專利名稱：用于蝕刻后去除基片上沉積的光致抗蝕劑和/或犧牲性抗反射物質(zhì)的組合物和方法
發(fā)明
背景技術(shù)：
領(lǐng)域本發(fā)明涉及用于將蝕刻后的光致抗蝕劑和/或犧牲性抗反射涂層物質(zhì)從其上沉積了此類物質(zhì)的基片或物品上去除的組合物和方法。
相關(guān)技術(shù)的描述當(dāng)前發(fā)展的半導(dǎo)體集成要求(i)抗反射涂層的使用；(ii)蝕刻/灰導(dǎo)致的對(duì)低k介電材料的損害的最小化；(iii)介電/蝕刻停止互連層的有效k值的最小化，和(iv)在容許性條件和集成工藝變化方面寬的工藝范圍。
上述要求可以通過使用無灰化的蝕刻操作而實(shí)現(xiàn)，該操作結(jié)合使用介電圖案化工藝和液體清洗化學(xué)作用，所述介電圖案化工藝使用犧牲性抗反射物質(zhì)，所述液體清洗化學(xué)作用在單一的工藝步驟中去除蝕刻后光致抗蝕劑和SARC。
當(dāng)前半導(dǎo)體制造中使用的光刻工藝要求在光致抗蝕劑層下面使用紫外/光吸收涂層以阻止步進(jìn)式紫外光的反射。如果沒有該涂層，顯著量的光將從下面的基片反射出來。這樣的反射光繼而可能在光刻工藝中產(chǎn)生缺陷，例如由于相長干涉及相消干涉而導(dǎo)致的光致抗蝕劑缺口(notching)，不均一的感光速度，明顯的光刻圖案缺陷的出現(xiàn)，臨界尺寸能力的喪失，諸如此類。
有數(shù)種手段來實(shí)現(xiàn)光刻工藝中紫外線的高吸收，包括使用雙或三層光致抗蝕劑，使用底部抗反射涂層(BARCs)和犧牲性抗反射涂層(SARCs)。所有這些手段都將紫外發(fā)色團(tuán)引入吸收入射光的旋涂(spin-on)式聚合物基質(zhì)中。所有這些抗反射涂層還都對(duì)典型的雙道金屬鑲嵌集成中遇到的晶片拓?fù)淝嬗衅秸饔谩?br> 但是，當(dāng)半導(dǎo)體集成中使用SiOC基介電材料時(shí)，SARCs的使用相比上述的其他手段具有兩個(gè)重要的優(yōu)點(diǎn)。
第一，因?yàn)镾ARC材料是基于四乙基正硅酸鹽(TEOS)，它們可以與SiOC基介電材料類似的方式和類似的速度而被蝕刻。相對(duì)于上述的其他手段，這樣可實(shí)現(xiàn)很高的蝕刻均一性和蝕刻控制，乃至不需要溝槽蝕刻停止層，且通孔蝕刻停止層的厚度可減少達(dá)50％。
第二，蝕刻后的SARCs可以用液體清洗劑/蝕刻劑組合物去除，因?yàn)橄鄬?duì)于有機(jī)基光致抗蝕劑和BARCs，蝕刻后的SARCs在蝕刻后其交聯(lián)程度并不顯著增加。
當(dāng)清洗劑/蝕刻劑組合物被用于后端工序(BEOL)來加工以低電容(低k)絕緣材料或電介質(zhì)分隔的鋁或銅互連線時(shí)，重要的一點(diǎn)是用于去除殘留光致抗蝕劑和SARCs的組合物具有良好的金屬相容性，例如，對(duì)銅、鋁、鈷等具有低的腐蝕速率。
未處理的光致抗蝕劑在水性強(qiáng)堿溶液和特選有機(jī)溶劑的溶液中具有溶解性。但是，對(duì)于通常用于蝕刻介電材料的氣相等離子體蝕刻，受到氣相等離子體蝕刻的光致抗蝕劑通常在材料表面形成硬化殼。該硬化殼由交聯(lián)的有機(jī)聚合物組成，可能還含有少量的硅或金屬原子。用于雙道金屬鑲嵌工藝的氟基等離子體蝕刻可能會(huì)在光致抗蝕劑殼中沉積氟原子，這將降低其溶解性并增加其對(duì)化學(xué)去除的抗性。
光致抗蝕劑和殼可以通過氣相灰化來清除，該氣相灰化使基片受到氧化性或還原性等離子體蝕刻，但這些等離子體灰化技術(shù)可能損害介電材料，尤其是多孔、有機(jī)硅酸鹽或有機(jī)低k材料，造成不可接受的k值升高。所制造結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體特征可能含有對(duì)最終產(chǎn)品芯片的運(yùn)行至關(guān)重要的金屬，例如銅、鋁和鈷合金。
羥胺溶液在本領(lǐng)域已經(jīng)被用于光致抗蝕劑的去除，但這種溶液有相關(guān)的腐蝕、毒性和反應(yīng)性等問題，限制了其使用，而且當(dāng)集成電路中使用銅時(shí)不利的腐蝕作用特別成問題。
發(fā)明概述本發(fā)明一方面涉及清洗組合物，其用于將光致抗蝕劑和/或犧牲性抗反射涂層(SARC)物質(zhì)從其上具有該物質(zhì)的基片去除。該組合物包括選自如下的活性清洗組合(ACC)(a)與堿金屬堿或堿土金屬堿中至少之一組合的季銨堿；和(b)與氧化劑組合的強(qiáng)堿。
本發(fā)明的另一方面涉及將光致抗蝕劑和/或SARC材料從其上具有該物質(zhì)的基片去除的方法，該方法包括使基片與清洗組合物接觸足夠的時(shí)間以至少部分地從該基片上去除該物質(zhì)，其中清洗組合物包括選自如下的活性清洗組合(ACC)(a)與堿金屬堿或堿土金屬堿中至少之一組合的季銨堿；和(b)與氧化劑組合的強(qiáng)堿。
通過下面的公開內(nèi)容和附隨的權(quán)利要求可清楚本發(fā)明的其他方面、特性和優(yōu)點(diǎn)。
發(fā)明詳述和優(yōu)選的實(shí)施方式本發(fā)明構(gòu)思出清洗組合物，其用于將光致抗蝕劑和/或犧牲性抗反射涂層(SARC)物質(zhì)從其上具有該物質(zhì)的基片上去除。
所述組合物包括選自如下的活性清洗組合(ACC)(a)與堿金屬堿或堿土金屬堿中至少之一組合的季銨堿；和(b)與氧化劑組合的強(qiáng)堿。
本發(fā)明的組合物可以以多種具體配方來實(shí)現(xiàn)，如后文充分描述。
在所有這樣的組合物中，其中所述組合物的特定組分根據(jù)包括零下限的重量百分比來描述，應(yīng)當(dāng)理解這樣的組分在該組合物的多種特定實(shí)施方式中可以存在或不存在，如果這樣的組分存在，則基于采用該組分的組合物總重，該組分可以以低達(dá)0.01重量％的濃度存在。
本發(fā)明在其一個(gè)方面中涉及用于去除SARCs和光致抗蝕劑的清洗組合物，其包括如下組分0.1-40.0重量％的有機(jī)季銨堿0.01-5重量％的堿金屬堿或堿土金屬堿0-80重量％的溶劑和/或胺0-5重量％的表面活性劑0-10重量％的螯合劑/鈍化劑0-98重量％的水其中各組分的百分比是基于該組合物總重的重量百分比，且其中該組合物的這些組分的重量百分比總和不超過100重量％。
這樣的組合物可任選地包含其他組分，包括活性和非活性成分，例如穩(wěn)定劑，分散劑，抗氧化劑，穿透劑，佐劑，添加劑，填充劑，賦形劑等等。
在各實(shí)施方式中，所述組合物可不同地含有如下，或由如下組成，或基本由如下組成前述的有機(jī)季銨堿，堿金屬堿或堿土金屬堿，溶劑和/或胺，表面活性劑，螯合劑/鈍化劑，和水組分。
在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，所述清洗組合物包括如下組分2-15重量％的有機(jī)季銨堿～0.01-2重量％的堿金屬堿或堿土金屬堿0-50重量％的溶劑和/或胺～0.01-2重量％的表面活性劑0-5重量％的螯合劑/鈍化劑40-95重量％的水其中組分的百分比是基于該組合物總重的重量百分比，且其中該組合物的這些組分的重量百分比總和不超過100重量％。
在各優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述清洗組合物按如下配方A-G配制，其中所有的百分比為基于該配方總重的重量百分比配方A5.36％芐基三甲基氫氧化銨0.28％氫氧化鉀3.0％4-甲基嗎啉N-氧化物0.30％聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚0.08％2-巰基苯并咪唑91.0％水配方B5.36％芐基三甲基氫氧化銨0.28％氫氧化鉀3.0％4-甲基嗎啉N-氧化物0.30％聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚0.20％5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇90.86％水配方C3.60％芐基三甲基氫氧化銨0.27％氫氧化鉀3.5％4-甲基嗎啉N-氧化物15.0％4-(3-氨丙基)嗎啉0.30％聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚0.08％2-巰基苯并咪唑77.25％水配方D5.36％芐基三甲基氫氧化銨0.28％氫氧化鉀20.0％二甲亞砜0.08％2-巰基苯并咪唑74.28％水配方E5.36％芐基三甲基氫氧化銨0.28％氫氧化鉀10.0％四亞甲基砜0.30％環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷聚合物與2，2’-(氧化亞氨基)雙(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C9-11-異烷基氧基)丙基)衍生物，富含C100.08％2-巰基苯并咪唑83.98％水配方F5.36％芐基三甲基氫氧化銨0.28％氫氧化鉀10.0％二(乙二醇)丁基醚10.0％ 2-(2-二甲氨基)乙氧基)乙醇0.30％環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷聚合物與2，2’-(氧化亞氨基)雙(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C9-11-異烷基氧基)丙基)衍生物，富含C1074.06％水配方G5.36％芐基三甲基氫氧化銨0.28％氫氧化鉀10.0％四亞甲基砜10.0％二(乙二醇)丁基醚
