專利名稱：離子發(fā)生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及產(chǎn)生負(fù)離子或者正離子的離子發(fā)生裝置。
背景技術(shù)：
最近，對(duì)健康器械的關(guān)心越來(lái)越高。作為這樣的健康器械之一有負(fù)離子發(fā)生裝置。該負(fù)離子發(fā)生裝置是在兩個(gè)電極之間施加電壓以在空氣中產(chǎn)生負(fù)離子。
圖32所示是現(xiàn)有的負(fù)離子發(fā)生裝置的主要部分?，F(xiàn)有的負(fù)離子發(fā)生裝置具有放電針60和對(duì)向電極70。對(duì)向電極70呈環(huán)狀，配置于相對(duì)放電針60前端60A的前方。放電針不覆蓋絕緣物，前端60A尖銳。
另外，經(jīng)配線61給放電針60施加數(shù)千伏左右的負(fù)電壓。還有，經(jīng)配線71給對(duì)向電極70施加0V或者正的電壓。這樣，在放電針60與對(duì)向電極70之間的空間80流有極小的電流。發(fā)生了局部擊穿。因此，在放電針60與對(duì)向電極70之間的空間80持續(xù)電暈放電。
這時(shí)，放電針60從前端60A或者前端60A的附近空氣釋放出電子。但是，在釋放電子的方向，由于存在有被施加0V或者正電壓的對(duì)向電極70，因此從放電針60的前端60A或者前端60A附近空氣釋放出來(lái)的電子大部分都被對(duì)向電極70吸引，并消失。于是，僅有躲過(guò)對(duì)向電極70的電子附著在氧分子或者氮分子上而成為負(fù)離子，并從負(fù)離子發(fā)生裝置作為離子風(fēng)釋放出。
如在放電針60和對(duì)向電極70之間的空間80發(fā)生電暈放電，則在被施加0V或者正電壓的對(duì)向電極70的附近，氧分子或者氮分子有的發(fā)生背離，有的發(fā)生電離。其結(jié)果，在對(duì)向電極70的附近產(chǎn)生正離子。由于對(duì)向電極70被施加有0V或者正的電壓，因此正離子不因?qū)ο螂姌O70而消失，并與未被放電針60吸引的正離子再結(jié)合而成為臭氧或者氮氧化物。
像這樣在電子釋放方向上配置對(duì)向電極的方式中，釋放到空氣中的電子大部分被對(duì)向電極70吸引、消失。
這里，如圖33所示，有提議在放電針的前方不設(shè)置對(duì)向電極的方式。這種方式被稱為空中放電方式?？罩蟹烹姺绞降呢?fù)離子發(fā)生裝置具有玻璃90、放電針100A、100B和對(duì)向電極110。
放電針100A、100B和對(duì)向電極110設(shè)置于玻璃90的一主面91上。放電針100A、100B和放電針60一樣，不被絕緣物覆蓋且前端呈尖狀。并且，經(jīng)由配線101，對(duì)放電針60施加數(shù)千伏負(fù)電壓。
對(duì)向電極110是由沿向紙面內(nèi)的方向延伸的板狀物構(gòu)成，經(jīng)配線111被施加0V或者正電壓。
這樣，比如在放電針100A和對(duì)向電極110之間產(chǎn)生局部擊穿，在空間120發(fā)生放電。這時(shí)，放電針100A由于釋放出電子，因此在放電針100A、100B附近的氧分子與從放電針100A釋放出的電子發(fā)生碰撞而釋放出電子，成為正離子。產(chǎn)生的正離子被放電針100A、100B吸引而消失。還有，從氧分子釋放出的電子與下一個(gè)氧分子發(fā)生碰撞而釋放電子。
另一方面，在被施加了0V或者正電壓的對(duì)向電極110附近，因放電而產(chǎn)生的電子被對(duì)向電極110吸引而消失，正離子經(jīng)再結(jié)合而成為臭氧或者氮氧化物。
如這樣通過(guò)空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置，與對(duì)向電極存在于放電針前方的負(fù)離子發(fā)生裝置相比，可能會(huì)產(chǎn)生更多的負(fù)離子，但在產(chǎn)生臭氧或者氮氧化物方面，與對(duì)向電極存在于放電針前方的負(fù)離子發(fā)生裝置是一樣的。
另外，特開(kāi)平11-19201號(hào)公報(bào)公開(kāi)了圖34所示的離子發(fā)生裝置200。離子發(fā)生裝置200具有針狀電極201和平板電極202。針狀電極201在中央部具有開(kāi)口部204，形成為四方形框狀。
另一方面，針狀電極201，其軸線與平板電極202的板面大致平行，并且與平板電極202的放電用框邊202d設(shè)置為可交叉的位置關(guān)系。更具體地說(shuō)，針狀電極201固定在安裝于平板電極202的平行的兩個(gè)框邊202c、202e上的針托203的中間部分。
