廣泛采用。除提供一或多種流體至噴嘴105外，或如替換實(shí)施例中所采用，該控制設(shè) 備103可適于調(diào)整噴嘴距離基板119欲清潔表面117的距離(d)，以使噴嘴105 可提供所欲的均勻噴霧圖案111。此外，在清潔期間，該控制設(shè)備103可適于 在基板119整個(gè)表面117移動(dòng)或掃掠該噴嘴105(如利用一或多個(gè)馬達(dá)、引導(dǎo)螺 桿或類似物(未示出))。此外或者該基板119可相對(duì)于噴嘴105移動(dòng)。于此方式 下，流體噴霧圖案111可由噴嘴105分配至基板119的表面117的所欲部分(如 整個(gè)表面117)。于第1圖實(shí)施例中，系利用單一控制設(shè)備103提供一或多種流體至噴嘴 105，調(diào)整該噴嘴距離d并在基板119表面117上移動(dòng)噴嘴105。于某些實(shí)施例 中，在清潔期間，可使用不同控制設(shè)備以調(diào)整噴嘴距離d及/或在基板119整個(gè) 表面117上移動(dòng)噴嘴105。此外，系統(tǒng)101可包括一額外流體源121，其適于在清潔期間提供流體至 基板119表面117。例如，額外流體源121可適于提供去離子水或化學(xué)劑溶液 至表面117，而在清潔期間作為第二去離子水清洗液或化學(xué)介質(zhì)。系統(tǒng)101可包括一適于支撐基板119的支撐件123。此外，該系統(tǒng)101可 包括及/或耦接至升舉銷125，該等升舉銷可將基板119自支撐件123升起或降 低，并在清潔期間旋轉(zhuǎn)基板119。于至少一實(shí)施例中，可使用四個(gè)升舉銷。然 也可使用較少或較多的升舉銷。于某些實(shí)施例中，在該等升舉銷可在一平板(例如支撐件123)移向基板119 背側(cè)(如，下表面)的同時(shí)固定住，以便在該板123及基板119之間形成小間隙。 該間隙可填充去離子水及/或一或多種化學(xué)物，以清潔基板119背側(cè)。于至少一 實(shí)施例中，該平板123可包括一超音波變能器(transducer)以激發(fā)間隙中的流體 來(lái)清潔基板背側(cè)，及/或?qū)⒊舨芰狂詈现粱?19。該控制設(shè)備103可通過(guò)調(diào)整(如最佳化)流體流動(dòng)的方式調(diào)整該噴嘴105所 提供的噴射圖案111以形成高度均勻的噴霧(如噴射噴霧)、及/或調(diào)整(如減少) 基板-噴嘴距離d的方式(其可決定噴霧移動(dòng)距離)，以形成高度均勻的噴霧。通 過(guò)前述調(diào)整流體流動(dòng)及/或基板-噴嘴距離d的方式，噴嘴105提供的噴霧圖案111可有較均勻的微滴尺寸及/或有較一致的速度分布。此外，也可增加供應(yīng)至基板表面in的噴霧速度。以此方式下，本發(fā)明方法及設(shè)備相較于習(xí)知清潔系 統(tǒng)可提供較均勻的噴射噴霧至基板表面。例如，較均勻的噴射噴霧可包括較小及較快的微滴，其可增加粒子移動(dòng)效率(Particle Removal Efficiency, PRE)而不會(huì) 在清潔期間對(duì)脆弱特征(如，基板119上形成的晶體管)造成傷害。因此，本發(fā) 明方法及設(shè)備可利用并調(diào)整濕式清潔過(guò)程中所使用商業(yè)上相異的噴射噴嘴，以 在半導(dǎo)體器件制造期間主動(dòng)地將粒子自基板表面117移除，而不造成損害。如進(jìn)一步范例中所示，可采用控制設(shè)備103以約20至約180每小時(shí)立方 英呎(SCFH)的流率提供氮?dú)饨o噴嘴105，較佳地對(duì)外部混合噴嘴而言流率約160 SCFH且約70psi的壓力，而對(duì)內(nèi)部混合噴嘴而言流率約56 SCFH且約50psi 的壓力。該控制設(shè)備103也可提供水予噴嘴105，其流率介約100至約200毫 升/分鐘，且壓力約25至約30psi，以使噴嘴105可形成高度均勻的流體噴射噴 霧。此外或者該控制設(shè)備103可用以將噴嘴105及基板表面117之間的高度(d) 調(diào)整在約4英吋或更小的數(shù)值(如，約100mm或更小)，對(duì)外部混合噴嘴而言較 佳約25mm，而對(duì)內(nèi)部混合噴嘴而言較佳約16mm，以形成高度均勻的流體噴 射噴霧lll(如，與習(xí)知系統(tǒng)所得噴霧相比具有較均勻微滴尺寸及速度分布的高 速噴射噴霧)。相較的下，在指定應(yīng)用中前述這樣的噴嘴其標(biāo)稱間距可超過(guò)6英 吋。于一例示性實(shí)施例中，噴射噴霧中約97%的微滴直徑可為約1至約25微 米，且較佳直徑約10至約22微米，而約95%的微滴可在該等微滴的平均速度 的約±5內(nèi)(如，約30至約100米/秒，且較佳約70米/秒)。