0.10％環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷聚合物，單(辛基苯基)醚0.08％2-巰基苯并咪唑74.18％水在另一個(gè)方面中，本發(fā)明涉及清洗組合物，其用于從半導(dǎo)體基片和/或SARCs上剝離光致抗蝕劑和/或光致抗蝕劑殘留物，同時(shí)保持對(duì)鈷和銅相容性。這樣的清洗組合物包括如下組分的水溶液至少一種氧化劑，強(qiáng)堿，任選的螯合劑和任選的共溶劑和/或表面活性劑。所述清洗組合物有效地從半導(dǎo)體器件的頂部去除光致抗蝕劑，同時(shí)不對(duì)介電材料造成損害，也不引起下面金屬的腐蝕。
在這類組合物中，所述堿組分包括氫氧化鉀的組合物特別有利于實(shí)現(xiàn)高效率的清洗而不對(duì)介電層產(chǎn)生不良影響。
這類組合物在一個(gè)實(shí)施方式中以重量計(jì)包括如下組分，所述重量百分比基于該組合物的總重量0.1-30重量％強(qiáng)堿0.01-30重量％氧化劑0.1-10重量％螯合劑0-5重量％表面活性劑0-50重量％共溶劑20-98.9重量％去離子水在這樣的上下文中，術(shù)語“強(qiáng)堿”是指這樣的陽離子/陰離子鹽，其在水溶液或部分水性的溶液中解離，產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上化學(xué)計(jì)量的氫氧根陰離子。所述強(qiáng)堿可包括堿例如氫氧化鉀；和烷基氫氧化銨例如四甲基氫氧化銨(TMAH)、氫氧化膽堿、芐基三甲基氫氧化銨等等。
在一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明的組合物不含有羥胺。
這種組合物中的氧化劑可包括但不限于無機(jī)和/或有機(jī)氧化劑，例如過氧化氫、有機(jī)過氧化物、胺-N-氧化物、過硼酸鹽、過硫酸鹽，以及兩種或多種上述物質(zhì)的組合。
這種組合物中的螯合劑可以是任意合適的種類，可包括但不限于，三唑，例如1，2，4-三唑，或由取代基例如C1-C8烷基、氨基、硫醇基、巰基、亞氨基、羧基和硝基所取代的三唑，如苯并三唑、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑、1-氨基-1，2，4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1，2，3-三唑、1-氨基-5-甲基-1，2，3-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑、3-巰基-1，2，4-三唑、3-異丙基-1，2，4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、鹵代苯并三唑(鹵＝F、Cl、Br或I)、萘并三唑等，以及噻唑、四唑、咪唑、磷酸酯、硫醇和吖嗪，例如2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、5-氨基四唑、5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇、2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮、1，5-五甲撐四唑、1-苯基-5-巰基四唑、二氨基甲基三嗪、巰基苯并噻唑、咪唑啉硫酮、巰基苯并咪唑、4-甲基-4H-1，2，4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、indiazole等等。合適的螯合劑類物質(zhì)還包括甘油、氨基酸、羧酸、醇、酰胺和喹啉，例如鳥嘌呤、腺嘌呤、甘油、硫代甘油、次氮基三乙酸、水楊酰胺、亞氨基二乙酸、苯并胍胺、蜜胺、硫氰尿酸、鄰氨基苯甲酸、沒食子酸、抗壞血酸、水楊酸、8-羥基喹啉、5-羧酸-苯并三唑、3-巰基丙醇、硼酸、亞氨基二乙酸等等。螯合劑通常用來增加該組合物與半導(dǎo)體器件中所用金屬和介電材料的相容性。
該組合物中所用的表面活性劑可以是任意合適的類型，例如非離子型表面活性劑，如氟烷基表面活性劑、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇或聚丙二醇醚、羧酸鹽、十二烷基苯磺酸或其鹽、聚丙烯酸酯聚合物、二壬基苯基聚氧乙烯、或其他取代的苯基聚氧乙烯、硅氧烷或改性的硅氧烷聚合物、炔二醇或改性的炔二醇、烷基銨鹽或改性的烷基銨鹽、及上述物質(zhì)的兩種或多種的組合。
用于這種組合物的合適共溶劑類物質(zhì)包括但不限于，胺類如二甲基二甘醇胺、1，8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]十一碳烯、氨丙基嗎啉、三乙醇胺、甲基乙醇胺等；二醇類如乙二醇或聚乙二醇、丙二醇、新戊二醇等；胺類如羥乙基嗎啉、氨丙基嗎啉等；或二醇醚類如二(乙二醇)單乙基醚、二(丙二醇)丙基醚、乙二醇苯基醚、二(丙二醇)丁基醚、丁基卡必醇等，或聚二醇醚。
這樣的組合物的具體實(shí)施方式
如下面的配方H-S所示，其中所有的百分比均為基于該組合物總重的重量百分比。
配方H四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑 0.1％水 73.9％配方I四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％四硫鉬酸銨 0.1％水 73.9％配方J四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％
2-巰基苯并咪唑 0.1％氨丙基嗎啉 20.0％水 53.9％配方K四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％N-乙基嗎啉 20.0％水 53.9％配方L四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％氨乙基哌啶 20.0％水 53.9％配方M四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％3-氨基-5-1，2，4-三唑 0.1％氨丙基嗎啉 20.0％水 53.9％配方N四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％
N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％3-氨基-5-1，2，4-三唑 0.1％氨丙基嗎啉10.0％水63.9％配方O四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％氨丙基嗎啉20.0％水53.9％配方P四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％氨丙基嗎啉10.0％水63.9％配方Q芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液9.0％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％氨丙基嗎啉20.0％水59.02％
配方R芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 9.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％氨丙基嗎啉 15.0％水 64.02％配方S芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 9.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚聚氧乙烯，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％氨丙基嗎啉 10.0％水 69.02％在另一個(gè)方面中，本發(fā)明構(gòu)思了清洗組合物，其以重量計(jì)包括如下組分，所述重量百分比基于該組合物的總重量0.1-30重量％強(qiáng)堿2-30重量％氧化劑0-10重量％螯合劑0-5重量％表面活性劑0-50重量％共溶劑20-98重量％去離子水這種組合物中的強(qiáng)堿、氧化劑、螯合劑、共溶劑和表面活性劑類物質(zhì)可以與上面說明性討論的那些相同或是相應(yīng)種類的物質(zhì)。
