專利名稱：局部線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于MRT系統(tǒng)的局部線圈。
背景技術(shù)：
例如在DE10314215B4中描述了用于通過(guò)磁共振斷層成像(MRT、MRI)檢查物體或患者的磁共振斷層成像設(shè)備。在核自旋斷層成像中，使用了用于接收交變磁場(chǎng)的HF線圈(局部線圈)。為了總是獲得良好的信噪比，將用于不同的身體區(qū)域的HF線圈在幾何形狀和接收輪廓上進(jìn)行匹配，并且盡可能靠近地定位在患者的身體上。對(duì)于快速的并行的成像(SENSE，GRAPPA)，使用由多個(gè)(單獨(dú))線圈(天線)組成的高通道的所謂的陣列線圈。隨著單獨(dú)線圈的數(shù)量的提高，在預(yù)先給定的幾何形狀中，單獨(dú)線圈的尺寸總是在變小。在線圈縮小時(shí)，在患者上的耦合也變小，使得線圈的空載品質(zhì)更重要。耦合通過(guò)空載品質(zhì)與負(fù)載品質(zhì)之間的比值限定。比值越高，則線圈的SNR越高。為了改進(jìn)信噪比(SNR)，線圈的空載品質(zhì)應(yīng)具有盡可能高的值，和/或?qū)⒕€圈的相互影響最小化。線圈的銅層的高度(h)的增加從大約趨膚深度的大約五倍起不再保證改進(jìn)。同樣，銅層的擴(kuò)寬從w=pi*D的寬度起也不保證空載品質(zhì)的明顯提高。在相鄰的線圈的交叉點(diǎn)上產(chǎn)生了電損失，所述電損失很依賴于線圈的相互距離。帶有很高的品質(zhì)的線圈根據(jù)至少內(nèi)部已知的構(gòu)造由帶有大約Imm的直徑的鍍銀的、圓形的銅線構(gòu)成。線圈通過(guò)幾何重疊感性解耦，其中在單獨(dú)線圈的交叉點(diǎn)上，距離隨著跳線(Drahtbriicke)而增大。在帶有對(duì)于電品質(zhì)正常要求的線圈中，天線元件由單側(cè)覆銅電路板(塑料載體)實(shí)現(xiàn)(圖1)。交叉點(diǎn)可通過(guò)電路板側(cè)的交替而簡(jiǎn)單地構(gòu)造。距離的增加可通過(guò)中間插入塑料件實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是，進(jìn)一步優(yōu)化用于磁共振斷層成像設(shè)備的局部線圈。該任務(wù)有效地并且人機(jī)工程學(xué)地通過(guò)獨(dú)立的權(quán)利要求的特點(diǎn)解決。有利的擴(kuò)展在從屬權(quán)利要求中給出。


本發(fā)明的可能的構(gòu)造的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)由從本發(fā)明的從屬權(quán)利要求和隨后的根據(jù)附圖的實(shí)施例的描述得到。各圖為:圖1按照橫截面示出了帶有單側(cè)覆銅的塑料載體的局部線圈的天線元件的電路板，圖2按照橫截面示出了帶有作為導(dǎo)線線路之間的絕緣體的具有雙側(cè)(銅)導(dǎo)線線路的塑料載體的局部線圈的天線元件的電路板，圖3按照俯視圖示出了五個(gè)天線元件，帶有在其交叉區(qū)域內(nèi)走向的天線元件的導(dǎo)線線路，
圖4按照俯視圖示出了交叉區(qū)域的部分，帶有三個(gè)天線元件的三個(gè)(為簡(jiǎn)化起見(jiàn)透視地圖示的)在交叉區(qū)域內(nèi)走向的導(dǎo)線線路，圖5示意性地并且簡(jiǎn)化地示出了 MRT系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式圖5示出了(特別地也部分地作為背景)處在屏蔽空間或法拉第籠F內(nèi)的成像磁共振設(shè)備MRT 101，其帶有全身線圈102，所述全身線圈102帶有在此為管形的空間103，帶有例如檢查物體105 (例如，患者)的身體的患者臥榻104 (帶有或不帶有局部線圈裝置106)在箭頭z的方向上可駛?cè)胨隹臻g103，以便通過(guò)成像方法生成患者105的照片。