專利名稱：基板清洗方法、基板清洗裝置以及計算機可讀取的存儲介質(zhì)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及能夠防止半導體晶片和平板顯示器(Flat PanelDisplay)用玻璃基板等被處理基板的表面產(chǎn)生水印地基板清洗方法、用來實施該基板處理方法的基板清洗裝置以及計算機可讀取的存儲介質(zhì)。
背景技術：
例如，在半導體器件的制造過程中，需要使半導體晶片的表面始終保持清潔，因此，要適當?shù)貙Π雽w晶片進行清洗處理。作為對半導體晶片一片片進行處理的單片清洗處理的典型例子，有一種已經(jīng)公知的處理方法是，向被保持在自旋卡盤上的半導體晶片供給既定的清洗液(藥液清洗處理)，之后，用純水沖洗掉半導體晶片上的清洗液(沖洗處理)，再使半導體晶片高速旋轉(zhuǎn)將半導體晶片上的純水甩干(自旋干燥處理)。
這種處理方法存在著這樣的問題，即，進行自旋干燥時產(chǎn)生的純水的水霧會附著在半導體晶片的干燥面上從而在半導體晶片的表面產(chǎn)生水印。
為此，作為防止產(chǎn)生這種水印的清洗方法，特開平4-287922號公報公開了一種基板處理方法，即，具有向被處理基板的表面從斜上方供給既定的清洗液的清洗處理工序、之后向被處理基板的表面從斜上方供給純水的沖洗處理工序、以及之后使被處理基板高速旋轉(zhuǎn)將清洗液甩干的干燥處理工序等工序，使沖洗處理工序的末期與干燥處理工序的初期在時間上重疊，在該重疊期間以及干燥處理工序中向被處理基板的中心部位供給氮氣。
此外，特開2001-53051號公報所公開的基板干燥方法是，向經(jīng)過沖洗處理后的基板的中心部位噴射惰性氣體且向基板的外周部位噴射純水，并使該惰性氣體的噴射位置和純水的噴射位置一起從基板的中心向外側(cè)作徑向移動。
但是，在半導體器件的制造過程中，會在半導體晶片的表面形成同時存在有親水性表面(例如通過既定的方法形成的SiO2表面)和疏水性表面(例如裸Si表面)的圖案。上述親水性表面和疏水性表面在進行自旋干燥處理時水的甩干速率不同，因此，上述現(xiàn)有的自旋干燥方法要避免水印的產(chǎn)生是困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的，其目的是提供一種可防止水印的產(chǎn)生的清洗處理方法。此外，本發(fā)明的目的是提供一種用來實施該基板處理方法的基板處理裝置以及計算機可讀取的存儲介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的第1觀點，提供一種基板清洗方法，即，邊使被處理基板大致呈水平姿態(tài)旋轉(zhuǎn)邊向其表面供給純水，對所述被處理基板進行沖洗處理，之后使提供給所述被處理基板的純水供給流量比進行沖洗處理時減少，并且使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動，邊在所述純水供給點的大致外側(cè)區(qū)域形成液膜邊對所述被處理基板進行自旋干燥處理。
在這種基板清洗方法中，最好是，被處理基板的純水供給點從被處理基板的中心向外側(cè)移動的速度是在被處理基板的外周部位比在中心部位快。此外，由于在被處理基板的中心部位，離心力難以充分地作用于純水上，這樣將難以干燥，因此，為了促使被處理基板的中心部位均勻地干燥，可以采用下面的方法，即，在被處理基板的純水供給點到達距被處理基板的中心既定距離的位置上時，使純水供給點的移動在此處停止，向被處理基板的中心部位吹噴氮氣，之后停止氮氣的吹噴，使純水供給點再次向被處理基板的外側(cè)移動。
此外，可以采用這樣的方法，即，使被處理基板的純水供給點向距被處理基板的中心10～15mm的位置快速移動，使純水供給點的移動在此處停止，向被處理基板的中心部位吹噴既定時間的氮氣，之后停止氮氣的吹噴，并使純水供給點以3mm/秒以下的速度再次向被處理基板的外側(cè)移動。
也可以采用這樣的方法，即，在被處理基板的純水供給點從被處理基板的中心部位離開既定距離之后向被處理基板的中心部位吹噴氮氣，之后邊向被處理基板吹噴氮氣邊使氮氣的吹噴點與純水供給點一起從被處理基板的中心部位向外側(cè)移動。除此之外，由于在被處理基板的外周部位離心力充分作用于純水上，因而還可以采用這樣的方法，即，在被處理基板的純水供給點從處理基板的中心部位離開既定距離后向被處理基板的中心部位吹噴氮氣，之后邊向被處理基板吹噴氮氣邊使氮氣吹噴點與純水供給點一起從被處理基板的中心部位向外側(cè)移動，在移動的中途僅使氮氣的吹噴停止。
進行沖洗處理時被處理基板的轉(zhuǎn)速在100rpm以上、1000rpm以下為宜。而在自旋干燥處理中向被處理基板的中心部位吹噴氮氣并使其吹噴位置與純水供給點一起向被處理基板的外側(cè)移動的場合，被處理基板的轉(zhuǎn)速在800rpm以上即可。此外，從防止因被處理基板上飛濺出來的純水霧化而形成水點或水印的觀點出發(fā)，自旋干燥處理中被處理基板的轉(zhuǎn)速在2500rpm以下為宜。
相對于此，在自旋干燥時不向被處理基板供給氮氣的場合，被處理基板的自旋干燥處理時的轉(zhuǎn)速高于進行沖洗處理時的轉(zhuǎn)速為宜。具體地說，最好是，被處理基板的轉(zhuǎn)速在進行沖洗處理時在100rpm以上、1000rpm以下，進行自旋干燥處理時在1500rpm以上、2500rpm以下。本發(fā)明的基板清洗方法非常適合在被處理基板的表面同時存在有疏水性表面和親水性表面時使用，但勿庸置疑，也可以在被處理基板的表面只有疏水性表面或只有親水性表面時使用。
本發(fā)明還提供用來實施上述基板清洗方法的基板清洗裝置。即，根據(jù)本發(fā)明的第2觀點，提供一種基板清洗裝置，包括自旋卡盤，將被處理基板保持成大致水平姿態(tài)并使其旋轉(zhuǎn)；純水供給機構(gòu)，具有向被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板的表面噴射純水的純水供給噴嘴，以及向所述純水供給噴嘴輸送純水的純水供給部；純水噴嘴掃描機構(gòu)，使所述純水供給噴嘴在被處理基板的中心上方與外緣上方之間掃描；控制部，對所述自旋卡盤和所述純水供給機構(gòu)以及所述純水噴嘴掃描機構(gòu)進行控制，通過進行邊使被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板的表面以既定流量供給純水的沖洗處理，之后使提供給所述被處理基板的純水供給流量比進行所述沖洗處理時減少，并且使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動，從而邊在所述純水供給點的大致外側(cè)區(qū)域形成液膜邊進行所述被處理基板的自旋干燥處理。