針狀電極201，其前端部201a朝向平板電極202的框邊202d的方向，并將與平板電極202之間的高度維持在d。針托203，其兩側(cè)有套管205，在套管205內(nèi)插入有調(diào)整螺釘206。
在平板電極202的兩個(gè)框邊202c、202e上，以大致相等的間隔形成有螺釘孔202a，通過(guò)在該螺釘孔202a內(nèi)插入套管205內(nèi)的調(diào)整螺釘206，將針托203及針狀電極201固定在規(guī)定的位置上。
還有，如在針狀電極201上施加負(fù)電壓，則在針狀電極201和平板電極202之間開(kāi)始電暈放電。然后，從針狀電極201的整體產(chǎn)生放電。
從針狀電極201釋放出的電子，與空氣分子碰撞而產(chǎn)生大量的負(fù)離子。
可是，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，由于在兩個(gè)電極之間流經(jīng)電流并在存在于兩個(gè)電極之間的空氣中產(chǎn)生放電，故在施加0V或者正電壓的電極附近也產(chǎn)生負(fù)離子，該產(chǎn)生的負(fù)離子并不消失，帶來(lái)了產(chǎn)生大量臭氧或者氮氧化物的問(wèn)題。
另外，由于在兩個(gè)電極間流經(jīng)電流，如誤接觸了電極，則帶來(lái)產(chǎn)生觸電的問(wèn)題。
還有，由于因溫度造成空氣的電阻變化且放電不穩(wěn)定，帶來(lái)了很難穩(wěn)定得到負(fù)離子的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明的目的就是提供在兩個(gè)電極間不發(fā)生放電而產(chǎn)生離子的離子發(fā)生裝置。
按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有負(fù)電極和電壓施加電路。電壓施加電路具有正極和負(fù)極，并由負(fù)極向負(fù)電極施加用于在負(fù)電極和正電極之間生成比存在于負(fù)電極周圍的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的負(fù)電壓。
還有，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有負(fù)電極和對(duì)向電極。負(fù)電極被施加規(guī)定的負(fù)電壓。對(duì)向電極以與負(fù)電極設(shè)置為規(guī)定的距離來(lái)配置，并被絕緣物覆蓋。
并且，規(guī)定的負(fù)電壓是用于在負(fù)電極和對(duì)向電極之間生成比存在于負(fù)電極和對(duì)向電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電壓還弱的電場(chǎng)的電壓。
另外，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有負(fù)電極和對(duì)向電極。負(fù)電極除前端部之外機(jī)體部被絕緣物覆蓋。對(duì)向電極是為了在與負(fù)電極之間生成規(guī)定的電場(chǎng)而設(shè)置的。
并且，規(guī)定的電場(chǎng)是比存在于負(fù)電極和對(duì)向電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。
還有，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有負(fù)電極、對(duì)向電極、絕緣物和電壓施加電路。絕緣物設(shè)置在負(fù)電極和對(duì)向電極之間。電壓施加電路在負(fù)電極上施加用于在負(fù)電極和對(duì)向電極之間生成比存在于負(fù)電極和對(duì)向電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的負(fù)電壓。
再有，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有負(fù)電極、對(duì)向電極和絕緣物。對(duì)向電極是為了在與負(fù)電極之間生成規(guī)定的電場(chǎng)而設(shè)置的。絕緣物設(shè)置在負(fù)電極和對(duì)向電極之間。
并且，規(guī)定的電場(chǎng)是比存在于負(fù)電極和對(duì)向電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。
