專利名稱：高頻加熱設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高頻加熱設(shè)備，其能夠通過高頻加熱來加熱待加熱物體的內(nèi)部，并將待加熱物體的表面烤焦。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)地，作為這種類型的高頻加熱設(shè)備，日本已公開專利No.2562/1998公開了一種示例。圖13示出上述傳統(tǒng)高頻加熱設(shè)備的微波爐1的前透視圖，該圖示出該設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)，作為高頻生成裝置的磁控管所產(chǎn)生的微波從形成在側(cè)壁面上微波供應(yīng)口2供應(yīng)到加熱室3中。
此外，作為食物臺(tái)板，由例如鋼的金屬制成的基部的表面鍍覆有薄膜狀的微波加熱元件。
但是，在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，由于金屬表面鍍覆有例如微波加熱元件的高頻加熱元件，該加熱元件靠近金屬表面，因此，加熱元件附近的電場(chǎng)較弱，被吸收的高頻量變小，加熱值變小，從而出現(xiàn)了難以實(shí)現(xiàn)烤焦的問題。
此外，為了解決上述問題，希望能夠容易地準(zhǔn)備和執(zhí)行加熱待加熱物體內(nèi)部和將物體表面烤焦的加熱操作，并希望設(shè)備容易清潔。
而且，由于微波供應(yīng)口定位在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，靠近微波供應(yīng)口的、高頻加熱元件的部分接收到較強(qiáng)的微波，從而出現(xiàn)在高頻加熱元件中產(chǎn)生加熱不均勻的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決上述問題，其目的在于提供一種高頻加熱設(shè)備，該設(shè)備能夠通過高頻加熱高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，并且將待加熱物體的表面烤焦。
本發(fā)明旨在解決上述問題，其目的在于提供一種高頻加熱設(shè)備，該設(shè)備能夠通過高頻加熱高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，并且將待加熱物體的表面烤焦；并且該設(shè)備使用容易方便。
本發(fā)明旨在解決上述問題，其目的在于提供一種高頻加熱設(shè)備，該設(shè)備能夠減少加熱的不均勻性。
為解決傳統(tǒng)的技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的高頻加熱設(shè)備包括加熱室，用于將待加熱物體存儲(chǔ)在其中；設(shè)置在加熱室中的加熱單元；生成高頻波以執(zhí)行高頻加熱的高頻生成單元；高頻加熱元件；以及金屬制托盤，用于在其上放置待加熱物體。其中，在所述高頻加熱元件和所述托盤之間設(shè)置有間隙。
這樣，可以利用高頻加熱高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，并且將待加熱物體的表面烤焦。
此外，為了解決傳統(tǒng)的技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的高頻加熱設(shè)備包括加熱室，用于將待加熱物體存儲(chǔ)在其中；加熱單元，其設(shè)置在加熱室的上部并執(zhí)行加熱器的加熱；高頻生成單元，其設(shè)置在加熱室的底部并生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波；以及托盤，其具有位于其后表面上的高頻加熱元件，并且待加熱物體放置在該托盤上。
這樣，由于具有高頻加熱元件的托盤可以被從下側(cè)均勻供應(yīng)的微波均勻加熱，因此，可以執(zhí)行能夠均勻地進(jìn)行烤焦操作的烹飪。
為了解決上述傳統(tǒng)技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的高頻加熱設(shè)備包括由陶瓷制成的高頻加熱元件，其具有吸收高頻波并產(chǎn)生熱量的高頻熱生成膜；以及由金屬制成的托盤，待加熱物體放置在該托盤上。其中，高頻加熱元件和托盤放置在設(shè)置于加熱室左右側(cè)面上的導(dǎo)軌部分上，并且兩者之間間隔一定距離，該高頻加熱元件和托盤通過固定件彼此固定并結(jié)合到一起。
這樣，可以提供一種烹飪用具，其通過高頻加熱高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，并能夠?qū)⒋訜嵛矬w的表面烤焦，并且該烹飪用具使用容易方便。
根據(jù)本發(fā)明第一方面的高頻加熱設(shè)備包括加熱室，用于將待加熱物體存儲(chǔ)在其中；設(shè)置在加熱室中的加熱單元；生成高頻波以執(zhí)行高頻加熱的高頻生成單元；高頻加熱元件；以及托盤，用于在其上放置待加熱物體。其中，在所述高頻加熱元件和所述托盤之間設(shè)置有間隙。這樣，可以利用高頻加熱高效地加熱待加熱物體，并且將待加熱物體的表面烤焦。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的高頻加熱設(shè)備包括加熱室，用于將待加熱物體存儲(chǔ)在其中；設(shè)置在加熱室中的加熱單元；高頻生成單元，其設(shè)置在加熱室的底部并生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波；高頻加熱元件；以及托盤，待加熱物體放置在該托盤上，其中在高頻加熱元件和托盤之間設(shè)置有間隙。這樣，由于可以從下側(cè)更加均勻地加熱待加熱物體，可以更大程度地減少加熱的不均勻性，因此，可以高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，并且將待加熱物體的表面烤焦。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，反射高頻波的材料用于托盤的局部或整體。這樣，可以高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，并且將待加熱物體的表面烤焦。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，使用由金屬制成的托盤。這樣，可以高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，并且將待加熱物體的表面烤焦。
根據(jù)本發(fā)明的第五方面，金屬制托盤放置在高頻加熱元件上，該高頻加熱元件至少在高頻加熱元件的熱生成部分的附近和金屬制托盤接觸。這樣，可以高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，并且將待加熱物體的表面烤焦。
根據(jù)本發(fā)明的第六方面，具體地，根據(jù)本發(fā)明第一或第二方面的托盤構(gòu)造成將加熱室分成兩部分。這樣，從下側(cè)供應(yīng)的高頻波難以轉(zhuǎn)向托盤的上側(cè)，并且供應(yīng)給高頻加熱元件的高頻波的量增加，從而容易地將待加熱物體的下側(cè)烤焦。
根據(jù)本發(fā)明的第七方面，具體地，根據(jù)本發(fā)明第一或第二方面的高頻生成單元設(shè)置有高頻散射單元，該高頻生成單元設(shè)置在加熱室的底部并且生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波，該高頻散射單元使高頻波散射，從而將高頻波供應(yīng)到加熱室中。這樣，由于可以從下側(cè)更加均勻地加熱待加熱物體，從而減少加熱的不均勻性。
根據(jù)本發(fā)明的第八方面，具體地，根據(jù)本發(fā)明第一或第二方面的金屬制托盤設(shè)置成不均勻的，從而在高頻加熱元件和托盤之間設(shè)置間隙。這樣，由于高頻加熱元件的熱量能夠更容易地傳遞給金屬制托盤，從而可以容易地將待加熱物體的下側(cè)烤焦。