該組合物的具體實(shí)施方式
如下面的配方T、U、V、W、X、Y、Z、A2、B2、C2、D2、E2、F2、G2、H2、I2、J2、K2和L2所示，其中所有百分比都為重量百分比，其基于該組合物的總重量。
配方T芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液13.4％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水78.62％配方U芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液13.4％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 1.2％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水78.02％配方V四甲基氫氧化銨，25％水溶液5.85％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 1.2％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水85.57％配方W
四甲基氫氧化銨，25％水溶液 2.93％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液1.2％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 88.49％配方X芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 7.2％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 84.82％配方Y(jié)芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 3.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液1.2％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 87.82％配方Z芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 3.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 88.42％
配方A2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液7.2％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 0.3％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水85.12％配方B2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％)1.69％3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑1.0％水72.04％配方C2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％)1.69％4-甲基-2-苯基-咪唑1.0％水72.04％芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％配方D2氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％
2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％) 1.69％2-巰基噻唑啉 1.0％水 72.04％配方E2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％) 1.69％8-羥基喹啉 1.0％水 72.04％配方F2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％) 1.69％1-苯基-2-四氮唑-5-硫酮 1.0％水 72.04％配方G2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％) 1.69％
沒食子酸 1.0％水 72.04％配方H2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％) 1.69％水楊酸 1.0％水 72.04％配方I2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％) 1.69％抗壞血酸 1.0％水 72.04％配方J2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 7.2％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％氨丙基嗎啉 10％4-甲基-2-苯基-咪唑 1.0％水 81.12％配方K2
芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 7.2％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％氨丙基嗎啉 10％4-甲基-2-苯基-咪唑 0.5％水 81.62％配方L2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 7.2％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％氨丙基嗎啉 10％4-甲基-2-苯基-咪唑 1.0％水 81.02％二壬基酚聚氧乙烯 0.1％在本發(fā)明的廣義范圍中，適合于從半導(dǎo)體基片剝離光致抗蝕劑和/或光致抗蝕劑殘留物，同時(shí)保持鈷和銅相容性的其他配方，還包括組成如下所示的配方M2、N2、O2、P2、Q2和R2配方M2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％5-氨基四唑 0.1％水 93.9％配方N2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪0.1％水 93.9％
配方O2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇 0.1％水 93.9％配方P2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％1，2，4-三唑 0.1％水 93.9％配方Q2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％2，4-二羥基-6-甲基嘧啶 0.1％水 93.9％配方R2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％8-羥基喹啉 0.1％水 93.9％本發(fā)明的清洗組合物通過簡單地加入各種組分并混合至均勻狀態(tài)即可配制。
在清洗應(yīng)用中，所述清洗組合物以任意合適的方式施加到待清洗的材料，例如，將該清洗組合物噴霧到待清洗的材料表面，將待清洗材料或包含待清洗材料的物品浸入(一定體積的該清洗組合物中)，使所述待清洗材料或物品接觸用該清洗組合物浸透的另一種材料，例如襯墊或纖維吸收性施料器元件，或利用其他任意合適的工具、方式或技術(shù)使得該清洗組合物與待清洗材料進(jìn)行清洗性的接觸。
如應(yīng)用于半導(dǎo)體制造過程中那樣，本發(fā)明的清洗組合物通常用于將光致抗蝕劑和/或SARC材料從其上沉積有這些物質(zhì)的基片和半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)去除。
相比于半導(dǎo)體基片上可能存在并暴露于該清洗組合物的其他物質(zhì)，例如ILD結(jié)構(gòu)、金屬鍍層、阻擋層等，本發(fā)明的所述組合物通過對(duì)此類光致抗蝕劑和/或SARC材料的選擇性，從而可以實(shí)現(xiàn)高效率地去除光致抗蝕劑和/或SARC材料。
本發(fā)明的清洗組合物用于將光致抗蝕劑和/或SARC材料從其上沉積有這些物質(zhì)的基片和半導(dǎo)體器件去除時(shí)，該清洗組合物通常在大約50℃到大約80℃的溫度下與所述基片接觸大約10到大約45分鐘時(shí)間。所述溫度和時(shí)間是例示性的，在本發(fā)明的廣泛實(shí)施中，其他任何能夠有效地使光致抗蝕劑和/或SARC材料至少部分地從該基片去除的合適時(shí)間和溫度條件都可以使用。