此外，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有盒體、絕緣物和電子釋放器。盒體具有開(kāi)口部。絕緣物連接在盒體的內(nèi)壁及開(kāi)口部的端面上而形成，并且接地。電子釋放器配置在盒體內(nèi)，并由開(kāi)口部向盒體外側(cè)釋放電子。
并且，電子釋放器包括釋放電子的負(fù)電極、和具有正極和負(fù)極并從負(fù)極給負(fù)電極施加用于在負(fù)電極和正極之間生成比存在于負(fù)電極周圍的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的負(fù)電壓的電壓施加電路。
再有，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有盒體、第一絕緣物、和電子釋放器。盒體具有開(kāi)口部。第一絕緣物連接在盒體的內(nèi)壁及開(kāi)口部的端面上而形成，并且接地。電子釋放器配置在盒體內(nèi)，并由開(kāi)口部向盒體外側(cè)釋放電子。
并且，電子釋放器包括被施加規(guī)定的負(fù)電壓并放出電子的負(fù)電極、和以與負(fù)電極設(shè)置為規(guī)定的距離來(lái)配置并由第二絕緣物覆蓋的對(duì)向電極，規(guī)定的負(fù)電壓是用于在負(fù)電極和對(duì)向電極之間生成比存在于負(fù)電極和對(duì)向電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電壓還弱的電場(chǎng)的電壓。
另外，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有盒體、第一絕緣物、和電子釋放器。盒體具有開(kāi)口部。第一絕緣物連接在盒體的內(nèi)壁及開(kāi)口部的端面上而形成，并且接地。電子釋放器配置在盒體內(nèi)，并由開(kāi)口部向盒體外側(cè)釋放電子。
并且，電子釋放器除前端部以外包括機(jī)體部被第二絕緣物覆蓋的負(fù)電極、和用于在與負(fù)電極之間生成規(guī)定的電場(chǎng)的對(duì)向電極，規(guī)定的電場(chǎng)是比存在于負(fù)電極與對(duì)向電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。
另外，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有盒體、第一絕緣物、電子釋放器。盒體具有開(kāi)口部。第一絕緣物連接在盒體的內(nèi)壁及開(kāi)口部的端面上而形成，并且接地。電子釋放器配置在盒體內(nèi)，并由開(kāi)口部向盒體外側(cè)釋放電子。
并且，電子釋放器包括釋放電子的負(fù)電極、對(duì)向電極、在負(fù)電極與對(duì)向電極之間設(shè)置的第二絕緣物、給負(fù)電極施加用于在負(fù)電極與對(duì)向電極之間生成比存在于負(fù)電極與對(duì)向電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的負(fù)電壓的電壓施加電路。
再有，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有盒體、第一絕緣物、和電子釋放器。盒體具有開(kāi)口部。第一絕緣物連接在盒體的內(nèi)壁及開(kāi)口部的端面上而形成，并且接地。電子釋放器配置在盒體內(nèi)，并由開(kāi)口部向盒體外側(cè)釋放電子。
并且，電子釋放器包括釋放電子的負(fù)電極、用于在與負(fù)電極之間生成規(guī)定的電場(chǎng)的對(duì)向電極、和在負(fù)電極與對(duì)向電極之間設(shè)置的第二絕緣物，規(guī)定的電場(chǎng)是比存在于負(fù)電極和對(duì)向電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。
另外，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有第一電極和第二電極。第一電極被施加規(guī)定的電壓。第二電極以與第一電極設(shè)置為規(guī)定的距離來(lái)配置，并被絕緣物覆蓋。而且，規(guī)定的電壓是用于在第一電極和第二電極之間生成比存在于第一電極和第二電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電壓還弱的電場(chǎng)的電壓。
