一種變截面ct設(shè)備后準(zhǔn)直器的制造方法
【專利摘要】一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，它包括有若干個(gè)排列的X向通道屏蔽片和與X向通道屏蔽片交叉排列的若干個(gè)Y向通道屏蔽片，在該X向通道屏蔽片的兩端連接有保持架，所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的從上往下等高截面逐漸變大，形成X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的頂端的寬度向下逐漸變寬，底端的寬度最大，形成X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面。所述的X向通道屏蔽片的形狀為扇形，Y向通道屏蔽片形成從中心開始逐漸向斜下方成散射狀。本實(shí)用新型有益效果是：1、減小了晶體的無效接收區(qū)，提高了晶體的利用率。2、減少因焦點(diǎn)偏移對(duì)信號(hào)產(chǎn)生的影響，提高采集信號(hào)的穩(wěn)定性和圖像質(zhì)量。3、減少了通過患者的無效射線帶來的輻射劑量。
【專利說明】一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及CT設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，屬于一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器。

【背景技術(shù)】
[0002]CT設(shè)備后準(zhǔn)直器一般安裝于探測(cè)器晶體的上方并接近于晶體的上表面的位置。其作用是為透射的X光劃分出與接收晶體一致的通道，并且屏蔽散射線。后準(zhǔn)直器由保持架和若干通道屏蔽片(鎢片或其他屏蔽類材料)組成(如圖1所示)。通道屏蔽片按照設(shè)計(jì)間隔及角度分布并且固定于保持架中，屏蔽片的近晶體端厚度(如圖3所示)和高度(如圖3所示)由影像鏈參數(shù)決定。
[0003]目前普遍采用的屏蔽片，其為矩形截面屏蔽片9的形狀，即截面各處厚度相等(如圖3所示)。生產(chǎn)中將保持架位置固定，再將每個(gè)屏蔽片分別插入到保持架插槽8中，并在保持架的插槽8中加膠固定屏蔽片(加膠區(qū)如圖1所示)。矩形截面的屏蔽片生產(chǎn)工藝簡單，但在應(yīng)用中存在如下問題。
[0004]1.當(dāng)焦點(diǎn)沒有發(fā)生偏移時(shí)(焦點(diǎn)在理論位置)，射線通過屏蔽片到達(dá)接收晶體時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)無效接收區(qū)al，如果圖4所示，即晶體上的al接收區(qū)無法被有效利用。這降低了晶體的利用率，增加了無效射線對(duì)患者的輻射劑量。
[0005]2.實(shí)際應(yīng)用中，焦點(diǎn)會(huì)隨著溫度等因素發(fā)生微小的偏移量。當(dāng)焦點(diǎn)發(fā)生偏移后，射線通過屏蔽片到達(dá)接收晶體時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)無效接收區(qū)a2，如果圖5所示，在屏蔽片厚度和高度不變的情況下，此時(shí)的無效接收區(qū)a2大于al，即當(dāng)焦點(diǎn)發(fā)生偏移后，極端情況下晶體的受照面積會(huì)發(fā)生改變，無效接收區(qū)變的更大，此時(shí)晶體產(chǎn)生的信號(hào)會(huì)有很大誤差，影響圖像質(zhì)量。同時(shí)會(huì)更大的增加無效射線對(duì)患者的輻射劑量。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的是提供一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，它可以增加晶體的接收面積，提高其利用率，并且減少因焦點(diǎn)偏移對(duì)信號(hào)產(chǎn)生的影響，同時(shí)降低無效射線對(duì)患者的輻射劑量。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取以下技術(shù)方案:
[0008]一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，它包括有若干個(gè)排列的X向通道屏蔽片(I)和與X向通道屏蔽片交叉排列的若干個(gè)Y向通道屏蔽片(2)，在該X向通道屏蔽片(I)的兩端連接有保持架(3)，其特征在于:所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的從上往下等高截面逐漸變大，形成X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的頂端的寬度向下逐漸變寬，底端的寬度最大，形成X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面。
[0009]所述的X向通道屏蔽片的形狀為扇形，X向通道屏蔽片的上端邊和下端邊分別形成向下的凹弧，Y向通道屏蔽片形成從中心開始逐漸向斜下方成散射狀。采用3D打印技術(shù)進(jìn)行整體打印。
[0010]X向通道屏蔽片的Y向通道屏蔽片插槽(4)，從中心開始向兩側(cè)排列的插槽形成逐漸向外傾斜，使插入插槽的Y向通道屏蔽片形成從中心開始逐漸向斜下方成散射狀。采用普通技術(shù)進(jìn)行插接完成。
[0011]所述的X向通道屏蔽片從中心開始向兩側(cè)排列形成逐漸向斜下方傾斜成散射狀。