實(shí)現(xiàn)了希望的清洗作用以后，該清洗組合物可以通過例如漂洗、洗滌或其他去除步驟從其被施加到的基片或物品上立即去除，在本發(fā)明的組合物的特定最終用途中，這可能是所希望的和有效的。
下面的非限制性實(shí)施例更充分地說明了本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，其中，所有的份和百分比都以重量計(jì)，除非另有明確說明。
實(shí)施例實(shí)施例1
制備了分別具有如上所述組成的配方A、B、C、D、E、F和G的樣品。
在相應(yīng)的測試中評(píng)估這些配方從含有涂覆在其上的光致抗蝕劑和SARC材料的基片上去除該光致抗蝕劑和SARC材料，同時(shí)保持對(duì)該基片上銅鍍層的低侵蝕作用，所述測試中，特定配方的清洗組合物在60-70℃下與基片接觸6-15分鐘，然后用去離子水漂洗該基片。所述基片是硅晶片上的蝕刻后結(jié)構(gòu)，所述硅晶片在圖案化的光致抗蝕劑下含有圖案化的有機(jī)硅酸鹽介電物質(zhì)和SARC結(jié)構(gòu)。所述光致抗蝕劑是標(biāo)準(zhǔn)的、市售的193或248nm光刻用化學(xué)放大抗蝕劑。該SARC材料由市售的旋涂式聚硅氧烷材料層組成，其中該層摻入了能強(qiáng)烈吸收光刻所用頻率的光的染料物質(zhì)。
在這樣的接觸和漂洗步驟之后，測定了光致抗蝕劑的去除百分比，SARC的去除百分比和以埃每分(_/min)為單位的銅腐蝕速率。相應(yīng)的數(shù)據(jù)如下面的表1所示。
表1配方A-G的光致抗蝕劑去除百分比，SARC去除百分比和銅腐蝕速率(_/min)

實(shí)施例2制備了分別具有如上所述組成的配方H、I、J、K、L、M、N、O、P、Q、R和S的樣品。
在相應(yīng)的測試中評(píng)估這些配方從其上具有光致抗蝕劑、銅和鈷金屬的基片上去除該光致抗蝕劑殘留物，同時(shí)保持對(duì)該基片上銅和鈷的低侵蝕作用的有效性，所述測試中，特定配方的清洗組合物在60-70℃下與基片接觸，然后用去離子水漂洗該基片。所述基片是硅晶片上的蝕刻后結(jié)構(gòu)，所述硅晶片在圖案化的光致抗蝕劑下含有圖案化的有機(jī)硅酸鹽介電物質(zhì)和SARC結(jié)構(gòu)。所述光致抗蝕劑是標(biāo)準(zhǔn)的、市售的193或248nm光刻用化學(xué)放大抗蝕劑?！盎厩宄倍x為光致抗蝕劑從半導(dǎo)體器件上大于80％的去除，如光學(xué)顯微鏡法所測得的。
數(shù)據(jù)如下面表2所示。
表2 配方H-S的清洗性能

實(shí)施例3制備了分別具有如上所述組成的配方T、U、V、W、X、Y、Z、A2、B2、C2、D2、E2、F2、G2、H2、I2、J2、K2和L2的樣品。
在相應(yīng)的測試中評(píng)估這些配方從其上具有光致抗蝕劑的半導(dǎo)體基片上去除該光致抗蝕劑殘留物的有效性，所述測試中，特定配方的清洗組合物在70℃下與基片接觸12分鐘，然后用去離子水漂洗該基片。所述基片是硅晶片上的蝕刻后結(jié)構(gòu)，所述硅晶片在圖案化的光致抗蝕劑下含有圖案化的有機(jī)硅酸鹽介電物質(zhì)和SARC結(jié)構(gòu)。所述光致抗蝕劑是標(biāo)準(zhǔn)的、市售的193或248nm光刻用化學(xué)放大抗蝕劑?！盎厩宄倍x為光致抗蝕劑從半導(dǎo)體器件上大于80％的去除，如光學(xué)顯微鏡法所測得的。
結(jié)果如下面表3所示。
表3 配方T-A2的光致抗蝕劑去除百分比

表5 配方B2-L2的清洗性能

實(shí)施例4
制備了分別具有如上所述組成的配方M2、N2、O2、P2、Q2和R2的樣品。
在相應(yīng)的測試中評(píng)估這些配方從其上具有光致抗蝕劑、銅和鈷金屬的半導(dǎo)體基片上去除該光致抗蝕劑殘留物，同時(shí)保持對(duì)該基片上銅和鈷的低侵蝕作用的有效性，所述測試中，特定配方的清洗組合物在70℃下與基片接觸，然后用去離子水漂洗該基片。所述基片是硅晶片上的蝕刻后結(jié)構(gòu)，所述硅晶片在圖案化的光致抗蝕劑下含有圖案化的有機(jī)硅酸鹽介電物質(zhì)和SARC結(jié)構(gòu)。所述光致抗蝕劑是標(biāo)準(zhǔn)的、市售的193或248nm光刻用化學(xué)放大抗蝕劑。“基本清除”定義為光致抗蝕劑從半導(dǎo)體器件上大于80％的去除，如光學(xué)顯微鏡法所測得的。
表5 配方M2-R2的清洗性能

前面的實(shí)施例顯示，本發(fā)明的清洗組合物可用于從其上涂覆有光致抗蝕劑和/或SARCs的半導(dǎo)體基片上去除該光致抗蝕劑和/或SARCs。另外，使用這樣的組合物可以不對(duì)基片上的金屬鍍層，例如銅、鋁和鈷合金等造成不良影響。
另外，本發(fā)明的清洗組合物可以用合適的溶劑體系容易地配制，例如用水性或半水性溶劑體系，所述溶劑體系賦予該清洗組合物以低毒性和低可燃性的性質(zhì)。
因此，本發(fā)明的清洗組合物在集成電路器件生產(chǎn)中去除光致抗蝕劑和/或SARC材料的技術(shù)領(lǐng)域中實(shí)現(xiàn)了實(shí)質(zhì)性的進(jìn)步。
盡管本發(fā)明在本文中參照說明性的實(shí)施方式和特征得以不同地公開，應(yīng)當(dāng)理解，上面描述的實(shí)施方式和特征都不是為了限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員根據(jù)本文的公開能夠想到其他的變化、修改和其他實(shí)施方式。因此本發(fā)明應(yīng)當(dāng)被廣義地理解為包括所有不超出下面提出的權(quán)利要求的主旨和范圍的變化、修改和替代的實(shí)施方式。
權(quán)利要求
1.用于將光致抗蝕劑和/或犧牲性抗反射涂層(SARC)材料從其上具有此類物質(zhì)的基片上去除的清洗組合物，所述組合物包括選自如下的活性清洗組合(ACC)(a)與堿金屬堿或堿土金屬堿中至少之一組合的季銨堿；和(b)與氧化劑組合的強(qiáng)堿。
2.權(quán)利要求1的清洗組合物，其中不含有羥胺。
3.權(quán)利要求1的清洗組合物，其中所述ACC包含(a)。
4.權(quán)利要求3的清洗組合物，其包括如下組分0.1-40.0重量％的有機(jī)季銨堿；0.01-5重量％的堿金屬堿或堿土金屬堿；0-80重量％的溶劑和/或胺；0-5重量％的表面活性劑；0-10重量％的螯合劑/鈍化劑；和0-98重量％的水，其中組分的百分比是基于該組合物總重的重量百分比，且其中該組合物的上述組分重量百分比總和不超過100重量％。
5.權(quán)利要求1的清洗組合物，其包括選自如下的至少一種附加成分穩(wěn)定劑、分散劑、抗氧化劑、填充劑、穿透劑、佐劑、添加劑、填充劑和賦形劑。
6.權(quán)利要求3的清洗組合物，其包括如下組分2-15重量％的有機(jī)季銨堿；～0.01-2重量％的堿金屬堿或堿土金屬堿；0-50重量％的溶劑和/或胺；～0.01-2重量％的表面活性劑；0-5重量％的螯合劑/鈍化劑；和40-95重量％的水，其中組分的百分比是基于該組合物總重的重量百分比，且其中該組合物的上述組分重量百分比總和不超過100重量％。
7.權(quán)利要求1的清洗組合物，其選自配方A-G，其中所有的百分比為基于該配方總重的重量百分比配方A5.36％ 芐基三甲基氫氧化銨0.28％ 氫氧化鉀3.0％ 4-甲基嗎啉N-氧化物0.30％ 聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚0.08％ 2-巰基苯并咪唑91.0％ 水配方B5.36％ 芐基三甲基氫氧化銨0.28％ 氫氧化鉀3.0％ 4-甲基嗎啉N-氧化物0.30％ 聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚0.20％ 5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇90.86％ 水配方C3.60％ 芐基三甲基氫氧化銨0.27％ 氫氧化鉀3.5％ 4-甲基嗎啉N-氧化物15.0％ 4-(3-氨丙基)嗎啉0.30％ 聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚0.08％ 2-巰基苯并咪唑77.25％ 水配方D5.36％ 芐基三甲基氫氧化銨0.28％ 氫氧化鉀20.0％ 二甲亞砜0.08％ 2-巰基苯并咪唑74.28％ 水配方E5.36％ 芐基三甲基氫氧化銨0.28％ 氫氧化鉀10.0％ 四亞甲基砜0.30％ 環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷聚合物與2，2’-(氧化亞氨基)雙(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C(-11-異烷氧基)丙基)衍生物，富含C100.08％ 2-巰基苯并咪唑83.98％ 水配方F5.36％ 芐基三甲基氫氧化銨0.28％ 氫氧化鉀10.0％ 二(乙二醇)丁基醚10.0％ 2-(2-二甲氨基)乙氧基)乙醇0.30％ 環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷聚合物與2，2’-(氧化亞氨基)雙(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C(-11-異烷氧基)丙基)衍生物，富含C1074.06％ 水配方G5.36％ 芐基三甲基氫氧化銨0.28％ 氫氧化鉀10.0％ 四亞甲基砜10.0％ 二(乙二醇)丁基醚0.10％ 環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷聚合物，單(辛基苯基)醚0.08％ 2-巰基苯并咪唑74.18％ 水。