最好是，為進行上述使用氮氣的自旋干燥處理，該基板清洗裝置還包括具有向被保持在自旋卡盤上的被處理基板的表面的中心部位吹噴氮氣的氣體噴嘴的氣體供給機構(gòu)。而為了使被處理基板的處理能夠流暢地進行，該氣體供給機構(gòu)也最好由控制部進行控制。
此外，最好是，該基板清洗裝置還包括氣體供給機構(gòu)和氣體噴嘴掃描機構(gòu)，所述氣體供給機構(gòu)具有向被保持在自旋卡盤上的被處理基板的表面吹噴氮氣的氣體噴嘴，所述氣體噴嘴掃描機構(gòu)使該氣體噴嘴在被處理基板上進行掃描。此時也同樣，使氣體供給機構(gòu)和氣體噴嘴掃描機構(gòu)受控制部的控制，可使得被處理基板的處理能夠流暢地進行。
本發(fā)明還提供儲存有使對上述基板清洗裝置進行控制的計算機實施上述基板清洗方法的程序的、計算機可讀取的存儲介質(zhì)。即，根據(jù)本發(fā)明的第3觀點，提供一種計算機可讀取的存儲介質(zhì)，該存儲介質(zhì)儲存有使對邊使大致被保持成水平姿態(tài)的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板供給純水而進行沖洗處理、再進行自旋干燥的基板清洗裝置進行控制的計算機實施下述處理的程序，即，(a)邊使被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板的表面以既定流量供給純水而進行沖洗處理，(b)使提供給所述被處理基板的純水供給流量比進行所述沖洗處理時減少，并且使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動，邊在所述純水供給點的大致外側(cè)區(qū)域形成液膜邊使所述被處理基板自旋干燥。
根據(jù)本發(fā)明的第4觀點，提供與基板清洗裝置的構(gòu)造相適應的另一種存儲介質(zhì)，該存儲介質(zhì)儲存有使對邊使大致被保持成水平姿態(tài)的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板供給純水進行沖洗處理、再向所述被處理基板供給氮氣進行自旋干燥的基板清洗裝置進行控制的計算機實施下述處理的程序，即，(a)邊使被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板的表面以既定流量供給純水而進行沖洗處理，(b)使提供給所述被處理基板的純水供給流量比進行所述沖洗處理時減少，并且使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動，(c)在所述被處理基板的純水供給點到達距所述被處理基板的中心既定距離的位置上時使所述純水供給點的移動在此處暫時停止，向所述被處理基板的中心部位吹噴氮氣，(d)在所述氮氣的吹噴停止后使所述純水供給點再次向所述被處理基板的外側(cè)移動，邊在所述純水供給點的大致外側(cè)區(qū)域形成液膜邊使所述被處理基板自旋干燥。
根據(jù)本發(fā)明的第5觀點，提供與基板清洗裝置的構(gòu)造相適應的又一種存儲介質(zhì)，該存儲介質(zhì)儲存有使對邊使大致被保持成水平姿態(tài)的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板供給純水而進行沖洗處理、再向所述被處理基板供給氮氣進行自旋干燥的基板清洗裝置進行控制的計算機實施下述處理的程序，即，(a)邊使被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板的表面以既定流量供給純水進行沖洗處理，(b)使提供給所述被處理基板的純水供給流量比進行所述沖洗處理時減少，并且使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動，(c)在所述被處理基板的純水供給點到達距所述被處理基板的中心既定距離的位置上時使所述純水供給點的移動在此處暫時停止，向所述被處理基板的中心部位吹噴氮氣，(d)邊向所述被處理基板吹噴氮氣邊使所述氮氣的吹噴點與所述純水供給點一起從所述被處理基板的中心部位向外側(cè)移動。
根據(jù)本發(fā)明，既便疏水性表面和親水性表面同時存在，也能夠縮小疏水性表面的干燥時間和親水性表面的干燥時間之間的差異，因此，能夠防止水印的產(chǎn)生并高精密地進行基板清洗處理。勿庸置疑，作為本發(fā)明，無論在被處理基板的表面由疏水性表面構(gòu)成的場合還是由親水性表面構(gòu)成的場合均有效。


圖1是展示基板清洗裝置的概略結(jié)構(gòu)的縱向剖視圖。
圖2是展示基板清洗裝置的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖3是展示基板清洗裝置的控制系統(tǒng)的概略圖。
圖4是展示清洗處理方法的流程圖。
圖5是展示現(xiàn)有自旋干燥方法中晶片的干燥過程的示意圖。
圖6是展示現(xiàn)有自旋干燥方法中晶片的干燥過程的另一個示意圖。
圖7是展示現(xiàn)有自旋干燥方法中晶片的干燥過程的又一個示意圖。
圖8是對本發(fā)明清洗處理方法中通過自旋干燥晶片變干燥的過程進行展示的示意圖。
圖9是展示另一種基板清洗裝置的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖10是展示另一種清洗處理方法的流程圖。
圖11是展示又一種基板清洗裝置的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
具體實施例方式
下面，對本發(fā)明的實施方式結(jié)合附圖進行詳細說明。圖1是展示對半導體晶片進行清洗的基板清洗裝置10的概略結(jié)構(gòu)的縱向剖視圖，圖2是其俯視圖。
