專利名稱：處理電子元件的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及處理電子元件的方法和裝置，并且特別涉及使用加熱的溶劑和臭氧化處理流體的組合處理半導(dǎo)體晶片的方法和裝置，以除去或剝離大塊的光致抗蝕劑。
優(yōu)選地，進(jìn)行濕處理以準(zhǔn)備進(jìn)行如下處理步驟的電子元件，如擴(kuò)散、離子注入、外延生長、化學(xué)氣相淀積、半球硅晶粒生長或者它們的組合。在濕處理中，電子元件暴露在一系列處理溶劑中。例如，處理溶劑可以用來蝕刻、除去光致抗蝕劑、清潔、生長氧化層或者對電子元件進(jìn)行漂洗。參考轉(zhuǎn)讓給同一受讓人的美國專利4,577,650、4,740,249、4,738,272、4,856,544、4,633,893、4,778,532、4,917,123和歐洲專利0 233 184，以及Burkman等人的Wet Chemical Processes-Aqueous Cleaning Processes(濕化學(xué)水處理清潔過程)，Handbook ofSemiconductor Wafer Cleaning Technology(半導(dǎo)體晶片清潔技術(shù))(由Werner Kern編輯，由Noyes Publication Parkridge出版，New Jersey 1993年)第111-151頁。上述文獻(xiàn)中公開的內(nèi)容在這里整體上引入作為參考。
存在適用于濕處理的各種類型的系統(tǒng)。例如，電子元件可以在以下的系統(tǒng)中進(jìn)行處理相對環(huán)境封閉的單容器系統(tǒng)(比如由CFMTechnologies公司提供的采用Full-FlowTM技術(shù)的Omni系統(tǒng))、相對環(huán)境開放的單容器系統(tǒng)、或者多開放容器槽系統(tǒng)(例如濕臺)，其具有相對環(huán)境開放的多個容器槽。
在處理之后，電子元件通常被干燥。半導(dǎo)體基片的干燥可以使用各種方法來進(jìn)行，其目標(biāo)是確保在干燥過程中不產(chǎn)生污染。干燥方法包括蒸發(fā)、在旋轉(zhuǎn)漂洗干燥器中的離心力、晶片的蒸汽干燥或化學(xué)干燥，例如，包括在美國專利4,911,761中公開的方法和裝置。
對于有效的濕處理方法，一個重要的需要考慮的事項(xiàng)是由該過程制造的電子元件應(yīng)該超凈(例如具有最小的微粒污染和最小的化學(xué)殘留)。超凈的電子元件最好沒有微粒、金屬污染、有機(jī)污染和天然氧化物；并具有平滑的表面；且具有氫末端的表面。盡管濕處理方法已經(jīng)有了一定的發(fā)展，以提供相對純凈的電子元件，然而由于在半導(dǎo)體工業(yè)中與技術(shù)的前進(jìn)相伴隨的復(fù)雜性，總需要改進(jìn)濕處理方法。獲得超凈的產(chǎn)品的最具挑戰(zhàn)性的問題之一是除去光致抗蝕劑。
已經(jīng)研究了使用臭氧來從半導(dǎo)體晶片上除去有機(jī)物，如光致抗蝕劑。例如，授予Matthews的美國專利5,464,480(以下稱為Matthews)描述了這樣一種方法，在此方法中，半導(dǎo)體晶片在大約1℃至大約15℃的溫度下暴露在臭氧溶液和水中。例如，Matthews公開了將半導(dǎo)體晶片放置到含有去離子水的槽中，將臭氧擴(kuò)散到去離子水中一段時間，該段時間足以氧化晶片上的有機(jī)物，在保持水的溫度在大約1℃至大約15℃之間的同時，然后使用去離子(DI)水漂洗該晶片。Matthews還公開了在該方法中將晶片暴露在紫外光中。
研究了使用臭氧和水一起的各種其他方法，以從半導(dǎo)體晶片的表面剝離有機(jī)材料，或者在化學(xué)處理之后來漂洗晶片。例如，在這樣的一種方法中，臭氧氣體在臭氧產(chǎn)生器中產(chǎn)生，并且供應(yīng)給臭氧化器，在臭氧化器中，臭氧氣體與DI水進(jìn)行混合。臭氧氣體還同時通過一種特別設(shè)計的設(shè)備供應(yīng)給處理容器的底部，該特別設(shè)計的設(shè)備向處理浴提供氣態(tài)臭氧的均勻流。Matthews等人的Mat.Res.Soc.Symp.Proc.，1997，477，173-78。還參見1997 Joint Int’l Mtg.ofElectro.Chem.Soc’yand Int’l Soc’y of Electro.，摘要1886，p.2169，由Kenens等人提交；同上(Id.)摘要1887，p.2170，由Wolke等人提交；Id.摘要1892，p.2176，由Fukazawa等人提交.；Id.摘要1934，p.2236，由Kashkoush等人提交；Id.摘要1890，p.2173，由Li等人提交；Id.摘要1891，p.2174，由Joo等人提交；Kenens等人的Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces(硅表面的超凈處理)UCPSS 1996，Removal of Organic Contamination FromSilicon Surfaces(從硅表面去除有機(jī)污染)，P.107-110.
