技術(shù)編號(hào):1503420
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及處理電子元件的方法和裝置,并且特別涉及使用加熱的溶劑和臭氧化處理流體的組合處理半導(dǎo)體晶片的方法和裝置,以除去或剝離大塊的光致抗蝕劑。優(yōu)選地,進(jìn)行濕處理以準(zhǔn)備進(jìn)行如下處理步驟的電子元件,如擴(kuò)散、離子注入、外延生長(zhǎng)、化學(xué)氣相淀積、半球硅晶粒生長(zhǎng)或者它們的組合。在濕處理中,電子元件暴露在一系列處理溶劑中。例如,處理溶劑可以用來(lái)蝕刻、除去光致抗蝕劑、清潔、生長(zhǎng)氧化層或者對(duì)電子元件進(jìn)行漂洗。參考轉(zhuǎn)讓給同一受讓人的美國(guó)專利4,577,650、4,740,24...
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