再有，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有第一電極、第二電極、絕緣物和電壓施加電路。絕緣物設(shè)置在第一電極與第二電極之間。電壓施加電路在第一電極上施加用于在第一電極和第二電極之間生成比存在于第一電極和第二電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的電壓。
還有，按照本發(fā)明，離子發(fā)生裝置具有第一電極、第二電極和絕緣物。第二電極是用于在與第一電極之間生成規(guī)定的電場(chǎng)的電極。絕緣物設(shè)置在第一電極與第二電極之間。并且，規(guī)定的電場(chǎng)是比存在于第一電極和第二電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。
優(yōu)選為對(duì)向電極由絕緣線構(gòu)成。
優(yōu)選為絕緣物覆蓋對(duì)向電極。
優(yōu)選為絕緣物由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
優(yōu)選為絕緣物覆蓋負(fù)電極的除前端部外的部分。
優(yōu)選為絕緣物由第一及第二絕緣物構(gòu)成，第一絕緣物覆蓋對(duì)向電極，第二絕緣物覆蓋負(fù)電極的除前端部外的部分。
優(yōu)選為第一及第二絕緣物由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
優(yōu)選為第二絕緣物覆蓋對(duì)向電極。
優(yōu)選為第二絕緣物覆蓋負(fù)電極的除前端部外的部分。
優(yōu)選為第二絕緣物由第一及第二電極用絕緣物構(gòu)成，第一電極用絕緣物覆蓋對(duì)向電極，第二電極用絕緣物覆蓋負(fù)電極的除前端部外的部分。
優(yōu)選為第一絕緣物、第一電極用絕緣物及第二電極用絕緣物由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
優(yōu)選為負(fù)電極的前端部呈尖狀。
有關(guān)本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置中，在負(fù)電極(或者第一電極)與對(duì)向電極(或者第二電極)之間生成比產(chǎn)生放電的電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)，并由負(fù)電極釋放出電子。然后，從負(fù)電極釋放出來(lái)的電子與存在于負(fù)電極和對(duì)向電極之間的分子碰撞而生成正離子及電子。生成的正離子被負(fù)電極吸引并被負(fù)電極清除。另外，生成的電子與其他分子附著而產(chǎn)生負(fù)離子。還有，本發(fā)明中電子也可以從負(fù)電極(或者第一電極)附近的空氣分子釋放出來(lái)。
因此，按照本發(fā)明，能優(yōu)先產(chǎn)生負(fù)離子或者正離子。還有，當(dāng)存在于負(fù)電極(或者第一電極)和對(duì)向電極(或者第二電極)之間的介質(zhì)為空氣時(shí)，還能抑制臭氧的產(chǎn)生。
圖1是有關(guān)實(shí)施方式1的負(fù)離子發(fā)生裝置的立體圖。
圖2是從圖1所示的負(fù)離子發(fā)生裝置的A方向看到的剖視結(jié)構(gòu)圖。
圖3是從圖1所示的負(fù)離子發(fā)生裝置的B方向看到的俯視結(jié)構(gòu)圖。
圖4是用于說(shuō)明負(fù)離子的發(fā)生機(jī)構(gòu)的圖。
圖5是圖1所示的負(fù)離子發(fā)生裝置的電氣電路圖。
圖6是房間的俯視圖。
圖7是顯示由實(shí)施方式1的負(fù)離子發(fā)生裝置產(chǎn)生的負(fù)離子的量在圖6所示的房間中的分布的圖。
圖8是顯示由空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置產(chǎn)生的負(fù)離子的量在圖6所示的房間中的分布的圖。
圖9是有關(guān)實(shí)施方式2的負(fù)離子發(fā)生裝置的立體圖。
圖10是從圖9所示的負(fù)離子發(fā)生裝置的A方向看到的剖視結(jié)構(gòu)圖。
圖11是顯示圖9所示的負(fù)離子發(fā)生裝置的對(duì)向電極的配置位置的俯視圖。
圖12～圖15是顯示對(duì)向電極的變形例的圖。
圖16是有關(guān)實(shí)施方式3的負(fù)離子發(fā)生裝置的立體圖。
圖17是有關(guān)實(shí)施方式4的負(fù)離子發(fā)生裝置的立體圖。
圖18是從圖17所示的負(fù)離子發(fā)生裝置的A方向看到的剖視結(jié)構(gòu)圖。
