專利名稱：一種ito玻璃鍍膜前的半水基清洗液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及玻璃清洗液，特別是一種氧化銦餳(ITO-Indium Tin OXIDE)玻璃鍍膜前的半水基清洗液。
背景技術(shù)：
ITO玻璃鍍膜前的半水基清洗液對(duì)ITO導(dǎo)電玻璃表面清潔程度起著決定性的影響。ITO導(dǎo)電玻璃在拋光后需要對(duì)拋光過程中產(chǎn)生的有機(jī)物、玻璃殘留顆粒、殘留氧化鈰、拋光液殘留、以及指紋、手印等進(jìn)行去除。
ITO的清洗劑有半水基清洗劑、溶劑清洗劑兩種類型?，F(xiàn)有這類清洗劑中有丙酮等危險(xiǎn)化學(xué)組分，危及工人健康、而且易燃、易爆炸，并且成本較高、配方自由度小、用途較窄，此外，組分中的無機(jī)堿與有機(jī)物的互溶性差，不利于消除產(chǎn)品表面的殘留物，提高產(chǎn)品表面光潔度?，F(xiàn)有的半水基清洗劑液不適用于多清洗機(jī)制。如用于超聲波清洗時(shí)，其成穴效率較低，清洗效果較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種使用鈉鹽與活性劑來消除殘留物、提高產(chǎn)品表面光潔度、對(duì)狹縫潤濕性能好、安全的玻璃鍍膜前的半水基清洗液。
本發(fā)明的技術(shù)方案，其特征在于其組分及其重量百分比為20-25的磷酸三鈉、焦磷酸鈉、過氧焦磷酸鈉中的任一種鈉鹽、1-5的三乙醇胺、二乙醇胺、羥乙基乙二胺中的任一種基堿、10～20的平平加系列或OP-10或OP-20系列非離子表面活性劑、5-15的JFC滲透劑和余量的去離子水。
平平加系列及op系列活性劑，非離子表面活性劑具有1、潤濕、滲透作用，使液體表面張力較小，便于液體在固體表面鋪展；2、乳化、分散作用，使表面活性劑(乳化劑)分子的親水基溶入水，親油基溶入油，形成單分子層，提高乳液的穩(wěn)定性；3、起泡、消泡作用，氣體形成氣泡時(shí)，表面活性劑的親油基伸向泡內(nèi)，單分子膜降低表面張力，使泡沫穩(wěn)定；4、非離子表面活性劑起潤濕、滲透、乳化、分散綜合洗滌作用，還有抗靜電作用、穩(wěn)定作用、柔軟整理和防菌整理功能。
本發(fā)明的有益效果，如上所述，用鈉鹽替代現(xiàn)有溶劑清洗劑中的丙酮等危險(xiǎn)化學(xué)品，安全性好；有機(jī)堿與有機(jī)物互溶好，有利于消除產(chǎn)品表面的殘留物，提高產(chǎn)品表面光潔度；配方自由度大，適用于多清洗機(jī)制，可以去除玻璃殘留顆粒、殘留氧化鈰、拋光液殘留、以及人為造成的指紋手印。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1分別取25g焦磷酸鈉、5g平平加系列中一種、5g三乙醇胺和65g去離子水混合后充分?jǐn)嚢?，得到半水基ITO清洗劑。
實(shí)施例2分別取10g過氧焦磷酸鈉、10g羥乙基乙二胺、30g JFC、5g平平加系列中的一種，45g去離子水，混合后充分?jǐn)嚢?，得到半水基ITO清洗劑。
實(shí)施例3分別取60g磷酸三鈉，5g JFC、5g平平加系列中的一種和30g去離子水，混合后充分?jǐn)嚢瑁玫桨胨鵌TO清洗劑。
實(shí)施例4分別取20g過氧焦磷酸鈉、10g JFC、20g op系列活性劑中的一種和50g去離子水，混合后充分?jǐn)嚢瑁玫桨胨鵌TO清洗劑。
實(shí)施例6分別取20g二乙醇胺、20g JFC、10g op系列活性劑中的一種和50g去離子水，混合后得到半水基ITO清洗劑。
權(quán)利要求
一種ITO玻璃鍍膜前的半水基清洗液，其特征在于其組分及其重量百分比為20-25的磷酸三鈉、焦磷酸鈉、過氧焦磷酸鈉中的任一種鈉鹽、1-5的三乙醇胺、二乙醇胺、羥乙基乙二胺中的任一種基堿、10～20的平平加系列或OP-10或OP-20系列非離子表面活性劑、5-15的JFC滲透劑和余量的去離子水。
全文摘要
本發(fā)明涉及玻璃清洗液，特別是一種ITO玻璃鍍膜前的半水基清洗液。其組分及其重量百分比為20－25的磷酸三鈉、焦磷酸鈉、過氧焦磷酸鈉中的任一種鈉鹽、1－5的三乙醇胺、二乙醇胺、羥乙基乙二胺中的任一種基堿、10～20的平平加系列或OP－10或OP－20系列非離子表面活性劑、5－15的JFC滲透劑和余量的去離子水。有益效果是用鈉鹽替代了現(xiàn)有溶劑清洗劑中的丙酮等危險(xiǎn)化學(xué)品，有機(jī)堿與有機(jī)物互溶好，有利于消除產(chǎn)品表面的殘留物，提高產(chǎn)品表面光潔度；有鈉鹽、非離子表面活性劑、有基堿不危及工人健康、而且不易燃、安全性好，適用于多清洗機(jī)制。
文檔編號(hào)C11D3/30GK1872973SQ20061001447
公開日2006年12月6日 申請(qǐng)日期2006年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月28日
發(fā)明者仲躋和, 李家榮, 李薇薇, 周云昌, 劉正清, 孫文健 申請(qǐng)人:天津晶嶺電子材料科技有限公司