基板清洗裝置10的主要部分設置在外殼50內(nèi)。圖1和圖2只展示了一部分外殼50。在外殼50內(nèi)的大致中央部位配置有環(huán)形的筒CP，筒CP的內(nèi)側(cè)配置有自旋卡盤51。自旋卡盤51以采用靠真空吸附作用對晶片W進行保持、或者對晶片W的端面進行機械式保持的所謂機械式卡盤為宜，它能夠在對晶片W進行保持的狀態(tài)下受驅(qū)動馬達52的驅(qū)動而旋轉(zhuǎn)。在筒CP的底部，設置有用來排放清洗液和純水的排放管53，此外，在基板清洗裝置10的外殼50的垂直壁上，形成有用來從外部送入晶片或反之將晶片W送到外部的輸送口56。
向晶片W的表面供給清洗液和純水的處理液噴嘴61約呈筒狀形成，以其長度方向大體垂直的狀態(tài)被保持在噴嘴保持部件63中。通過清洗液供給部64以及經(jīng)閥門的開閉調(diào)節(jié)可改變流量的純水供給部65，有選擇地向處理液噴嘴61輸送清洗液或純水。即，處理液噴嘴61發(fā)揮著向晶片W供給清洗液的噴嘴以及向晶片W供給純水的噴嘴的功能。處理液噴嘴61以采用所謂的直噴式噴嘴為宜。噴嘴保持部件63安裝在掃描桿67的前端。
該掃描桿67安裝在垂直支撐部件69的上端，而垂直支撐部件69配置在外殼50的底板上沿某一方向(Y方向)鋪設的導軌68上。該垂直支撐部件69能夠在Y軸驅(qū)動機構(gòu)77的驅(qū)動下作水平移動，并具有驅(qū)動掃描桿67升降的Z軸驅(qū)動機構(gòu)78。因此，處理液噴嘴61能夠在晶片W上沿Y方向自由移動，而且能夠超出筒CP的上端而退避到筒CP之外。
向晶片W的表面吹噴氮氣(N2氣體)的N2噴嘴62也約呈筒狀形成，其長度方向大體垂直，配置在被保持在自旋卡盤51上的晶片W的中心的上方。該N2噴嘴62能夠在升降機構(gòu)79的驅(qū)動下自由升降。由N2氣體供給部66向N2噴嘴62供給N2氣體。
N2噴嘴62上安裝有將其前端圍起來的圓筒形的罩子54。若不設置該罩子54，則N2噴嘴62噴出的N2氣體將集中在晶片W的一個點上，將晶片W上的純水吹成水霧。此時，在N2噴嘴62噴出的N2氣體的周圍該水霧下落速度較慢，會導致水霧落在晶片W的干燥部位上而形成水點的問題的發(fā)生。而設置罩子54之后，N2噴嘴62噴出的N2氣體之中的噴向外側(cè)的N2氣體噴到罩子54上而向下流，因而水霧將落在晶片W上的尚未干燥的純水部分中，而該純水部分在此之后是要被清除的，因此，能夠防止水點的產(chǎn)生。
例如，當N2噴嘴62的外徑為6mmφ(內(nèi)徑4mmφ)時，罩子54的內(nèi)徑以10mmφ～20mmφ為宜。此外，最好是使罩子54能夠獨立于N2噴嘴62自由升降，以便對N2噴嘴62前端與罩子54前端之間的距離進行調(diào)節(jié)，由此，可對晶片W的干燥面擴展方式進行控制。
圖3示出基板清洗裝置10的控制系統(tǒng)的概略構(gòu)成。用來對基板清洗裝置10所進行的晶片W的處理進行控制的控制部(即計算機)11具有程序控制器(CPU)12、具有鍵盤和顯示器的數(shù)據(jù)輸入輸出部13以及存儲部14；該鍵盤可供工藝管理人員在設定晶片W的清洗處理等條件時進行輸入命令等操作，該顯示器用來顯示程序控制器(CPU)12的計算結(jié)果以及將清洗處理的實施狀況可視化，所述存儲部14中儲存有用來對基板清洗裝置10進行控制的程序和處置法(recipe)以及與所實施的處理相關的數(shù)據(jù)等。
具體地說，為了實施將在后面詳細說明的以清洗液進行的清洗處理、以純水進行的沖洗處理直到自旋干燥處理的一系列處理，存儲部14中儲存有使程序控制器(CPU)12對構(gòu)成基板清洗裝置10的各種驅(qū)動機構(gòu)的動作進行控制的處理程序15、以及一系列處理的時間分配、清洗液和純水以及N2氣體的供給量、掃描桿67的掃描速度等處置法16。這些處理程序15和處置法16儲存在例如硬盤(HD)或存儲器(諸如RAM)等固定存儲介質(zhì)中，或者CD-ROM(或CD-R)、DVD-ROM(或DVD-R)、MO盤等可移動的各種存儲介質(zhì)中，并且能夠被程序控制器(CPU)12讀取。
此外，存儲部14中還可以儲存與基板清洗裝置10所實施的處理相關的數(shù)據(jù)，例如晶片W的批號、所使用的處理處置法、處理日期和時間、處理過程中各種機構(gòu)的動作有無異常等數(shù)據(jù)17。這種數(shù)據(jù)17可以復制或轉(zhuǎn)移到CD-R或MO盤等可移動的各種存儲介質(zhì)中。
程序控制器(CPU)12按照處理程序15和處置法16，將諸如晶片W在自旋卡盤51上的裝卸、馬達52轉(zhuǎn)速的控制、Y軸驅(qū)動機構(gòu)77的掃描動作、Z軸驅(qū)動機構(gòu)78的升降動作、純水供給部65供給純水的開始和停止以及純水流量的控制、以及N2氣體供給部66供給N2氣體的開始和停止等各種控制信號發(fā)送給各機構(gòu)等。最好能夠進行雙向通信，以便構(gòu)成基板清洗裝置10的各種機構(gòu)的、反映動作實施狀況的數(shù)據(jù)能夠向程序控制器(CPU)12進行反饋。圖3中未示出所有機構(gòu)而僅示出受程序控制器(CPU)12控制的主要機構(gòu)。
下面，就以如上構(gòu)成的基板清洗裝置10對晶片W進行清洗處理的方法進行說明。圖4示出將在下面進行說明的清洗處理工序的流程圖。首先，將晶片W大致呈水平姿態(tài)保持在自旋卡盤51上，對晶片W的高度進行調(diào)節(jié)(步驟1)。使處理液噴嘴61位于晶片W的中心的上方，邊使晶片W以既定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)邊向晶片W的表面供給既定量的清洗液，對晶片W進行既定時間的處理(步驟2)。在該步驟2的處理中，也可以先在晶片W靜止的狀態(tài)下向晶片W的表面供給清洗液以形成清洗液層，經(jīng)過既定時間后再邊使晶片W旋轉(zhuǎn)邊向晶片W的表面供給清洗液。
其次，邊使晶片W以既定轉(zhuǎn)速(例如100rpm～1000rpm)旋轉(zhuǎn)邊從處理液噴嘴61向晶片W的大約中心以既定的流量(例如1L/分)供給純水，對晶片W進行沖洗處理(步驟3)。在該沖洗處理中，也可以使處理液噴嘴61在晶片W上沿Y方向進行掃描。
在該沖洗處理的末期，使處理液噴嘴61位于晶片W的中心，將對晶片W的純水供給流量(即處理液噴嘴61的純水噴出量)減少到例如20～50mL/分(步驟4)，之后，使純水供給點(即處理液噴嘴61的位置)以既定的速度從晶片W的中心向外側(cè)移動(步驟5)。