[0012]作為優(yōu)選，所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為三角形。
[0013]作為優(yōu)選，所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為等邊梯形。
[0014]作為優(yōu)選，所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為多段矩形。
[0015]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0016]1、減小了晶體的無效接收區(qū)，提高了晶體的利用率。
[0017]2、減少因焦點(diǎn)偏移對(duì)信號(hào)產(chǎn)生的影響，提高采集信號(hào)的穩(wěn)定性和圖像質(zhì)量
[0018]3、減少了通過患者的無效射線帶來的輻射劑量

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是已有的二維CT設(shè)備后準(zhǔn)直器立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2是圖1的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖3是圖2中A-A剖面放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖4是矩形屏蔽片無效接收區(qū)的焦點(diǎn)無偏移時(shí)的無效接收區(qū)al示意圖。
[0023]圖5是矩形屏蔽片無效接收區(qū)的焦點(diǎn)偏移后的無效接收區(qū)a2示意圖。
[0024]圖6是梯形屏蔽片的無效接收區(qū)的焦點(diǎn)偏移最大時(shí)的無效接收區(qū)b2示意圖。
[0025]圖7是梯形屏蔽片的無效接收區(qū)的焦點(diǎn)無偏移時(shí)的無效接收區(qū)bl示意圖。
[0026]圖8是X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片相互插接組合后立體示意圖。
[0027]圖9是圖8中X向通道屏蔽片的示意圖。
[0028]圖10是圖9左視示意圖。
[0029]圖11是圖9俯視示意圖。
[0030]圖12是圖中9B-B放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖13是X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為多段矩形截面示意圖。
[0032]圖14是X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為三角形截面示意圖。
[0033]附圖標(biāo)號(hào):1、X向通道屏蔽片；2、Y向通道屏蔽片；3、保持架；4、插槽；5、梯形截面；6、多段矩形截面；7、三角形截面；8、保持架插槽，；9、矩形截面屏蔽片。

【具體實(shí)施方式】
[0034]參見圖1至圖14所示:
[0035]1.確定準(zhǔn)直器總體結(jié)構(gòu):本文將整體式變截面屏蔽片應(yīng)用到二維后準(zhǔn)直器結(jié)構(gòu)中，因此實(shí)施方案以二維后準(zhǔn)直器為例，如圖1、圖2、圖3、圖8所示，其中X向，Y向?yàn)楸疚拿枋龆S后準(zhǔn)直器的坐標(biāo)。在二維后準(zhǔn)直器中，整體式變截面屏蔽片的X向通道屏蔽片1、Y向通道屏蔽片2均為變截面屏蔽片。
[0036]2.確定屏蔽片厚度和高度:根據(jù)CT系統(tǒng)的影像鏈參數(shù)，在X向和Y向上，分別確定屏蔽片近晶體端的厚度T及高度H，如圖6所示。
[0037]3.確定截面形狀:本文中，X向，Y向在屏蔽片的厚度方向上均采用梯形截面5(見圖6、圖7)，因?yàn)樘菪谓孛?可以更大程度的增加晶體的接收面積，并且減少無效射線對(duì)患者的輻射劑量。X向通道屏蔽片I厚度截面上接近晶體端為梯形的大邊(底邊)，如圖6所示；同樣，Y向通道屏蔽片2厚度截面上接近晶體端為梯形的大邊(底邊)，如圖6所示。
[0038]4.確定梯形角度:在屏蔽片的近晶體端厚度T (梯形底邊)和高度H —定的情況下，按照如下方法可以分別確定X向和Y向上屏蔽片厚度方向截面上的梯形角度α，見圖6，F(xiàn)為焦點(diǎn)沒有發(fā)生偏移時(shí)的位置，F(xiàn)l為焦點(diǎn)發(fā)生最大偏移量的位置，Α，B分別為屏蔽片厚度方向上近晶體端的兩個(gè)端點(diǎn)，F(xiàn)l和A點(diǎn)的連線與中心線的角度為β，使梯形角度α =β，由此即可確定梯形的角度。此時(shí)，即焦點(diǎn)發(fā)生最大偏移時(shí)的無效接收區(qū)為b2，如圖6所示。按照以上確定的屏蔽片形狀，如果焦點(diǎn)沒有發(fā)生偏移，則晶體上的無效接收區(qū)為bl，如圖7所示。普通的矩形屏蔽片(見圖4、圖5)，如果焦點(diǎn)沒有發(fā)生偏移，則晶體上的無效接收區(qū)為al (無效接收區(qū)al的左側(cè)為有效接受區(qū)，無效接收區(qū)越大，有效接收區(qū)越小)，焦點(diǎn)發(fā)生最大偏移時(shí)的無效接收區(qū)為a2，從圖4、圖5、圖6、圖7中可以判斷bl < b2 < al < a2。可見，采用梯形屏蔽片后，晶體上的無效接收區(qū)明顯變小，這有利于降低信號(hào)誤差，提高信號(hào)穩(wěn)定型。
[0039]5.按照以上確定的X向，Y向通道屏蔽片的具體形狀和尺寸，采用3D金屬打印工藝(激光燒結(jié))，將鎢合金粉末(也可以是具有X光屏蔽性質(zhì)并適合于3D金屬打印的其他原材料)制造成所需的具有梯形變截面的二維整體式屏蔽片，如圖8至圖12所示。