根據(jù)本發(fā)明的第九方面，用于將托盤置于加熱室內(nèi)的導(dǎo)軌設(shè)置在具體根據(jù)第一方面的加熱室的左右側(cè)面上。這樣，從下側(cè)供應(yīng)的高頻波難以向上轉(zhuǎn)向，供應(yīng)給高頻加熱元件的高頻波的量變大，從而容易地將待加熱物體的下側(cè)烤焦。
根據(jù)本發(fā)明的第十方面，在轉(zhuǎn)臺(tái)上設(shè)置安置網(wǎng)，以便將高頻加熱元件和托盤安置在加熱室中。這樣，由于待加熱物體在轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)被加熱，可以更加容易地將待加熱物體的表面烤焦。
根據(jù)本發(fā)明第十一方面的設(shè)備包括高頻加熱元件和金屬制托盤，其中，高頻加熱元件被保持在托盤的下部分處。這樣，由于高頻加熱元件和托盤結(jié)合在一起，可以不必將它們單獨(dú)地取出，從而更加省工。
根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，托盤設(shè)置有槽，該槽將從待加熱物體流出的汁液存儲(chǔ)于其中。這樣，由于除去了從待加熱物體流出的油等，可以更便利地進(jìn)行烤焦操作。
根據(jù)本發(fā)明的第十三方面，在托盤的表面上設(shè)置有不粘膜。這樣，托盤的表面難以污染。
根據(jù)本發(fā)明的第十四方面，在托盤的后表面上設(shè)置有吸熱率高的熱吸收膜。這樣，由于高頻加熱元件生成的熱量更容易被吸收到托盤上，可以更容易地執(zhí)行烤焦操作。
根據(jù)本發(fā)明的第十五方面，通過調(diào)整托盤的非均勻部分的高度、寬度和間距，可以調(diào)整熱生成量。
根據(jù)本發(fā)明的第十六方面，由不會(huì)產(chǎn)生火花的材料制成的保持件(holder)設(shè)置在托盤和加熱室壁表面接觸的地方。這樣，可以防止托盤金屬部分和導(dǎo)軌部分之間的高頻引發(fā)火花。
根據(jù)本發(fā)明的第十七方面，將樹脂用作保持件的材料。這樣，保持件易于成型，并可以防止托盤金屬部分和導(dǎo)軌部分之間的高頻引發(fā)火花。
根據(jù)本發(fā)明的第十八方面，托盤和加熱元件由保持件保持在保持件之間。這樣，可以防止加熱元件脫落，并同時(shí)防止由于托盤金屬部分和加熱室側(cè)表面之間的高頻波而產(chǎn)生的火花。
根據(jù)本發(fā)明的第十九方面，托盤和高頻加熱元件通過油泥(putty)粘結(jié)在一起。這樣，盡管高頻加熱元件由托盤保持，仍可以防止高頻加熱元件和托盤金屬之間的高頻波產(chǎn)生熱量。
根據(jù)本發(fā)明的第二十方面，高頻加熱元件的高頻熱生成膜的表面對(duì)著接觸托盤的方向。這樣，可以防止高頻熱生成膜損壞。
根據(jù)本發(fā)明的第二十一方面，高頻加熱設(shè)備包括加熱室，其用于將待加熱物體儲(chǔ)存在其中；加熱單元，其設(shè)置在加熱室的上部，并執(zhí)行加熱操作；高頻生成單元，其設(shè)置在加熱室的底部，并生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波；以及托盤，其后表面上具有高頻加熱元件，并將待加熱物體放置于其上。這樣，由于具有高頻加熱元件的托盤被從下側(cè)均勻供應(yīng)的微波均勻加熱，因此可以執(zhí)行將待加熱物體均勻烤焦的烹飪操作。
根據(jù)本發(fā)明的第二十二方面，具體地，根據(jù)本發(fā)明第一方面的托盤構(gòu)造成將加熱室分成兩部分。這樣，從下側(cè)供應(yīng)的微波難以轉(zhuǎn)向托盤的上側(cè)，并且供應(yīng)給高頻加熱元件的微波量增加，從而更容易地烤焦待加熱物體的下側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的第二十三方面，具體地，根據(jù)本發(fā)明第一方面的高頻生成單元設(shè)置有高頻散射單元，該高頻生成單元設(shè)置在加熱室的底部并生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波，該高頻散射單元使高頻波散射，從而將其供應(yīng)到加熱室中。這樣，由于可以從下側(cè)更加均勻地加熱待加熱物體，加熱的不均勻性變小。
根據(jù)本發(fā)明的第二十四方面，具體地，將托盤放置到加熱室中的導(dǎo)軌設(shè)置在根據(jù)第一方面的加熱室的左右兩側(cè)表面上。這樣，從下側(cè)供應(yīng)的微波難以向上轉(zhuǎn)向，供應(yīng)給高頻加熱元件的微波量增加，從而能夠更容易地烤焦待加熱物體的下側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的第二十五方面，具體地，根據(jù)第一方面的托盤由金屬制成，其不傳遞微波。因此，從下側(cè)供應(yīng)的微波難以向上轉(zhuǎn)向，供應(yīng)給高頻加熱元件的微波量變大，這樣，可以更加容易地將待加熱物體的下側(cè)烤焦。
根據(jù)本發(fā)明第二十六方面的高頻加熱設(shè)備包括加熱室，用于將待加熱物體存儲(chǔ)在其中；設(shè)置在加熱室上部的加熱單元；高頻生成單元，其生成用于執(zhí)行高頻加熱的高頻波；高頻加熱元件，其具有吸收高頻波并生成熱量的高頻熱生成膜；以及，由金屬制成的托盤，待加熱物體放置在該托盤上。其中，高頻加熱元件和托盤放置在設(shè)置于加熱室左右側(cè)表面上的導(dǎo)軌部分上并且兩者之間具有一定距離，高頻加熱元件和托盤通過固定元件彼此連接并結(jié)合在一起。因此，可以提供一種烹飪用具，其能夠通過高頻加熱高效地加熱待加熱物體內(nèi)部、將待加熱物體的表面烤焦并且使用容易方便。
根據(jù)本發(fā)明的第二十七方面，所述固定件為插入類型，這樣，高頻加熱元件和托盤可拆卸地連接。所以，由于本發(fā)明能夠在長(zhǎng)期使用中對(duì)應(yīng)于高頻加熱元件和托盤的使用壽命的不同，因此，不必將兩者一起更換，從而減少了維護(hù)費(fèi)用。
根據(jù)本發(fā)明的第二十八方面，所述插入類型的固定件分別設(shè)置在加熱室深度方向上的左右兩側(cè)上，高頻加熱元件和托盤通過該固定件可拆卸地連接在一起。因此，固定件易于插入到加熱室的導(dǎo)軌部分上，可以通過將高頻加熱元件和托盤分開而在使用后對(duì)兩者的污跡進(jìn)行分別清潔，從而使廚具總是保持清潔，并且舒服地進(jìn)行烹飪。
根據(jù)本發(fā)明的第二十九方面，所述插入類型的固定件分別設(shè)置在加熱室深度方向上的左右兩側(cè)上，并且每側(cè)設(shè)置兩件，即總共設(shè)置四件固定件，高頻加熱元件和托盤通過該固定件可拆卸地連接在一起。這樣，由于插入固定件時(shí)不需要太大的力氣，因此方便了家庭主婦，并且其他連帶成本得以降低。
根據(jù)本發(fā)明的第三十和三十一方面，所述插入類型的固定件由非金屬主體形成，例如樹脂材料或陶瓷材料，該固定件設(shè)置在加熱室深度方向上的左右兩側(cè)上。因此，由于可以在加熱烹飪時(shí)在加熱室中設(shè)置間隙，故可以防止金屬制托盤產(chǎn)生火花。
根據(jù)本發(fā)明第三十二方面的高頻加熱設(shè)備包括加熱室，用于將待加熱物體存儲(chǔ)在其中；設(shè)置在加熱室上部的加熱單元；高頻生成單元，其生成用于執(zhí)行高頻加熱的高頻波；由陶瓷制成的高頻加熱元件，其具有吸收高頻波并生成熱量的高頻熱生成膜；以及，由金屬制成的托盤，待加熱物體放置在該托盤上。其中，高頻加熱元件和托盤放置在設(shè)置于加熱室左右側(cè)表面上的導(dǎo)軌部分上并且兩者之間具有一定距離，高頻加熱元件和托盤通過粘性元件彼此連接并結(jié)合在一起。因此，由于高頻加熱元件和托盤不能被拆開，從而防止存儲(chǔ)失誤而造成的高頻元件和托盤的丟失。此外，可以防止以下不利情況的發(fā)生由于所述拆分而造成的使用者的誤用。