之所以在步驟4要減少對晶片W的純水供給量，其理由如下。即，進行沖洗處理時，為了提高沖洗效率，以提供給晶片W的純水供給量較多為宜。但是，若在仍保持該流量的情況下使處理液噴嘴61開始進行掃描，則晶片W上形成的液膜將太厚，因而從晶片W上甩下來的純水會在筒CP上進濺，產(chǎn)生大量的液滴和水霧，這將導致水點和水印的形成。因此，減少純水供給量使所形成的液膜較薄，可避免發(fā)生上述進賤，防止水點和水印的形成。此外，采用這種方法可加速干燥。
隨著在晶片W的純水供給點從晶片W的周緣離開那一刻停止向晶片W供給純水，該步驟4和5的自旋干燥工序便結(jié)束。但是，也可以使晶片W在此之后再旋轉(zhuǎn)既定的時間。將如上所述自旋干燥處理結(jié)束后的晶片W從自旋卡盤51上送往進行下一處理的裝置中(步驟6)。
下面，就上述步驟4和5的自旋干燥工序進行更詳細的說明。圖5～圖8是對現(xiàn)有的自旋干燥方法與以上述步驟4和5進行的自旋干燥方法進行比較的圖。
圖5是對整個表面上形成有親水性SiO2層21的晶片W的現(xiàn)有的自旋干燥過程進行展示的示意圖。圖5的左圖示出向晶片W的中心供給純水，晶片W的表面積存有純水22的狀態(tài)。圖5的右圖示出停止向晶片W供給純水，并使晶片W以既定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)時的初始狀態(tài)。在晶片W的所有表面為親水性表面的場合，晶片W上的純水在離心力的作用下將向晶片W的外側(cè)緩慢移動而在晶片W的表面上留下薄的液膜(未圖示)，因此，晶片W的表面將從中心向外側(cè)緩慢變干。
圖6是對具有疏水性表面的晶片W(裸晶片)的現(xiàn)有的自旋干燥過程進行展示的示意圖。圖6的左圖示出向晶片W的中心供給純水，晶片W的表面積存有純水22的狀態(tài)。圖6的右圖示出停止向晶片W供給純水，并使晶片W以既定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)時的初始狀態(tài)。純水在疏水性表面上受到排斥，因而晶片W表面的純水在離心力的作用下將一下子被甩干，晶片W的整個表面瞬間變干。也就是說，在晶片W的轉(zhuǎn)速相同的情況下，疏水性表面比親水性表面干得更快。
圖7是對同時存在有親水性表面部分23和疏水性表面部分24的晶片W的現(xiàn)有的自旋干燥過程進行展示的示意圖。圖7的左圖示出向晶片W的中心供給純水，晶片W的表面積存有純水22的狀態(tài)。圖7的右圖示出停止向晶片W供給純水，并使晶片W以既定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)時的初始狀態(tài)。如前所述，親水性表面和疏水性表面在晶片W的轉(zhuǎn)速相同的情況下干燥時間存在差異，因此，同時存在有親水性表面23和疏水性表面24時，將出現(xiàn)疏水性表面24先干，親水性表面23上殘留純水22的狀況?？梢哉J為，是由于如上所述殘留在親水性表面23上的純水22在離心力的作用下向外側(cè)移動時附著在干的疏水性表面24上而產(chǎn)生水印的。
圖8是對以前面說明的步驟4和5的自旋干燥方法對同時存在有親水性表面部分23和疏水性表面部分24的晶片W的干燥過程進行展示的示意圖。圖8的左圖示出向晶片的中心供給純水，晶片W的表面積存有純水22的狀態(tài)。圖8的右圖示出減少對晶片W的純水供給量，并使純水供給點從晶片W的中心向晶片W的外側(cè)移動時的晶片W的狀態(tài)。
如圖8的右圖所示，采用步驟4和5的自旋干燥方法時，會大致在純水供給點的外側(cè)形成純水22的液膜，形成該液膜的區(qū)域隨著處理液噴嘴61的位置向晶片W的外側(cè)移動而逐漸變小。也就是說，能夠使晶片W從其中心向外側(cè)緩慢地干燥。因此，既便晶片W的表面同時存在有親水性表面和疏水性表面，也能夠使親水性表面部分23與疏水性表面部分24二者干燥時間的差異縮小，防止水印的產(chǎn)生。
在該步驟4和5的自旋干燥方法中，最好是，晶片W自旋干燥處理時的轉(zhuǎn)速高于晶片W沖洗處理時的轉(zhuǎn)速。例如，可以使沖洗處理時晶片W的轉(zhuǎn)速在100rpm以上、1000rpm以下，在這種場合，自旋干燥處理時晶片W的轉(zhuǎn)速以1500rpm以上、2500rpm以下為宜。這是由于，若晶片W的轉(zhuǎn)速過低，則會出現(xiàn)親水性表面與疏水性表面二者的干燥時間產(chǎn)生差異而產(chǎn)生水印的問題，另一方面，若晶片W的轉(zhuǎn)速過高，則會出現(xiàn)這樣的問題，即，在晶片W的周圍產(chǎn)生紊流，從晶片W上飛濺出來的純水的水霧會隨著紊流重又附著到晶片W的已經(jīng)干燥了的部分上而容易產(chǎn)生水印。
為了避免水印的產(chǎn)生，可以根據(jù)晶片W的轉(zhuǎn)速改變晶片W的純水供給點從晶片W的中心向外側(cè)移動的速度、即處理液噴嘴61的掃描速度。邊使300mmφ的晶片W以一定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)、且從處理液噴嘴61以50mL/分的流量向晶片W供給純水，邊使處理液噴嘴61以一定的速度(1～4mm/秒)從晶片W的中心向外側(cè)進行掃描，表1示出此時就干涉條紋在晶片W上所形成的液膜的內(nèi)側(cè)部分消失的位置進行調(diào)查的結(jié)果。
※NG一直掃描到晶片的周緣為止干涉條紋不消失的情況
表1示出，在晶片W的轉(zhuǎn)速為1600rpm的場合，當處理液噴嘴61以1mm/秒的速度從晶片W的中心向外側(cè)掃描時，在處理液噴嘴61到達距晶片W的中心40mm處時干涉條紋消失，之后，在處理液噴嘴61一直掃描到晶片W的周緣為止的過程中未發(fā)現(xiàn)干涉條紋的產(chǎn)生。此外，由表1可知，在處理液噴嘴61以2mm/秒掃描的場合，在處理液噴嘴61距晶片W的中心80mm時干涉條紋消失，之后，未發(fā)現(xiàn)干涉條紋的產(chǎn)生。相對于此，若處理液噴嘴61以3mm/秒或4mm/秒的速度掃描，則在處理液噴嘴61到達晶片W的周緣的過程中經(jīng)常觀察到干涉條紋。即，在這種條件下，從開始到最后干涉條紋不消失，由此可知，無法防止水印的產(chǎn)生。
由表1可知，在處理液噴嘴61的掃描速度一定的場合，隨著晶片W轉(zhuǎn)速的提高，干涉條紋消失的位置向晶片W的中心靠近，而在晶片W的轉(zhuǎn)速一定的場合，干涉條紋消失的位置在處理液噴嘴61的掃描速度低時向晶片W的中心靠近。由此可知，當晶片W的轉(zhuǎn)速較高且處理液噴嘴61的掃描速度較低時，能夠防止干涉條紋的產(chǎn)生。