圖19是從圖17所示的負(fù)離子發(fā)生裝置的B方向看到的剖視結(jié)構(gòu)圖。
圖20是有關(guān)實(shí)施方式5的負(fù)離子發(fā)生裝置的立體圖。
圖21是有關(guān)實(shí)施方式6的負(fù)離子發(fā)生裝置的剖視圖。
圖22是有關(guān)實(shí)施方式6的負(fù)離子發(fā)生裝置的其他剖視圖。
圖23是顯示針狀電極的變形例的立體圖。
圖24～圖31是顯示電子釋放器的變形例的圖。
圖32是顯示現(xiàn)有的放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置的主要部分的圖。
圖33是顯示現(xiàn)有的放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置的主要部分的圖。
圖34是顯示現(xiàn)有的放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置的其他主要部分的圖。
具體實(shí)施例方式
下面邊參照附圖邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式予以詳細(xì)說(shuō)明。另外，對(duì)圖中相同或者相當(dāng)部分賦予相同符號(hào)而不重復(fù)其說(shuō)明。
(實(shí)施方式1)
參照?qǐng)D1，實(shí)施方式1的負(fù)離子發(fā)生裝置10具有盒體1、針狀電極2、對(duì)向電極3、絕緣物4、支撐部件5、電源電路6和配線7、8。
絕緣物4、支撐部件5及電源電路6固定在盒體1的底面1A上。盒體1具有開(kāi)口部11。針狀電極2由直徑為0.5mm～1.0mm的鎢構(gòu)成。并且，針狀電極2具有尖的前端部2A，前端部2A以朝向盒體1的開(kāi)口部11的方式被固定在支撐部件5。還有，針狀電極2未被絕緣物覆蓋。此外，針狀電極2并不局限于鎢，只要是密度高且耐熱溫度高的電氣導(dǎo)體就可以。
對(duì)向電極3被絕緣物4覆蓋，相對(duì)針狀電極2以設(shè)定為規(guī)定的距離來(lái)配置。絕緣物4覆蓋對(duì)向電極3。并且，絕緣物4由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中任一種構(gòu)成。因此，絕緣物4使對(duì)向電極3電氣絕緣。另外，構(gòu)成絕緣物4的半導(dǎo)體具有106Ωcm以上的比電阻。即，構(gòu)成絕緣物4的半導(dǎo)體未被摻雜P型或者n型。
支撐部件5由絕緣物構(gòu)成。因此，支撐部件5將針狀電極2從盒體1電氣懸浮。電源電路6生成-5kV～-9kV范圍的負(fù)電壓和接地電壓(0V)。然后，電源電路6通過(guò)配線7將生成的負(fù)電壓施加給針狀電極2、通過(guò)配線8將生成的接地電壓(0V)施加給對(duì)向電極3。
配線7一端連接針狀電極2，另一端連接電源電路6。配線8一端連接對(duì)向電極3，另一端連接電源電路6。因此，針狀電極2通過(guò)配線7接受來(lái)自電源電路6的-5kV～-9kV范圍的負(fù)電壓、通過(guò)配線8接受來(lái)自電源電路6的接地電壓(0V)。
參照?qǐng)D2，對(duì)從A方向看到的圖1所示的負(fù)離子發(fā)生裝置10的剖視結(jié)構(gòu)予以說(shuō)明。絕緣物4、支撐部件5及電源電路6連接于盒體1的底面1A。對(duì)向電極3及絕緣物4配置在針狀電極2的一側(cè)。電源電路6配置在針狀電極2及支撐部件5一側(cè)。
針狀電極2的前端部2A與盒體1的開(kāi)口部11之間的距離L1為0cm～3cm范圍，優(yōu)選約為1cm。另外，在盒體1的底面1A上垂直方向的開(kāi)口部11的距離L2為0.5cm～1cm范圍，優(yōu)選為0.5cm～0.7cm范圍。
參照?qǐng)D3，對(duì)從B方向看到的圖1所示的負(fù)離子發(fā)生裝置10的俯視結(jié)構(gòu)予以說(shuō)明。針狀電極2以其前端部2A至盒體1的開(kāi)口部11為距離L1的位置的方式由支撐部件5固定。對(duì)向電極3及絕緣物4被配置在從針狀電極2的距離L4的位置。距離L4因絕緣物4的材質(zhì)不同而不同。當(dāng)絕緣物4由玻璃構(gòu)成時(shí)距離L4為0mm～15mm范圍，當(dāng)絕緣物4由聚四氟乙烯構(gòu)成時(shí)距離L4為30mm。還有，在盒體1的底面1A上平行方向的開(kāi)口部11的距離L3為0.5cm～1cm范圍，優(yōu)選為0.5cm～0.7cm范圍。再有，對(duì)向電極3和絕緣物4還可以配置為比針狀電極2的前端部2A還靠近開(kāi)口部11側(cè)，也可以配置在支撐部件5與盒體1之間。
