專利名稱：磁導(dǎo)引控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種導(dǎo)引控制裝置，特別關(guān)于一種磁導(dǎo)引控制裝置。
背景技術(shù)：
靶點(diǎn)治療是在體內(nèi)注入一靶點(diǎn)藥物，使其針對特定的細(xì)胞進(jìn)行攻擊而達(dá)到治療的效果。然而，注入身體內(nèi)的靶點(diǎn)藥物易分散在體內(nèi)，導(dǎo)致靶點(diǎn)治療的功效降低。另外，藥物的分散亦對患者產(chǎn)生很大的副作用，造成患者另一種傷害。為了改善靶點(diǎn)治療的效果，磁導(dǎo)引控制裝置結(jié)合靶點(diǎn)治療的方式因應(yīng)而生。磁導(dǎo)引控制裝置利用一磁場產(chǎn)生單元產(chǎn)生磁力，以導(dǎo)引具磁性的靶點(diǎn)藥物至一特定區(qū)域，以對某一疾病進(jìn)行有效地治療。藉由控制磁場產(chǎn)生單元所產(chǎn)生的磁力，可精確地導(dǎo)引靶點(diǎn)藥物至標(biāo)的區(qū)域，因此，除了可針對特定區(qū)域進(jìn)行治療外，也可降低患者的副作用，進(jìn)而可提高治療的效果。公知的一種磁導(dǎo)引控制裝置采用如圖IA及圖IB所示的磁場產(chǎn)生單元1。其中，圖 IA是公知的一種磁場產(chǎn)生單元1的剖視圖，而圖IB是圖IA的磁場產(chǎn)生單元1的磁力線分布示意圖。磁場產(chǎn)生單元1包括一殼體11、三磁極121 123及多個線圈組13。其中，殼體 11具有一內(nèi)側(cè)111，而磁極121 123設(shè)置在殼體11的內(nèi)側(cè)111，并使兩個磁極121 123 與中心點(diǎn)間的夾角是120度。另外，線圈組13分別對應(yīng)設(shè)置在磁極121 123。藉由對線圈組13輪流通電，即可使磁場產(chǎn)生單元1產(chǎn)生如圖IB所示的磁力線(圖IB是對磁極121 對應(yīng)的線圈組13通電)。然而，如圖IB所示，磁場產(chǎn)生單元1的磁力線分布相當(dāng)不均勻，也相當(dāng)不密集，且由于空氣的磁阻效應(yīng)，使磁場產(chǎn)生單元1的磁通密度與磁力隨著與磁極的距離增加而大幅衰減，導(dǎo)致磁導(dǎo)引控制裝置的導(dǎo)引效果不佳。為了使磁導(dǎo)引控制裝置具有較佳的導(dǎo)引效果， 則需提高磁場產(chǎn)生單元1的線圈組13的電力，以提升磁場產(chǎn)生單元1的磁力，進(jìn)而提高磁導(dǎo)引控制裝置的導(dǎo)引效果，但是，此將導(dǎo)致成本的增加。因此，如何提供一種磁導(dǎo)引控制裝置，可具有較優(yōu)的磁導(dǎo)引效果，并可降低成本， 已成為重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有較優(yōu)的磁導(dǎo)引效果，并可降低成本的磁導(dǎo)引控制裝置。本發(fā)明可采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明的一種磁導(dǎo)引控制裝置是用以導(dǎo)引至少一磁性組件至一預(yù)定區(qū)域，并包括一感測單元、一控制單元以及一磁場產(chǎn)生單元。感測單元依據(jù)磁性組件的位置產(chǎn)生一感測信號?？刂茊卧c感測單元電性連接，并依據(jù)感測信號產(chǎn)生一第一控制信號及一第二控制信號。磁場產(chǎn)生單元與控制單元電性連接，并具有一殼體、多個中間磁極及多個短磁
4極，所述中間磁極設(shè)置在殼體，短磁極平均設(shè)置在中間磁極間，磁場產(chǎn)生單元依據(jù)第一控制信號產(chǎn)生一導(dǎo)引信號，以控制磁性組件運(yùn)動在預(yù)定區(qū)域的至少一方向。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，磁性組件包括一磁性粒子、一磁性藥物、一醫(yī)用導(dǎo)管、一醫(yī)用機(jī)具或其組合。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)引信號是一磁性信號，吸引或排斥磁性組件移動。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，殼體具有一環(huán)形截面及一內(nèi)側(cè)，磁場產(chǎn)生單元的所述中間磁極設(shè)置在殼體的一內(nèi)側(cè)，所述中間磁極排列在環(huán)形截面的內(nèi)周緣，并具有相同的間距。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)所述中間磁極的數(shù)量是三時，所述中間磁極中任意二者與殼體的環(huán)形截面的中心點(diǎn)的夾角是120度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，相鄰近的兩個所述短磁極間具有一第一間距，各中間磁極與相鄰的所述短磁極間具有一第二間距，第一間距與第二間距相等。