但是，若將處理液噴嘴61的掃描速度設定為例如1mm/秒而對整個晶片W進行掃描，則處理時間較長，生產(chǎn)率低。為此，在晶片W的轉(zhuǎn)速一定的場合，通過使處理液噴嘴61在晶片W外周的掃描速度高于中心部位，可縮短處理時間。例如，在晶片W(300mmφ)的轉(zhuǎn)速為2500rpm的場合，可以使處理液噴嘴61的掃描速度在晶片W的中心至半徑40mm的范圍內(nèi)為1mm/秒，在半徑40mm至半徑80mm的范圍內(nèi)為2mm/秒，半徑80mm至周緣(半徑150mm)的范圍內(nèi)為3mm/秒。
若替代處理液噴嘴61從晶片W的中心向外周緩慢進行掃描的方法而采用處理液噴嘴61向距晶片W的中心10～15mm的位置上快速移動(例如80mm/秒)，之后迅速從N2噴嘴62向晶片W的中心部位吹噴N2氣體，促使晶片W的中心部位干燥，再使處理液噴嘴61從該處以3mm/秒以下的速度向晶片W的周緣進行掃描這樣一種方法，也能夠進一步防止在晶片W的中心部位產(chǎn)生水印，因而適宜采用。處理液噴嘴61向晶片W周緣的掃描最好是在向晶片W的中心部位吹噴N2氣體結(jié)束之后開始，但也可以在進行N2氣體的吹噴期間開始。
下面，就實施本發(fā)明所涉及的清洗處理方法的另一種基板清洗裝置進行說明。圖9是展示基板清洗裝置10’的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。基板清洗裝置10’具有這樣的結(jié)構(gòu)，即，在安裝在掃描桿67的前端的噴嘴保持部件63’上，配置有可將藥液和純水有選擇地供給晶片W的處理液噴嘴61、進行自旋干燥處理時將純水供給晶片W的處理液噴嘴61、以及向晶片W吹噴N2氣體的N2噴嘴62。除噴嘴周圍的這種結(jié)構(gòu)之外，其他結(jié)構(gòu)與前面說明的基板清洗裝置10相同，因而將其說明省略。
如前所述，在以基板清洗裝置10進行的晶片W清洗處理中，從沖洗處理轉(zhuǎn)到自旋干燥處理時要將提供給晶片W的純水量例如從1L/分減少到20～50mL/分，因此，當將處理液噴嘴61的結(jié)構(gòu)設計得適應于沖洗處理時的較大純水噴出量時，在轉(zhuǎn)到自旋干燥而減少純水噴出量后，有可能由于配管直徑或噴嘴直徑等原因無法穩(wěn)定地供給純水。為了解決這個問題，作為基板清洗裝置10’，能夠在進行以清洗液進行的處理和沖洗處理時從處理液噴嘴61向晶片W供給純水，而進行自旋干燥處理時從純水噴嘴61向晶片W供給純水。
此外，在噴嘴保持部件63’上，處理液噴嘴61和純水噴嘴61緊挨著設置，純水噴嘴61和N2噴嘴62則保持一定的距離。
以該基板清洗裝置10’進行的晶片W的第1清洗處理方法的流程圖示于圖10。該方法是使N2氣體的吹噴點和純水供給點一起從晶片W的中心向外側(cè)移動的處理方法。也就是說，首先進行與前述結(jié)合圖4說明的步驟1～步驟3進行相同處理的步驟11～13。其次，在步驟13的沖洗處理的末期，邊繼續(xù)從處理液噴嘴61向晶片W的中心供給純水(例如1L/分)，邊開始從純水噴嘴61向晶片W供給純水(例如20～50mL/分)(步驟14)。
其次，在向+Y方向(參照圖9)驅(qū)動掃描桿67并使純水噴嘴61位于晶片W的中心上方后，停止從處理液噴嘴61向晶片W供給純水(步驟15)。之后，將晶片W的轉(zhuǎn)速調(diào)整為800rpm以上(步驟16)。之所以允許晶片W的轉(zhuǎn)速低到這種程度的理由是，在后面的工序中，要邊從N2噴嘴62向晶片W吹噴N2氣體邊使N2噴嘴62與純水噴嘴61一起在晶片W上進行掃描，因而通過該N2氣體能夠促使晶片W變干。
在對晶片W的轉(zhuǎn)速進行調(diào)整后，邊從純水噴嘴61供給純水邊使掃描桿67以既定速度向+Y方向(即朝向晶片W的外側(cè))進行掃描(步驟17)。在N2噴嘴62隨之到達晶片W中心的上方那一刻，暫時停止對掃描桿67的驅(qū)動，從N2噴嘴62向晶片W的中心吹噴N2氣體，促使晶片W的中心部位均勻干燥(步驟18)。
在向晶片W的中心吹噴既定時間的N2氣體后，邊從N2噴嘴62向晶片W吹噴N2氣體邊再次向+Y方向驅(qū)動掃描桿67，使純水噴嘴61和N2噴嘴62同時進行掃描(步驟19)。采用這樣的方法，也能夠縮小親水性表面與疏水性表面二者干燥時間的差異，并使晶片W從中心部位向外側(cè)慢慢變干，最終使晶片W的整個表面變得干燥。
使用基板清洗裝置10’時，也同樣可以采用在N2噴嘴62掃描時不從N2噴嘴62向晶片W吹噴N2氣體的處理方法，此時，晶片W的轉(zhuǎn)速在1500rpm以上為宜。
一般來說，在向旋轉(zhuǎn)的晶片W供給純水時，對于晶片W的外側(cè)部分來說，離心力可充分作用于所供給的純水從而加速干燥的進程。利用這一點，在以基板清洗裝置10’進行晶片W的處理時，也可以采用在N2噴嘴62接近晶片W的外周部時停止向晶片W吹噴氮氣的方法，或者減少N2氣體的噴射量的方法。此外，也可以與基板清洗裝置10同樣，采用從N2噴嘴62向晶片W吹噴N2氣體僅限于對晶片W的中心部位進行的處理方法。還可以采用這樣的處理方法，即，使掃描桿67以既定速度向+Y方向進行掃描使得純水噴嘴61從晶片W的中心向外側(cè)移動，從N2噴嘴62到達晶片W的中心那一刻開始向晶片W吹噴N2氣體，但此時不停止對掃描桿67的驅(qū)動。
再有，在使用基板清洗裝置10’進行與前面說明的一種自旋干燥方法相同的處理的場合，即，使處理液噴嘴61向距晶片W的中心10～15mm的位置上高速移動，之后迅速從N2噴嘴62向晶片W的中心吹噴N2氣體，并使處理液噴嘴61從此處以3mm/秒以下的速度向晶片W的周緣進行掃描的場合，若預先將純水噴嘴61與N2噴嘴62之間的間隔設定為10～15mm，則在純水噴嘴61高速移動到既定位置時，可使N2噴嘴62與此同時到達晶片W的中心。
下面，就實施本發(fā)明所涉及的清洗處理方法的又一種基板清洗裝置進行說明。圖11是展示基板清洗裝置10”的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖?；迩逑囱b置10”是將基板清洗裝置10’改成能夠使處理液噴嘴61、純水噴嘴61和N2噴嘴62獨立地在晶片W的中心與周緣之間進行掃描的結(jié)構(gòu)的裝置，除此之外其他部分的結(jié)構(gòu)與基板清洗裝置10’相同。