根據(jù)本發(fā)明第三十三方面，高頻加熱元件和托盤通過粘結(jié)元件彼此固定和結(jié)合在一起，所述由陶瓷制成的高頻加熱元件比金屬制成的托盤長(zhǎng)，并且高頻加熱元件放置在設(shè)置于加熱室左右側(cè)表面上的導(dǎo)軌上。因此，可以減少部件數(shù)目，得到簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的第三十四方面，高頻加熱元件和托盤通過粘性元件彼此固定和結(jié)合在一起，金屬制成的托盤沿著加熱室的深度方向在托盤的左右側(cè)上具有絕緣件，該絕緣件放置在設(shè)置于加熱室左右側(cè)表面上的導(dǎo)軌上。因此，由于烹飪時(shí)可以在加熱室中設(shè)置間隙，所以可以防止出現(xiàn)火花。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖11是示出本發(fā)明第十實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的熱生成特征的圖表；圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖13是示出傳統(tǒng)高頻加熱設(shè)備的前視圖；圖14是示出根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的示意剖視圖；圖15是示出根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的示意剖視圖；圖16是示出根據(jù)本發(fā)明第十五實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的示意剖視圖；圖17是本發(fā)明第十五實(shí)施例中、具有槽的托盤的側(cè)剖視圖；圖18A是本發(fā)明第十五實(shí)施例中、具有槽的托盤的側(cè)剖視圖，圖18B是第十五實(shí)施例中的固定元件的主要部分的放大剖視圖；圖19是本發(fā)明第十五實(shí)施例中、具有四件固定元件的托盤的俯視圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明第十六實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分的剖視圖；以及圖21是為本發(fā)明第十六實(shí)施例的托盤設(shè)置的絕緣元件的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照
本發(fā)明的實(shí)施方式。
(實(shí)施例1)圖1是示出本發(fā)明的高頻加熱設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
高頻加熱設(shè)備4包括加熱室5，待加熱物體儲(chǔ)存在該室中；加熱單元6，其設(shè)置在加熱室中并執(zhí)行加熱器加熱(heater heating)；高頻生成單元7，其設(shè)置在加熱室的底部并生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波；高頻加熱元件9，其后表面上具有高頻熱生成膜8；以及托盤10，待加熱物體放置于其上。
高頻生成單元7生成的高頻波通過高頻散射單元11從下側(cè)均勻地供應(yīng)到加熱室2中。此外，托盤10放置在導(dǎo)軌12上以便使用，該導(dǎo)軌12設(shè)置在加熱室的側(cè)面上。
對(duì)于高頻加熱元件9，使用由陶瓷制成的高頻加熱元件9，其中設(shè)置有由氮化物和硼化物制成的高頻熱生成膜8。對(duì)于托盤10，使用在其表面上具有不均勻波紋部分的托盤，其中具有縫隙13的鋁鍍覆鋼板的一個(gè)表面鍍覆有氟，而該鋼板的后表面鍍覆有黑色的耐熱涂層。
在高頻加熱元件和托盤被放入設(shè)備4的狀態(tài)下，執(zhí)行十分鐘的預(yù)熱，在這種情況下，用作待加熱物體的雞腿肉(chicken dark meat)同時(shí)由600W的上加熱器和300W的高頻波加熱，加熱單元6是所述600W的上加熱器，這樣，肉的內(nèi)部和兩側(cè)都被適當(dāng)?shù)丶訜?。更具體地，可以均勻地烤焦頭的兩側(cè)。從而將雞腿肉烘烤得當(dāng)。脫水率是13％，已烘烤的雞肉具有適量的汁液。此外，無需浪費(fèi)人力來翻轉(zhuǎn)雞腿肉，肉的內(nèi)部也得到加熱，并且可以將肉的兩側(cè)烤焦。
我們認(rèn)為實(shí)現(xiàn)上述操作的原因在于由于設(shè)置有間隙13，高頻熱生成膜8和托盤10金屬表面之間的距離變大，因此，高頻熱生成膜8上的電場(chǎng)強(qiáng)度增大，高頻熱生成膜8中生成的熱量增多；與沒有間隙的情況相比，轉(zhuǎn)向托盤10表面的高頻波的量減少，因此，可以在不增加雞腿肉的脫水率的情況下適當(dāng)?shù)貙⑵鋬蓚?cè)烤焦。
此外，在沒有為托盤10的表面設(shè)置不均勻波紋部分并且沒有設(shè)置間隙13的情況下，輕微地烤焦后側(cè)，并且大量的高頻波被供給雞腿肉，這樣，雞腿肉的脫水率變高(34％)，雞腿肉收縮并且變硬，同時(shí)難以將后側(cè)烤焦。
我們認(rèn)為出現(xiàn)上述現(xiàn)象的原因在于由于高頻熱生成膜8和托盤10的金屬表面之間的距離小，高頻熱生成膜8上的電場(chǎng)強(qiáng)度變小，高頻熱生成膜8中生成的熱量減少，轉(zhuǎn)向托盤10表面的高頻波的量增多，因此，雞腿肉的脫水率變大，難以將后側(cè)烤焦。
此外，通過使用上述高頻加熱設(shè)備4加熱水來比較存在金屬托盤10和不存在金屬托盤10之間的優(yōu)勢(shì)差別以及存在間隙13和不存在間隙13之間的優(yōu)勢(shì)差別。所述比較是在用1000W的功率對(duì)100ml溫度為10℃的水加熱10秒鐘的條件下進(jìn)行的。
在沒有金屬制托盤的情況下，水溫升高5.7℃。以輸出計(jì)算，將342W的功率供應(yīng)給水。
在具有金屬制托盤且沒有間隙的情況下，水溫升高4.7℃。以輸出計(jì)算，將282W的功率供應(yīng)給水。
在具有金屬制托盤且有間隙的情況下，水溫升高3.0℃。以輸出計(jì)算，108W的功率供應(yīng)給水。
另一方面，在不存在金屬制托盤的情況下，高頻加熱元件底部的溫度從23℃升高到30℃，即溫度升高了7℃。
在具有金屬制托盤且沒有間隙的情況下，高頻加熱元件底部的溫度從23℃升高到25℃，即溫度升高了2℃。
在具有金屬制托盤且有間隙的情況下，高頻加熱元件底部的溫度從23℃升高到34℃，即溫度升高了11℃。
通過上述描述，可發(fā)現(xiàn)當(dāng)僅僅將高頻加熱元件用作托盤并且執(zhí)行高頻加熱時(shí)，和具有金屬制托盤的情況相比，更多的高頻波被供應(yīng)給待加熱物體。
此外，即使金屬制托盤放置在高頻加熱元件上，在不存在間隙的情況下，高頻加熱元件的溫度并不上升。即，可發(fā)現(xiàn)在這種情況下難以加熱高頻加熱元件，和沒有間隙的情況相比，更多的高頻波被供應(yīng)給待加熱物體。我們認(rèn)為，在加熱雞腿肉的情況下這導(dǎo)致肉收縮，因?yàn)楸M管下側(cè)被烤焦，仍然有大量的高頻波被供應(yīng)給雞腿肉。
此外，發(fā)現(xiàn)通過為金屬制托盤設(shè)置間隙，供應(yīng)給待加熱物體的高頻波和沒有間隙的情況相比減少。我們認(rèn)為，該間隙使得雞腿肉在沒有發(fā)生肉收縮的條件下得到適當(dāng)?shù)丶訜?，并被烤焦?br>
此外，在該示例中，加熱器加熱和高頻加熱同時(shí)進(jìn)行。但是，也可以單獨(dú)執(zhí)行兩種加熱操作，或者重復(fù)同時(shí)加熱和單獨(dú)加熱。
此外，和微波的輸出端口定位在側(cè)表面上的情況相比，當(dāng)其定位在下側(cè)時(shí)，加熱的不均勻程度可以減少。
至于導(dǎo)軌12，在將其設(shè)置成在深度方向上更長(zhǎng)的情況下，托盤10和側(cè)壁表面之間的間隙變得更小，因此，從下側(cè)供應(yīng)的高頻波難以轉(zhuǎn)向到托盤10的上側(cè)，從而可以更加容易地烤焦待加熱物體的下側(cè)。
