技術(shù)特征：

1.一種eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，包括：偏置電極、活動(dòng)電極、參考電極、前置放大器、模擬開(kāi)關(guān)切換電路、右腿驅(qū)動(dòng)電路、第一閾值比較器、第二閾值比較器和多個(gè)組合邏輯門電路；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述多個(gè)組合邏輯門電路包括：傳感器脫落檢測(cè)組合邏輯門電路、電極未脫落檢測(cè)組合邏輯門電路、偏置電極脫落檢測(cè)組合邏輯門電路、活動(dòng)電極脫落檢測(cè)組合邏輯門電路和參考電極脫落檢測(cè)組合邏輯門電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述傳感器脫落檢測(cè)組合邏輯門電路包括：第一與門電路；所述第一與門電路的一個(gè)輸入端與所述第一閾值比較器的輸出端相連，所述第一與門電路的另一個(gè)輸入端與所述第二閾值比較器的輸出端相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電極未脫落檢測(cè)組合邏輯門電路包括：或非門電路；所述或非門電路的一個(gè)輸入端與所述第一閾值比較器的輸出端相連，所述或非門電路的另一個(gè)輸入端與所述第二閾值比較器的輸出端相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述偏置電極脫落檢測(cè)組合邏輯門電路包括：第一非門電路和第二與門電路；所述第一閾值比較器的輸出端通過(guò)所述第一非門電路，與所述第二與門電路的一個(gè)輸入端相連，所述第二閾值比較器的輸出端與所述第二與門電路的另一個(gè)輸入端相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述參考電極脫落檢測(cè)組合邏輯門電路包括：第二非門電路和第三與門電路；所述第二閾值比較器的輸出端通過(guò)所述第二非門電路，與所述第三與門電路的一個(gè)輸入端相連；所述第一閾值比較器的輸出端與所述第三與門電路的另一個(gè)輸入端相連；所述第三與門電路的輸出端與所述模擬開(kāi)關(guān)切換電路相連；

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述活動(dòng)電極脫落檢測(cè)組合邏輯門電路包括：第二非門電路和第三與門電路；所述第二閾值比較器的輸出端通過(guò)所述第二非門電路，與所述第三與門電路的一個(gè)輸入端相連；所述第一閾值比較器的輸出端與所述第三與門電路的另一個(gè)輸入端相連；所述第三與門電路的輸出端與所述模擬開(kāi)關(guān)切換電路相連；

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述模擬開(kāi)關(guān)切換電路中包括兩個(gè)單刀雙擲開(kāi)關(guān)：第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)和第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)；其中，所述第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的動(dòng)端分別與所述第三與門電路以及所述活動(dòng)電極相連，所述第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的兩個(gè)不動(dòng)端分別與所述活動(dòng)電極和所述偏置電極相連；所述第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的動(dòng)端分別與所述第三與門電路以及所述偏置電極相連，所述第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的兩個(gè)不動(dòng)端分別與所述活動(dòng)電極和所述偏置電極相連。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述前置放大器中包括同相并聯(lián)級(jí)放大器；所述裝置還包括：增益阻容網(wǎng)絡(luò)；

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述增益電容接入開(kāi)關(guān)為雙刀雙擲開(kāi)關(guān)；所述第一增益電容并聯(lián)在所述雙刀雙擲開(kāi)關(guān)的刀兩側(cè)，所述雙刀雙擲開(kāi)關(guān)的刀與所述活動(dòng)電極脫落檢測(cè)組合邏輯門電路和參考電極脫落檢測(cè)組合邏輯門電路相連，所述雙刀雙擲開(kāi)關(guān)的一側(cè)的兩個(gè)觸點(diǎn)短接，所述雙刀雙擲開(kāi)關(guān)的另一側(cè)的兩個(gè)觸點(diǎn)并聯(lián)于所述第二增益電容兩側(cè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的eeg電極脫落的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述裝置還包括：交流恒流源和信號(hào)采集及處理模塊；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及EEG電極脫落的檢測(cè)裝置，包括：參考電極與前置放大器相連；活動(dòng)電極通過(guò)模擬開(kāi)關(guān)切換電路與前置放大器相連；偏置電極通過(guò)模擬開(kāi)關(guān)切換電路與右腿驅(qū)動(dòng)電路相連；前置放大器與第一閾值比較器相連；右腿驅(qū)動(dòng)電路與第二閾值比較器相連；第一閾值比較器與多個(gè)組合邏輯門電路中每個(gè)組合邏輯門電路分別相連，所述第二閾值比較器與多個(gè)組合邏輯門電路中每個(gè)組合邏輯門電路分別相連；多個(gè)組合邏輯門電路中的活動(dòng)電極脫落檢測(cè)組合邏輯門電路和參考電極脫落檢測(cè)組合邏輯門電路，均與模擬切換開(kāi)關(guān)電路相連?；诖?，實(shí)現(xiàn)EEG電極脫落的區(qū)別化檢測(cè)。

技術(shù)研發(fā)人員：朱濤,尹凱華,殷發(fā)志
受保護(hù)的技術(shù)使用者：四川大學(xué)華西醫(yī)院
技術(shù)研發(fā)日：20240129
技術(shù)公布日：2024/12/19