在基板清洗裝置10”中，N2噴嘴62安裝在可自由轉(zhuǎn)動的掃描桿67’的前端所設置的噴嘴保持部件63”上。在晶片W的自旋干燥處理中，在純水噴嘴61從晶片W的中心向外側(cè)進行掃描時，N2噴嘴62總是位于純水噴嘴61所在圓(是指以晶片W的旋轉(zhuǎn)中心為圓心的圓)的內(nèi)側(cè)區(qū)域，隨著純水噴嘴61向晶片W的外側(cè)移動，使N2噴嘴62向晶片W的外側(cè)移動。
也可以將基板清洗裝置10”改成能夠使N2噴嘴62獨立于純水噴嘴61從晶片W的中心通過并在Y方向上進行直線掃描的結(jié)構(gòu)。此時，N2噴嘴62既可以跟在純水噴嘴61的后面進行掃描，也可以與純水噴嘴61反方向進行掃描。采用這種純水噴嘴61與N2噴嘴62二者獨立進行掃描的結(jié)構(gòu)，可便于對純水噴嘴61和N2噴嘴62的掃描速度之差進行設定。
以上就本發(fā)明的清洗處理方法的實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不受上述實施方式的限定。在上述說明中，列舉了其結(jié)構(gòu)能夠使處理液噴嘴61向晶片W有選擇地供給清洗液和純水的例子，但基板清洗裝置也可以分別具有只供給清洗液的噴嘴和只供給純水的噴嘴。此外，基板清洗裝置10也最好與基板清洗裝置10’同樣，在處理液噴嘴61之外還另外設置有自旋干燥時向晶片W供給純水的純水噴嘴。此時，既可以將該純水噴嘴設置在噴嘴保持部件63上，也可以獨立于處理液噴嘴61對其進行驅(qū)動。再有，上面列舉了可使處理液噴嘴61在Y軸方向上自由移動的結(jié)構(gòu)的例子，但也可以設置例如可使處理液噴嘴以既定的旋轉(zhuǎn)軸為中心，在晶片W的中心和周緣之間邊描繪弧形軌跡邊轉(zhuǎn)動的機構(gòu)。
本發(fā)明的基板清洗方法所能夠得到的防止水印產(chǎn)生的效果，在被處理基板的表面同時存在有疏水性表面和親水性表面時尤其顯著，但勿庸置疑，在被處理基板的表面只有疏水性表面或只有親水性表面時也同樣能夠得到。被處理基板并不限于半導體晶片，也可以是FPD用玻璃基板和陶瓷基板等。
以上說明的實施方式，歸根結(jié)底旨在闡明本發(fā)明的技術性內(nèi)容，不應理解為本發(fā)明僅限定于所列舉的具體例子，在本發(fā)明的精神和權(quán)利要求書所描述的范圍內(nèi)，還可以進行各種改變而加以實施。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性
本發(fā)明的清洗處理方法適合作為半導體器件和FDP器件的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種基板清洗方法，其特征是，邊使被處理基板大致呈水平姿態(tài)旋轉(zhuǎn)邊向其表面供給純水，對所述被處理基板進行沖洗處理，之后使提供給所述被處理基板的純水供給流量比進行沖洗處理時減少，并且使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動，邊在所述純水供給點的大致外側(cè)區(qū)域形成液膜邊對所述被處理基板進行自旋干燥處理。
2.如權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征是，在所述自旋干燥處理中，所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動的速度是在所述被處理基板的外周部位比在中心部位快。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征是，在所述自旋干燥處理中，在所述被處理基板的純水供給點到達距所述被處理基板的中心既定距離的位置上時，使所述純水供給點的移動在此處暫時停止，并對所述被處理基板的中心部位吹噴氮氣，之后停止所述氮氣的吹噴，使所述純水供給點再次向所述被處理基板的外側(cè)移動。
4.如權(quán)利要求3所述的基板清洗方法，其特征是，在所述自旋干燥處理中，使所述被處理基板的純水供給點向距所述被處理基板的中心10～15mm的位置快速移動，并在使所述純水供給點的移動在此處暫時停止，向所述被處理基板的中心部位吹噴既定時間的氮氣，之后停止所述氮氣的吹噴，使所述純水供給點以3mm/秒以下的速度再次向所述被處理基板的外側(cè)移動。
5.如權(quán)利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征是，在所述自旋干燥處理中，在所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心部位離開既定距離之后向所述被處理基板的中心部位吹噴氮氣，之后邊向所述被處理基板吹噴氮氣邊使所述氮氣的吹噴點與所述純水供給點一起從所述被處理基板的中心部位向外側(cè)移動。
6.如權(quán)利要求5所述的基板清洗方法，其特征是，在所述自旋干燥處理中，在使所述氮氣吹噴點與所述純水供給點一起從所述被處理基板的中心部位向外側(cè)移動的中途僅使氮氣的吹噴停止。
7.如權(quán)利要求5或6所述的基板清洗方法，其特征是，所述沖洗處理中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在100rpm以上、1000rpm以下，所述自旋干燥處理中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在800rpm以上、2500rpm以下。
8.如權(quán)利要求1至6之任一權(quán)利要求所述的基板清洗方法，其特征是，所述被處理基板的進行自旋干燥處理時的轉(zhuǎn)速比所述被處理基板的進行沖洗處理時的轉(zhuǎn)速高。
9.如權(quán)利要求8所述的基板清洗方法，其特征是，所述沖洗處理中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在100rpm以上、1000rpm以下，所述自旋干燥處理中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在1500rpm以上、2500rpm以下。
10.如權(quán)利要求1至9之任一權(quán)利要求所述的基板清洗方法，其特征是，在所述被處理基板的表面同時存在有疏水性表面和親水性表面。
11.一種基板清洗裝置，其特征是，包括