然而，前述百分比、 尺寸范圍、平均速度范圍及容差值(tolerance)均為例示性，故可采用較大或較小 的百分比、尺寸范圍、平均速度范圍及/或容差值。前述噴霧的小且快速的微滴 可增加粒子移動(dòng)效率(PRE)，而不會(huì)在清潔期間對(duì)脆弱器件特征造成傷害。在某些實(shí)施例中，如先前所述基板清潔期間，基板119可以適當(dāng)速度旋轉(zhuǎn)， 如約750rpm(然也可采用較快或較慢的轉(zhuǎn)速)。此外或者在基板清潔期間，可在 基板119上(如，從額外流體源121)分布去離子水的第二流體清洗液及/或化學(xué) 物溶液(如以約800至約2000毫升/分鐘的范圍)。例如，可在距離基板119的中心點(diǎn)或基板119的x軸約20mm的位置處，或其它適當(dāng)位置處噴灑第二流體清 洗液。此外，控制設(shè)備103可使噴嘴105提供的高度均勻噴射圖案111作來(lái)回 掃掠(如，自基板邊緣掃掠至基板中心，反的亦然)。例如，噴嘴105可采特定 指定的掃掠模式(sweep profile),以約每分鐘約2次掃掠的掃掠速度進(jìn)行掃掠， 藉以使表面117(如，基板119的整個(gè)表面區(qū)域)均勻的暴露在噴霧111下。也可 采用其它去離子水或化學(xué)物清洗速率及/或噴嘴掃掠速度。相較于習(xí)知系統(tǒng)所提供的噴霧圖案，使用本發(fā)明方法及設(shè)備時(shí)，流體流動(dòng) 及/或基板-噴嘴間距可作調(diào)整以形成高度均勻的噴射噴霧(其包括較小的噴霧圖 案，如與基板接觸點(diǎn)小于約5mm)及較快的微滴。高度均勻的噴射噴霧圖案111 可以較高效率的方式移除粒子(如，污染物)而不會(huì)對(duì)基板119上的脆弱特征造 成傷害。該系統(tǒng)101可針對(duì)不同濕式清潔應(yīng)用作調(diào)整，經(jīng)由流體流動(dòng)及/或所用 的噴嘴-基板距離d，將可移除較多或較少百分比的粒子。依據(jù)噴嘴-基板間距d， 高度均勻的噴射噴霧111可具有充分動(dòng)能分布(如，介約0.1爾格/微滴及約1.6 爾格/微滴)以及可調(diào)整的峰值能量(如，約0.8爾格/微滴)。然也可采用其它的能 量分布值及/或峰值能量。第2A-C圖說(shuō)明在依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例清潔基板的同時(shí)第1圖系統(tǒng)所采用的 例示性噴霧圖案。參照第2A-C圖，噴嘴105所提供的高度均勻噴射圖案111 可為第2A圖中器件符號(hào)203所標(biāo)示的平坦?fàn)?如，矩形或其它形狀)、第2B圖 中器件符號(hào)205所標(biāo)示的圓形、或第2C圖中器件符號(hào)207所標(biāo)示的橢圓形。 然而，也可提供不同形狀的噴霧圖案。第3圖說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的第1圖系統(tǒng)所提供噴霧圖案的例示性方 向。參照第3圖，噴嘴噴霧圖案301在基板清潔期間方向可作調(diào)整，以使噴霧 圖案301的掃掠長(zhǎng)度1可與基板119的y軸(噴霧圖案系沿著該軸作掃掠)重合。 于某些實(shí)施例中，掃掠長(zhǎng)度1可為約30mm，然也可采用其它的掃掠長(zhǎng)度。例 如于某些實(shí)施例中，掃掠長(zhǎng)度系由噴嘴-基板距離來(lái)調(diào)整。y軸可沿著欲清潔基 板119的徑向方向。然也可采用其它的方位及掃掠方向。前述說(shuō)明僅揭示本發(fā)明的例示實(shí)施例。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域人士應(yīng)可輕易 理解前述揭示設(shè)備及方法的變化應(yīng)落于本發(fā)明范圍內(nèi)。例如，純?nèi)ルx子水的液 體流、溶有二氧化碳(C02)的去離子水、溶有臭氧(03)的去離子水、超稀釋(如，l卯m)的含氨去離子水(NH3-DIW)及/或含若干其它溶劑的去離子水或另一清潔 劑可經(jīng)由噴嘴105供應(yīng)至基板。于一例示性實(shí)施例中，在約95mm的噴嘴-基板距離處，具去離子水的噴霧 清潔液(僅來(lái)自額外流體源121 ，見(jiàn)第1圖)或來(lái)自額外流體源121的清潔化學(xué)溶 液流(不具有來(lái)自噴嘴105的噴霧清潔液)的粒子移動(dòng)效率都不會(huì)達(dá)到50%以上。 然而，出自噴嘴105的噴霧清潔液結(jié)合額外流體源121的化學(xué)物溶液流可使粒 子移動(dòng)效率提高到約95%。