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，兩個相鄰的短磁極與殼體的環(huán)形截面的中心點(diǎn)的夾角是 5度、10度、12度或15度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，磁場產(chǎn)生單元的所述中間磁極的數(shù)量是至少3。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，磁場產(chǎn)生單元的所述短磁極的數(shù)量是69、33、27或21。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，磁場產(chǎn)生單元還具有多個線圈組，其分別與所述中間磁極對應(yīng)設(shè)置。各線圈組具有多個線圈，對應(yīng)設(shè)置在各中間磁極與所述短磁極間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，磁導(dǎo)引控制裝置還包括一移動單元，其與控制單元電性連接，并依據(jù)第二控制信號使磁性組件相對移動單元在另一方向上移動至預(yù)定區(qū)域。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，移動單元具有一載床及一驅(qū)動組件，驅(qū)動組件依據(jù)第二控制信號驅(qū)動載床在另一方向移動，使磁性組件相對在移動單元移動至預(yù)定區(qū)域。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一控制信號包括直流信號或脈沖信號。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一控制信號包括一過驅(qū)動電流信號。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，過驅(qū)動電流信號與第一控制信號同相或反相。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明的磁導(dǎo)引控制裝置至少具有下列優(yōu)點(diǎn)因依據(jù)本發(fā)明的一種磁導(dǎo)引控制裝置具有一磁場產(chǎn)生單元，而磁場產(chǎn)生單元的中間磁極設(shè)置在殼體，所述短磁極平均設(shè)置在所述中間磁極間，且磁場產(chǎn)生單元依據(jù)第一控制信號產(chǎn)生一導(dǎo)引信號，以控制磁性組件運(yùn)動在預(yù)定區(qū)域的至少一方向上。藉由本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元的設(shè)計，使磁場產(chǎn)生單元具有比公知還密集、還均勻的磁力線分布，使本發(fā)明的磁導(dǎo)引控制裝置具有較佳的磁導(dǎo)引效果。再者，因本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元可有效提升工作區(qū)域的磁通密度與磁力，因此，磁導(dǎo)引控制裝置也可有效提升電機(jī)轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而可降低成本。另外，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，移動單元依據(jù)第二控制信號使磁性組件相對移動單元在另一方向上移動至預(yù)定區(qū)域，因此，可精確地導(dǎo)引磁性組件至所述預(yù)定區(qū)域。此外，若應(yīng)用在醫(yī)療上，本發(fā)明的磁導(dǎo)引控制裝置又可提高治療效果及降低副作用，并可大幅降低醫(yī)療成本。


圖IA是公知一種磁場產(chǎn)生單元的剖視圖；圖IB是圖IA的磁場產(chǎn)生單元的磁力線分布示意圖2A是本發(fā)明的一種磁導(dǎo)引控制裝置的功能方塊示意圖；圖2B是本發(fā)明的磁導(dǎo)引控制裝置的示意圖；圖3A是本發(fā)明的一種磁場產(chǎn)生單元的剖視圖；圖;3B是圖3A的磁場產(chǎn)生單元的磁力線分布示意圖；圖4A是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元的剖視圖；圖4B是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元與公知磁場產(chǎn)生單元的磁通密度的比較示意圖；圖5A是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