包括分配劑和藥劑源的氣霧劑的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)和一種用于氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)中的氣霧劑發(fā)生制 品。特別地，本發(fā)明設(shè)及一種用于發(fā)生包含尼古下鹽顆粒的氣霧劑的氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)和一 種用于運(yùn)樣的氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)中的氣霧劑發(fā)生制品。
【背景技術(shù)】
[0002] WO2008/121610AUWO2010/107613Al和WO2011/034723Al公開了用于向使 用者遞送尼古下或其它藥劑的裝置，所述裝置包括揮發(fā)性酸如丙酬酸或其它揮發(fā)性遞送增 強(qiáng)化合物源和尼古下或其它藥劑源。揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物與尼古下在氣相中反應(yīng)形成尼 古下鹽顆粒的氣霧劑，所述氣霧劑被使用者吸入。 陽(yáng)00引 WO2010/107613Al的圖2A-2C示出了一種具有順序構(gòu)造的示例性裝置，其被用 于WO2010/107613Al的實(shí)驗(yàn)#8中。如圖2A-2C中所示并如WO2010/107613Al的段落
[0052]和實(shí)驗(yàn)#8中所述，此實(shí)驗(yàn)裝置包括由間隙60分開的煙草源元件20 (潤(rùn)濕的煙草濕 氣包裝在社制不誘鋼篩網(wǎng)與特氣龍外殼體之間）和丙酬酸源元件30 (丙酬酸在空氣清新劑 塞中）。
[0004]需要提供一種WO2008/121610AUWO2010/107613Al和WO2011/034723Al中 公開的類型的氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)，其中尼古下鹽顆粒向使用者的遞送得到改善。尤其是需要 提供一種WO2008/121610AUWO2010/107613Al和WO2011/034723Al中公開的類型的 氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)，其中向使用者的尼古下鹽顆粒遞送的一致性得到改善。 陽(yáng)005]還需要提供一種WO2008/121610AUWO2010/107613Al和WO2011/034723Al中公開的類型的氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)，其允許改善尼古下鹽顆粒向使用者的遞送的控制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 根據(jù)本發(fā)明，提供了一種氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)，其包括：藥劑源；和揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化 合物源，所述揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物源包括：第一吸附元件；在第一吸附元件的下游的第 二吸附元件；和吸附于第一吸附元件和第二吸附元件上的揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物，其中揮 發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物自第一吸附元件的釋放速率高于揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物自第二吸附 元件的釋放速率。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)，其包括：氣霧劑發(fā)生制品，所述氣霧 劑發(fā)生制品包括：藥劑源；和揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物源，所述揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物源包 括：第一吸附元件；在第一吸附元件的下游的第二吸附元件；和吸附于第一吸附元件和第 二吸附元件上的揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物，其中揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物自第一吸附元件的釋 放速率高于揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物自第二吸附元件的釋放速率。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)，其包括：氣霧劑發(fā)生制品，所述氣霧 劑發(fā)生制品包括：藥劑源；和揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物源，所述揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物源包 括：第一吸附元件；在第一吸附元件的下游的第二吸附元件；和吸附于第一吸附元件和第 二吸附元件上的揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物，其中揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物自第一吸附元件的釋 放速率高于揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物自第二吸附元件的釋放速率；和與氣霧劑發(fā)生制品協(xié)作 的氣霧劑發(fā)生裝置，所述氣霧劑發(fā)生裝置包括加熱工具W加熱氣霧劑發(fā)生制品的藥劑源和 揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物源中的一者或二者。