8.權(quán)利要求1的清洗組合物，其中所述ACC包含(b)。
9.權(quán)利要求8的清洗組合物，其包含如下組分的水溶液至少一種氧化劑、強(qiáng)堿、任選的螯合劑和任選的共溶劑和/或表面活性劑。
10.權(quán)利要求1的清洗組合物，其中所述ACC包括氫氧化鉀。
11.權(quán)利要求8的清洗組合物，其包括如下組分0.1-30重量％強(qiáng)堿；0.01-30重量％氧化劑；0-10重量％螯合劑；0-5重量％表面活性劑；0-50重量％共溶劑；和20-98.9重量％去離子水，其中組分的百分比是基于該組合物總重的重量百分比，且其中該組合物的上述組分重量百分比總和不超過100重量％。
12.權(quán)利要求11的清洗組合物，其中所述強(qiáng)堿包含選自如下的堿類物質(zhì)氫氧化鉀、烷基氫氧化銨和氫氧化膽堿。
13.權(quán)利要求8的清洗組合物，其中所述氧化劑包含選自如下的氧化劑類物質(zhì)過氧化氫、胺-N-氧化物、過硼酸鹽、過硫酸鹽、以及兩種或多種上述物質(zhì)的組合。
14.權(quán)利要求8的清洗組合物，其包括螯合劑。
15.權(quán)利要求14的清洗組合物，其中所述螯合劑包含選自如下的螯合劑類物質(zhì)三唑；由選自C1-C8烷基、氨基、硫醇基、巰基、亞氨基、羧基和硝基的取代基所取代的三唑；噻唑；四唑；咪唑；磷酸酯；硫醇；吖嗪；甘油；氨基酸；羧酸；醇；酰胺和喹啉。
16.權(quán)利要求14的清洗組合物，其中所述螯合劑包含選自如下的螯合劑類物質(zhì)1，2，4-三唑；苯并三唑；甲苯基三唑；5-苯基-苯并三唑；5-硝基-苯并三唑；4-甲基-2-苯基咪唑；2-巰基噻唑啉；1-氨基-1，2，4-三唑；羥基苯并三唑；2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑；1-氨基-1，2，3-三唑；1-氨基-5-甲基-1，2，3-三唑；3-氨基-1，2，4-三唑；3-巰基-1，2，4-三唑；3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑；3-異丙基-1，2，4-三唑；5-苯基硫醇-苯并三唑；鹵代苯并三唑，其中鹵選自F、Cl、Br和I；萘并三唑；2-巰基苯并咪唑；2-巰基苯并噻唑；5-氨基四唑；5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇；2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪；噻唑；三嗪；甲基四唑；1，3-二甲基-2-咪唑烷酮；1，5-五甲撐四唑；1-苯基-5-巰基四唑；二氨基甲基三嗪；巰基苯并噻唑；咪唑啉硫酮；巰基苯并咪唑；4-甲基-4H-1，2，4-三唑-3-硫醇；5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇；苯并噻唑；磷酸三甲苯酯；indiazole；鳥嘌呤；腺嘌呤；甘油；硫代甘油；次氮基三乙酸；水楊酰胺；亞氨基二乙酸；苯并胍胺；蜜胺；硫氰尿酸；鄰氨基苯甲酸；沒食子酸；抗壞血酸；水楊酸；8-羥基喹啉；5-羧酸-苯并三唑；3-巰基丙醇；硼酸和亞氨基二乙酸。
17.權(quán)利要求8的組合物，其包含表面活性劑。
18.權(quán)利要求17的組合物，其中所述表面活性劑包含選自如下的表面活性劑類物質(zhì)氟烷基表面活性劑；聚乙二醇；聚丙二醇；聚乙二醇醚；聚丙二醇醚；羧酸鹽；十二烷基苯磺酸和其鹽；聚丙烯酸酯聚合物；二壬基苯基聚氧乙烯；硅氧烷聚合物；改性的硅氧烷聚合物；炔二醇；改性的炔二醇；烷基銨鹽；改性的烷基銨鹽；及上述物質(zhì)中兩種或多種的組合。
19.權(quán)利要求8的組合物，其包含共溶劑。
20.權(quán)利要求19的組合物，其中所述共溶劑包含選自如下的共溶劑類物質(zhì)胺；二醇；二醇醚；聚二醇醚；和上述物質(zhì)中兩種或多種的組合。
21.權(quán)利要求19的組合物，其中所述共溶劑包含選自如下的共溶劑類物質(zhì)二甲基二甘醇胺；1，8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]十一碳烯；氨丙基嗎啉；三乙醇胺；甲基乙醇胺；二甘醇；丙二醇；新戊二醇；羥乙基嗎啉；氨丙基嗎啉；二(乙二醇)單乙基醚；二(丙二醇)丙基醚；乙二醇苯基醚；二(丙二醇)丁基醚；丁基卡必醇；聚二醇醚；和上述物質(zhì)中兩種或多種的組合。
22.權(quán)利要求8的清洗組合物，其包括0.1-30重量％強(qiáng)堿2-30重量％氧化劑0-10重量％螯合劑0-5重量％表面活性劑0-50％共溶劑20-98重量％去離子水其中組分的百分比是基于該組合物總重的重量百分比，且其中該組合物的上述組分重量百分比總和不超過100重量％。
23.權(quán)利要求1的清洗組合物，其選自配方H-R2，其中所有百分比為基于該配方總重的重量百分比配方H四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑 0.1％水 73.9％配方I四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％四硫鉬酸銨 0.1％水 73.9％配方J四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％氨丙基嗎啉 20.0％水 53.9％配方K四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％N-乙基嗎啉 20.0％水 53.9％配方L四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％氨乙基哌啶 20.0％水 53.9％配方M四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％3-氨基-5-1，2，4-三唑 0.1％氨丙基嗎啉 20.0％水 53.9％配方N四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％3-氨基-5-1，2，4-三唑 0.1％氨丙基嗎啉 10.0％水 63.9％配方O四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％氨丙基嗎啉 20.0％水 53.9％配方P四甲基氫氧化銨，25％水溶液 14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％氨丙基嗎啉 10.0％水 63.9％配方Q芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 9.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％氨丙基嗎啉 20.0％水 59.02％配方R芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 9.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％氨丙基嗎啉 15.0％水 64.02％配方S芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 9.