在另一個方法中，注入臭氧的超純水(臭氧濃度大約為1-2ppm)的使用應(yīng)用于RCA或者其他類似的清潔方法。臭氧化的水用于除去有機(jī)雜質(zhì)。然后，用NH4OH和H2O2處理晶片以除去金屬離子污染物，接著用HF和H2O2處理以除去天然氧化物和金屬，并且改進(jìn)表面平整度。然后，用DI水漂洗該晶片。通過電解超純水來產(chǎn)生臭氧氣體。然后，產(chǎn)生的臭氧氣體通過隔膜在超純水中被溶解。Ohmi等人的Electrochem.Soc’y，140，1993，804-10。
另一種方法使用潮濕的臭氧氣相。在這種方法中，石英容器充滿足以浸入O3擴(kuò)散器的少量液體。如果適合的話，該液體是摻加添加劑，如過氧化氫或乙酸的DI水。在容器上放上蓋子，并將該液體加熱到80℃。晶片直接放在液體界面上(例如晶片不浸入到液體中)。在密封的容器中加熱液體和通過液體的持續(xù)的O3氣泡將晶片暴露在潮濕的周圍O3環(huán)境中。De Gendt等人的，Symp.VLSI Tech.Dig.Tech.Papers，1998，168-69。De Gendt論文還描述了一種方法，通過這種方法，石英槽充滿7升液體，臭氧擴(kuò)散器位于該槽的底部，并且該液體被加熱。晶片直接放置在臭氧擴(kuò)散器的上面并且浸入到該液體中，使O2/O3泡接觸該晶片的表面。De Gendt論文還公布OH基清除劑，如乙酸能夠增強(qiáng)處理的效果。
在另一種方法中，在大約200-300℃之間的溫度下在氣相反應(yīng)器中除去光致抗蝕劑。在特定的例子中，諸如N2O氣體的添加劑被混合到臭氧氣體中。參見Olness等人的Mat.Res.Soc’y.Symp.，135，1993，261-66。
使用臭氧化水的旋轉(zhuǎn)清潔技術(shù)也已經(jīng)被研究。參見Yonekawa等人的Cleaning Technology In Semiconductor Device ManufacturingSymposium(半導(dǎo)體設(shè)備制造論文中的清潔技術(shù))，ContaminationRemoval By Wafer Spin Cleaning Process With Advanced ChemicalDistribution System(具有高級化學(xué)分布系統(tǒng)的通過晶片旋轉(zhuǎn)清潔處理的污染去除)，94-7，94-101；1997 Joint Int’s Mtg.ofElectro.Chem.Soc’yand Int’l Soc’y.ofElctro.，摘要1888，p.2171由Osaka等人提交。
具有清潔溶液的臭氧的使用也被研究了。一種這樣的方法使用晶片清潔次序，即使用臭氧化水和稀釋的HF的單晶片旋轉(zhuǎn)，以從晶片表面除去污染物，如微粒、金屬粒子和有機(jī)物。該方法包括在晶片表面傾泄臭氧化水10秒鐘，接著在晶片上傾泄稀釋的HF 15秒鐘。重復(fù)這個循環(huán)直到達(dá)到想要的結(jié)果。1997 Joint Int’s Mtg.ofElectro.Chem.Soc’y and Int’1 Soc’y.of Elctro.，摘要1888，p.2171由Tsutomu等人提交；同時參見Id.摘要1889，p，2172，由Han等人提交；Id.摘要1892，p.2176，由Fukazawa等人提交；Ultra Clean Processing of SiliconSurfaces(硅表面的超凈處理)UCPSS 1996，Kenens等人，Removal ofOrganic Contamination From Silicon Surfaces(從硅表面去除有機(jī)污染)，p.107-10。
半導(dǎo)體晶片的清潔還使用氣體臭氧和其他化學(xué)制品，如氫氟酸和鹽酸來進(jìn)行以除去殘留污染微粒。例如，授予Lampert等人的美國專利5,181,985(下文稱為Lampert)公開了一種清潔方法，其中水在10℃到90℃的溫度下噴射到半導(dǎo)體晶片上，并且導(dǎo)入了化學(xué)活性氣態(tài)物質(zhì)，如氨、氯化氫、臭氧、臭氧化氧氣、氯或溴。在Lampert中，臭氧或臭氧化氧氣用來形成表面氧化物，然后該表面氧化物隨后被氫氟酸或鹽酸除去。
臭氧也和硫酸一起使用，作為一種從半導(dǎo)體晶片中剝離光致抗蝕劑的方式。例如，參見授予CFM Technologies的美國專利4,899,767和4,917,123。在CFM專利中描述的方法在單容器系統(tǒng)中進(jìn)行，并且通常地，硫酸溶液摻加氧化劑，如臭氧。使用硫酸和臭氧的其他系統(tǒng)可以采用氣體分配系統(tǒng)，該氣體分配系統(tǒng)包括具有孔的分配器盤，用于向槽的處理浴中分布?xì)怏w。例如，參見轉(zhuǎn)讓給SubMicron的美國專利5,082,518。SubMicron的專利描述了一種裝置的使用，該裝置直接將臭氧分布在包括硫酸的處理槽中。
臭氧拋光也被研究作為一種從晶片上除去光致抗蝕劑材料的方法。在這種方法中，光致抗蝕劑被兩種強(qiáng)氧化氣體，臭氧和原子氧在較高的溫度(250-350℃)下氧化。少量活化的一氧化二氮增強(qiáng)了拋光率。參見Olness等人的Mat Res.Soc’y.Symp.，135，1993，261-66。
授予Koizumi等的美國專利5,503,708(下稱Koizumi)公開了使用氣態(tài)臭氧來從半導(dǎo)體晶片上除去光致抗蝕劑膜的可選擇的裝置和方法。在Koizumi中，使用一種一次處理一塊單獨(dú)的晶片的裝置。該裝置將晶片暴露在含有臭氧和醇的氣體混合物中，同時該晶片表面優(yōu)選被加熱到150℃到250℃，以有效地除去光致抗蝕劑。
也研究了在預(yù)清潔步驟中臭氧的使用。在一種這樣的方法中，如授予McNeilly等的美國專利5,762,755中公開的那樣，將受到有機(jī)物污染的晶片保持在部分真空中并且通過輻射加熱到至少200℃，然后暴露在臭氧中。然后該晶片被冷卻到80℃或80℃之下，然后暴露在紫外激發(fā)的氯中。
