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一種太陽能電池、電池組件及光伏系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:40394411發(fā)布日期:2024-12-20 12:17閱讀:3來源:國知局
一種太陽能電池、電池組件及光伏系統(tǒng)的制作方法

本發(fā)明涉及太陽能電池,具體涉及一種太陽能電池、電池組件及光伏系統(tǒng)。


背景技術(shù):

1、隨著化石燃料的日益衰減,太陽能成為了最為普遍且清潔的可再生能源。其中,太陽能電池是利用光生伏特效應(yīng),將光能直接轉(zhuǎn)換為電能的一種器件。太陽能電池主要包括雙面太陽能電池和背接觸太陽能電池。

2、現(xiàn)有技術(shù)中,雙面太陽能電池的硅基底一面設(shè)置有p區(qū),另一面設(shè)置有n區(qū);背接觸太陽能電池的背面則同時設(shè)置有p區(qū)和n區(qū);其中,為了電池鈍化效果,雙面太陽能電池及背接觸太陽能電池的p區(qū)設(shè)置有第一鈍化層、及設(shè)于第一鈍化層上的p型摻雜層,p區(qū)的電極與p型摻雜層接觸;雙面太陽能電池及背接觸太陽能電池的n區(qū)設(shè)置有第二鈍化層、及設(shè)于第二鈍化層上的n型摻雜層,n區(qū)的電極與n型摻雜層接觸。然而,常規(guī)太陽能電池的p區(qū)的第一鈍化層和n區(qū)的第二鈍化層同時制備形成,p區(qū)的第一鈍化層和n區(qū)的第二鈍化層電阻相同,而p區(qū)的p型摻雜層比n區(qū)的n型摻雜層電阻大,使得p型摻雜層導(dǎo)電效果差,導(dǎo)致p區(qū)電流傳輸效果差,電池效率低。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種太陽能電池,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的太陽能電池存在p區(qū)電流傳輸效果差,電池效率低的問題。

2、本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,提供一種太陽能電池,包括:

3、硅基底,所述硅基底的表面設(shè)有p區(qū)、及n區(qū);

4、第一鈍化層,位于所述p區(qū)并設(shè)于所述硅基底表面;

5、第二鈍化層,位于所述n區(qū)并設(shè)于所述硅基底表面;

6、p型摻雜層,設(shè)于所述第一鈍化層背離所述硅基底的一面;

7、n型摻雜層,設(shè)于所述第二鈍化層背離所述硅基底的一面;

8、其中,所述第一鈍化層的電阻小于所述第二鈍化層的電阻。

9、優(yōu)選的,所述第一鈍化層含有p型摻雜劑,所述第二鈍化層含有n型摻雜劑,所述第一鈍化層的p型摻雜劑的摻雜濃度大于所述第二鈍化層的n型摻雜劑的摻雜濃度。

10、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的p型摻雜劑的摻雜濃度為1×1019~8×1021atoms/cm3;所述第二鈍化層的n型摻雜劑的摻雜濃度為5×1018~5×1021atoms/cm3。

11、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的電阻與所述第二鈍化層的電阻的比值為0.2~1。

12、優(yōu)選的,所述第一鈍化層及所述第二鈍化層均為多孔鈍化層,所述第一鈍化層的孔洞密度大于所述第二鈍化層的孔洞密度。

13、優(yōu)選的,所述第一鈍化層及所述第二鈍化層均為多孔鈍化層,所述第一鈍化層的孔洞平均孔徑大于所述第二鈍化層的孔洞平均孔徑。

14、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的厚度小于所述第二鈍化層的厚度。

15、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的電阻隨溫度變化的變化率大于所述第二鈍化層的電阻隨溫度變化的變化率。

16、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的電阻為200ω~5000ω;所述第二鈍化層的電阻為1000ω~25000ω。

17、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的接觸電阻小于所述第二鈍化層的接觸電阻。

18、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的接觸電阻為0.2~5mω·cm2。

19、優(yōu)選的,所述第二鈍化層的接觸電阻為1~25mω·cm2

20、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的電阻率小于所述第二鈍化層的電阻率。

21、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的電阻率為500ω·cm~10000ω·cm,所述第二鈍化層的電阻率為2000ω·cm~40000ω·cm。