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑 0.1％氨丙基嗎啉 10.0％水 69.02％配方T芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 13.4％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 78.62％配方U芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 13.4％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液1.2％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 78.02％配方V四甲基氫氧化銨，25％水溶液 5.85％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液1.2％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 85.57％配方W四甲基氫氧化銨，25％水溶液 2.93％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液1.2％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 88.49％配方X芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 7.2％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 84.82％配方Y(jié)芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 3.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液1.2％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 87.82％配方Z芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 3.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 88.42％配方A2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 7.2％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液7.0％氫氧化鉀，45％水溶液0.3％2-巰基苯并咪唑 0.08％二壬基酚聚氧乙烯0.3％水 85.12％配方B2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺2.33％磷酸(86％) 1.69％3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑 1.0％水 72.04％配方C2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺2.33％磷酸(86％) 1.69％4-甲基-2-苯基-咪唑 1.0％水 72.04％配方D2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺2.33％磷酸(86％) 1.69％2-巰基噻唑啉1.0％水 72.04％配方E2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺2.33％磷酸(86％) 1.69％8-羥基喹啉 1.0％水 72.04％配方F2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺2.33％磷酸(86％) 1.69％1-苯基-2-四氮唑-5-硫酮 1.0％水 72.04％配方G2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺2.33％磷酸(86％) 1.69％沒食子酸1.0％水 72.04％配方H2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺2.33％磷酸(86％) 1.69％水楊酸 1.0％水 72.04％配方I2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 22.26％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％甲基二乙醇胺2.33％磷酸(86％) 1.69％抗壞血酸1.0％水 72.04％配方J2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 7.2％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％氨丙基嗎啉 10％4-甲基-2-苯基-咪唑 1.0％水 81.12％配方K2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 7.2％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％氨丙基嗎啉 10％4-甲基-2-苯基-咪唑 0.5％水 81.62％配方L2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液 7.2％氫氧化鉀，45％水溶液0.6％2-巰基苯并咪唑 0.08％氨丙基嗎啉 10％4-甲基-2-苯基-咪唑 1.0％水 81.02％二壬基酚聚氧乙烯0.1％配方M2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液2.0％5-氨基四唑 0.1％水 93.9％配方N2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液2.0％2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪 0.1％水 93.9％配方O2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液2.0％5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇0.1％水 93.9％配方P2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液2.0％1，2，4-三唑0.1％水 93.9％配方Q2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液2.0％2，4-二羥基-6-甲基嘧啶 0.1％水 93.9％配方R2四甲基氫氧化銨，25％水溶液 4.0％過氧化氫，30％水溶液2.0％8-羥基喹啉 0.1％水 93.9％。
24.將光致抗蝕劑和/或SARC材料從其上具有所述物質(zhì)的基片上去除的方法，所述方法包括使該基片與清洗組合物接觸充分的時(shí)間，從而至少部分地將所述物質(zhì)從該基片上去除，其中所述清洗組合物包括選自如下的活性清洗組合(ACC)(a)與堿金屬堿或堿土金屬堿中至少之一組合的季銨堿；和(b)與氧化劑組合的強(qiáng)堿。
25.權(quán)利要求24的方法，其中所述基片包含半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。
26.權(quán)利要求24的方法，其中所述物質(zhì)包含光致抗蝕劑。
27.權(quán)利要求24的方法，其中所述物質(zhì)包含SARC材料。
28.權(quán)利要求27的方法，其中所述SARC材料被施加到半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，用以在對(duì)該半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行光刻圖案化過程中使反射率的變化最小。
29.權(quán)利要求24的方法，其中所述接觸進(jìn)行約10到約45分鐘。
30.權(quán)利要求24的方法，其中所述接觸在約50℃到約80℃的溫度下進(jìn)行。
31.權(quán)利要求24的方法，其中所述組合物中不含有羥胺。
32.權(quán)利要求24的方法，其中所述ACC含有(a)。
33.權(quán)利要求32的方法，其中所述組合物含有以下組分0.1-40.0重量％的有機(jī)季銨堿；0.01-5重量％的堿金屬堿或堿土金屬堿；0-80重量％的溶劑和/或胺；0-5重量％的表面活性劑；0-10重量％的螯合劑/鈍化劑；和0-98重量％的水，其中組分的百分比是基于該組合物總重的重量百分比，且其中該組合物的上述組分重量百分比總和不超過100重量％。
34.權(quán)利要求24的方法，其中所述組合物包括選自如下的至少一種附加成分穩(wěn)定劑、分散劑、抗氧化劑、穿透劑、佐劑、添加劑、填充劑和賦形劑。
35.權(quán)利要求32的方法，其中所述組合物包括如下組分2-15重量％的有機(jī)季銨堿；～0.01-2重量％的堿金屬堿或堿土金屬堿；0-50重量％的溶劑和/或胺；～0.01-2重量％的表面活性劑；0-5重量％的螯合劑/鈍化劑；和40-95重量％的水，其中組分的百分比是基于該組合物總重的重量百分比，且其中該組合物的上述組分重量百分比總和不超過100重量％。