用于預(yù)清潔晶片的另一種方法使用O3/IR處理作為用于有機(jī)物去除的現(xiàn)場清潔步驟，然后腐蝕氧化物以使表面處于良好狀態(tài)并且確保蝕刻的可重復(fù)性和均勻性。作為后處理步驟，一薄層氧化物可生長在晶片表面。在這個處理中，臭氧被通入到處理室，同時晶片被紅外線燈加熱到特定溫度，然后停止加入臭氧并且晶片被低溫惰性氣體冷卻。Kao等人的Cleaning Technology In Semiconductor DeviceManufacturing Symposium(半導(dǎo)體設(shè)備制造論文中的清潔技術(shù))，Vapor-Phase pre-Cleans for Furnace-Grown and Rapid-Thermal ThinOxides(用于反應(yīng)堆生長和快熱薄氧化物的氣相預(yù)清潔)，1992，251-59。
還研究了臭氧氣體與紫外光一起用于清潔和蝕刻晶片表面的使用。參見Semiconductor Wafer Cleaning and Surface Characterization(半導(dǎo)體晶片清潔和表面評定)(proceedings ofthe 2ndworkshop)，Moon，Si Wafer Cleaning Study by UV/Ozone ands In Situ Surface Analysis(通過UV/臭氧現(xiàn)場表面分析的硅晶片清潔)，68-76；ASM Int’l，Li等人，UV/Ozone Pre-Treatment on Organic Contaminated Wafer forComplete Oxide Removal in HF Vapor Cleaning(在HF蒸氣凈化中用于完全去除氧化物的有機(jī)污染的晶片上的UV/臭氧預(yù)處理)。
使用拋光處理從電子元件上去除光致抗蝕劑是已知的。然而，通過拋光難以實(shí)現(xiàn)完全去除光致抗蝕劑，這是因?yàn)閽伖馓幚肀旧頃p害電子元件表面。例如，用CF4在暴露的硅表面拋光引入了凹坑，因此，通常應(yīng)當(dāng)避免充分拋光。而且，低溫拋光通常是必要的以防止抗蝕劑爆裂。從而，拋光處理的使用通常需要一個或者多個后拋光處理步驟(例如使用諸如SOM或HPM溶液等處理溶液來清除和/或清潔元件)以完全去除光致抗蝕劑。
在過去幾年有很多的嘗試來使用臭氧(O3)用于大塊的光致抗蝕劑的剝離。然而，臭氧化處理流體(例如臭氧化的去離子水)的使用傳統(tǒng)上有著不令人滿意的低蝕刻率。
其他的處理溶液(“設(shè)計者”溶劑和/或異丙醇)曾用來去除光致抗蝕劑。然而，這些處理溶液的使用價格高的驚人；可能需要長的容器槽壽命；并且涉及嚴(yán)重的環(huán)境風(fēng)險(例如污染和安全)。
在其另一方面，本發(fā)明涉及處理電子元件的裝置，該裝置具有容納該電子元件的室。該室優(yōu)選包括一封閉的直接置換的室系統(tǒng)。該裝置還包括用于向該室提供加熱溶劑的加熱溶劑源以及用于向該室提供臭氧化處理流體的臭氧化處理流體源。在一個實(shí)施例中，加熱溶劑源向該室提供一層加熱溶劑。
參考隨后公開的內(nèi)容和隨附的權(quán)利要求書，本發(fā)明的其他特征和實(shí)施例對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得明顯。
本發(fā)明的詳細(xì)說明本發(fā)明提供了使用加熱溶劑和臭氧化處理流體用于濕處理電子元件的裝置和方法。本發(fā)明的裝置和方法特別用于從電子元件的表面去除有機(jī)材料。例如，在濕處理中，本發(fā)明的裝置和方法可被用于去除有機(jī)材料諸如光致抗蝕劑(拋光或未拋光)、增塑劑、表面活性劑、碳氟化合物聚合物、來自人為接觸的有機(jī)物、或者它們的結(jié)合。本發(fā)明的裝置和方法還可以用于在電子元件表面上生長氧化物層。本發(fā)明的裝置和方法還預(yù)期被用于預(yù)處理清潔、蝕刻、處理步驟之間的清潔，以及后處理清潔和加工(例如氧化物生長)。盡管本發(fā)明的裝置和方法適合用于去除各種光致抗蝕劑，本發(fā)明特別適用于去除大塊的光致抗蝕劑或加入硼(B)的光致抗蝕劑。
這里使用的術(shù)語“電子元件”，包括電子元件母體，如半導(dǎo)體晶片、平面控制板以及在電子元件制造中使用的其他元件(例如集成電路)；CDROM磁盤；硬磁盤機(jī)存儲器磁盤；或多芯片模塊。
這里使用的術(shù)語“濕處理”或“濕加工”意味著電子元件暴露在一種或者多種液體(下文稱為“處理液體”或“處理溶液”)中，以所需的方式來處理電子元件。例如，可能需要處理電子元件以從電子元件的表面清潔、蝕刻或去除光致抗蝕劑。也可能需要在這樣的加工步驟中間漂洗電子元件。
濕處理還可以包括電子元件于其他流體，如氣體、蒸氣、與蒸氣或氣體混合的液體，或者它們的結(jié)合接觸的步驟。在這里使用的術(shù)語“處理流體”包括液體、氣體、氣相的液體、或者它們的結(jié)合。這里使用的術(shù)語“蒸氣”的意思是包括部分蒸發(fā)的液體、飽和的蒸氣、未飽和的蒸氣、過飽和的蒸氣、或者它們的結(jié)合。
在濕處理中使用各種處理流體。一般來說，在濕處理中使用的最常用類型的處理流體是反應(yīng)性的化學(xué)處理流體或液體、以及漂洗流體或液體。這里使用的術(shù)語“反應(yīng)性的化學(xué)處理流體”或“反應(yīng)性的化學(xué)處理液體”是以某些所需的方式與電子元件的表面進(jìn)行反應(yīng)以改變電子元件的表面成分的任何流體或液體。例如，反應(yīng)性的化學(xué)處理液體或流體在去除附著或化學(xué)鍵合到電子元件的表面的污染物，如微粒、金屬、光致抗蝕劑或有機(jī)材料中具有活性；在蝕刻電子元件的表面中具有活性；或在電子元件的表面上生長氧化物層中具有活性。在這里使用的“漂洗液體”或“漂洗流體”指的是DI水或從電子元件和/或處理室中去除殘余的反應(yīng)性的化學(xué)處理流體、反應(yīng)副產(chǎn)品、和/或由化學(xué)處理步驟釋放或分散的微?；蚱渌廴疚锏囊恍┢渌后w或流體。漂洗液體或流體還可用于防止釋放的微?；蛭廴局匦鲁练e在電子元件或處理室上。在本發(fā)明的方法中有用的反應(yīng)性的化學(xué)處理流體和漂洗流體示例在下面詳細(xì)描述。
根據(jù)本發(fā)明，有多種電子元件被濕處理的方式。例如，可以在電子元件暴露在臭氧化處理流體中使用聲波能(例如在兆聲波(megasonic)能范圍內(nèi))進(jìn)行濕處理以增強(qiáng)清潔。這樣的方法還可包括比如在美國專利5,383,484、1996年7月19日提交的美國專利申請08/684,543、1998年12月10日提交的美國專利申請09/209,101、1999年2月19日提交的美國專利申請09/253,157、1998年6月2日提交的美國臨時專利申請60/087,758和1998年12月8日提交的美國臨時專利申請60/111,350中公開的濕處理技術(shù)。上述文獻(xiàn)中公開的內(nèi)容在這里整體上引入作為參考。