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種用于根據(jù)本發(fā)明的氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)中的氣霧劑發(fā)生制 品，所述氣霧劑發(fā)生制品包括：藥劑源；和揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物源，所述揮發(fā)性遞送增強(qiáng) 化合物源包括：第一吸附元件；在第一吸附元件的下游的第二吸附元件；和吸附于第一吸 附元件和第二吸附元件上的揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物，其中揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物自第一吸 附元件的釋放速率高于揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物自第二吸附元件的釋放速率。
[0010] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"揮發(fā)性的"指蒸氣壓為至少約20化的遞送增強(qiáng)化合物。除非另 有說(shuō)明，否則本文中提及的所有蒸氣壓均為根據(jù)ASTME1194-07測(cè)得的25°C下的蒸氣壓。
[0011] 如本文所用，"吸附"指遞送增強(qiáng)化合物吸附于吸附元件的表面上，或吸附于吸附 元件中，或吸附于吸附元件上和吸附于吸附元件中二者。
[0012] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"氣霧劑發(fā)生裝置"指與氣霧劑發(fā)生制品相互作用W產(chǎn)生可通過(guò) 使用者的嘴直接吸入到使用者的肺中的氣霧劑的裝置。
[0013] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"上游""下游""近端"和"遠(yuǎn)端"用來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的氣霧劑 發(fā)生制品和氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)的部件或部件的部分的相對(duì)位置。
[0014] 氣霧劑發(fā)生制品或系統(tǒng)包括近端，在使用中，氣霧劑通過(guò)其離開氣霧劑發(fā)生制品 或系統(tǒng)。近端還可稱為嘴端。在使用中，使用者在氣霧劑發(fā)生制品或系統(tǒng)的近端或嘴端上 吸氣W吸入由氣霧劑發(fā)生制品或系統(tǒng)發(fā)生的氣霧劑。氣霧劑發(fā)生制品或系統(tǒng)包括與近端或 嘴端相對(duì)的遠(yuǎn)端。氣霧劑發(fā)生制品或系統(tǒng)的近端或嘴端還可稱為下游端而氣霧劑發(fā)生制品 或系統(tǒng)的遠(yuǎn)端還可稱為上游端。氣霧劑發(fā)生制品或系統(tǒng)的部件或部件的部分可基于它們?cè)?氣霧劑發(fā)生制品或系統(tǒng)的近端或下游端和遠(yuǎn)端或上游端之間的相對(duì)位置描述為在彼此的 上游或下游。
[0015] 氣霧劑發(fā)生制品的上游和下游端相對(duì)于當(dāng)使用者在氣霧劑發(fā)生制品的近端或嘴 端上吸氣時(shí)的氣流定義?？諝庠谶h(yuǎn)端或上游端處被吸入氣霧劑發(fā)生制品中，在下游方向通 過(guò)氣霧劑發(fā)生制品并在近端或下游端處離開氣霧劑發(fā)生制品。
[0016] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"縱向"用來(lái)描述下游或近端與相對(duì)的上游或遠(yuǎn)端之間的方向， 而術(shù)語(yǔ)"橫向"用來(lái)描述垂直于縱向方向的方向。
[0017] 在給定的溫度下遞送增強(qiáng)化合物自根據(jù)本發(fā)明的氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)的遞送增強(qiáng)化 合物源的第一吸附元件的釋放速率高于遞送增強(qiáng)化合物自根據(jù)本發(fā)明的氣霧劑發(fā)生系統(tǒng) 的遞送增強(qiáng)化合物源的第二吸附元件的釋放速率。如下文將進(jìn)一步描述的，在使用中，包括 在不同的速率下釋放遞送增強(qiáng)化合物的第一吸附元件和第二吸附元件的遞送增強(qiáng)化合物 源的引入有利地改善藥劑向使用者的遞送。特別地，包括在不同的速率下釋放遞送增強(qiáng)化 合物的第一吸附元件和第二吸附元件的遞送增強(qiáng)化合物源的引入有利地改善藥劑向使用 者的遞送的一致性。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的氣霧劑發(fā)生系統(tǒng)中包括在不同的速率下釋放遞送增強(qiáng)化合物的第 一吸附元件和第二吸附元件的遞送增強(qiáng)化合物源的引入還有利地允許改善藥劑向使用者 的遞送的控制。
[0019] 優(yōu)選地，遞送增強(qiáng)化合物自第一吸附元件的釋放速率為遞送增強(qiáng)化合物自第二吸 附元件的釋放速率的至少兩倍。更優(yōu)選地，遞送增強(qiáng)化合物自第一吸附元件的釋放速率為 遞送增強(qiáng)化合物自第二吸附元件的釋放速率的至少=倍。