36.權(quán)利要求24的方法，其中所述清洗組合物選自配方A-G，其中所有的百分比為基于該配方總重的重量百分比配方A芐基三甲基氫氧化銨 5.36％氫氧化鉀 0.28％4-甲基嗎啉N-氧化物 3.0％聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚0.30％2-巰基苯并咪唑 0.08％水 91.0％配方B芐基三甲基氫氧化銨 5.36％氫氧化鉀 0.28％4-甲基嗎啉N-氧化物 0.28％聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚0.30％5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇 0.20％水 90.86％配方C芐基三甲基氫氧化銨 3.60％氫氧化鉀 0.27％4-甲基嗎啉N-氧化物 3.5％4-(3-氨丙基)嗎啉 15.0％聚氧乙烯(150)二壬基苯基醚0.30％2-巰基苯并咪唑 0.08％水 77.25％配方D芐基三甲基氫氧化銨 5.36％氫氧化鉀 0.28％二甲亞砜 20.0％2-巰基苯并咪唑 0.08％水 74.28％配方E芐基三甲基氫氧化銨 5.36％氫氧化鉀 0.28％四亞甲基砜 10.0％環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷聚合物與2，2’-(氧化亞氨基)雙(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C(-11-異烷氧基)丙基)衍生物，富含C100.30％2-巰基苯并咪唑 0.08％水 83.98％配方F芐基三甲基氫氧化銨 5.36％氫氧化鉀 0.28％二(乙二醇)丁基醚 10.0％2-(2-二甲氨基)乙氧基)乙醇10.0％環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷聚合物與2，2’-(氧化亞氨基)雙(乙醇)(2∶1)的醚和N(-3(C(-11-異烷氧基)丙基)衍生物，富含C100.30％水 74.06％配方G芐基三甲基氫氧化銨 5.36％氫氧化鉀 10.0％四亞甲基砜 10.0％二(乙二醇)丁基醚 10.0％環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷聚合物，單(辛基苯基)醚 0.10％2-巰基苯并咪唑 0.08％水 74.18％。
37.權(quán)利要求24的方法，其中所述ACC包含(b)。
38.權(quán)利要求37的方法，其中所述清洗組合物包括如下組分的水溶液至少一種氧化劑、強(qiáng)堿、任選的螯合劑和任選的共溶劑和/或表面活性劑。
39.權(quán)利要求24的方法，其中所述ACC包含氫氧化鉀。
40.權(quán)利要求37的方法，其中所述清洗組合物包括如下組分0.1-30重量％強(qiáng)堿；0.01-30重量％氧化劑；0-10重量％螯合劑；0-5重量％表面活性劑；0-50重量％共溶劑；和20-98.9重量％去離子水，其中組分的百分比是基于該組合物總重的重量百分比，且其中該組合物的上述組分重量百分比總和不超過100重量％。
41.權(quán)利要求40的方法，其中所述強(qiáng)堿包含選自如下的堿類物質(zhì)氫氧化鉀、烷基氫氧化銨和氫氧化膽堿。
42.權(quán)利要求37的方法，其中所述氧化劑包含選自如下的氧化劑類物質(zhì)過氧化氫、有機(jī)過氧化物、胺-N-氧化物、過硼酸鹽、過硫酸鹽、以及兩種或多種上述物質(zhì)的組合。
43.權(quán)利要求37的方法，其包括螯合劑。
44.權(quán)利要求43的方法，其中所述螯合劑包含選自如下的螯合劑類物質(zhì)三唑；由選自C1-C8烷基、氨基、硫醇基、巰基、亞氨基、羧基和硝基的取代基所取代的三唑；噻唑；四唑；咪唑；磷酸酯；硫醇；吖嗪；甘油；氨基酸；羧酸；醇；酰胺和喹啉。
45.權(quán)利要求43的方法，其中所述螯合劑包含選自如下的螯合劑類物質(zhì)1，2，4-三唑；苯并三唑；甲苯基三唑；5-苯基-苯并三唑；5-硝基-苯并三唑；1-氨基-1，2，4-三唑；羥基苯并三唑；2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑；1-氨基-1，2，3-三唑；4-甲基-2-苯基咪唑；2-巰基噻唑啉；1-氨基-5-甲基-1，2，3-三唑；3-氨基-1，2，4-三唑；3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑，3-巰基-1，2，4-三唑；3-異丙基-1，2，4-三唑；5-苯基硫醇-苯并三唑；鹵代苯并三唑，其中鹵選自F、Cl、Br和I；萘并三唑；2-巰基苯并咪唑；2-巰基苯并噻唑；5-氨基四唑；5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇；2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪；噻唑；三嗪；甲基四唑；1，3-二甲基-2-咪唑烷酮；1，5-五甲撐四唑；1-苯基-5-巰基四唑；二氨基甲基三嗪；巰基苯并噻唑；咪唑啉硫酮；巰基苯并咪唑；4-甲基-4H-1，2，4-三唑-3-硫醇；5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇；苯并噻唑；磷酸三甲苯酯；indiazole；鳥嘌呤；腺嘌呤；甘油；硫代甘油；次氮基三乙酸；水楊酰胺；亞氨基二乙酸；苯并胍胺；蜜胺；硫氰尿酸；鄰氨基苯甲酸；沒食子酸；抗壞血酸；水楊酸；8-羥基喹啉；5-羧酸-苯并三唑；3-巰基丙醇；硼酸和亞氨基二乙酸。
46.權(quán)利要求37的方法，其中所述清洗組合物包含表面活性劑。
47.權(quán)利要求46的方法，其中所述表面活性劑包含選自如下的表面活性劑類物質(zhì)氟烷基表面活性劑；聚乙二醇；聚丙二醇；聚乙二醇醚；聚丙二醇醚；羧酸鹽；十二烷基苯磺酸和其鹽；聚丙烯酸酯聚合物；二壬基苯基聚氧乙烯；硅氧烷聚合物；改性的硅氧烷聚合物；炔二醇；改性的炔二醇；烷基銨鹽；改性的烷基銨鹽；及上述物質(zhì)中兩種或多種的組合。
48.權(quán)利要求37的方法，其中所述清洗組合物包含共溶劑。
49.權(quán)利要求48的方法，其中所述共溶劑包含選自如下的共溶劑類物質(zhì)胺；二醇；二醇醚；聚二醇醚；和上述物質(zhì)中兩種或多種的組合。
50.權(quán)利要求48的方法，其中所述共溶劑包括選自如下的共溶劑類物質(zhì)二甲基二甘醇胺；1，8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]十一碳烯；甲基二乙醇胺；氨丙基嗎啉；三乙醇胺；甲基乙醇胺；二甘醇；丙二醇；新戊二醇；羥乙基嗎啉；氨丙基嗎啉；二(乙二醇)單乙基醚；二(丙二醇)丙基醚；乙二醇苯基醚；二(丙二醇)丁基醚；丁基卡必醇；聚二醇醚；和上述物質(zhì)中兩種或多種的組合。
51.權(quán)利要求37的方法，其中所述組合物包含0.1-30重量％強(qiáng)堿2-30重量％氧化劑0-10重量％螯合劑0-50％共溶劑0-5重量％表面活性劑20-98重量％去離子水其中組分的百分比是基于該組合物總重的重量百分比，且其中該組合物的上述組分重量百分比總和不超過100重量％。
52.權(quán)利要求24的方法，其中所述清洗組合物選自配方H-G2，其中所有百分比為基于該配方總重的重量百分比配方H四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑0.1％水73.9％配方I四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％四硫鉬酸銨0.1％水73.9％配方J四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％氨丙基嗎啉20.0％水53.9％配方K四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％N-乙基嗎啉20.0％水53.9％配方L四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％氨乙基哌啶20.0％水53.9％配方M四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％3-氨基-5-1，2，4-三唑 0.1％氨丙基嗎啉20.0％水53.9％配方N四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％3-氨基-5-1，2，4-三唑 