這里使用的“化學(xué)處理步驟”或“濕處理步驟”指的是將電子元件暴露在反應(yīng)性的化學(xué)處理流體或漂洗流體分別中。
根據(jù)本發(fā)明的用于處理電子元件的裝置示意性地表示在

圖1中。該裝置包括用于容納電子元件11的處理室10。加熱溶劑源15可操作地通過管道17連接到處理室10，用于將加熱溶劑引入處理室10。臭氧源20和去離子水(DI)源22可操作地連接到處理室10，用于將臭氧化處理流體提供到處理室10。
在圖1的實(shí)施例中，加熱溶劑源15包括蒸餾器25，用于從溶劑源27接收溶劑并且加熱溶劑以形成加熱溶劑蒸氣。在蒸餾器25上優(yōu)選地提供壓力發(fā)送器29和/或溫度發(fā)送器30，用于監(jiān)測加熱溶劑蒸氣的壓力和/或溫度。壓力和溫度發(fā)送器29和30可選地連接到處理器32以形成反饋回路，從而可以自動調(diào)節(jié)加熱溶劑蒸氣的溫度。水位探針33可選地與蒸餾器25相關(guān)，用于監(jiān)測蒸餾器25中的溶劑的水位。在一個特定的實(shí)施例中，水位探針33是能夠自動監(jiān)測與蒸餾器相關(guān)的再補(bǔ)充設(shè)定點(diǎn)的全長模擬水位探針。
蒸餾器25通過管道17連接到處理室10。優(yōu)選加熱管道17以在蒸餾器25和處理室10之間將溶劑維持在其氣態(tài)。氣體源35也連接到管道17以從處理室10取代流體。在其他的實(shí)施例中，氣體源35可用于促進(jìn)加熱溶劑蒸氣向處理室10的輸送和/或用于在處理室10中維持一個壓力。在最優(yōu)實(shí)施例中，氣體源35是氮?dú)庠础?br> 能夠用于加熱溶劑的溶劑的示例是醇，如甲醇、乙醇、1-丙醇、異丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇或叔戊醇、丙酮、乙腈、六氟丙酮、硝基甲烷、乙酸、丙酸、乙二醇單甲醚、二氟乙烷、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、1，1，2-三氯-1，2，2-三氟乙烷、1，2-二氯乙烷、三氯乙烷、全氟-2-丁基四氫呋喃、全氟-1，4-二甲基環(huán)乙烷、或者它們的結(jié)合。優(yōu)選地，該處理化學(xué)制品是C1到C6醇，如甲醇、乙醇、1-丙醇、異丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇、叔戊醇、戊醇、己醇、或它們的結(jié)合。在一個最優(yōu)實(shí)施例中，使用加熱到大約82℃的溫度的異丙醇(IPA)。加熱的IPA具有大約15000埃/分鐘(/min)的光致抗蝕劑蝕刻速率。
臭氧源20和DI源22包括任何用于將臭氧化處理流體傳送到處理室10的各種結(jié)構(gòu)。盡管臭氧源20和DI源22應(yīng)該提供其中臭氧的濃度盡可能高的臭氧化處理流體，可以使用在標(biāo)準(zhǔn)溫度和壓力(25℃，1atm)下能夠提供臭氧濃度(以每體積臭氧化處理流體的臭氧重量表達(dá))為從大約10g/m3到大約300g/m3、從大約50g/m3到大約250g/m3、以及從大約100g/m3到大約200g/m3的臭氧源和DI源。盡管暴露在電子元件中的臭氧化處理流體的溫度將依據(jù)所選擇的臭氧化處理流體，大體上，臭氧化處理流體的溫度優(yōu)選地從大約20℃到大約145℃，更優(yōu)選從大約40℃到大約120℃。在暴露在電子元件過程中的臭氧化處理流體的壓力優(yōu)選地從大約0psig到大約20psig，更加優(yōu)選地從大約1psig到大約10psig，最優(yōu)選地從大約1psig到大約5psig。
在臭氧化處理流體中可能存在其他處理流體。其他處理流體的示例包括水、硫氨酸、鹽酸、過氧化氫、氫氧化氨、氫氟酸(緩沖或非緩沖)、氟化氨、磷酸、硝酸、王水、或它們的組合。由于乙酸是羥基的清除劑，當(dāng)氣體臭氧在反應(yīng)室中時，優(yōu)選反應(yīng)室中幾乎沒有乙酸，以防止羥基被清除。在臭氧化處理流體中可能存在其他處理流體以在臭氧化處理流體中優(yōu)選提供臭氧與其他處理流體的摩爾比為大約1∶90到大約40∶1。
這里使用的術(shù)語“處理室”和“反應(yīng)室”指的是容器(相對環(huán)境封閉的或開放的)、容器槽、濕臺和適合用于濕處理電子元件的其他儲器。術(shù)語“單容器”指的是在整個濕處理序列中電子元件被保持在一個處理室中的任何濕處理系統(tǒng)。
本發(fā)明可以使用處理室10來進(jìn)行，該處理室10通常包括任何已知的濕處理系統(tǒng)例如包括多容器槽系統(tǒng)(例如濕臺)和單處理室系統(tǒng)(相對環(huán)境封閉的或開放的)。例如，參見Handbook of SemiconductorWafer Cleaning Technology(半導(dǎo)體晶片清潔技術(shù)手冊)(由Werner Kern編輯、Noyes Publication Parkridge出版，New Jersey，1993)的第一章Werner Kern的Overview and Evolution of Semiconductor WaferContamination and Cleaning Technology(半導(dǎo)體晶片污染和清潔技術(shù)的概述和演變)，和第三章Don C.Burkman、Donald Deal、Donald C.Grant和Charlie A.Peterson的Aqueous Cleaning Processes(水清潔過程)；和Ultraclean Technology Handbook(超凈技術(shù)手冊)第一卷(由Tadahiro Ohmi編輯、Marcel Dekker出版)中的Hiroyuki Horiki和TakaoNakazawa的Wet Etch Cleaning(濕蝕刻清潔)。上述文獻(xiàn)中公開的內(nèi)容在這里整體上引入作為參考。然而，特別是在要避免臭氧化處理流體中的氣泡的應(yīng)用中(例如對于憎水性晶片或含有憎水性區(qū)域的晶片的處理)，優(yōu)選使用可封閉的容器槽。