考慮到托盤10的構(gòu)造和設(shè)置，為了將加熱室分成上下兩個(gè)部分，托盤輪廓的形成使得托盤和加熱室側(cè)壁之間的間隙以及托盤和用來關(guān)閉加熱室的門之間的間隙變小，因此從下側(cè)提供的高頻波難于轉(zhuǎn)向到托盤10的上側(cè)，供應(yīng)到高頻加熱元件的高頻波的數(shù)量變大，并且待加熱物體的下側(cè)更容易被烤焦。
至于加熱單元6，除了管狀加熱器外，也可以使用護(hù)套狀加熱器、使用熱風(fēng)的加熱器等。此外，盡管高頻加熱元件9在其后表面上具有高頻熱生成膜8，但是加熱元件本身可以由通過高頻波生成熱量的陶瓷形成。
在向下定位的高頻散射單元11上，在加熱室底部上設(shè)置有陶瓷制成的板，該板在圖1中未示出，并且該板可以用作高頻加熱時(shí)放置待加熱物體的臺(tái)，所述待加熱物體例如是待烹飪物品。因此，待烹飪物品不會(huì)進(jìn)濺在高頻散射單元11上。
盡管金屬托盤10使用鋁鍍覆鋼板，但是也可以使用表面能夠反射高頻波的任何材料，例如具有高頻反射層的陶瓷基底，該陶瓷基底通過金屬鍍覆、金屬蒸鍍等方式形成所述高頻反射層。
盡管金屬托盤10使用鋁鍍覆鋼板，但是也可以使用任何不會(huì)傳遞高頻波的材料，例如不銹鋼；鋁；鋁合金；各種鍍覆的鋼板，例如電鍍鋼板、鋁鋅合金鍍覆的鋼板、銅鍍覆鋼板等；冷輥軋鋼板；包覆材料；等等。
盡管對(duì)于上述高頻加熱元件8，使用的是氮化物和硼化物，但是也可以使用例如錫氧化物、銦氧化物等的金屬氧化物以及復(fù)合氧化物。
(實(shí)施例2)圖2是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖2中，在高頻加熱元件15和金屬制托盤16之間設(shè)置間隙17，該高頻加熱元件15具有高頻熱生成膜14。該高頻加熱設(shè)備的其他結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施例中的類似。
在利用上述結(jié)構(gòu)加熱雞腿肉的情況下，可以將肉的兩側(cè)都烤焦。我們認(rèn)為這是出于以下原因由于高頻熱生成膜14和托盤16的金屬面之間的距離變大，高頻熱生成膜14上的電場(chǎng)強(qiáng)度變大，高頻熱生成膜14的熱生成量增大；和沒有間隙的情況相比，轉(zhuǎn)向托盤16表面的高頻波的量減少，因此，可以在不增加雞腿肉的脫水率的條件下將肉的兩側(cè)適當(dāng)?shù)乜窘埂?br>
此外，高頻加熱元件在高頻熱生成膜14的附近接觸金屬制托盤，該熱生成膜是高頻加熱元件15的熱生成部分，因此，高頻熱生成膜14生成的熱量可以容易地穿過高頻加熱元件15的陶瓷基底材料傳遞給金屬制托盤16。這樣，可以高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，從而將待加熱物體的側(cè)面烤焦。
(實(shí)施例3)圖3是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖3中，高頻加熱元件19和金屬制托盤20之間填充有作為介電質(zhì)的陶瓷材料，該高頻加熱元件具有高頻熱生成膜18。但是，對(duì)應(yīng)于第一實(shí)施例中間隙13的間隙21被設(shè)置用來在托盤20的金屬表面和高頻熱生成膜18之間形成距離。高頻加熱設(shè)備的其他結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施例的相同。
在利用上述結(jié)構(gòu)加熱雞腿肉的情況下，可以將肉的兩側(cè)都烤焦。我們認(rèn)為這是出于以下原因由于高頻熱生成膜18和托盤20的金屬面之間的距離變大，高頻熱生成膜18上的電場(chǎng)強(qiáng)度變大，高頻熱生成膜18的熱生成量增大；和沒有間隙的情況相比，轉(zhuǎn)向托盤20表面的高頻波的量減少，因此，可以在不增加雞腿肉的脫水率的條件下將肉的兩側(cè)適當(dāng)?shù)乜窘埂?br>
此外，對(duì)于高頻加熱元件和托盤之間的部分由介電質(zhì)填充的結(jié)構(gòu)，高頻加熱元件19變重。另一方面，由于熱容量(heat capacity)變大，在常規(guī)加熱的情況下難以冷卻托盤。此外，由于熱容量很大，當(dāng)執(zhí)行一次預(yù)加熱時(shí)，難以冷卻托盤，因此，在連續(xù)使用或通道類型(tunnel type)連續(xù)高頻加熱的情況下可以執(zhí)行烤焦操作。
(實(shí)施例4)圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
高頻加熱設(shè)備22包括加熱室23，將待加熱物體存儲(chǔ)在其中；加熱單元24，其通過加熱器執(zhí)行加熱并且設(shè)置在加熱室的上部；高頻生成單元25，其生成執(zhí)行高頻加熱操作的高頻波；高頻加熱元件27，其后表面上具有高頻熱生成膜26；托盤28，將待加熱物體放置在該托盤上；以及，設(shè)定網(wǎng)(settingnet)，其將高頻加熱元件27和托盤28設(shè)定在轉(zhuǎn)臺(tái)29上，從而將加熱元件和托盤放置在加熱室中。
在上述結(jié)構(gòu)中，高頻生成單元25生成的高頻波被供應(yīng)給加熱室23。轉(zhuǎn)臺(tái)39通過電機(jī)31旋轉(zhuǎn)，高頻熱生成膜26受到高頻波的均勻輻射，從而將托盤28均勻地加熱。所以，可以均勻地加熱待加熱物體的兩側(cè)，并可以適當(dāng)?shù)貙⒋訜嵛矬w的兩側(cè)烤焦。
(實(shí)施例5)圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖5中，在高頻加熱元件33和金屬制托盤34之間設(shè)置間隙35，從而將高頻加熱元件33保持在托盤34的后表面上，其中，高頻加熱元件具有高頻熱生成膜32。該高頻加熱設(shè)備的其他結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施例的類似。
通過上述結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和第一實(shí)施例類似的烤焦操作。此外，由于高頻加熱元件被保持在托盤的下部，高頻加熱元件和托盤結(jié)合成一體，這樣，不必費(fèi)力地將它們分別取出。
(實(shí)施例6)圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖6中，為金屬制托盤36設(shè)置凹槽37，該凹槽用來存儲(chǔ)從待加熱物體流出的汁液。圖1中，從前方觀察托盤10；在圖6中，從側(cè)部觀察托盤，該托盤中設(shè)置有凹槽37。即凹槽37設(shè)置在托盤36的前后兩側(cè)。高頻加熱設(shè)備的其他結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施例的類似。
由于設(shè)置有用于容納從待加熱物體流出的汁液的凹槽37，可以除去從待加熱物體流出的油，同時(shí)，可以將待加熱物體烤得酥脆。
(實(shí)施例7)圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備所用托盤的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖7中，金屬制托盤38的表面覆蓋有不粘膜39，且托盤的后表面覆蓋有具有高吸熱率的吸熱膜40。
通過上述結(jié)構(gòu)，難以污染托盤的表面。此外，由于高頻加熱元件生成的熱量可以容易地被托盤吸收，因此可以容易地執(zhí)行烤焦操作。