在此，在(可以用帶子固定的)患者身上布置了(例如用相同的或另外的帶子固定的)局部線圈106，利用所述局部線圈106在MRT的局部區(qū)域(也稱為視野或F0V)內(nèi)可在FOV內(nèi)生成身體105的部分區(qū)域的MRT照片。局部線圈裝置106的信號(hào)可由例如通過(guò)同軸電纜或通過(guò)無(wú)線電(167)等可連接到局部線圈裝置106上的MRT 101的評(píng)估裝置(168、115、117、119、120、121等)評(píng)估(例如，轉(zhuǎn)化為圖像，存儲(chǔ)或顯示)。為使用磁共振設(shè)備MRT 101通過(guò)磁共振成像檢查物體105 (檢查對(duì)象或患者)，將其時(shí)間和空間特征上最精確地相互協(xié)調(diào)的不同的磁場(chǎng)輸入到物體105上。在此，帶有通道形開(kāi)口 103的測(cè)量柜內(nèi)的強(qiáng)磁體(經(jīng)常為低溫磁體107)產(chǎn)生強(qiáng)的靜磁場(chǎng)Btl，其例如為0.2至3特斯拉或更高。支承在患者臥榻104上的待檢查的物體105被送入到在觀察區(qū)域FoV(“field of view”)內(nèi)大致均勻的主磁場(chǎng)BO的區(qū)域內(nèi)。物體105的原子核的核自旋的激勵(lì)通過(guò)磁高頻激勵(lì)脈沖BI (x,y, z，t)實(shí)現(xiàn)，后者通過(guò)在此作為(例如，多個(gè)部分的=108a、108b、108c)體線圈108的很簡(jiǎn)化地圖示的高頻天線(和/或必要時(shí)的局部線圈裝置)射入。高頻激勵(lì)脈沖例如由通過(guò)脈沖序列控制單元110控制的脈沖生成單元109產(chǎn)生。在通過(guò)高頻放大器111放大之后，所述聞?lì)l激勵(lì)脈沖被傳遞到聞?lì)l天線108。在此所不的聞?lì)l系統(tǒng)僅示意性地給出。在磁共振設(shè)備101內(nèi)，經(jīng)常使用超過(guò)一個(gè)的脈沖生成單元109、超過(guò)一個(gè)的高頻放大器111和多個(gè)高頻天線108a、108b、108c。此外，磁共振設(shè)備101具有梯度線圈112x、112y、112z，使用所述梯度線圈在測(cè)量時(shí)射入梯度磁場(chǎng)以用于選擇的層激勵(lì)并且用于測(cè)量信號(hào)的位置編碼。梯度線圈112x、112y、112z由梯度線圈控制單元114控制，后者也如同脈沖生成單元109 —樣與脈沖序列控制單元110連接。從(在檢查對(duì)象內(nèi)的原子核的)被激勵(lì)的核自旋所發(fā)出的信號(hào)被體線圈108和/或至少一個(gè)局部線圈裝置106接收，通過(guò)相關(guān)的高頻前置放大器116放大并且被接收單元117繼續(xù)處理并數(shù)字化。所記錄的測(cè)量數(shù)據(jù)被數(shù)字化并且作為復(fù)數(shù)值存儲(chǔ)在k空間矩陣內(nèi)。從被賦值的k空間矩陣借助于多維傅里葉變換可重建所屬的MR圖像。對(duì)于既能以發(fā)送模式又能以接收模式運(yùn)行的線圈，例如體線圈108或局部線圈106，正確的信號(hào)傳遞通過(guò)前接的發(fā)送-接收轉(zhuǎn)換器118調(diào)節(jié)。圖像處理單元119從測(cè)量數(shù)據(jù)中產(chǎn)生圖像，所述圖像通過(guò)操作臺(tái)120被顯示給使用者和/或在存儲(chǔ)器單元121內(nèi)存儲(chǔ)。中央計(jì)算單元122控制單獨(dú)的設(shè)備部件。在MR斷層成像中，目前通常利用所謂的局部線圈裝置(Coils，LocalCoils)拍攝帶有高信噪比(SNR)的圖像。所述局部線圈裝置是緊靠地安裝在物體105上(前)或下(后)或安裝在物體105上或內(nèi)的天線系統(tǒng)。