于某些實(shí)施例中，使用去離子水流(僅來(lái)自額外流體源121)進(jìn)行噴霧清潔 的粒子移動(dòng)效率會(huì)隨著增加噴嘴-基板距離而呈指數(shù)關(guān)系的減少。使用來(lái)自噴嘴 105的相同噴霧時(shí)，距離便可由受損模式(damadge regime)調(diào)整成不受損模式 (damage-free regime)。以第1圖所示噴霧清洗液的清潔期間，基板旋轉(zhuǎn)速度可作調(diào)整以控制基板 表面上方上的液體介質(zhì)薄膜厚度。較厚的介質(zhì)薄膜可讓基板表面上的脆弱特征 有較多的緩沖保護(hù)及/或能較佳地傳送粒子離開(kāi)基板表面。較薄的介質(zhì)薄膜可能 讓基板表面暴露在噴嘴105的高速水滴轟擊，以提高粒子移動(dòng)效率。因此，本發(fā)明雖己通過(guò)其例示性實(shí)施例作充分揭示，但應(yīng)理解的是其它實(shí) 施例也可能落入如下文申請(qǐng)專利范圍所界定的本發(fā)明精神及范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于清潔基板的設(shè)備，包含控制器；以及噴嘴，耦接至該控制器，其中該控制器適于引導(dǎo)該噴嘴將均勻流體噴霧圖案分配至基板上，以及其中該控制器適于通過(guò)調(diào)整該噴嘴的至少一個(gè)操作參數(shù)來(lái)形成該均勻流體噴霧圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該控制器適于調(diào)整流體流至該噴嘴的速率。
3. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該控制器適于調(diào)整該噴嘴在該基板上方的高度。
4. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該控制器適于調(diào)整流體流至該噴嘴的速率 以及該噴嘴在該基板上方的高度，以使一預(yù)定百分比的微滴在一預(yù)定尺寸范圍內(nèi)。
5. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該噴嘴適于產(chǎn)生平坦流體噴霧圖案。
6. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該噴嘴適于形成圓形流體噴霧圖案。
7. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該噴嘴適于形成橢圓形流體噴霧圖案。
8. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其更包括耦接至該控制器的第一流體供應(yīng)器以 及耦接至該控制器的第二流體供應(yīng)器。
9. 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中該第一流體供應(yīng)器提供液體，而該第二流 體供應(yīng)器提供氣體。
10. 如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中該噴嘴適于混合該噴嘴外部的液體及氣體。
11. 如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中該噴嘴適于混合該噴嘴內(nèi)部的液體及氣體。
12. 如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其更包括第三流體源，其適于在清潔期間直接 提供一流體至該基板。
13. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其更包括促動(dòng)器，該促動(dòng)器適于以一掃掠運(yùn)動(dòng) 的方式在基板上方移動(dòng)該噴嘴。
14.如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其更包括支撐板，其適于支撐并旋轉(zhuǎn)該基板。
15. —種用于清潔基板的系統(tǒng)，包括第一流體供應(yīng)器；第二流體供應(yīng)器；第-一流動(dòng)控制器，耦接至該第一流體供應(yīng)器； 第二流動(dòng)控制器，耦接至該第二流體供應(yīng)器； 主要控制器，耦接至第一及第二流動(dòng)控制器；噴嘴，耦接至該第一及第二流動(dòng)控制器，該噴嘴適于接收第一流體及第二流 體，且適于分配第一及第二流體的混合物；促動(dòng)器，耦接至該噴嘴及該主要控制器；以及 基板支撐件，被設(shè)置成在該噴嘴下方以使基板旋轉(zhuǎn)，其中該主要控制器適于調(diào)整該第一及第二流動(dòng)控制器，以控制流經(jīng)該噴嘴的 流體的速率，以及其中該主要控制器適于調(diào)整該促動(dòng)器，以控制該噴嘴和該基板支撐件上的基 板之間的距離。