自旋卡盤，將被處理基板保持成大致水平姿態(tài)并使其旋轉(zhuǎn)；
純水供給機構(gòu)，具有向被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板的表面噴射純水的純水供給噴嘴，以及向所述純水供給噴嘴輸送純水的純水供給部；
純水噴嘴掃描機構(gòu)，使所述純水供給噴嘴在被處理基板的中心上方與外緣上方之間掃描；
控制部，對所述自旋卡盤和所述純水供給機構(gòu)以及所述純水噴嘴掃描機構(gòu)進行控制，通過進行邊使被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板的表面以既定流量供給純水的沖洗處理，之后使提供給所述被處理基板的純水供給流量比進行所述沖洗處理時減少，并且使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動，從而邊在所述純水供給點的大致外側(cè)區(qū)域形成液膜邊進行所述被處理基板的自旋干燥處理。
12.如權(quán)利要求11所述的基板清洗裝置，其特征是，所述控制部在所述自旋干燥處理中，所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動的速度是在所述被處理基板的外周部位比在其中心部位快。
13.如權(quán)利要求11或12所述的基板清洗裝置，其特征是，
還包括氣體供給機構(gòu)，所述氣體供給機構(gòu)具有向被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板的表面的中心部位吹噴氮氣的氣體噴嘴；
所述控制部在所述自旋干燥處理中還對所述氣體供給機構(gòu)進行控制，在所述被處理基板的純水供給點到達距所述被處理基板的中心既定距離的位置上時使所述純水供給點的移動在此處暫時停止，向所述被處理基板的中心部位吹噴氮氣，接下來在使所述氮氣的吹噴停止后，所述純水供給點再次向所述被處理基板的外側(cè)移動。
14.如權(quán)利要求13所述的基板清洗裝置，其特征是，所述控制部在所述自旋干燥處理中，使所述被處理基板的純水供給點向距所述被處理基板的中心10mm～15mm的位置快速移動，并使純水供給點的移動在此處停止，接下來向所述被處理基板的中心部位吹噴既定時間的氮氣，之后停止所述氮氣的吹噴，使純水供給點以3mm/秒以下的速度向所述被處理基板的外側(cè)移動。
15.如權(quán)利要求11或12所述的基板清洗裝置，其特征是，
還包括氣體供給機構(gòu)和氣體噴嘴掃描機構(gòu)，所述氣體供給機構(gòu)具有向被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板的表面吹噴氮氣的氣體噴嘴的，所述氣體噴嘴掃描機構(gòu)使所述氣體噴嘴在被處理基板上進行掃描；
所述控制部在所述自旋干燥處理中還對所述氣體供給機構(gòu)和所述氣體噴嘴掃描機構(gòu)進行控制，在所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心離開既定距離后向所述被處理基板的中心部位吹噴氮氣，繼而邊向所述被處理基板吹噴氮氣邊使所述氮氣的吹噴點與所述純水供給點一起從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動。
16.如權(quán)利要求15所述的基板清洗裝置，其特征是，所述控制部在所述自旋干燥處理中，在所述氮氣吹噴點與所述純水供給點一起從所述被處理基板的中心部位向外側(cè)移動的中途僅使氮氣的吹噴停止。
17.如權(quán)利要求11或12所述的基板清洗裝置，其特征是，
還包括氣體供給機構(gòu)，所述氣體供給機構(gòu)具有向被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板的表面吹噴氮氣的氣體噴嘴；
所述氣體噴嘴相對于所述純水供給噴嘴隔開一定的間隔，保持在所述純水噴嘴掃描機構(gòu)上，
所述控制部在所述自旋干燥處理中還對所述氣體供給機構(gòu)進行控制，在所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心離開既定距離后向所述被處理基板的中心部位吹噴氮氣，繼而邊向所述被處理基板吹噴氮氣邊使所述氮氣的吹噴點與所述純水供給點同時從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動。
18.如權(quán)利要求15至17之任一權(quán)利要求所述的基板清洗裝置，其特征是，所述控制部使所述沖洗處理中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在100rpm以上、1000rpm以下，使所述自旋干燥處理中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在1500rpm以上、2500rpm以下。
19.如權(quán)利要求11至17之任一權(quán)利要求所述的基板清洗裝置，其特征是，所述控制部使所述自旋干燥處理中的被處理基板的轉(zhuǎn)速比所述被處理基板進行沖洗處理時的被處理基板的轉(zhuǎn)速高。
20.如權(quán)利要求19所述的基板清洗裝置，其特征是，所述控制部使所述沖洗處理中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在100rpm以上、1000rpm以下，使所述自旋干燥處理中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在1500rpm以上、2500rpm以下。
21.一種計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征是，儲存有使對邊使大致被保持成水平姿態(tài)的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板供給純水而進行沖洗處理、再進行自旋干燥的基板清洗裝置進行控制的計算機實施下述處理的程序，即，(a)邊使被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板的表面以既定流量供給純水而進行沖洗處理，(b)使提供給所述被處理基板的純水供給流量比進行所述沖洗處理時減少，并且使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動，邊在所述純水供給點的大致外側(cè)區(qū)域形成液膜邊使所述被處理基板自旋干燥。