在發(fā)明的一個實(shí)施例中，電子元件11放置在單處理室系統(tǒng)中。優(yōu)選地，使用諸如那些公開在美國專利4,778,532、4,917,123、4,911,761、4,795,497、4899,767、4,984,597、4,633,893、4,917,123、4,738,272、4,577,650、5,571,337和5,569,330中的單處理室系統(tǒng)，其中上述文獻(xiàn)中公開的內(nèi)容在這里整體上引入作為參考。優(yōu)選的商業(yè)中可用的單處理室系統(tǒng)是如由Mattson Technology公司生產(chǎn)的那些Omni(全向)和Hybrid(混合)容器、以及由Dainippon Screen生產(chǎn)的FL820L。優(yōu)選這些系統(tǒng)的原因是雜質(zhì)氣體和污染水平能夠被更容易地控制。
單容器濕處理系統(tǒng)還優(yōu)選包括測量設(shè)備，如控制閥和/或泵，用于將化學(xué)試劑從存儲箱區(qū)域37輸送到反應(yīng)室10。例如個人計算機(jī)的處理控制系統(tǒng)通常也用于監(jiān)視處理?xiàng)l件(例如流速、混合率、暴露次數(shù)和溫度)的裝置。例如，處理控制系統(tǒng)可用于編排化學(xué)試劑和去離子水的流速，從而使得在反應(yīng)性化學(xué)處理流體中存在化學(xué)試劑的適當(dāng)濃度。
在本發(fā)明的最優(yōu)選實(shí)施例中，電子元件11在可封閉的單濕處理室系統(tǒng)中被濕處理。處理室10優(yōu)選地被增壓使得臭氧化處理流體可以維持在超過大氣壓的壓力(例如大約2psig)。在處理室10中將臭氧化處理流體維持在壓力之下可能是必要的以防止在臭氧化處理流體中形成臭氧氣泡。當(dāng)正在加工的電子元件是憎水性的或含有憎水性區(qū)域時，應(yīng)當(dāng)特別避免氣泡。此外，濕處理系統(tǒng)的處理室10內(nèi)的升高的壓力可對維持處理室10內(nèi)的高臭氧擴(kuò)散率有益，從而提高處理效率。
也優(yōu)選可封閉的單濕處理室系統(tǒng)能夠以各種順序接收不同的處理流體。將處理流體傳送到處理室的優(yōu)選方法是通過直接用另一種流體取代一種流體。由Mattson Technology公司制造的采用了Full FlowTM技術(shù)的全向濕處理系統(tǒng)是能夠通過直接排代來傳送流體的系統(tǒng)的一個示例。另外，通常在電子元件的化學(xué)處理中使用的化學(xué)物質(zhì)非常危險，這在于他們可能是強(qiáng)酸、堿金屬或揮發(fā)性溶劑。通過避免化學(xué)物質(zhì)的大氣污染和人員接觸、以及通過使化學(xué)物質(zhì)的操作更加安全，封閉的單處理室使得與這樣的處理流體相關(guān)的危險最小化。
可選的，壓力發(fā)送器38可操作地與處理室10相關(guān)，用于監(jiān)視處理室10中的壓力?？蛇x的，壓力發(fā)送器38也連接到處理器32，用于自動地控制電子元件11的處理?？蛇x的，該裝置還包括與處理室10相關(guān)的調(diào)節(jié)器39，用于控制處理室10中的載體氣體和加熱溶劑蒸氣的分壓。在一個實(shí)施例中，調(diào)節(jié)器39包括裝有圓頂?shù)恼{(diào)節(jié)器?？蛇x的，調(diào)節(jié)器39也連接到處理器32，用于自動地控制電子元件的加工。處理室10中優(yōu)選地具有水位探針42，用于監(jiān)測處理室10中的液體的水位。在一個實(shí)施方案中，水位探針42包括一種電容式水位探針。提供了泵45，用于從處理室10中排出流體。如下面所述，泵45被操作以維持來自處理室10的所需流率，從而允許加熱溶劑層以被控制的速率通過電子元件11?？蛇x的，提供了再循環(huán)器47，用于接收來自處理室10的含有溶劑的流體并且將溶劑再循環(huán)給溶劑源27。
優(yōu)選地，濕處理系統(tǒng)將包括用于化學(xué)試劑，如氫氧化銨(NH4OH)或氫氟酸(HF)的存儲箱；以及用于傳送用于漂洗電子元件和稀釋化學(xué)試劑的去離子水的系統(tǒng)。優(yōu)選地，化學(xué)試劑以其濃縮的形成存儲，也就是過氧化氫(H2O2)(31％)、NH4OH(28％)、鹽酸(HCl)(37％)、HF(49％)，以及硫酸(H2SO4)(98％)(百分比代表在水溶液中的重量百分比)。優(yōu)選地，將存儲箱設(shè)置成與加工電子元件11的反應(yīng)室10流體相通。
在操作中，該裝置用于加工電子元件11，該電子元件11放置在處理室10中，首先將電子元件11暴露在加熱溶劑中，然后將元件11暴露在臭氧化處理流體中。一個或者多個電子元件11被放置在處理室10中，并且電子元件11被以一種或多種可選的化學(xué)處理流體預(yù)先處理。在預(yù)處理之后，優(yōu)選地，漂洗流體(例如去離子水)被加入到處理室10中，從而在處理室10中的漂洗流體的水位足以完全覆蓋電子元件11。例如，當(dāng)電子元件被以DI水漂洗時，DI水源22工作，以用DI水填充處理室10。然后，蒸餾器25被操作以通過管道17把加熱溶劑送到處理室10。在優(yōu)選實(shí)施例中，加熱溶劑以蒸氣相進(jìn)入處理室10并在處理室10中存在的流體上冷凝，以形成溶劑層。蒸餾器25被操作足夠的時間以形成具有所需厚度的加熱溶劑層。盡管溶劑層的厚度可以有較大的變化，在大約1cm到大約2cm之間的溶劑層通常足夠用于大多數(shù)應(yīng)用，以在加工時間和溶劑的消耗之間提供好的平衡。例如，如圖2所示，具有大約1cm厚度的溶劑層50可被用于加工電子元件11，例如具有大約20cm直徑的平的圓形半導(dǎo)體晶片。使用薄的加熱溶劑層50(相比于整個容器槽的溶劑)還降低了溶劑的消耗，并且允許在一次使用之后將溶劑丟棄。例如，僅僅使用一薄層IPA，600mL的IPA可以加工100個半導(dǎo)體晶片。盡管，對于使用FullFlowTM技術(shù)的全向系統(tǒng)，通常通過在更冷的流體表面上冷凝加熱溶劑蒸氣來產(chǎn)生加熱溶劑層50，也可以使用以加熱溶劑加工電子元件的其他方法，包括使用噴嘴在電子元件上噴射加熱溶劑。