元的剖視圖；圖5B是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元與公知磁場產(chǎn)生單元的磁力的比較示意圖；圖6A是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元的剖視圖；圖6B是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元在一半徑是2單位的圓D的圓周上，不同角度的磁力與公知的比較示意圖；圖7A是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元的剖視圖；圖7B是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元在一半徑是4單位的圓D的圓周上，不同角度的磁力與公知的比較示意圖；以及圖8A至圖8D分別是第一控制信號的波形示意圖。主要元件符號說明1、23:磁場產(chǎn)生單元11,231 殼體111、I:內(nèi)側(cè)121 123 磁極13、234 線圈組2:磁導(dǎo)引控制裝置21 感測單元22 控制單元232:中間磁極232a 232c 特定中間磁極233 短磁極2!Ma:線圈24 移動單元241 載床242 驅(qū)動組件3 磁性組件A 直線B、C、P、R1、R2 區(qū)域D、E:圓D1、D2:間距G 導(dǎo)引信號0 外側(cè)S 感測信號
6
Sl 第一控制信號S2 第二控制信號
具體實(shí)施例方式以下將參照相關(guān)圖式，說明依本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種磁導(dǎo)引控制裝置，其中相同的組件將以相同的元件符號加以說明。請參照圖2A及圖2B所示，其中，圖2A是本發(fā)明的一種磁導(dǎo)引控制裝置2的功能方塊示意圖，而圖2B是磁導(dǎo)引控制裝置2的示意圖。本發(fā)明的磁導(dǎo)引控制裝置2是用以導(dǎo)引至少一磁性組件3至一預(yù)定區(qū)域P。而磁導(dǎo)引控制裝置2例如可應(yīng)用在醫(yī)療上的靶點(diǎn)治療、心血管治療、醫(yī)用微型機(jī)具導(dǎo)引、手術(shù)用導(dǎo)管方位導(dǎo)引等領(lǐng)域，在此，并不加以限制。磁導(dǎo)引控制裝置2包括一感測單元21、一控制單元22、一磁場產(chǎn)生單元23以及一移動單元24。感測單元21依據(jù)磁性組件3的一位置產(chǎn)生一感測信號S。換言之，感測單元21可感測磁性組件3的目前位置，并產(chǎn)生感測信號S。在本實(shí)施例中，磁性組件3例如可包括一磁性粒子、一磁性藥物、一醫(yī)用導(dǎo)管、一醫(yī)用機(jī)具(微型機(jī)具)或上述的任意組合。而磁性粒子例如可以是奈米磁性粒子、奈米磁性藥物等。在此，均不加以限制?？刂茊卧?2與感測單元21電性連接，且控制單元22依據(jù)感測信號S產(chǎn)生一第一控制信號Sl及一第二控制信號S2。在本實(shí)施例中，控制單元22接收感測單元21產(chǎn)生的感測信號S，并輸出第一控制信號Sl及第二控制信號S2。磁場產(chǎn)生單元23與控制單元22電性連接。其中，磁場產(chǎn)生單元23依據(jù)第一控制信號Sl產(chǎn)生一導(dǎo)引信號G，以控制磁性組件3運(yùn)動在預(yù)定區(qū)域P的至少一方向。換言之，磁場產(chǎn)生單元23依據(jù)第一控制信號Sl產(chǎn)生導(dǎo)引信號G，而導(dǎo)引信號G可吸引或排斥磁性組件3在預(yù)定區(qū)域P的至少一方向上移動。在本實(shí)施例中，第一控制信號Sl是電流信號，并驅(qū)動磁場產(chǎn)生單元23產(chǎn)生導(dǎo)引信號G。導(dǎo)引信號G實(shí)質(zhì)上是一磁力信號，并可導(dǎo)引及控制磁性組件3在如圖2B的預(yù)定區(qū)域P的X、Y軸的方向上移動，以將磁性組件3移動至與預(yù)定區(qū)域P相同的X、Y軸上。其中，預(yù)定區(qū)域P可位在磁場產(chǎn)生單元23內(nèi)部的一工作區(qū)域內(nèi)， 而工作區(qū)域例如可位在人體內(nèi)。另外，請參照圖3Α所示，以說明本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元23的結(jié)構(gòu)。其中，圖3Α是磁場產(chǎn)生單元23的剖面示意圖。磁場產(chǎn)生單元23具有一殼體231、多個中間磁極232及多個短磁極233。在此，殼體231實(shí)質(zhì)上是一中空的圓柱體。殼體231具有一環(huán)形截面，并具有一內(nèi)側(cè)I與一外側(cè)0。 