在MR測(cè)量中，被激勵(lì)的核在局部線圈的單獨(dú)的天線內(nèi)感應(yīng)了電壓，所述電壓然后以低噪聲前置放大器(例如，LNA, Preamp)被放大并且最后被傳遞到接收電子器件上。為了改進(jìn)信噪比，也在高分辨率圖像中使用所謂的高場(chǎng)設(shè)備(1.5T并且更高)。如果在MR接收系統(tǒng)上可以可連接比存在的接收器更多的單獨(dú)的天線，則在接收天線和接收器之間安裝例如開(kāi)關(guān)矩陣(在此稱為RCCS)。該開(kāi)關(guān)矩陣將當(dāng)前激活的接收通道(通常是正處于磁體視野中的接收通道)路由到現(xiàn)有的接收器。因此使得可連接比存在的接收器更多的線圈元件，因?yàn)樵谌砀采w時(shí)，僅需讀取處于磁體的FoV (視野)或均勻性體積內(nèi)的線圈。例如，作為局部線圈裝置106 —般地表示例如可由一個(gè)天線元件形成的或作為陣列線圈可由多個(gè)天線元件(特別是線圈元件)形成的天線系統(tǒng)。這些單獨(dú)的天線元件例如構(gòu)造為環(huán)形天線(Loops)、蝶形天線、柔性線圈(Flexspulen)或鞍形線圈。局部線圈裝置例如包括線圈元件，前置放大器，另外的電子器件(外罩波陷波器(MantelwelIensperren),等)，殼體，支架和至少一個(gè)帶有插頭的電纜，通過(guò)所述插頭將局部線圈裝置連接在MRT設(shè)備上。安裝在設(shè)備側(cè)的接收器168將由局部線圈106例如通過(guò)無(wú)線電等接收的信號(hào)濾波并數(shù)字化，并且將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字信號(hào)處理裝置，所述數(shù)字信號(hào)處理裝置通常從通過(guò)測(cè)量所獲得的數(shù)據(jù)中導(dǎo)出圖像或譜，并且所述圖像或譜供使用者例如用于隨后通過(guò)其進(jìn)行診斷和/或被存儲(chǔ)。在下文中根據(jù)圖1至圖4更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的MRT局部線圈106、局部線圈106的局部線圈天線元件1-5 (在下文中也稱為“線圈”或“天線元件”)和帶有導(dǎo)線線路的印刷電路板的實(shí)施例。圖1按照橫截面示出了局部線圈106的(具有電路板10、電路板10上的導(dǎo)線線路
8、連接件等的)天線元件I的形成為(不導(dǎo)電的)絕緣體的電路板10，所述電路板10帶有厚度為d的(例如覆銅的)塑料載體10，所述塑料載體在一側(cè)(上側(cè))上單側(cè)地具有高度為h的例如由銅制成的單側(cè)導(dǎo)線線路8。圖2按照橫截面示出了局部線圈106的天線元件I的電路板10，所述電路板10帶有雙側(cè)地(在上側(cè)O和下側(cè)U上)布置在由例如塑料的絕緣體制成的電路板10上的(銅)導(dǎo)線線路7，所述導(dǎo)線線路7通過(guò)穿孔9穿過(guò)電絕緣的電路板10相互導(dǎo)電地連接。在圖2中，兩個(gè)銅導(dǎo)線線路7 (在此在其中導(dǎo)線線路不與另外的天線元件2、3、4、5等的導(dǎo)線線路在俯視圖中部分地重疊和/或交叉(c)的區(qū)域B內(nèi))相互平行地走向，并且相互通過(guò)具有塑料制成的電路板10的形式的絕緣體分開(kāi)。具有由塑料制成的電路板10的形式的絕緣體可同時(shí)用作載體材料(圖2)。載體材料的厚度(d)和導(dǎo)線線路的高度(h)應(yīng)在此分別至少為(導(dǎo)線線路7)的導(dǎo)體材料的趨膚深度的二倍，例如對(duì)于由銅制成的導(dǎo)線線路7，在120MHz的MRT激勵(lì)頻率下因此至少為2X7微米(μ m)。例如，至少在其上在電路板10內(nèi)插入了用于實(shí)現(xiàn)諧振頻率的電容器的位置處，至少兩個(gè)平行的銅線路7 (在天線I的電路板10上的上側(cè)(O)和下側(cè)(U))借助于通過(guò)電路板的穿孔接觸9相互連接。