22、優(yōu)選的,所述n型摻雜層的電阻小于所述p型摻雜層的電阻。

23、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的帶隙寬度小于所述第二鈍化層的帶隙寬度。

24、優(yōu)選的,所述p型摻雜層的帶隙寬度小于所述n型摻雜層的帶隙寬度。

25、優(yōu)選的,所述第一鈍化層的介電常數(shù)小于所述第二鈍化層的介電常數(shù)。

26、優(yōu)選的,所述太陽能電池為背接觸太陽能電池,所述p區(qū)和所述n區(qū)位于所述硅基底的同一面。

27、優(yōu)選的,所述太陽能電池為雙面太陽能電池,所述p區(qū)和所述n區(qū)分別位于所述硅基底的相對兩面。

28、本發(fā)明還提供一種電池組件,包括上述的太陽能電池。

29、本發(fā)明還提供一種光伏系統(tǒng),包括上述的電池組件。

30、本發(fā)明提供的一種太陽能電池通過將第一鈍化層的電阻設(shè)置成小于第二鈍化層的電阻,相比第二鈍化層的電阻,通過減小第一鈍化層的電阻,可以提升第一鈍化層的導(dǎo)電效果,從而提升p區(qū)的電流傳輸效果,實現(xiàn)p區(qū)和n區(qū)的電流傳輸效果平衡,可解決傳統(tǒng)太陽能電池的p區(qū)電流傳輸效果差的問題,使太陽能電池的p區(qū)和n區(qū)均達(dá)到良好的電流傳輸效果,從而有效提高電池效率。



技術(shù)特征:

1.一種太陽能電池,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層含有p型摻雜劑,所述第二鈍化層含有n型摻雜劑,所述第一鈍化層的p型摻雜劑的摻雜濃度大于所述第二鈍化層的n型摻雜劑的摻雜濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的p型摻雜劑的摻雜濃度為1×1019~8×1021atoms/cm3;所述第二鈍化層的n型摻雜劑的摻雜濃度為5×1018~5×1021atoms/cm3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的電阻與所述第二鈍化層的電阻的比值為0.2~1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層及所述第二鈍化層均為多孔鈍化層,所述第一鈍化層的孔洞密度大于所述第二鈍化層的孔洞密度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層及所述第二鈍化層均為多孔鈍化層,所述第一鈍化層的孔洞平均孔徑大于所述第二鈍化層的孔洞平均孔徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的厚度小于所述第二鈍化層的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的電阻隨溫度變化的變化率大于所述第二鈍化層的電阻隨溫度變化的變化率。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的電阻為200ω~5000ω;所述第二鈍化層的電阻為1000ω~25000ω。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的接觸電阻小于所述第二鈍化層的接觸電阻。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的接觸電阻為0.2~5mω·cm2。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二鈍化層的接觸電阻為1~25mω·cm2。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的電阻率小于所述第二鈍化層的電阻率。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的電阻率為500ω·cm~10000ω·cm,所述第二鈍化層的電阻率為2000ω·cm~40000ω·cm。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述n型摻雜層的電阻小于所述p型摻雜層的電阻。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的帶隙寬度小于所述第二鈍化層的帶隙寬度。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述p型摻雜層的帶隙寬度小于所述n型摻雜層的帶隙寬度。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層的介電常數(shù)小于所述第二鈍化層的介電常數(shù)。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池為背接觸太陽能電池,所述p區(qū)和所述n區(qū)位于所述硅基底的同一面。

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池為雙面太陽能電池,所述p區(qū)和所述n區(qū)分別位于所述硅基底的相對兩面。

21.一種電池組件,其特征在于,包括上述權(quán)利要求1~20任意一項所述的太陽能電池。

22.一種光伏系統(tǒng),其特征在于,包括上述權(quán)利要求21所述的電池組件。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明適用于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,提供一種太陽能電池、電池組件及光伏系統(tǒng),太陽能電池包括:硅基底,硅基底的表面設(shè)有P區(qū)、及N區(qū);第一鈍化層,位于P區(qū)并設(shè)于硅基底表面;第二鈍化層,位于N區(qū)并設(shè)于硅基底表面;P型摻雜層,設(shè)于第一鈍化層背離硅基底的一面;N型摻雜層,設(shè)于第二鈍化層背離硅基底的一面;第一鈍化層的電阻小于第二鈍化層的電阻。本發(fā)明提供的一種太陽能電池可以提升P區(qū)的電流傳輸效果,可解決傳統(tǒng)太陽能電池的P區(qū)電流傳輸效果差的問題,有效提高電池效率。

技術(shù)研發(fā)人員:楊新強,鄭艷,王永謙,陳剛
受保護的技術(shù)使用者:浙江愛旭太陽能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/19
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