另外，殼體231、中間磁極232及短磁極233的材質(zhì)可包括導(dǎo)磁材料，例如可以是硅鋼、非晶質(zhì)合金(amorphous alloy)、鐵磁(ferromagnetic)或亞鐵鹽(ferrite)。此外，殼體 231 與中間磁極232或短磁極233的至少其中之一是一體成形。本實(shí)施例以殼體231、中間磁極 232及短磁極233是一體成形為例。中間磁極232設(shè)置在殼體231的內(nèi)側(cè)I，且中間磁極232排列在殼體231的環(huán)形截面的內(nèi)周緣，并具有相同的間距。在本實(shí)施例中，以中間磁極232的數(shù)量以三為例。在此， 將此三個中間磁極232稱為特定中間磁極23 232c。特定中間磁極23 232c平均設(shè)置在殼體231的內(nèi)側(cè)I上，且排列在殼體231的環(huán)形截面的內(nèi)周緣，使得兩特定中間磁極
7232a 232c間具有相同的距離。換言之，本實(shí)施例的特定中間磁極23 232c平均地排列在殼體231的環(huán)形截面的內(nèi)周緣，使得特定中間磁極23h、232b、特定中間磁極232b、 232c與特定中間磁極232c、232a間，與殼體231的環(huán)形截面的中心點(diǎn)夾角分別是120度， 如圖2A所示。不過，設(shè)計者也可依其對磁力的需求，在內(nèi)側(cè)I設(shè)置6個或更多個中間磁極 232，并使其平均地排列在殼體231的環(huán)形截面的內(nèi)周緣上。短磁極233平均設(shè)置在中間磁極232間，使得磁場產(chǎn)生單元23具有間極式的磁極結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，短磁極233的數(shù)量是69，因中間磁極232的數(shù)量是3，故每23個短磁極233平均地位在兩個中間磁極232間。另外，兩個相鄰近的兩短磁極233間具有一第一間距D1，每一中間磁極232與相鄰的短磁極233間具有一第二間距D2，且第一間距Dl與第二間距D2相等。在此，因特定中間磁極23 232c與短磁極233的數(shù)量總和是72，且第一間距Dl等于第二間距D2，故兩個相鄰的短磁極233與殼體231的環(huán)形截面的中心點(diǎn)的夾角是5度(360度除以72)，且各中間磁極232與相鄰的短磁極233與殼體231的環(huán)形截面的中心點(diǎn)的夾角亦是5度。特別說明的是，設(shè)計者也可依其對磁力的需求設(shè)置不同數(shù)量的短磁極233，例如3 個特定中間磁極23 232c搭配33、27或21個短磁極233，使兩個相鄰的短磁極233與殼體231的環(huán)形截面的中心點(diǎn)的夾角分別是10度(360除以36)、12度(360除以30)或15 度(360除以24)。在此，并不限制中間磁極232與短磁極233數(shù)量總和。值得一提的是，短磁極233與中間磁極232兩者的長度比例是可調(diào)整。設(shè)計者也可依其對磁力的需求調(diào)整兩者的長度比例，例如短磁極233比中間磁極232的長度比是0. 4 比1，或0.7比1，或者是其它比例。另外，磁場產(chǎn)生單元23還具有多個線圈組234，線圈組234分別與中間磁極232 對應(yīng)設(shè)置，并位在中間磁極232與短磁極233間。在本實(shí)施例中，各線圈組234具有多個線圈234a，線圈23 分別對應(yīng)設(shè)置在各特定中間磁極23 232c，且分別位在各特定中間磁極23 232c與短磁極233間。其中，線圈23 的材質(zhì)例如可包括銅、超導(dǎo)體 (superconductor)或其它導(dǎo)電材料。在此，并不加以限制。 因此，當(dāng)控制單元22輸出第一控制信號Si，使磁場產(chǎn)生單元23的線圈組234通電時而產(chǎn)生磁力時，其磁力線的分布可如圖3B所示(圖:3B是特定中間磁極23 對應(yīng)的線圈組234通電)。由于磁場產(chǎn)生單元23使用間極式的磁極結(jié)構(gòu)，因此，短磁極233的設(shè)置可降低兩中間磁極232間空氣的磁阻效應(yīng)，并改善磁場產(chǎn)生單元23的磁力衰減，使中間磁極 232對應(yīng)的線圈組234所產(chǎn)生的磁力線可以有效地延伸。因此，可使磁場產(chǎn)生單元23的磁力線的分布更密集、更均勻。請比較圖;3B與圖IB的磁力線分布圖，在兩圖示中可清楚地發(fā)現(xiàn)，圖:3B的磁場產(chǎn)生單元23比圖IB的磁場產(chǎn)生單元1具有更均勻分布及更密集的磁力線。另外，請參照圖4A與圖4B所示，其中，圖4B是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元23與公知磁場產(chǎn)生單元1的磁通密度的比較示意圖。圖4B的橫坐標(biāo)是圖3A的直線A上不同位置與特定中間磁極23 頂端間的距離，而圖4B的縱坐標(biāo)是本發(fā)明磁場產(chǎn)生單元23的磁通密度與公知磁場產(chǎn)生單元1的磁通密度的比值。