圖3示出了帶有四個(gè)與其(I)相鄰的天線元件2至5的天線元件I。在天線元件的交叉區(qū)域c中，(不同的天線元件I至5的)導(dǎo)線線路7相互交叉(在重疊的平面內(nèi)不接觸地交叉)。在圖4中,例如天線元件3、5的導(dǎo)線線路7 (在上側(cè)O)在天線元件I的導(dǎo)體7(在下側(cè)U)的上方(z)圖示為交叉，而在圖3中，天線元件2、3、4、5的導(dǎo)體7 (在上側(cè)O)在天線元件I的導(dǎo)體7 (在下側(cè)U)的上方(z)圖示為交叉。天線元件的交叉(或其導(dǎo)線線路的相互交叉)意味著例如，(在理論上穿過(guò)電路板觀察時(shí))一個(gè)天線元件I的至少一個(gè)導(dǎo)線線路7在另外的天線元件3的導(dǎo)線線路7上方或下方垂直或傾斜交叉地與后者導(dǎo)線線路7走向(而與后者導(dǎo)線線路7無(wú)電接觸)，因此例如天線元件I的(至少一個(gè))導(dǎo)線線路7在電路板10下方(U)走向，并且另外的天線元件3和/或5的(至少一個(gè))導(dǎo)線線路7在相同的或另外的電路板上方(O)與所述天線元件I的導(dǎo)線線路7垂直或傾斜地交叉地走向(而與天線元件I的導(dǎo)線線路7無(wú)電接觸)。在交叉點(diǎn)c上(特別是僅在此處)，銅線路7在此全部或一些僅在(電路板的)單側(cè)不間斷地走向，即在此在天線I的電路板僅上側(cè)(O)或僅下側(cè)(U)走向，使得在其中至少兩個(gè)天線元件的導(dǎo)線線路7交叉(在此，在圖4中兩個(gè)導(dǎo)線線路3、5在電路電路板I之上交叉)的區(qū)域c中，后者天線元件(在圖4中的3、5和I)分別僅在絕緣體(10)的一側(cè)(O ;U)上具有連貫的導(dǎo)線線路7。在圖3中，在圖示的電路板的上側(cè)O的視圖中，天線元件I的導(dǎo)線線路7中斷(帶有間隙)，并且天線元件2、3、4、5的導(dǎo)線線路7連貫；在圖3中未圖示的電路板的下側(cè)U中，例如天線元件I的導(dǎo)線線路7可以是不間斷的，并且天線元件2、3、4、5的導(dǎo)線線路7是中斷的。此外，在圖3和圖4中示出了天線元件I至5的區(qū)域C，在所述區(qū)域c中天線元件I至5和/或天線元件I至5的導(dǎo)線線路7相互相鄰，即相互最靠近。在圖3中，例如天線元件3、5的導(dǎo)線線路7在區(qū)域(相鄰區(qū)域)c中最靠近(在此相互具有距離而不接觸地碰到)，并且天線元件3、5的導(dǎo)線線路7在區(qū)域c (在此，大致在其縫隙6處)內(nèi)平行地并且在此在相同的平面內(nèi)走向(因此，在其電路板的上側(cè)(O)或下側(cè)(U))。 在區(qū)域c內(nèi)，在此導(dǎo)線線路7被通過(guò)縫隙6開(kāi)縫，其中開(kāi)縫的導(dǎo)線線路在開(kāi)縫處的外部的導(dǎo)線線路寬度在此保持恒定(例如，見(jiàn)圖4)。如在圖4中示例地示出，在天線3的導(dǎo)線線路7內(nèi)的(各)縫隙6可設(shè)置為(軸)對(duì)稱于與天線3相鄰的天線5的導(dǎo)線線路7內(nèi)的縫隙6。在與天線3的導(dǎo)線線路7對(duì)置的另夕卜的天線5的導(dǎo)線線路7內(nèi)感應(yīng)的渦電流因此被最小化，并且因此降低了感性耦合損失。通過(guò)縫隙6，可以降低在天線3、5的相鄰區(qū)域c內(nèi)的相互相鄰的線圈或天線3、5之間的否則可能要求的間距。在另一種的實(shí)施方式中，在天線元件I的內(nèi)側(cè)上走向的縫隙6的(各)片f可比與該片f對(duì)置的(在縫隙6上的)片e更寬。由于鄰近效應(yīng)，在線圈導(dǎo)體或?qū)Ь€線路的內(nèi)側(cè)上的電流密度高于外側(cè)上的電流密度。在一種實(shí)施方式中，線圈導(dǎo)體7可構(gòu)造在超過(guò)兩個(gè)位置中。因此，例如在三層電路板的情況中，也可使導(dǎo)線線路雙側(cè)地存在于交叉點(diǎn)上。