[0040]6.和圖1所示相同，采用普通插接技術(shù)，將制造完成的二維整體式變截面屏蔽片組裝到保持架插槽8中，并且加膠固定，即可得到本文所述的采用整體式變截面屏蔽片的二維后準(zhǔn)直器。
[0041]7.也可以采用普通技術(shù)將X向通道屏蔽片I和Y向通道屏蔽片2相互插接，制成整體的變截面屏蔽片，然后插接到保持架插槽8中，并且加膠固定，即可得到本文所述的整體的變截面屏蔽片的二維后準(zhǔn)直器。
[0042]本申請(qǐng)的一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，它包括有若干個(gè)排列的X向通道屏蔽片I和與X向通道屏蔽片交叉排列的若干個(gè)Y向通道屏蔽片2，在該X向通道屏蔽片I的兩端連接有保持架3，所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的從上往下等高截面逐漸變大，形成X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的頂端的寬度向下逐漸變寬，底端的寬度最大，形成X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面。
[0043]所述的X向通道屏蔽片的形狀為扇形，X向通道屏蔽片的上端邊和下端邊分別形成向下的凹弧，Y向通道屏蔽片形成從中心開始逐漸向斜下方成散射狀。采用3D打印技術(shù)進(jìn)行整體打印。
[0044]X向通道屏蔽片的Y向通道屏蔽片插槽4，從中心開始向兩側(cè)排列的插槽形成逐漸向外傾斜，使插入插槽的Y向通道屏蔽片形成從中心開始逐漸向斜下方成散射狀。采用普通技術(shù)進(jìn)行插接完成。
[0045]所述的X向通道屏蔽片從中心開始向兩側(cè)排列形成逐漸向斜下方傾斜成散射狀。
[0046]作為優(yōu)選，所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為三角形。
[0047]作為優(yōu)選，所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為等邊梯形。
[0048]作為優(yōu)選，所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為多段矩形。
[0049]以上所述是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例及其所運(yùn)用的技術(shù)原理，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不背離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，任何基于本實(shí)用新型技術(shù)方案基礎(chǔ)上的等效變換、簡單替換等顯而易見的改變，均屬于本實(shí)用新型保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，它包括有若干個(gè)排列的X向通道屏蔽片(I)和與X向通道屏蔽片交叉排列的若干個(gè)Y向通道屏蔽片(2)，在該X向通道屏蔽片(I)的兩端連接有保持架(3)，其特征在于:所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的從上往下等高截面逐漸變大，形成X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的頂端的寬度向下逐漸變寬，底端的寬度最大，形成X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，其特征在于:所述的X向通道屏蔽片的形狀為扇形，X向通道屏蔽片的上端邊和下端邊分別形成向下的凹弧，Y向通道屏蔽片形成從中心開始逐漸向斜下方成散射狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，其特征在于:X向通道屏蔽片的Y向通道屏蔽片插槽(4)，從中心開始向兩側(cè)排列的插槽形成逐漸向外傾斜，使插入插槽的Y向通道屏蔽片形成從中心開始逐漸向斜下方成散射狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，其特征在于:所述的X向通道屏蔽片從中心開始向兩側(cè)排列形成逐漸向斜下方傾斜成散射狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，其特征在于:所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為三角形。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，其特征在于:所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為等邊梯形。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種變截面CT設(shè)備后準(zhǔn)直器，其特征在于:所述的X向通道屏蔽片和Y向通道屏蔽片的變截面的形狀為多段矩形。
【文檔編號(hào)】A61B6/03GK204016321SQ201420387620
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年7月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月14日
【發(fā)明者】藺威, 任敬軼, 付詩農(nóng) 申請(qǐng)人:賽諾威盛科技（北京）有限公司