22.如權(quán)利要求21所述的計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征是，所述程序使所述計算機將所述基板清洗裝置控制成，使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動的速度是在所述被處理基板的外周部位比在其中心部位快。
23.一種計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征是，儲存有使對邊使大致被保持成水平姿態(tài)的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板供給純水進行沖洗處理、再向所述被處理基板供給氮氣進行自旋干燥的基板清洗裝置進行控制的計算機實施下述處理的程序，即，(a)邊使被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板的表面以既定流量供給純水而進行沖洗處理，(b)使提供給所述被處理基板的純水供給流量比進行所述沖洗處理時減少，并且使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動，(c)在所述被處理基板的純水供給點到達距所述被處理基板的中心既定距離的位置上時使所述純水供給點的移動在此處暫時停止，向所述被處理基板的中心部位吹噴氮氣，(d)在所述氮氣的吹噴停止后使所述純水供給點再次向所述被處理基板的外側(cè)移動，邊在所述純水供給點的大致外側(cè)區(qū)域形成液膜邊使所述被處理基板自旋干燥。
24.如權(quán)利要求23所述的計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征是，所述程序使所述計算機將所述基板清洗裝置控制成，在所述(b)的過程中，使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)快速移動，在所述(c)的過程中，使純水供給點的移動在距所述被處理基板的中心10mm～15mm的位置停止，向所述被處理基板的中心部位吹噴既定時間的氮氣，在所述(d)的過程中，在所述氮氣的吹噴停止后，使純水供給點以3mm/秒的速度再次向所述被處理基板的外側(cè)移動。
25.一種計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征是，儲存有使對邊使大致被保持成水平姿態(tài)的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板供給純水而進行沖洗處理、再向所述被處理基板供給氮氣進行自旋干燥的基板清洗裝置進行控制的計算機實施下述處理的程序，即，(a)邊使被保持在所述自旋卡盤上的被處理基板旋轉(zhuǎn)邊向所述被處理基板的表面以既定流量供給純水進行沖洗處理，(b)使提供給所述被處理基板的純水供給流量比進行所述沖洗處理時減少，并且使所述被處理基板的純水供給點從所述被處理基板的中心向外側(cè)移動，(c)在所述被處理基板的純水供給點到達距所述被處理基板的中心既定距離的位置上時使所述純水供給點的移動在此處暫時停止，向所述被處理基板的中心部位吹噴氮氣，(d)邊向所述被處理基板吹噴氮氣邊使所述氮氣的吹噴點與所述純水供給點一起從所述被處理基板的中心部位向外側(cè)移動。
26.如權(quán)利要求25所述的計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征是，所述程序使所述計算機將所述基板清洗裝置控制成，在所述(d)的過程中，在所述氮氣吹噴點從所述被處理基板的中心部位向外側(cè)移動的中途僅使所述氮氣的吹噴停止。
27.如權(quán)利要求25或26所述的計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征是，所述程序使所述計算機將所述基板清洗裝置控制成，使所述(a)的過程中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在100rpm以上、1000rpm以下，使所述(b)～(d)的過程中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在800rpm以上、2500rpm以下。
28.如權(quán)利要求21至或26之任一權(quán)利要求所述的計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征是，所述程序使所述計算機將所述基板清洗裝置控制成，使所述(b)之后的過程中的被處理基板的轉(zhuǎn)速比所述(a)的過程中的被處理基板的轉(zhuǎn)速高。
29.如權(quán)利要求28所述的計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征是，所述程序使所述計算機將所述基板清洗裝置控制成，使所述(a)的過程中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在100rpm以上、1000rpm以下，使所述(b)之后的過程中的被處理基板的轉(zhuǎn)速在1500rpm以上、2500rpm以下。
全文摘要
邊使晶片(W)大致呈水平姿態(tài)以既定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)邊向其表面以既定流量供給純水，對晶片(W)進行沖洗處理，之后，減少對晶片(W)的純水供給流量并使純水供給點從晶片(W)的中心向外側(cè)移動。由此，邊在純水供給點的大致外側(cè)形成液膜邊對晶片(W)進行自旋干燥處理。
文檔編號B08B3/02GK1883035SQ20048003394
公開日2006年12月20日 申請日期2004年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月18日
發(fā)明者難波宏光, 藪田貴士, 折居武彥 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社