根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)造的空載品質(zhì)可對(duì)應(yīng)于以銅線構(gòu)造的線圈的空載品質(zhì)，并且?guī)в辛畠r(jià)的和很好地可重復(fù)的天線結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種用于磁共振斷層成像設(shè)備(101)的局部線圈(106)，所述局部線圈(106)具有多個(gè)天線元件(I至5)， 其中，天線元件(I至5)分別具有兩個(gè)布置在絕緣體(10)的相互對(duì)置的側(cè)(O，U)上的導(dǎo)線線路(7)，并且所述導(dǎo)線線路(7)以穿過(guò)絕緣體(10)的穿孔(9)相互導(dǎo)電連接， 其中，在其內(nèi)至少兩個(gè)天線元件(圖4中的3，5和I)的導(dǎo)線線路(7)交叉的至少一個(gè)區(qū)域(c)中，所述天線元件(圖4中的3，5和I)中的至少一個(gè)僅在絕緣體(10)的一側(cè)(O ；U)上具有導(dǎo)線線路(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部線圈，其特征在于， 僅分別在其中至少兩個(gè)天線元件(I至5)的導(dǎo)線線路(7)相互交叉的至少兩個(gè)天線元件(3在I上，5在I上)的交叉區(qū)域(c)內(nèi)，所述天線元件中的至少一個(gè)(I)僅單側(cè)地在絕緣體(10)的下側(cè)(U)上具有連貫的導(dǎo)線線路(7)， 并且所述天線元件中的至少另一個(gè)(3和5)僅單側(cè)地在絕緣體(10)的上側(cè)(O)上具有連貫的導(dǎo)線線路(7)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 在交叉區(qū)域(c)內(nèi)，超過(guò)兩個(gè)天線元件(圖4中的3，5和I)的導(dǎo)線線路(7)交叉。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 多個(gè)天線元件(圖4中的3，5和I)的交叉(c)的導(dǎo)線線路(7)相互無(wú)電接觸地分開(kāi)。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 天線元件(I至5)分別具有兩個(gè)至`少在區(qū)域(B)內(nèi)相互平行地走向的導(dǎo)線線路(7)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 天線元件(I至5)的絕緣體(10)的厚度(d)和/或天線元件(I至5)的導(dǎo)線線路(7)的高度(h)分別至少是制成導(dǎo)線線路(7)的材料的趨膚深度的二倍。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 導(dǎo)線線路(7)完全地或至少主要地由銅制成。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 至少在其處將電容器插入在局部線圈內(nèi)的區(qū)域內(nèi)，和/或在導(dǎo)線線路交叉的區(qū)域(C)內(nèi)，各自天線元件(3)的導(dǎo)線線路(7)分別通過(guò)穿孔接觸(9)相互連接。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 在其中兩個(gè)天線元件(3，5，圖4)相互最靠近而不交叉的區(qū)域(c，6)內(nèi)，所述天線元件(3，5，圖4)的導(dǎo)線線路(7)相互在絕緣體(10)的相同側(cè)(0，U)上大致地或精確地平行地走向。