如圖4B所示，在離特定中間磁極23 的頂端越遠(yuǎn)時，兩者磁通密度的比值越高。 換言之，離特定中間磁極23 越遠(yuǎn)時，磁場產(chǎn)生單元23的磁通密度與公知相較，其改善幅度越大。另外，在距離2. 5至6. 5單位的一工作區(qū)域B內(nèi)(工作區(qū)域B可包括上述的預(yù)定區(qū)域P)，磁場產(chǎn)生單元23的磁通密度是磁場產(chǎn)生單元1的磁通密度的1. 2至1. 4倍。此夕卜，因磁場產(chǎn)生單元23是對稱性結(jié)構(gòu)，故相同情況下，與特定中間磁極232b、232c對應(yīng)的磁通密度與公知相較，其磁通密度提升情況亦相同。再者，請參照圖5A與圖5B所示，其中，圖5B是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元23與磁場產(chǎn)生單元1的磁力的比較示意圖。圖5B的橫坐標(biāo)是圖5A的直線A上不同位置與特定中間磁極23 頂端間的距離，而圖5B的縱坐標(biāo)是本發(fā)明磁場產(chǎn)生單元23的磁力與公知磁場產(chǎn)生單元1的磁力的比值。如圖5B所示，在距離2. 5至6. 5單位的一工作區(qū)域C內(nèi)，磁場產(chǎn)生單元23的磁力是磁場產(chǎn)生單元1的1. 0至1. 6倍。另外，因磁場產(chǎn)生單元23是對稱性結(jié)構(gòu)，故與特定中間磁極232b、232c對應(yīng)的磁力與公知相較，其磁力提升情況亦相同。請參照圖6A與圖6B所示，其中，圖6B是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元23在一半徑是2 單位的圓D的圓周上，不同角度的磁力與公知的比較示意圖。圖6B的橫坐標(biāo)是圖5A的圓D 的圓周的不同角度，而圖6B的縱坐標(biāo)是本發(fā)明磁場產(chǎn)生單元23的磁力與公知磁場產(chǎn)生單元1的磁力的比值。如圖6B所示，在圓D的圓周的不同角度上，磁場產(chǎn)生單元23的磁力是磁場產(chǎn)生單元1的1. 4至1. 7倍。另外，因磁場產(chǎn)生單元23是對稱性結(jié)構(gòu)，故與特定中間磁極232b、 232c對應(yīng)的磁力與公知相較，其磁力提升情況亦相同。請參照圖7A與圖7B所示，其中，圖7B是本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元23在一半徑是4 單位的圓E的圓周上，不同角度的磁力與公知的比較示意圖。圖7B的橫坐標(biāo)是圖7A的圓E 的圓周的不同角度，而圖7B的縱坐標(biāo)是本發(fā)明磁場產(chǎn)生單元23的磁力與公知磁場產(chǎn)生單元1的磁力的比值。如圖7B所示，在圓E的圓周的不同角度上，磁場產(chǎn)生單元23的磁力是磁場產(chǎn)生單元1的1. 0至1. 9倍。另外，因磁場產(chǎn)生單元23是對稱性結(jié)構(gòu)，故與特定中間磁極232b、 232c對應(yīng)的磁力與公知相較，其磁力提升情況亦相同。因此，磁場產(chǎn)生單元23的短磁極233的設(shè)計可降低兩中間磁極232間空氣的磁阻效應(yīng)，并改善磁場產(chǎn)生單元23的磁力衰減，使中間磁極232對應(yīng)的線圈組234所產(chǎn)生的磁力線可有效地延伸，使磁力線的分布更密集、更均勻。因此，本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元23具有更密集、更均勻的磁力線分布，并可有效提升工作區(qū)域的磁通密度與磁力。另外，請再參照圖2A及圖2B所示，移動單元M與控制單元22電性連接，并依據(jù)第二控制信號S2使磁性組件3相對移動單元對在另一方向上移動至預(yù)定區(qū)域P。其中，第二控制信號S2可包括電壓或電流信號。在本實(shí)施例中，移動單元M可包括一載床241及一驅(qū)動組件對2。驅(qū)動組件242例如可是一驅(qū)動馬達(dá)及其驅(qū)動電路，并可依據(jù)第二控制信號S2驅(qū)動載床241在一 Z軸上移動，使磁性組件3相對移動單元M在Z軸方向上移動至預(yù)定區(qū)域P。再特別說明的是，第一控制信號Sl可包括直流信號或脈沖信號。換言之，控制單元22輸出的第一控制信號Sl可是一直流信號或復(fù)數(shù)的脈沖信號，藉以控制磁場產(chǎn)生單元 23產(chǎn)生所需的磁力。如圖8A所示，第一控制信號Sl是直流信號；又如圖8B所示，第一控制信號Sl是多數(shù)的脈沖信號。