(實(shí)施例8)圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備所用托盤的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖8中，在金屬制托盤43和具有高頻熱生成膜41的高頻加熱元件42之間設(shè)置有對(duì)應(yīng)于第一實(shí)施例中間隙13的間隙44，從而在托盤43的金屬表面和高頻熱生成膜41之間設(shè)置一定距離。并且，在托盤43的端面上設(shè)置有保持件45，以防止托盤43接觸加熱室的側(cè)壁表面。該高頻加熱設(shè)備的其他結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施例的類似。通過上述結(jié)構(gòu)和保持件，可以防止高頻加熱期間在加熱室側(cè)壁表面和托盤金屬部分之間生成火花。
(實(shí)施例9)圖9是示出根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備所用托盤的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖9中，在金屬制托盤48和具有高頻熱生成膜46的高頻加熱元件47之間設(shè)置有對(duì)應(yīng)于第一實(shí)施例中間隙13的間隙49，從而在托盤48的金屬表面和高頻熱生成膜41之間設(shè)置一定距離。并且，設(shè)置保持件50，以便將托盤48和高頻加熱元件47保持在保持件之間。該高頻加熱設(shè)備的其他結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施例的類似。通過上述結(jié)構(gòu)和保持件50，可以防止加熱元件47脫落，并且能夠防止高頻加熱元件和加熱室側(cè)壁表面接觸，進(jìn)而防止生成火花。
(實(shí)施例10)圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖10中，金屬制托盤53和具有高頻熱生成膜51的高頻加熱元件52之間設(shè)置有對(duì)應(yīng)于第一實(shí)施例間隙13的間隙54，從而在托盤53的金屬表面和高頻熱生成膜51之間設(shè)置一定距離。此外，為金屬制托盤53設(shè)置凹槽55，用以儲(chǔ)存從待加熱物體流出的汁液，托盤53和高頻加熱元件52通過油泥56粘結(jié)在一起。該高頻加熱設(shè)備的其他結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施例的類似。在這種情況下，沿整個(gè)周向設(shè)置凹槽，因此，高頻加熱元件52可以利用油泥56在其整個(gè)周向上進(jìn)行粘結(jié)。不必總在整個(gè)周向上利用油泥56進(jìn)行粘結(jié)，而是可以除去某一部分外利用油泥進(jìn)行粘結(jié)，因?yàn)楦哳l加熱元件52和托盤53可以通過粘結(jié)得以保持。因此，可以防止由于高頻加熱元件52和托盤53之間的高頻波所導(dǎo)致生成的熱量。
此外，可以得到如下關(guān)系式a+b＝P，其中，[a]指代托盤53的非均勻部分的凸出部分的寬度58，[b]指代托盤53的非均勻部分的凹陷部分的寬度59，[P]指代節(jié)距90。此外，高頻加熱元件52和托盤53的凸出部分之間的間隙54的距離作為高度H57。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備中的熱生成特性圖表。
其中，高頻加熱元件52的基底材料使用板厚度為3mm的液晶玻璃；高頻熱生成膜51使用錫氧化物膜。當(dāng)錫氧化物的阻抗值是400Ω/cm2時(shí)，在H從0mm到10mm變化且a、b和P從0mm到40mm變化的情況下，當(dāng)托盤被1000W的高頻波加熱5分鐘時(shí)，托盤53的凸出部分的頂部表面溫度的最大值示出于圖11中。此外，示出輸出轉(zhuǎn)化值。
通過觀察H從0mm到10mm變化的情況下托盤53的熱生成量，發(fā)現(xiàn)當(dāng)2≤H≤8時(shí)熱生成量最大。發(fā)現(xiàn)當(dāng)3≤H≤6時(shí)，熱生成量較高且是優(yōu)選值。此外，在a、b和P變化的情況下，隨著b變小，熱生成量變小。認(rèn)為其理由如下隨著凹陷部分的寬度變小，其與高頻加熱元件52接觸的接觸面變小，因此難以將熱量傳遞給托盤53。此外，隨著P變大，熱生成量變小。認(rèn)為其理由如下即使接觸面變大，間隙54的絕對(duì)值、即間隙的數(shù)量變小，因此，熱生成部分減少。
此外，通過利用高頻加熱加熱水來比較間隙54的H、a、b和p的變化所導(dǎo)致的不同。所述比較在以下條件下進(jìn)行用1000W的功率對(duì)100毫升10℃的水加熱10秒鐘。
在托盤53中沒有非均勻部分的情況下，即H＝0mm且a＝b＝p＝0mm的情況下，水溫升高4.8℃。以輸出計(jì)算，288W的功率被供應(yīng)給水。
在托盤53的非均勻部分中H＝4mm，a＝b＝10mm且p＝20mm的情況下，水溫升高3.0℃。以輸出計(jì)算，180W的功率被供應(yīng)給水。
如圖11所示，發(fā)現(xiàn)在間隙54具有適當(dāng)距離的情況下，高頻波難以轉(zhuǎn)向托盤53的上部，相應(yīng)地，高頻波更多地供應(yīng)給高頻加熱元件52。此外，即使高頻波的轉(zhuǎn)向受到抑制，在高度H變大的情況下，托盤和高頻加熱元件之間的距離變大，并執(zhí)行熱擴(kuò)散，因此，熱量難以傳遞給托盤。
此外，難以通過金屬加工使高度H大于10mm。隨著節(jié)距P變大，高度H變得更大。但是，為了均勻地烤焦食物，難以將節(jié)距制得很大。
如上所述，通過調(diào)整間隙54的高度、凹陷部分和凸出部分的寬度以及節(jié)距，可以調(diào)整托盤53表面的熱生成溫度。凹陷部分和凸出部分的高度、寬度以及節(jié)距之間的關(guān)系和第一實(shí)施例中的類似。
(實(shí)施例11)圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖12中，在金屬制托盤63和具有高頻熱生成膜61的高頻加熱元件62之間設(shè)置有間隙64，該間隙對(duì)應(yīng)于第一實(shí)施例中的間隙13，從而在托盤63的金屬表面和高頻熱生成膜61之間設(shè)置一定距離。此外，為金屬制托盤63設(shè)置凹槽65，該凹槽用來存儲(chǔ)從待加熱物體流出的汁液，托盤63和高頻加熱元件62通過油泥粘結(jié)在一起。該高頻加熱設(shè)備的其他結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施例的相同。
該實(shí)施例不同于第一實(shí)施例之處在于高頻熱生成膜61設(shè)置在托盤63一側(cè)。因此，可以防止高頻熱生成膜61損壞。但是，為了得到和第十實(shí)施例相等的熱生成量，間隙64的高度要求為5mm到9mm。我們認(rèn)為原因在于由于高頻熱生成膜61設(shè)置在托盤63一側(cè)，高頻熱生成膜61和凸出部分之間的距離減小，減小的值等于高頻加熱元件62的3mm的板厚度；并且，為了得到和第一實(shí)施例類似的間隙空間，需要該高度。
凹陷部分和凸出部分的高度、寬度以及節(jié)距和第十實(shí)施例的上述特征之之間的關(guān)系類似。即，對(duì)于高度，5mm到9mm是合適的；在a、b和P改變的情況下，隨著b減小，熱生成量變低；隨著P增大，熱生成量變低。
(實(shí)施例12)圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的高頻加熱設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
高頻加熱設(shè)備104包括加熱室105，將待加熱物體存儲(chǔ)在其中；加熱單元106，其執(zhí)行加熱器加熱并且設(shè)置在加熱室的上部；高頻生成單元107，其設(shè)置在加熱室的底部并且生成執(zhí)行高頻加熱操作的高頻波；以及托盤109，其后表面上具有高頻熱生成元件108，待加熱物體放置在該托盤上。高頻生成單元107生成的微波從下側(cè)供應(yīng)到加熱室2中。托盤109放置在設(shè)置于加熱室側(cè)表面上的導(dǎo)軌110上，以便使用。