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 在一個(gè)或多個(gè)其中至少兩個(gè)天線元件(3，5)的導(dǎo)線線路(7)相互平行地在絕緣體(10)的相同側(cè)(O，U)上走向的區(qū)域(c)內(nèi)，所述天線元件(3，5)的導(dǎo)線線路(7)被通過(guò)縫隙(6)開(kāi)縫，所述導(dǎo)線線路(7)特別地具有相對(duì)其未開(kāi)縫的區(qū)域不變的外部導(dǎo)線線路寬度(見(jiàn)圖3)。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 導(dǎo)線線路(7)具有縫隙(6)，所述縫隙(6)分別與另外的天線元件(I至5)的導(dǎo)線線路(7)的縫隙(6)對(duì)稱地放置。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 在天線元件的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線線路(7)的一個(gè)或多個(gè)縫隙(6)上，在導(dǎo)線線路(7)的內(nèi)側(cè)上走向的縫隙(6)的片(f)比與之對(duì)置的在導(dǎo)線線路(7)的外側(cè)上走向的縫隙(6)的片Ce)更寬， 其中，優(yōu)選地天線元件的導(dǎo)線線路(7)的內(nèi)側(cè)是朝向其中點(diǎn)的側(cè)，而天線元件的導(dǎo)線線路(7)的外側(cè)是背離其中點(diǎn)的側(cè)。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 天線元件(1至5)具有至少三個(gè)重疊(z)的導(dǎo)線線路(7)的層。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 包含多個(gè)天線元件的導(dǎo)線線路的交叉，使得天線元件(I)的至少一個(gè)導(dǎo)線線路(7)與至少一個(gè)另外的天線元件(3，5)的至少一個(gè)導(dǎo)線線路(7)垂直或傾斜地交叉地走向，特別地與該導(dǎo)線線路(7)無(wú)電接觸。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 在其中至少兩個(gè)天線元件(圖4中的3，5和I)的導(dǎo)線線路(7)交叉的區(qū)域(c)中，所述天線元件(圖4中的3，5和1)的至少一個(gè)特別地僅在絕緣體(10)的一側(cè)(O ；U)上具有導(dǎo)線線路(7)， 該天線元件的導(dǎo)線線路(7)在該區(qū)域(c)內(nèi)在絕緣體(10)的另一側(cè)(U ;0)上中斷。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的局部線圈，其特征在于， 所述絕緣體(10)是載體材料和/或電路板(圖2)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于磁共振斷層成像設(shè)備(101)的局部線圈(106)，所述局部線圈(106)具有多個(gè)天線元件(1至5)，其中，天線元件(1至5)分別具有兩個(gè)布置在絕緣體(10)的相互對(duì)置的側(cè)(O，U)上的導(dǎo)線線路(7)，并且所述導(dǎo)線線路(7)以穿過(guò)絕緣體(10)的穿孔(9)相互導(dǎo)電連接，其中，在其內(nèi)至少兩個(gè)天線元件(圖4中的3、5和1)的導(dǎo)線線路(7)交叉的區(qū)域(c)中，所述天線元件(圖4中的3、5和1)中的至少一個(gè)僅在絕緣體(10)的一側(cè)(O；U)上具有導(dǎo)線線路(7)。
文檔編號(hào)A61B5/055GK103105598SQ20121043585
公開(kāi)日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月14日
發(fā)明者D.德萊梅爾, H.格雷姆, S.沃爾夫 申請(qǐng)人:西門子公司