另外，第一控制信號Sl可包括一過驅(qū)動電流(over-drive current)信號，而過驅(qū)動電流信號可與第一控制信號Sl同相，或與第一控制信號Sl反相。其中，如圖8C或圖8D 的區(qū)域Rl所示的波形，區(qū)域Rl的過驅(qū)動電流信號與第一控制信號Sl同相。同相的過驅(qū)動電流信號可使磁場產(chǎn)生單元23在初始啟動時產(chǎn)生更強(qiáng)大的磁力，使磁性組件3可克服靜摩擦力而移動。再者，因磁場產(chǎn)生單元23具有磁滯現(xiàn)象(hysteresis phenomenon)，為了加速磁場產(chǎn)生單元23的泄磁，也可使用反相的過驅(qū)動電流信號以加速磁場產(chǎn)生單元23的泄磁， 使磁性組件3可立刻停止移動，反相的過驅(qū)動電流信號的波形如圖8C或圖8D的區(qū)域R2所示。其中，上述的同相或反相的過驅(qū)動電流信號可同時存在于第一控制信號Sl (圖8C或圖 8D)?；蛘?，也可在不同的第一控制信號Sl內(nèi)分別具有同相及反相的過驅(qū)動電流信號。承上所述，因本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元23依據(jù)第一控制信號Sl產(chǎn)生導(dǎo)引信號G，而導(dǎo)引信號G可導(dǎo)引控制磁性組件3在預(yù)定區(qū)域P的至少一方向上移動。另外，移動單元M 依據(jù)第二控制信號S2在另一方向上移動，且使磁性組件3相對移動單元M在另一方向上移動至預(yù)定區(qū)域P。因此，本發(fā)明的磁導(dǎo)引控制裝置2可利用上述的感測單元21感測磁性組件3的位置，并使磁場產(chǎn)生單元23及移動單元M將磁性組件3精確地導(dǎo)引至預(yù)定區(qū)域 P。另外，因本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元23具有比公知更密集、更均勻的磁力線分布，因此，磁導(dǎo)引控制裝置2具有較佳的磁導(dǎo)引效果。此外，因不需提高線圈組的電力就可達(dá)到比公知較佳的磁力及導(dǎo)引效果，因此，本發(fā)明的磁導(dǎo)引控制裝置也可有效提升電機(jī)轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而可降低成本。綜上所述，因依據(jù)本發(fā)明的一種磁導(dǎo)引控制裝置具有一磁場產(chǎn)生單元，而磁場產(chǎn)生單元的中間磁極設(shè)置在殼體，所述短磁極平均設(shè)置在所述中間磁極間，且磁場產(chǎn)生單元依據(jù)第一控制信號產(chǎn)生一導(dǎo)引信號，以控制磁性組件運(yùn)動在預(yù)定區(qū)域的至少一方向上。藉由本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元的設(shè)計，使磁場產(chǎn)生單元具有比公知更密集、更均勻的磁力線分布，使本發(fā)明的磁導(dǎo)引控制裝置具有較佳的磁導(dǎo)引效果。再者，因本發(fā)明的磁場產(chǎn)生單元可有效提升工作區(qū)域的磁通密度與磁力，因此，磁導(dǎo)引控制裝置也可有效提升電機(jī)轉(zhuǎn)換效率， 進(jìn)而可降低成本。另外，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，移動單元依據(jù)第二控制信號使磁性組件相對移動單元在另一方向上移動至預(yù)定區(qū)域，因此，可精確地導(dǎo)引磁性組件至所述預(yù)定區(qū)域。 此外，若應(yīng)用在醫(yī)療上，本發(fā)明的磁導(dǎo)引控制裝置又可提高治療效果及降低副作用，并可大幅降低醫(yī)療成本。以上所述僅是舉例性，而非限制性。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進(jìn)行的效修改或變還，均應(yīng)包括在權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
10
權(quán)利要求
1.一種磁導(dǎo)引控制裝置，用以導(dǎo)引至少一磁性組件至一預(yù)定區(qū)域，其特征在于，包括一感測單元，依據(jù)所述磁性組件的位置產(chǎn)生一感測信號；一控制單元，與所述感測單元電性連接，并依據(jù)所述感測信號產(chǎn)生一第一控制信號及一第二控制信號；以及一磁場產(chǎn)生單元，與所述控制單元電性連接，并具有一殼體、多個中間磁極及多個短磁極，所述中間磁極設(shè)置在所述殼體，所述短磁極平均設(shè)置在所述中間磁極間，所述磁場產(chǎn)生單元依據(jù)所述第一控制信號產(chǎn)生一導(dǎo)引信號，以控制所述磁性組件運(yùn)動在所述預(yù)定區(qū)域的至少一方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述磁性組件包括一磁性粒子、一磁性藥物、一醫(yī)用導(dǎo)管、一醫(yī)用機(jī)具或其組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述導(dǎo)引信號是一磁性信號，吸引或排斥所述磁性組件移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述殼體具有一環(huán)形截面及一內(nèi)側(cè)，所述磁場產(chǎn)生單元的所述中間磁極設(shè)置在所述殼體的所述內(nèi)側(cè)，所述中間磁極排列在所述環(huán)形截面的內(nèi)周緣，并具有相同的間距。