對(duì)于所用的托盤109，在該托盤由陶瓷制成并且在其后表面上具有由氮化物和硼化物制成的高頻加熱元件108的情況下，將雞腿肉作為待加熱物體，通過位于加熱室上部的加熱單元106和微波進(jìn)行加熱，雞腿肉的內(nèi)部利用微波加熱，而其兩側(cè)被烤焦，這樣，可對(duì)雞腿肉進(jìn)行適當(dāng)?shù)暮婵尽?br>
另一方面，在日本已公開專利No.2562/1988所述的傳統(tǒng)微波爐中，微波供應(yīng)口2位于加熱烹飪室3的側(cè)壁上。因此，在托盤被設(shè)置在加熱烹飪室3中的情況下，靠近微波供應(yīng)口2的托盤的一部分被更多地加熱，因此，產(chǎn)生不均勻的加熱，并且不能均勻地烤焦待加熱物體。
至于導(dǎo)軌110，在將其設(shè)置在深度方向上更長(zhǎng)的情況下，托盤109和側(cè)壁表面之間的間隙變小，從下側(cè)供應(yīng)的微波難以轉(zhuǎn)向托盤109的上側(cè)，因此，可以更容易地烤焦待加熱物體的下側(cè)。
至于托盤109的設(shè)置和結(jié)構(gòu)，為了將加熱室分為上和下部分，將托盤的輪廓形成為使得托盤和加熱室側(cè)壁表面之間的間隙以及托盤和用以關(guān)閉加熱室的門之間的間隙變小，因此，從下側(cè)供應(yīng)的微波難以轉(zhuǎn)向托盤的上側(cè)，供應(yīng)給高頻加熱元件的微波量變大，可以更容易地烤焦待加熱物體的下側(cè)。
對(duì)于加熱單元106，除了管狀加熱器外，還可以使用護(hù)套狀加熱器、使用熱風(fēng)的加熱器等。此外，盡管托盤109在其后表面上具有高頻加熱元件108并且將待加熱物體放置在該托盤上，但是其自身可以由利用高頻波生成熱量的陶瓷制成。
(實(shí)施例13)圖15是示出根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
圖15中，附圖標(biāo)記111指代高頻散射單元，其散射高頻波以便將高頻波供應(yīng)到加熱室中，從而用高頻熱生成單元107生成的微波輻射待加熱物體，所述高頻熱生成單元107設(shè)置在加熱室的底部并生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例中的類似。通過該結(jié)構(gòu)，微波可以更均勻地從下側(cè)供應(yīng)到加熱室2中，從而更均勻地加熱待加熱物體。
(實(shí)施例14)替換陶瓷材料，托盤109由不傳遞微波的金屬形成。因此，從下側(cè)供應(yīng)的微波難以向上轉(zhuǎn)向，供應(yīng)給高頻加熱元件的微波量變大，這樣，可以更容易地將待加熱物體的下側(cè)烤焦。
(實(shí)施例15)圖16是示出本發(fā)明的高頻加熱設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖，圖17是具有凹槽的托盤的側(cè)視圖，圖3A和3B是固定元件的主要部分的放大剖視圖，圖19時(shí)具有四個(gè)固定元件的托盤的俯視圖。
高頻加熱設(shè)備204包括加熱室205，將待加熱物體存儲(chǔ)在其中；加熱單元206，其執(zhí)行加熱器加熱并且設(shè)置在加熱室的上部；高頻生成單元207，其設(shè)置在加熱室的底部并且生成執(zhí)行高頻加熱操作的高頻波。高頻生成單元207生成的高頻波通過高頻散射單元208被均勻地從下側(cè)供應(yīng)到加熱室205中。另一方面，在深度方向上延伸的導(dǎo)軌部分209設(shè)置在加熱室205的左右側(cè)壁上，高頻加熱單元211和金屬制托盤212放置在導(dǎo)軌部分209上，該高頻加熱單元在其后邊面上具有高頻熱生成膜210，待加熱物體放置在該托盤上。
另一方面，對(duì)于高頻加熱元件211，使用由陶瓷制成的高頻加熱元件，該元件中設(shè)置有由氮化物和硼化物制成的高頻熱生成膜210。該托盤212在其表面上具有波紋狀非均勻部分，其中，具有間隙213的鋁鍍覆鋼板的一個(gè)表面鍍覆氟，而該鋼板的后表面鍍覆黑色耐熱涂層。并且，高頻加熱元件211和托盤212通過固定元件214彼此連接和結(jié)合在一起。
此時(shí)，托盤212放置在沿深度方向設(shè)置于加熱室205的左右側(cè)壁上的導(dǎo)軌部分209上，從而將加熱室205沿垂直方向分成上下部分。
在向下定位的高頻散射單元208上，在加熱室205的底部設(shè)置有陶瓷制成的板，該板沒有在圖16中示出，并且該板可以用作臺(tái)，在進(jìn)行高頻加熱時(shí)，例如作為烹飪物體的待加熱物體放置在該臺(tái)上。因此，烹飪物體不會(huì)進(jìn)濺到高頻單元208上。
此外，如圖17所示，為金屬制托盤212設(shè)置用以儲(chǔ)存從待加熱物體流出的汁液的凹槽215。圖16中，從前方觀察該托盤212，在圖17中，從側(cè)部觀察該托盤。即，凹槽215設(shè)置在托盤212的前后側(cè)上。
接下來描述高頻加熱設(shè)備的操作和工作。
當(dāng)執(zhí)行加熱待加熱物體的內(nèi)部并烤焦其表面的烹飪時(shí)，由于托盤212具有高頻加熱元件211以及位于托盤表面上的波紋狀非均勻部分以便設(shè)置間隙213，其中，鋁鍍覆鋼板具有間隙213的表面鍍覆黑色耐熱涂層，高頻熱生成膜10和托盤212的金屬表面之間的距離變大，因此，高頻熱生成膜10上的電場(chǎng)強(qiáng)度變大，高頻熱生成膜10的熱生成量增加。和沒有間隙213的情況相比，轉(zhuǎn)向托盤212表面的高頻波的量減少，從而在沒有升高雞腿肉的脫水率的條件下適當(dāng)?shù)貙㈦u腿肉的兩側(cè)烤焦。根據(jù)發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)演示，在已經(jīng)將高頻加熱元件和托盤裝入設(shè)備204的情況下，執(zhí)行十分鐘的預(yù)加熱，之后將雞腿肉作為待加熱物體同時(shí)由600W的上加熱器、即加熱單元206和300W的高頻波加熱十分鐘，可以將肉的內(nèi)部和兩側(cè)適當(dāng)?shù)丶訜帷８唧w地，可以均勻地烤焦肉的兩側(cè)，因此可以適當(dāng)?shù)睾婵倦u腿肉。脫水率是13％，烘烤后的雞肉具有適量的汁液。此外，無需費(fèi)力地翻轉(zhuǎn)雞腿肉就可以加熱肉的內(nèi)部并烤焦肉的兩側(cè)。
此外，在沒有為托盤212的表面設(shè)置波紋狀非均勻部分并且沒有設(shè)置間隙213的情況下，后側(cè)的烤焦程度較輕，大量高頻波被供應(yīng)給雞腿肉，因此，雞腿肉的脫水率增高(24％)，因此雞腿肉收縮變硬，難以將其后側(cè)烤焦。原因如下由于高頻熱生成膜10和托盤212的金屬表面之間的距離變小，高頻熱生成膜10上的電場(chǎng)強(qiáng)度變小，高頻熱生成膜10的熱生成量變少，轉(zhuǎn)向托盤212表面的高頻波的量減少，因此，雞腿肉的脫水率增大，難以將后側(cè)烤焦。
此外，通過設(shè)置在加熱室205中的導(dǎo)軌部分209，將托盤212的輪廓形成為使得托盤和加熱室205側(cè)壁表面之間的間隙以及托盤和用以關(guān)閉加熱室的門之間的間隙變小，因此，從下側(cè)供應(yīng)的高頻波難以轉(zhuǎn)向托盤212的上側(cè)，供應(yīng)給高頻加熱元件211的微波量變大，并且可以更容易地烤焦待加熱物體的下側(cè)。
在執(zhí)行烤焦操作的烹飪時(shí)，高頻加熱元件211和托盤212放置在設(shè)置于加熱室205中的導(dǎo)軌部分209上，以便使用，該托盤在其表面上具有通過波紋狀非均勻部分形成的間隙。此處，高頻加熱元件211和托盤212通過固定元件214彼此固定和結(jié)合在一起，因此，可以通過高頻加熱高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，可以烤焦待加熱物體的表面，并且不必分別將高頻加熱元件211和托盤212取出，從而節(jié)省勞動(dòng)。所以，可以提供一種方便使用的高頻加熱設(shè)備。
接下來，如圖3A和3B所示的固定元件214為插入類型并且設(shè)置在加熱室205的深度方向上，該固定元件可拆卸地固定高頻加熱元件211和托盤212。