一旦溶劑層50達(dá)到其所需的厚度，泵45被操作，以被控的速率從處理室10排干漂洗流體。如圖3a和3b所示，當(dāng)漂洗流體從處理室10被排干時，溶劑層50跨過電子元件11。一旦足夠量的漂洗流體被去除以使得溶劑層50已經(jīng)移動經(jīng)過電子元件11的整個表面，泵45可以停止。優(yōu)選地，溶劑層50跨過電子元件11的表面的速率被控制，從而沿著電子元件11表面的每個點(diǎn)暴露在加熱溶劑中大約一分鐘。例如，參考圖2，當(dāng)1cm厚的加熱的IPA層用于掃掠具有20cm直徑的晶片時，去除大約12000的光致抗蝕劑層的總掃掠時間只有大約16分鐘。
在電子元件11暴露在加熱溶劑中之后，殘留的有機(jī)層可能保留在電子元件11上。因此，優(yōu)選地，電子元件11暴露在臭氧化處理流體(例如臭氧化去離子(DI)水)中以去除殘留的有機(jī)層。電子元件11可以以由臭氧化處理流體浸濕電子元件表面的任何方式暴露在臭氧化處理流體中。例如，電子元件11可以浸入并從臭氧化處理流體中取出。電子元件11也可以放置在處理室10中，其中處理室10接著被充滿臭氧化處理流體，然后排干臭氧化處理流體。臭氧化處理流體也可以作為噴霧或薄霧施加到電子元件11上。電子元件11暴露在臭氧化處理流體中的時間足以去除殘留的有機(jī)層。所選的時際暴露時間也將取決于諸如下列所述的變量臭氧化處理流體的溫度、壓力和成分；以及電子元件11的表面的成分。優(yōu)選地，與臭氧化處理流體的暴露時間將持續(xù)至少30秒。X光光電放射光譜(XPS)測量顯示，殘留的有機(jī)層通常為大約30到50厚。因此，優(yōu)選電子元件暴露在臭氧化處理流體中大約30秒到大約10分鐘之間，并且更優(yōu)選在大約4分鐘到大約8分鐘之間。
除了加熱溶劑和臭氧化處理流體以外，電子元件11可暴露在任何數(shù)量的其他反應(yīng)性化學(xué)處理流體(例如氣體、液體、蒸氣或它們的任何結(jié)合)中以達(dá)到所需的結(jié)果。例如，電子元件11可暴露在用于蝕刻、生長氧化層；去除光致抗蝕劑；增強(qiáng)清潔；或它們的結(jié)合的反應(yīng)性化學(xué)處理流體中。在濕處理方法中，電子元件11也可在任何時刻以漂洗流體漂洗。優(yōu)選地，反應(yīng)性化學(xué)處理流體和漂洗流體是液體。這樣的加工步驟在下列時刻有選擇地執(zhí)行(1)在將元件暴露在加熱溶劑中之前；(2)在將元件暴露在加熱溶劑中之后但在將元件暴露在臭氧化處理流體中之前；(3)在將元件暴露在臭氧化處理流體中之后但在將元件暴露在可選的干燥處理流體中之前；和/或(4)在將元件暴露在可選的干燥處理流體中之后。優(yōu)選地，加工步驟在將元件暴露在臭氧流體中之后但在將元件暴露在可選的干燥處理流體中之前進(jìn)行。例如，將加工流體或其他化學(xué)物質(zhì)注入到容器模塊的處理室中的合適的方法和系統(tǒng)在美國專利4,778,532、4,917,123、4,795,497和4,899,767中描述。上述文獻(xiàn)中公開的內(nèi)容在這里整體上引入作為參考。
在本發(fā)明中有用的可選的反應(yīng)性化學(xué)處理流體含有一種或多種化學(xué)反應(yīng)劑以達(dá)到所需的表面加工。優(yōu)選地，以反應(yīng)性化學(xué)處理流體的重量為基礎(chǔ)，這樣的化學(xué)反應(yīng)劑的濃度將大于1000ppm，并且更優(yōu)選地大于10000ppm。然而，在臭氧的情況下，通常該濃度等于或大于大約10ppm，并且更優(yōu)選地從大約10ppm到大約50ppm?；瘜W(xué)反應(yīng)劑的示例包括例如鹽酸或包括鹽酸的緩沖液、氫氧化銨或包括氫氧化銨的緩沖液、過氧化氫、硫酸或包括硫酸的緩沖液、硫酸和臭氧的混合液、氫氟酸或包括氫氟酸的緩沖液、鉻酸或包括鉻酸的緩沖液、磷酸或包括磷酸的緩沖液、乙酸或包括乙酸的緩沖液、硝酸或包括硝酸的緩沖液、氟化銨緩沖的氫氟酸、去離子水和臭氧、或者它們的組合。
反應(yīng)性化學(xué)處理流體也可能含有100％的一種或多種化學(xué)反應(yīng)劑。例如，可能需要以諸如丙酮、N-甲基吡咯烷酮或它們的組合的溶劑暴露在電子元件中。例如，這樣的溶劑是用于去除有機(jī)物或提供其他清潔優(yōu)點(diǎn)的化學(xué)反應(yīng)劑。
在本發(fā)明中有用的優(yōu)選的反應(yīng)性化學(xué)處理流體的示例包括清潔流體、蝕刻流體、和光致抗蝕劑去除流體。清潔流體通常包括諸如酸或堿的一種或多種腐蝕劑。用于清潔的合適的酸包括例如硫酸、鹽酸、硝酸或王水。合適的堿包括例如氫氧化銨。在清潔流體中的腐蝕劑所需濃度將取決于所選的特定的腐蝕劑和需要清洗的量。這些腐蝕劑也可與諸如臭氧或過氧化氫的氧化劑一起使用。優(yōu)選的清潔溶液是含有水、氨水和過氧化氫的“APM”溶液，以及含有水、過氧化氫和鹽酸“HPM”溶液。對于HPM溶液，通常的濃度范圍是大約5∶1∶1到大約200∶1∶1的體積份數(shù)的H2O∶H2O2∶NH4OH。對于APM溶液，通常的濃度范圍是大約5∶1∶1到大約1000∶0∶1的體積份數(shù)的H2O∶NH4∶HCl。合適的蝕刻溶液含有能夠去除氧化物的試劑。使用的普通的蝕刻劑例如是氫氟酸、緩沖的氫氟酸、氟化銨、或在溶液中產(chǎn)生氫氟酸的其他物質(zhì)。含有氫氟酸的蝕刻溶液可含有例如從大約4∶1到大約1000∶1重量份的H2O∶HF。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識到有多種處理流體可在濕處理中使用。在濕處理中能夠使用的處理流體的其他示例在ThinFilm Processes(薄膜處理)(由John L. Vossen等人編輯、由AcademicPress出版，NY 1978，第401-496頁)中的Werner Kern等人的“ChemicalEtching”(化學(xué)蝕刻)公開。上述文獻(xiàn)中公開的內(nèi)容在這里整體上引入作為參考。