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述殼體實(shí)質(zhì)上是中空圓柱體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述殼體與所述中間磁極或所述短磁極的至少其中之一是一體成形。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中當(dāng)所述中間磁極的數(shù)量是三時，所述中間磁極中任意二者與所述殼體的所述環(huán)形截面的中心點(diǎn)的夾角是120度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述相鄰近的所述兩短磁極間具有一第一間距，各所述中間磁極與相鄰的所述短磁極間具有一第二間距，所述第一間距與所述第二間距相等。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中兩相鄰的短磁極與所述殼體的所述環(huán)形截面的中心點(diǎn)的夾角是5度、10度、12度或15度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，所述磁場產(chǎn)生單元的所述中間磁極的數(shù)量是至少3。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，所述磁場產(chǎn)生單元的所述短磁極的數(shù)量是69、33、27或21。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述磁場產(chǎn)生單元還具有多個線圈組，分別與所述中間磁極對應(yīng)設(shè)置。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述線圈組各具有多個線圈，對應(yīng)設(shè)置在所述中間磁極與所述短磁極間。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，還包括一移動單元，與所述控制單元電性連接，并依據(jù)所述第二控制信號使所述磁性組件相對所述移動單元在另一方向上移動至所述預(yù)定區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述移動單元具有一載床及一驅(qū)動組件，所述驅(qū)動組件依據(jù)所述第二控制信號驅(qū)動所述載床在所述另一方向移動，使所述磁性組件相對所述移動單元移動至所述預(yù)定區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述第一控制信號包括直流信號或脈沖信號。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述第一控制信號包括一過驅(qū)動電流信號。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁導(dǎo)引控制裝置，其特征在于，其中所述過驅(qū)動電流信號與所述第一控制信號同相或反相。
全文摘要
一種磁導(dǎo)引控制裝置包括一感測單元、一控制單元以及一磁場產(chǎn)生單元。感測單元依據(jù)一磁性組件的位置產(chǎn)生一感測信號?？刂茊卧c感測單元電性連接，并依據(jù)感測信號產(chǎn)生一第一控制信號及一第二控制信號。磁場產(chǎn)生單元與控制單元電性連接，并具有一殼體、多個中間磁極及多個短磁極，所述中間磁極設(shè)置在殼體，所述短磁極平均設(shè)置在中間磁極間，磁場產(chǎn)生單元依據(jù)第一控制信號產(chǎn)生一導(dǎo)引信號，以控制磁性組件運(yùn)動在一預(yù)定區(qū)域的至少一方向。本發(fā)明的磁導(dǎo)引控制裝置具有較優(yōu)的磁導(dǎo)引效果，并可降低成本。
文檔編號A61M37/00GK102451514SQ20101052655
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月29日
發(fā)明者林瑞禮, 蕭勝富 申請人:臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司, 國立成功大學(xué)