對(duì)于上述插入類型，存在如下一種結(jié)構(gòu)其中，將固定元件插入，從而將高頻加熱元件211和托盤212保持在固定元件之間；或者存在如下一種結(jié)構(gòu)其中，為固定元件214設(shè)置銷216，并將該銷配合插入托盤212的凹口部分217。因此，由于本發(fā)明能夠?qū)?yīng)于高頻加熱元件211和托盤212在長(zhǎng)期使用中的不同壽命，故不必同時(shí)更換兩者，從而減少了維護(hù)費(fèi)用。
此外，將該插入式固定元件214設(shè)置成在加熱室205兩側(cè)的深度方向上延伸，這樣，易于將固定元件214插入設(shè)置在加熱室205的側(cè)表面上的導(dǎo)軌部分209中。此外，通過取下固定元件214并將高頻加熱元件211和托盤212分開，可以分別清潔使用高頻加熱元件211和托盤212之后的污跡，這樣，烹飪用具總能保持清潔，可以舒服地進(jìn)行烹飪。
此外，如同19所示，插入類型固定元件214分別沿著加熱室205的深度方向設(shè)置在左右兩側(cè)上，并且一側(cè)兩件，即總共設(shè)置四個(gè)固定元件214a、214b、214c和214d；通過該固定元件，高頻加熱元件211和托盤212可拆卸地相連。因此，由于無需很大的力量來插入固定元件214，因此對(duì)于家庭主婦來說使用方便，并且其他的連帶費(fèi)用較低。
此外，沿著加熱室205的深度方向設(shè)置在左右兩側(cè)上的插入類型固定元件214由非金屬制成，例如，樹脂材料或陶瓷材料。因此，由于可以在加熱烹飪時(shí)在加熱室205中設(shè)置間隙，可以防止金屬制托盤212生成火花。
此外，為了存儲(chǔ)從待加熱物體流出的汁液，使用為金屬制托盤212設(shè)置的凹槽215。由于可以除去從待加熱物體流出的油，可以更方便地執(zhí)行烤焦操作，并且可以將待加熱物體烘烤地更酥脆。
此外，在該示例中，同時(shí)執(zhí)行加熱器加熱和高頻加熱。但是，可以分別執(zhí)行上述兩種加熱操作，或者反復(fù)地進(jìn)行同時(shí)加熱和單獨(dú)加熱操作。
對(duì)于加熱單元206，除了管狀加熱器外，還可以使用套狀加熱器等使用熱風(fēng)的加熱器。此外，盡管高頻加熱元件211在其后表面上具有高頻熱生成膜210，但是高頻加熱元件自身可以由通過高頻波生成熱量的陶瓷制成。
此外，和微波輸出口設(shè)置在側(cè)表面上的情況相比，在該情況下輸出口位于下側(cè)，加熱的不均勻性更小。
(實(shí)施例16)圖20是示出根據(jù)本發(fā)明第十六實(shí)施例的高頻加熱設(shè)備的主要部分結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖21是示出為托盤設(shè)置的絕緣元件的側(cè)剖視圖。
基本上，該高頻加熱設(shè)備和第十五實(shí)施例的類似，包括由陶瓷制成的高頻加熱元件211和由金屬制成的托盤212，待加熱物體放置在該托盤上，其中，高頻加熱元件211和托盤212放置在導(dǎo)軌部分209上并間隔一定距離，所述導(dǎo)軌部分設(shè)置在加熱室205的左右側(cè)表面上。該第十六實(shí)施例不同于第十五實(shí)施例之處在于高頻加熱元件211和托盤212通過粘性元件218固定并結(jié)合在一起。
通過粘性元件218連接并結(jié)合在一起的高頻加熱元件211和托盤212插入導(dǎo)軌部分209上，該導(dǎo)軌部分沿深度方向設(shè)置在加熱室205的左右側(cè)表面上。
在這種狀態(tài)下，高頻加熱設(shè)備的操作和工作和第十五實(shí)施例的類似。所以，省略其具體描述。
由于高頻加熱元件211和托盤212通過粘性元件218連接并結(jié)合在一起，因此它們是不可拆卸的。但是，可以防止它們?cè)诓皇褂脮r(shí)丟失，也可以避免發(fā)生使用者拆卸而誤用的情況。
此外，高頻加熱元件211和托盤212可以通過粘性元件218彼此固定并結(jié)合在一起，陶瓷制成的高頻加熱元件211的橫向尺寸大于金屬制成的托盤212的橫向尺寸，該高頻加熱元件211放置在設(shè)置于加熱室205的左右側(cè)上的導(dǎo)軌209上。因此，不需要防止金屬制托盤212生成火花的元件，這樣，部件數(shù)目減少，結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單。
此外，高頻加熱元件211和212通過粘性元件218彼此固定和結(jié)合在一起，金屬制成的托盤212沿深度方向在其左右側(cè)上具有絕緣元件219，該絕緣元件219放置在設(shè)置于加熱室205左右側(cè)面上的導(dǎo)軌209上。因此，由于可以在加熱烹飪時(shí)為加熱室205提供間隙，故可以防止出現(xiàn)火花。
本發(fā)明基于日本專利申請(qǐng)No.2002-098381、No.2002-023042、No.2002-023043以及No.2002-150323，上述專利申請(qǐng)的內(nèi)容在此引用作為參考。盡管在此僅具體描述了本發(fā)明的某些實(shí)施例，但是顯然可以在不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)和范圍的條件下對(duì)其作出各種修改。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)如上所述，根據(jù)本發(fā)明第一到第二十方面，可以通過高頻加熱高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，并可以將待加熱物體的表面烤焦。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明第二十一到第二十五方面，通過從下側(cè)均勻供應(yīng)的微波均勻地加熱具有高頻加熱元件的托盤。所以，可以在烹飪時(shí)均勻地執(zhí)行烤焦操作。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明第二十六方面到第三十四方面，提供一種高頻加熱設(shè)備，其通過高頻加熱高效地加熱待加熱物體的內(nèi)部，能夠?qū)⒋訜嵛矬w的表面烤焦并且使用方便簡(jiǎn)單。
權(quán)利要求
1.一種高頻加熱設(shè)備，包括加熱室，用以存儲(chǔ)待加熱物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室中；高頻生成單元，用以生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波；高頻加熱元件；以及托盤，待加熱物體放置在該托盤上；其中，在所述高頻加熱元件和所述托盤之間設(shè)置間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述高頻生成單元設(shè)置在所述加熱室的底部。
3.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述托盤的部分或整體由能夠反射高頻波的材料制成。
4.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述托盤由金屬制成。
5.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述托盤由金屬制成并且放置在所述高頻加熱元件上；所述高頻加熱元件至少在該高頻加熱元件的熱生成部分的附近接觸所述金屬制托盤。
6.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述托盤構(gòu)造成將所述加熱室分成兩部分。
7.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，還包括高頻散射單元，用以散射高頻波并將高頻波供應(yīng)到所述加熱室中。
8.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述托盤由金屬制成并具有非均勻的形狀。