在本發(fā)明的方法中，電子元件11也可暴露在漂洗流體中?？梢赃x擇能夠達(dá)到上述效果的任何漂洗流體。在選擇漂洗流體中，應(yīng)該考慮下列因素如要被漂洗的電子元件的表面的性質(zhì)、溶解在反應(yīng)性化學(xué)處理流體中污染物的性質(zhì)、以及待漂洗的反應(yīng)性化學(xué)處理流體的性質(zhì)。而且，所提出的漂洗流體應(yīng)該與暴露在流體中的構(gòu)造的材料相兼容(例如相對地非反應(yīng)性)。可以使用的漂洗流體包括例如水、有機(jī)溶劑、有機(jī)溶劑的混合液、臭氧水、或他們的組合。優(yōu)選的有機(jī)溶劑包括下文公開的那些可用作干燥溶液的有機(jī)化合物，如C1到C10醇并優(yōu)選為C1到C6醇。優(yōu)選地，漂洗流體是液體，并且更優(yōu)選地，漂洗流體是去離子水。
漂洗流體也可選地含有少量的活性劑以增強(qiáng)漂洗。例如，漂洗流體可以是鹽酸或乙酸的稀釋水溶液，以防止例如在電子元件的表面上的金屬沉積。表面活性劑、防腐蝕劑和/或臭氧是在漂洗流體中使用的其他添加劑。在漂洗流體中這樣的添加劑的濃度極小。例如基于漂洗流體的總重量，該濃度優(yōu)選不大于大約1000ppm重量，并且更優(yōu)選不大于大約100ppm重量。在臭氧的情況下，在漂洗流體中臭氧的濃度優(yōu)選為5ppm或更低。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識到，反應(yīng)性化學(xué)處理流體的選擇、反應(yīng)性化學(xué)處理流體和漂洗流體的順序、以及加工條件(例如處理流體的溫度、濃度、暴露時間和流速)將取決于所需的濕處理結(jié)果。例如，在一個或多個化學(xué)處理步驟之前或之后，電子元件可能暴露在漂洗流體中。作為選擇，在一些濕處理方法中，可能需要一個化學(xué)處理步驟緊接著另一個化學(xué)處理步驟，而不需要在兩個化學(xué)處理步驟之間使電子元件暴露在漂洗流體中(例如沒有插入漂洗)。沒有插入漂洗的此類順序的濕處理在例如1996年7月19日提交的美國申請08/684,543中描述。上述文獻(xiàn)中公開的內(nèi)容在這里整體上引入作為參考。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，電子元件11暴露在至少一個是液體(例如處理溶液)的處理流體中，以隨后暴露在臭氧化處理流體中以去除反應(yīng)副產(chǎn)品或殘留的化學(xué)物質(zhì)(諸如氧化的有機(jī)物)。當(dāng)臭氧化處理流體被用于從電子元件的表面去除有機(jī)物時，這個隨后的暴露在電子元件中是特別優(yōu)選的。處理溶液可以是反應(yīng)性化學(xué)處理流體或漂洗流體或它們的結(jié)合。
例如，在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，在暴露在臭氧化處理流體中之后，電子元件11暴露在清潔溶液，如APM溶液、HPM溶液、和/或氫氟酸溶液中。APM溶液、HPM溶液和蝕刻溶液可按照任何序列使用。在優(yōu)選實(shí)施例中，電子元件11暴露在下列溶液中具有濃度大約80∶3∶1的體積份數(shù)的H2O∶H2O2∶NH4OH的HPM溶液；具有濃度大約80∶1∶1的體積份數(shù)的H2O∶NH4∶HCl的APM溶液；和/或具有濃度大約4∶1到大約1000∶1的體積份數(shù)的H2O∶HF的氫氟酸溶液。優(yōu)選地，APM、HPM和/或氫氟酸溶液在從大約15℃到大約95℃的溫度下，并且更優(yōu)選地在大約25℃到大約45℃。優(yōu)選地，漂洗流體在從大約15℃到大約90℃的溫度下，并且更優(yōu)選地在大約25℃到大約30℃。APM、HPM和/或氫氟酸溶液的使用對于清潔和蝕刻特別有用。在暴露在APM、HPM和/或氫氟酸溶液進(jìn)行中以后，電子元件11可選地被漂洗液體(諸如去離子水)漂洗。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，在暴露在臭氧化處理流體中以后，電子元件11暴露在蝕刻溶液中。在蝕刻溶液含有氫氟酸，優(yōu)選地，氫氟酸的溫度從大約15℃到大約95℃，并且更優(yōu)選地在大約24℃到大約40℃。在蝕刻之后，電子元件可暴露在漂洗流體(比如去離子水)中。優(yōu)選地，漂洗流體的溫度從大約15℃到大約90℃，并且更優(yōu)選地在大約25℃到大約30℃。
在以臭氧化處理流體、反應(yīng)性化學(xué)處理流體或漂洗流體進(jìn)行濕處理之后，優(yōu)選地，電子元件11被干燥。被“干(dry)”或“干燥(drying)”意味著電子元件優(yōu)選地被基本上去除液滴。通過在干燥中去除液滴，當(dāng)液滴蒸發(fā)時，在液滴中存在的雜質(zhì)不再保留在半導(dǎo)體基片的表面上。這樣的雜質(zhì)不受歡迎地在半導(dǎo)體基片的表面上留下痕跡(例如水印)或其他殘余物。然而，也預(yù)期干燥可簡單地涉及以干燥流體流的幫助去除處理或漂洗流體，或者通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的其他方法?？梢允褂萌魏胃稍锓椒ɑ蛳到y(tǒng)。干燥的合適方法包括例如蒸發(fā)、在旋轉(zhuǎn)漂洗干燥器中的離心力、蒸或者化學(xué)干燥、或者它們的組合。在優(yōu)選實(shí)施例中，不從處理室中去除電子元件而在單處理室中執(zhí)行濕處理和干燥。合適的干燥方法還包括在電子元件11的表面上留下一層薄膜或其一部分的方法。
干燥的優(yōu)選方法使用干燥流體流以直接排代電子元件11在干燥前接觸的最后處理溶液(下文稱為“直接排代干燥”)。用于直接排代干燥的合適的方法和系統(tǒng)在例如美國專利4,778,532、4,795,497、4,911,761、4,984,597、5,571,337和5,569,330中披露。能夠使用的其他直接排代干燥器包括由諸如Mattson Technology公司的制造商提供的Marangoni類型的干燥器。優(yōu)選地，干燥流體流從部分或全部蒸發(fā)的干燥溶液中形成。干燥流體流可以是例如過熱的、蒸氣和液體的混合物、飽和的蒸氣或蒸氣和不可壓縮的氣體的混合物。