0.1％氨丙基嗎啉10.0％水63.9％配方O四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％氨丙基嗎啉20.0％水53.9％配方P四甲基氫氧化銨，25％水溶液14.7％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％氨丙基嗎啉10.0％水63.9％配方Q芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液9.0％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％氨丙基嗎啉20.0％水59.02％配方R芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液9.0％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％氨丙基嗎啉15.0％水64.02％配方S芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液9.0％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％二壬基酚乙氧基化物，7％水溶液 4.3％2-巰基苯并咪唑0.1％氨丙基嗎啉10.0％水69.02％配方T芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液13.4％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水78.62％配方U芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液13.4％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 1.2％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水78.02％配方V四甲基氫氧化銨，25％水溶液5.85％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 1.2％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水85.57％配方W四甲基氫氧化銨，25％水溶液2.93％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 1.2％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水88.49％配方X芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液7.2％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水84.82％配方Y(jié)芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液3.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 1.2％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水87.82％配方Z芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液3.6％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水88.42％配方A2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液7.2％N-甲基嗎啉氧化物，50％水溶液 7.0％氫氧化鉀，45％水溶液 0.3％2-巰基苯并咪唑0.08％二壬基酚聚氧乙烯 0.3％水85.12％配方B2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％)1.69％3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑1.0％水72.04％配方C2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％)1.69％4-甲基-2-苯基-咪唑1.0％水72.04％配方D2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％)1.69％2-巰基噻唑啉 1.0％水72.04％配方E2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％)1.69％8-羥基喹啉1.0％水72.04％配方F2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％)1.69％1-苯基-2-四氮唑-5-硫酮1.0％水72.04％配方G2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％)1.69％沒食子酸 1.0％水72.04％配方H2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％)1.69％水楊酸1.0％水72.04％配方I2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液22.26％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％甲基二乙醇胺 2.33％磷酸(86％)1.69％抗壞血酸 1.0％水72.04％配方J2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液7.2％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％氨丙基嗎啉10％4-甲基-2-苯基-咪唑1.0％水81.12％配方K2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液7.2％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％氨丙基嗎啉10％4-甲基-2-苯基-咪唑0.5％水81.62％配方L2芐基三甲基氫氧化銨，40％水溶液7.2％氫氧化鉀，45％水溶液 0.6％2-巰基苯并咪唑0.08％氨丙基嗎啉10％4-甲基-2-苯基-咪唑1.0％水81.02％二壬基酚聚氧乙烯 0.1％配方M2四甲基氫氧化銨，25％水溶液4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％5-氨基四唑0.1％水93.9％配方N2四甲基氫氧化銨，25％水溶液4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪 0.1％水93.9％配方O2四甲基氫氧化銨，25％水溶液4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇 0.1％水93.9％配方P2四甲基氫氧化銨，25％水溶液4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％1，2，4-三唑 0.1％水93.9％配方Q2四甲基氫氧化銨，25％水溶液4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％2，4-二羥基-6-甲基嘧啶0.1％水93.9％配方R2四甲基氫氧化銨，25％水溶液4.0％過氧化氫，30％水溶液 2.0％8-羥基喹啉0.1％水 93.9％。
全文摘要
用于將光致抗蝕劑和/或犧牲性抗反射涂層(SARC)材料從其上具有這些物質(zhì)的基片去除的組合物和方法。該組合物包括堿組分，例如與堿金屬堿或堿土金屬堿組合的季銨堿，或與氧化劑組合的強(qiáng)堿。該組合物可用于水性介質(zhì)中，例如與螯合劑、表面活性劑和/或共溶劑類物質(zhì)一道使用，從而在集成電路制造中實(shí)現(xiàn)光致抗蝕劑和/或SARC材料的高效去除，而對(duì)基片上的金屬類物質(zhì)例如銅、鋁和/或鈷合金沒有不良影響，對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中使用的SiOC基介電材料也沒有損害。
文檔編號(hào)C11D1/62GK1938647SQ200580010540
公開日2007年3月28日 申請(qǐng)日期2005年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月3日
發(fā)明者梅利莎·K·拉斯, 大衛(wèi)·D·伯恩哈特, 大衛(wèi)·明塞克, 邁克爾·B·克贊斯基, 托馬斯·H·鮑姆 申請(qǐng)人:高級(jí)技術(shù)材料公司