9.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，還包括導(dǎo)軌，其設(shè)置在所述加熱室的左右側(cè)面上，以便將所述托盤放置在加熱室中。
10.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，還包括設(shè)定網(wǎng)，其設(shè)置在轉(zhuǎn)臺(tái)上，用以將所述高頻加熱元件和所述托盤設(shè)定在所述加熱室中。
11.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述高頻加熱元件被保持在所述托盤的下部分處。
12.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述托盤設(shè)置有凹槽，用以在其中存儲(chǔ)從待加熱物體流出的汁液。
13.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，在所述托盤的表面上設(shè)置有不粘膜。
14.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，在所述托盤的后表面上設(shè)置有熱吸收膜，該膜具有高吸熱率。
15.如權(quán)利要求8所述的高頻加熱設(shè)備，其中，可通過調(diào)節(jié)所述托盤的不均勻部分的高度、寬度和節(jié)距調(diào)節(jié)熱生成量。
16.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，還包括金屬制成的保持件，其不會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)火花，并設(shè)置在所述托盤和所述加熱室的壁面接觸的部分。
17.如權(quán)利要求16所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述保持件由樹脂制成。
18.如權(quán)利要求16所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述托盤和所述加熱元件被所述保持件保持在保持件之間。
19.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述托盤和所述加熱元件通過油泥粘結(jié)在一起。
20.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱設(shè)備，其中，高頻熱生成膜沿著其上設(shè)置高頻熱生成膜的表面與托盤相接觸的方向設(shè)置在高頻加熱元件上。
21.一種高頻加熱設(shè)備，包括加熱室，用以存儲(chǔ)待加熱物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部，并且執(zhí)行加熱器加熱；高頻生成單元，設(shè)置在加熱室的底部，并且生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波；以及托盤，其后表面上具有高頻加熱元件，待加熱物體放置在該托盤上。
22.如權(quán)利要求21所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述加熱室被所述托盤分成兩部分。
23.如權(quán)利要求21所述的高頻加熱設(shè)備，還包括高頻散射單元，用以散射高頻波并將高頻波供應(yīng)到所述加熱室中。
24.如權(quán)利要求21所述的高頻加熱設(shè)備，還包括導(dǎo)軌，其設(shè)置在所述加熱室的左右側(cè)面上，以便將所述托盤放置到加熱室中。
25.如權(quán)利要求21所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述托盤由不傳遞微波的金屬制成。
26.一種高頻加熱設(shè)備，包括加熱室，用以在其中存儲(chǔ)待加熱物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部；高頻生成單元，用以生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波；高頻加熱元件，具有吸收高頻波并生成熱量的高頻熱生成膜；以及托盤，由金屬制成，待加熱物體放置在該托盤上；其中，所述高頻加熱元件和所述托盤放置在設(shè)置于所述加熱室的左右側(cè)面上的導(dǎo)軌上并彼此隔開一定距離，并且通過固定元件彼此連接和結(jié)合在一起。
27.如權(quán)利要求26所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述固定元件是插入類型，由此所述高頻加熱元件和所述托盤彼此可拆卸地相連。
28.如權(quán)利要求27所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述插入類型固定元件分別設(shè)置在所述加熱室深度方向上的左、右側(cè)上。
29.如權(quán)利要求27所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述插入類型固定元件分別設(shè)置在所述加熱室深度方向上的左、右側(cè)上，一側(cè)兩件，即總共設(shè)置四個(gè)固定元件。
30.如權(quán)利要求27所述的高頻加熱設(shè)備，其中，設(shè)置在所述加熱室深度方向上的左、右側(cè)上的所述插入類型固定元件由非金屬體制成。
31.如權(quán)利要求27所述的高頻加熱設(shè)備，其中，設(shè)置在所述加熱室深度方向上的左、右側(cè)上的所述插入類型固定元件由非樹脂材料或陶瓷材料制成。
32.一種高頻加熱設(shè)備，包括加熱室，用以存儲(chǔ)待加熱物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部；高頻生成單元，用以生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波；高頻加熱元件，由陶瓷制成，具有吸收高頻波并生成熱量的高頻熱生成膜；以及托盤，由金屬制成，待加熱物體放置在該托盤上；其中，所述高頻加熱元件和所述托盤放置在設(shè)置于所述加熱室的左右側(cè)面上的導(dǎo)軌上并彼此隔開一定距離，并且通過粘性元件彼此連接和結(jié)合在一起。
33.如權(quán)利要求32所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述高頻加熱元件制成比所述托盤長(zhǎng)，并且放置在所述導(dǎo)軌部分上。
34.如權(quán)利要求32所述的高頻加熱設(shè)備，其中，所述托盤具有沿所述加熱室的深度方向位于左、右兩側(cè)上的絕緣元件，該絕緣元件放置在所述導(dǎo)軌部分上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高頻加熱設(shè)備，其能夠通過高頻加熱加熱待加熱物體的內(nèi)部，并能夠?qū)⒋訜嵛矬w的表面烤焦。該高頻加熱設(shè)備包括加熱室，用以存儲(chǔ)加熱物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部并執(zhí)行加熱器加熱；高頻生成單元，設(shè)置在加熱室的底部并生成執(zhí)行高頻加熱的高頻波；高頻加熱元件，在其后表面上具有高頻熱生成膜；以及托盤，待加熱物體放置在該托盤上；其中，在所述高頻加熱元件和所述托盤之間設(shè)置間隙。因此，可以將待加熱物體的表面烤焦。
文檔編號(hào)A47J36/24GK1625922SQ0380311
公開日2005年6月8日 申請(qǐng)日期2003年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月31日
發(fā)明者礒谷守, 山崎孝彥, 末廣峰子, 內(nèi)山智美, 藤下和男 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社