選出的形成干燥流體流的干燥溶液優(yōu)選可與處理室10中的最后處理流體混合，并且與電子元件11的表面不起反應(yīng)。干燥溶液還優(yōu)選具有相對低的沸點(diǎn)以利于干燥。由于水是用于化學(xué)處理或漂洗流體的最方便和常用的，與水形成最低沸點(diǎn)共沸混合物的干燥溶液是特別優(yōu)選的。例如，優(yōu)選干燥溶液選自在大氣壓下沸點(diǎn)低于大約140℃的有機(jī)化合物。可以應(yīng)用的干燥溶液的示例是蒸氣、醇，如甲醇、乙醇、1-丙醇、異丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇或叔戊醇、丙酮、乙腈、六氟丙酮、硝基甲烷、乙酸、丙酸、乙二醇單甲醚、二氟乙烷、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、1，1，2-三氯-1，2，2-三氟乙烷、1，2-二氯乙烷、三氯乙烷、全氟-2-丁基四氫呋喃、全氟-1，4-二甲基環(huán)乙烷、或者它們的結(jié)合。優(yōu)選地，干燥溶液是C1到C6醇，如甲醇、乙醇、1-丙醇、異丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇、叔戊醇、戊醇、己醇、或它們的結(jié)合。
在干燥之后，電子元件可被從干燥處理室中去除并以任何需要的方式進(jìn)一步加工。
通過參考下面的實(shí)施例，該發(fā)明的這些和其他方面和優(yōu)點(diǎn)可被進(jìn)一步理解，其中提供下面的實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，并不意味著以任何方式限制本發(fā)明。
在加熱IPA中的大塊光致抗蝕劑(硬的、烘干的、沒有摻雜的物質(zhì)，或者由硼摻雜的)的蝕刻率以時間的函數(shù)確定。留在晶片上的光致抗蝕劑用Rudolph ellipsometer Caliber 300(魯?shù)婪驒E球偏光計口徑300)進(jìn)行測量。結(jié)果示于圖4。圖4的數(shù)據(jù)顯示在加熱IPA中的光致抗蝕劑的蝕刻率是均勻的并且在大約12000/分的級別上。然而，X光光電放射光譜(XPS)測量顯示在暴露在加熱IPA中之后，有機(jī)材料的薄殘余物留在晶片上。該層在30到50厚的級別上。當(dāng)以加熱IPA處理過的晶片隨后暴露在臭氧化DI水中時，當(dāng)以使用顆粒掃描或XPS的橢球偏光計檢驗(yàn)晶片的表面時，沒有任何殘余物在表面上的證據(jù)。
為了比較的目的，臭氧化去離子水單獨(dú)的蝕刻率也被測量。參考圖5，當(dāng)臭氧濃度足夠高時，在大約100/分到大約200/分之間的蝕刻率很容易獲得。這樣的蝕刻率太慢了以至于無法在商業(yè)可行的方法中去除大塊的光致抗蝕劑(其通常為大約12000厚)。然而，當(dāng)那些元件被諸如異丙醇的加熱溶劑預(yù)處理時，臭氧去離子水的蝕刻率適于去除留在電子元件上的大塊的有機(jī)層。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識到，對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例可以進(jìn)行多種變化和改進(jìn)，并且進(jìn)行這樣的變化和改進(jìn)將不會脫離該發(fā)明的精髓。因此，隨附的權(quán)利要求覆蓋了落在該發(fā)明的真正范圍和精髓中的所有等效變化。
權(quán)利要求
1.一種用于處理電子元件的方法，該方法包括a.將電子元件暴露在加熱的溶劑中；以及b.隨后將電子元件暴露在臭氧化處理流體中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在將電子元件暴露在加熱溶劑中之前，加熱的溶劑形成加熱的溶劑層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，電子元件暴露在沸騰溶劑中。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，加熱的溶劑包括異丙醇。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，臭氧化處理流體包括臭氧化去離子水。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，電子元件包括半導(dǎo)體晶片。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，電子元件與加熱的溶劑暴露在臭氧化處理流體中，以除去有機(jī)物質(zhì)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，電子元件與加熱的溶劑暴露在臭氧化處理流體中，以去除光致抗蝕劑。
9.一種用于處理電子元件的裝置，該裝置包括a.室，用于容納該電子元件；b.可操作地連接到該室的加熱溶劑源，用于將加熱的溶劑提供給該室；和c.可操作地連接到該室的臭氧化處理流體源，用于向室提供臭氧化處理流體。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，加熱溶劑源將加熱的溶劑層提供給所述室。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，加熱的溶劑層具有在大約1厘米到大約2厘米之間的厚度。
12.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，加熱溶劑源將加熱的溶劑蒸氣提供給該室。
13.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，該室為封閉系統(tǒng)室。
14.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，該室為直接排代室。
全文摘要
一種處理電子元件(11)的方法，其中電子元件(11)暴露在加熱溶劑(15)中，并且隨后暴露在臭氧化處理流體中?？蛇x的，通過將電子元件(11)暴露在加熱溶劑的經(jīng)過層中，使電子元件(11)暴露在加熱的溶劑(15)中。還提供了一種處理電子元件(11)的裝置，其具有加熱的溶劑(15)和臭氧化的流體。
文檔編號B08B3/10GK1460037SQ01809225
公開日2003年12月3日 申請日期2001年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月13日
發(fā)明者斯蒂文·韋爾豪韋貝克, 劉易斯·柳, 艾倫·E·沃爾持, C·韋德·希恩, 克利斯托弗·F·麥康奈爾 申請人:馬特森技術(shù)公司