技術特征：
1.脈寬幅值可調(diào)的寬帶高壓窄脈沖系統(tǒng)，其特征在于：包括控制信號調(diào)整模塊、MOSFET驅(qū)動模塊、P型MOSFET和N型MOSFET、脈沖幅值調(diào)整模塊，控制信號調(diào)整模塊接MOSFET驅(qū)動模塊，MOSFET驅(qū)動模塊接P型MOSFET和N型MOSFET，脈沖幅值調(diào)整模塊接入P型MOSFET和N型MOSFET；所述的控制信號調(diào)整模塊包括脈沖信號源、邏輯電平轉換器件或邏輯電平轉換電路、脈寬控制部分、P型MOSFET和N型MOSFET驅(qū)動脈沖時序調(diào)整部分；脈寬控制部分包含延時器件和非門、與門；經(jīng)過邏輯電平轉換輸出的正脈沖分兩路，一路經(jīng)過非門后接延時處理，再與另外一路接入與門，變得到特定脈寬的控制信號，特定脈寬控制信號輸出脈沖脈寬；特定脈寬的控制信號分兩路，分別經(jīng)過延時，匹配P型MOSFET和N型MOSFET打開關閉時間，接入MOSFET驅(qū)動模塊。2.根據(jù)權利要求1所述的脈寬幅值可調(diào)的寬帶高壓窄脈沖系統(tǒng)，其特征在于：所述的脈沖信號源為現(xiàn)場可編輯門陣列、微處理器MCU、通用交流信號源、晶振、DSP、ARM或CPLD輸入。3.根據(jù)權利要求1所述的脈寬幅值可調(diào)的寬帶高壓窄脈沖系統(tǒng)，其特征在于：所述的延時器件為單個延時器件DS1100U、多個DS1100U或同軸線。4.根據(jù)權利要求1所述的脈寬幅值可調(diào)的寬帶高壓窄脈沖系統(tǒng)，其特征在于：所述的延時器件包括時鐘、計數(shù)器和延時網(wǎng)絡。5.根據(jù)權利要求1所述的脈寬幅值可調(diào)的寬帶高壓窄脈沖系統(tǒng)，其特征在于：脈沖幅值調(diào)整模塊包含高壓電源和高壓輸出調(diào)節(jié)部分。6.根據(jù)權利要求5所述的脈寬幅值可調(diào)的寬帶高壓窄脈沖系統(tǒng)，其特征在于：所述的高壓電源為高壓正電源EMCO-CA02P與高壓負電源EMCO-CA02N，數(shù)模轉換器接高壓正電源EMCO-CA02P與高壓負電源EMCO-CA02N的電壓輸出調(diào)節(jié)端口，從而調(diào)節(jié)高壓輸出，實現(xiàn)脈沖的幅值調(diào)節(jié)。7.根據(jù)權利要求5所述的脈寬幅值可調(diào)的寬帶高壓窄脈沖系統(tǒng)，其特征在于：高壓電源為正電源EMCO-CA02P，接P型MOSFET，輸出脈沖為正脈沖；或高壓電源為負電源EMCO-CA02N，接N型MOSFET，輸出脈沖為負脈沖；或高壓電源為正電源EMCO-CA02P與EMCO-CA02N，分別接P型MOSFET與N型MOSFET，輸出脈沖雙極性脈沖。8.根據(jù)權利要求1所述的脈寬幅值可調(diào)的寬帶高壓窄脈沖系統(tǒng)脈沖的產(chǎn)生方法，其特征在于所述的方法包括以下步驟：信號輸入端的信號接入控制信號調(diào)整模塊，控制信號調(diào)整模塊將輸入信號分兩路，一路經(jīng)過非門接延時器件延時處理；另外一路接入與門，與門輸出端產(chǎn)生ns級窄脈沖，脈沖寬度由延時時間決定；該窄脈沖分為兩路信號，延時匹配雙溝道MOSFET打開關閉，控制MOSFET驅(qū)動，從而打開或者關閉雙溝道MOSFET；通過改變控制脈沖的寬度來調(diào)節(jié)輸出脈沖的脈寬；脈沖輸出幅值由改變高壓電源輸出幅值實現(xiàn)。