本技術(shù)涉及牙種植領(lǐng)域，特別涉及一種牙種植體系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、隨著臨床應(yīng)用增多，鈦種植體的問題也逐漸顯現(xiàn):由于鈦金屬固有顏色，種植區(qū)牙齦過薄或者牙齦退縮導(dǎo)致的美學(xué)問題，鈦及合金的耐腐蝕性受到口內(nèi)復(fù)雜的環(huán)境影響，會有金屬離子從植入物緩慢釋放，可能會誘導(dǎo)骨吸收，造成種植失敗，金屬離子還會在周圍軟組織、淋巴結(jié)或體內(nèi)其他位置堆積，可能是潛在致敏原；進(jìn)行頭頸部核磁共振檢查時，種植體會形成偽影，對局部軟組織成像有一定影響。

2、因此，需要尋找一種具有良好生物相容性的新型牙種植體系統(tǒng)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于此，本實用新型提供一種牙種植體系統(tǒng)。

2、具體而言，包括以下的技術(shù)方案：

3、本申請?zhí)峁┮环N牙種植體系統(tǒng)，包括：

4、基臺、種植體和連接件；

5、所述基臺和所述種植體通過所述連接件連接；

6、所述基臺的部分結(jié)構(gòu)為氧化鋯材料，所述種植體為氧化鋯材料。

7、優(yōu)選的，所述基臺包括第一基體和第二基體，所述第一基體為氧化鋯材料，所述第二基體為鈦金屬材料；

8、所述第二基體的第一端插入所述第一基體，所述第二基體的第二端插入所述種植體。

9、優(yōu)選的，所述第一基體上設(shè)有第一孔和第二孔，所述第一孔和所述第二孔同軸設(shè)置，所述第一孔的直徑小于所述第二孔的直徑；

10、所述第二基體的第一端插入所述第二孔中，所述第一基體和所述第二基體粘接；

11、所述第二基體上設(shè)有第三孔，所述連接件貫穿所述第三孔的一端與所述種植體連接。

12、優(yōu)選的，所述第一基體上設(shè)有第一定位塊，所述第一定位塊設(shè)置在所述第二孔的內(nèi)壁上；

13、所述第二基體上設(shè)有第一定位槽，所述第一定位塊和所述第一定位槽卡接。

14、優(yōu)選的，所述第一基體上設(shè)有第一孔、第二孔和防轉(zhuǎn)孔，所述第一孔、所述第二孔和所述防轉(zhuǎn)孔同軸設(shè)置，所述第一孔的直徑大于所述第二孔的直徑，所述第二孔連通所述第一孔和所述防轉(zhuǎn)孔；

15、所述第二基體的第一端設(shè)有防轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，所述防轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)和所述防轉(zhuǎn)孔插接；

16、所述第二基體上設(shè)有第三孔，所述連接件貫穿所述第一孔、所述第二孔和所述第三孔的一端與所述種植體連接。

17、優(yōu)選的，所述防轉(zhuǎn)孔內(nèi)設(shè)有第二定位槽，所述第二基體上設(shè)有第二定位塊，所述第二定位塊和所述第二定位槽卡接。

18、優(yōu)選的，所述種植體的長度為8mm或10mm或12mm或14mm。

19、優(yōu)選的，所述種植體上設(shè)有螺紋，所述螺紋的牙型為等腰梯形，所述螺紋的螺距為0.5～1.4mm，所述螺紋的深度為0.2～0.7mm。

20、優(yōu)選的，所述種植體包括穿齦段，所述穿齦段外表面的粗糙度為0.2～0.4μm。

21、優(yōu)選的，所述種植體包括第一面，所述基臺包括第二面，所述第一面和所述第二面密封連接；

22、所述第一面和所述第二面的粗糙度均為0.2～0.4μm。

23、本實用新型提供的技術(shù)方案的有益效果至少包括：

24、本實用新型中基臺的部分結(jié)構(gòu)和種植體均采用氧化鋯材料，使得牙種植體具有良好的生物相容性。

技術(shù)特征：

1.一種牙種植體系統(tǒng)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種牙種植體系統(tǒng)，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種牙種植體系統(tǒng)，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種牙種植體系統(tǒng)，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種牙種植體系統(tǒng)，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及牙種植領(lǐng)域。公開了一種牙種植體系統(tǒng)，包括：基臺、種植體和連接件；所述基臺和所述種植體通過所述連接件連接；所述基臺的部分結(jié)構(gòu)為氧化鋯材料，所述種植體為氧化鋯材料。本技術(shù)中基臺的部分結(jié)構(gòu)和種植體均采用氧化鋯材料，使得牙種植體具有良好的生物相容性。

技術(shù)研發(fā)人員：孫飛,藺增,王楠,韓建民,許禮兵,李新昌,許海
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東北大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：20240201
技術(shù)公布日：2024/12/19