16. 如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中該第一流體供應(yīng)器提供液體，而該第二 流體供應(yīng)器提供氣體。
17. 如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中該噴嘴適于混合該噴嘴外部的液體及氣體。
18. 如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中該噴嘴適于混合該噴嘴內(nèi)部的液體及氣體。
19. 如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其更包括第三流體源，其適于在清潔期間直 接提供一流體至該基板。
20. 如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中該噴嘴適于形成一平坦流體噴霧圖案。
21. 如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中該噴嘴適于形成一圓形流體噴霧圖案。
22. 如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中該噴嘴適于形成一橢圓形流體噴霧圖案。
23. —種清潔基板的方法，包含調(diào)整噴嘴的操作參數(shù)，以形成均勻的流體噴霧圖案；以及 利用該均勻的流體噴霧圖案來(lái)清潔基板。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中調(diào)整噴嘴的操作參數(shù)的步驟包括調(diào)整至 該噴嘴的流體流率。
25. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中調(diào)整噴嘴的操作參數(shù)的步驟包括調(diào)整該 噴嘴在該基板上方的高度。
26. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中調(diào)整噴嘴的操作參數(shù)的步驟包括調(diào)整流至該噴嘴的流體流速以及該噴嘴在該基板上方的高度，以使一預(yù)定百分比的微滴在 一預(yù)定尺寸范圍內(nèi)。
27. 如權(quán)利要求23所述的方法，其更包括供應(yīng)第一流體及第二流體至該噴嘴， 其中該第一流體為一液體，而該第二流體為一氣體。
28. 如權(quán)利要求27所述的方法，其更包括混合該噴嘴外部的液體及氣體。
29. 如權(quán)利要求27所述的方法，其更包括直接供應(yīng)第三流體至該基板。
30. 如權(quán)利要求23所述的方法，其更包括在該噴嘴分配流體時(shí)，使該噴嘴在 該基板上方掃掠。
31. 如權(quán)利要求23所述的方法，其更包括在該噴嘴分配流體時(shí)，在該噴嘴下 方轉(zhuǎn)動(dòng)該基板。
32. —種清潔基板的方法，包含調(diào)整流至噴嘴的流體速率以及該噴嘴在基板上方的高度，以便產(chǎn)生均勻流體 噴霧圖案，其中該流體噴霧圖案中一預(yù)定百分比的微滴在一預(yù)定尺寸范圍內(nèi)； 使該均勻流體噴霧圖案在該基板上方掃掠，以清潔該基板；以及 轉(zhuǎn)動(dòng)該基板。
全文摘要
本發(fā)明提供用于清潔一基板的方法、設(shè)備及系統(tǒng)，其包括一控制器及一耦接至該控制器的噴嘴。該控制器適于指揮該噴嘴以在基板上分配一均勻流體噴霧圖案。該控制器適于通過(guò)調(diào)整該噴嘴的至少一個(gè)操作參數(shù)的方式來(lái)形成該均勻流體噴霧圖案，以使一預(yù)定百分比的微滴在一預(yù)定尺寸范圍內(nèi)。本發(fā)明亦揭示多種其它實(shí)施方面。
文檔編號(hào)B08B3/00GK101405091SQ200780010245
公開(kāi)日2009年4月8日 申請(qǐng)日期2007年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月24日
發(fā)明者A·S-K·郭, B·謝, J·T-C·李, J·唐, N·A·葉, R·R·遠(yuǎn)藤, W·陸 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司