[0020] 在某些實(shí)施例中，遞送增強(qiáng)化合物自第一吸附元件的釋放速率可為遞送增強(qiáng)化合 物自第二吸附元件的釋放速率的約兩倍和約十倍之間。在其它實(shí)施例中，遞送增強(qiáng)化合物 自第一吸附元件的釋放速率可為遞送增強(qiáng)化合物自第二吸附元件的釋放速率的約=倍和 約十倍之間。
[0021] 第一吸附元件的透氣度可高于第二吸附元件的透氣度。在運(yùn)樣的實(shí)施例中，第一 吸附元件相對(duì)于第二吸附元件提高的透氣度可相對(duì)于遞送增強(qiáng)化合物自第二吸附元件的 釋放速率提高遞送增強(qiáng)化合物自第一吸附元件的釋放速率。
[0022] 優(yōu)選地，如根據(jù)ISO2965:2009所測(cè)量，第一吸附元件的透氣度為第二吸附元件 的透氣度的至少1.5倍。更優(yōu)選地，如根據(jù)ISO2965:2009所測(cè)量，第一吸附元件的透氣度 為第二吸附元件的透氣度的至少2倍。
[0023] 在某些實(shí)施例中，如根據(jù)ISO2965:2009所測(cè)量，第一吸附元件的透氣度可為第 二吸附元件的透氣度的約1. 5倍和約10倍之間，優(yōu)選地為第二吸附元件的透氣度的約1. 5 倍和約5倍之間。在其它實(shí)施例中，如根據(jù)ISO2965:2009所測(cè)量，第一吸附元件的透氣度 可為第二吸附元件的透氣度的約2倍和約10倍之間，優(yōu)選地為第二吸附元件的透氣度的約 2倍和約5倍之間。
[0024] 在某些優(yōu)選的實(shí)施例中，如根據(jù)ISO2965:2009所測(cè)量，第一吸附元件可具有約 250Coresta單位和約300Coresta單位之間的透氣度，而如根據(jù)ISO2965:2009所測(cè)量， 第二吸附元件可具有約100Coresta單位和約150Coresta單位之間的透氣度。
[00巧]透氣度（Coresta單位）為在一千帕的恒定壓差下于一分鐘內(nèi)通過(guò)一平方厘米吸 附元件的空氣的量（立方厘米）（即，1Coresta單位對(duì)應(yīng)于IkPa的壓差下lcm3/min.cm2的 透氣度）。
[00%] 可選地或另外地，第一吸附元件的孔隙率可高于第二吸附元件的孔隙率。在運(yùn)樣 的實(shí)施例中，第一吸附元件相對(duì)于第二吸附元件提高的孔隙率可相對(duì)于遞送增強(qiáng)化合物自 第二吸附元件的釋放速率提高遞送增強(qiáng)化合物自第一吸附元件的釋放速率。
[0027] 優(yōu)選地，如根據(jù)ISO15901-1:2005通過(guò)水銀孔隙率法所測(cè)量，第一吸附元件的孔 隙率為第二吸附元件的孔隙率的至少1. 5倍。更優(yōu)選地，如通過(guò)水銀孔隙率法所測(cè)量，第一 吸附元件的孔隙率為第二吸附元件的孔隙率的至少兩倍。
[0028] 在某些優(yōu)選的實(shí)施例中，如根據(jù)ISO15901-1:2005通過(guò)水銀孔隙率法所測(cè)量，第 一吸附元件可具有約20 %和約50 %之間的孔隙率，而如根據(jù)ISO15901-1:2005通過(guò)水銀 孔隙率法所測(cè)量，第二吸附元件可具有約5%和約35%之間的孔隙率。
[0029] 在某些實(shí)施例中，如根據(jù)ISO15901-1:2005通過(guò)水銀孔隙率法所測(cè)量，第一吸附 元件的孔隙率可為第二吸附元件的孔隙率的約1. 5倍和約10倍之間，優(yōu)選地為第二吸附元 件的孔隙率的約1. 5倍和約5倍之間。在其它實(shí)施例中，如根據(jù)ISO15901-1:2005通過(guò)水 銀孔隙率法所測(cè)量，第一吸附元件的孔隙率可為第二吸附元件的孔隙率的約2倍和約10倍 之間，優(yōu)選地為第二吸附元件的孔隙率的約2倍和約5倍之間。
[0030] 可選地或另外地，第二吸附元件的極性可大于第一吸附元件的極性。當(dāng)揮發(fā)性遞 送增強(qiáng)化合物為極性化合物時(shí)，運(yùn)是特別優(yōu)選的。在運(yùn)樣的實(shí)施例中，第二吸附元件相對(duì)于 第一吸附元件提高的極性可相對(duì)于遞送增強(qiáng)化合物自第一吸附元件的釋放速率降低遞送 增強(qiáng)化合物自第二吸附元件的釋放速率。
[0031] 第二吸附元件可在第一吸附元件的緊下游并與第一吸附元件相接觸。
[0032] 或者，第二吸附元件可與第一吸附元件分隔開。
[0033] 優(yōu)選地，揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物在25°C下的蒸氣壓為至少約50Pa，更優(yōu)選至少約 75Pa，最優(yōu)選至少lOOPa。
[0034] 優(yōu)選地，揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物在25°C下的蒸氣壓低于或等于約400Pa，更優(yōu)選 低于或等于約300Pa，甚至更優(yōu)選低于或等于約275Pa，最優(yōu)選低于或等于約250Pa。
[0035] 在某些實(shí)施例中，揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物在25°C下的蒸氣壓可介于約20化和約 400化之間，更優(yōu)選介于約20化和約300化之間，甚至更優(yōu)選介于約20化和約275Pa之間， 最優(yōu)選介于約20化和約250化之間。
[0036] 在其它實(shí)施例中，揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物在25°C下的蒸氣壓可介于約50化和約 400化之間，更優(yōu)選介于約50化和約300化之間，甚至更優(yōu)選介于約50化和約275Pa之間， 最優(yōu)選介于約50化和約250化之間。
[0037] 在其它實(shí)施例中，揮發(fā)性遞送增強(qiáng)化合物在2