如-5kV～-9kV范圍的負(fù)電壓被施加在針狀電極2，接地電壓(0V)被施加在對(duì)向電極3，則負(fù)離子發(fā)生裝置10從開(kāi)口部11釋放出負(fù)離子。參照?qǐng)D4對(duì)負(fù)離子發(fā)生裝置10釋放負(fù)離子的機(jī)構(gòu)予以說(shuō)明。
如負(fù)電壓被施加在針狀電極2、接地電壓(0V)被施加在對(duì)向電極3，則針狀電極2從其前端部2A向盒體1的開(kāi)口部11釋放出電子(或者，針狀電極2從其前端部2A附近的空氣分子中釋放出電子，下面也如此)。被釋放出來(lái)的電子與空氣中的氧分子31及氮分子32碰撞。這樣，氧分子31釋放出電子31B、變?yōu)檎x子31A。另外，氮分子32釋放出電子32B，變?yōu)檎x子32A。然后，電子31B、32B附著在其他氧分子或者氮分子上而生成負(fù)離子33、34。
由電子的碰撞而產(chǎn)生的正離子31A、32A，通過(guò)在針狀電極2和對(duì)向電極3之間生成的電場(chǎng)被引至針狀電極2，并由針狀電極2清除。
其結(jié)果，負(fù)離子發(fā)生裝置10僅生成負(fù)離子33、34。
如-5kV～-9kV范圍的負(fù)電壓被施加在針狀電極2上，則電子從針狀電極2猛烈地飛出并在針狀電極2的附近的領(lǐng)域40碰撞到氧分子31或者氮分子32。然后，在區(qū)域40氧分子31及氮分子32分別釋放出電子31B、32B而變?yōu)檎x子31A、32A。釋放出的電子31B、32B擴(kuò)散至空氣中，并與其他的氧分子或者氮分子附著而生成負(fù)離子33、34。
這樣，負(fù)離子發(fā)生裝置10從針狀電極2釋放出電子并在針狀電極2附近(區(qū)域40)電離空氣中的分子而產(chǎn)生負(fù)離子和電子，該產(chǎn)生的電子通過(guò)施加于針狀電極2上的負(fù)電壓被擴(kuò)散至遠(yuǎn)離針狀電極2的方向，負(fù)離子通過(guò)施加于針狀電極2上的負(fù)電壓吸引。其結(jié)果，負(fù)離子發(fā)生裝置10能僅將電子擴(kuò)散至空氣中，在周圍產(chǎn)生負(fù)離子。
圖5顯示負(fù)離子發(fā)生裝置10的針狀電極2、對(duì)向電極、配線7、8及電源電路6的電路圖。電源6A是將-5kV～-9kV范圍的負(fù)電壓施加在針狀電極2的電源。
通過(guò)在電源6A與針狀電極2之間插入的電流計(jì)測(cè)得的從電源6A流向針狀電極2的電流的結(jié)果為8μA。另外，插入在被施加了接地電壓(0V)的對(duì)向電極與接地點(diǎn)GND之間的電流計(jì)測(cè)得的從對(duì)向電極流向接地點(diǎn)GND的電流的結(jié)果為0A。
因此，在針狀電極2和對(duì)向電極3之間沒(méi)有電流流過(guò)。即，不會(huì)介于存在于針狀電極2和對(duì)向電極3之間的空氣流過(guò)電流。而通過(guò)存在于針狀電極2和對(duì)向電極3之間的空氣并未流有電流意味著在針狀電極2與對(duì)向電極3之間并未產(chǎn)生放電。
當(dāng)絕緣物4由玻璃構(gòu)成時(shí)，針狀電極2和對(duì)向電極之間的距離L4比如為10mm。并且，由于施加給針狀電極2的負(fù)電壓為-5kV～-9kV范圍，因此針狀電極2與對(duì)向電極3之間的電場(chǎng)為-5kV/cm～-9kV/cm范圍。
由于為在一個(gè)氣壓的空氣中引起放電而必須有10kv/cm以上的電場(chǎng)，因此施加給針狀電極2的負(fù)電壓是生成比用于在針狀電極2和對(duì)向電極3之間產(chǎn)生放電的電場(chǎng)(即、空氣的絕緣擊穿電場(chǎng))還弱的電場(chǎng)的電壓。
因此，本發(fā)明的特征就是生成比在針狀電極2和對(duì)向電極3之間產(chǎn)生放電的電場(chǎng)(即、空氣的絕緣擊穿電場(chǎng))還弱的電場(chǎng)。
再次參照?qǐng)D1，如電源電路6通過(guò)配線7將-5kV～-9kV范圍的負(fù)電壓施加給針狀電極2、通過(guò)配線8將接地電壓(0V)施加給對(duì)向電極3，則在針狀電極2和對(duì)向電極3之間生成比空氣的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)，針狀電極2從前端部2A或者前端部2A附近的空氣分子中釋放出電子。然后，被釋放出來(lái)的電子與空氣中的氧分子31或者氮分子32碰撞而生成正離子31A、32A和電子31B、32B。這樣，針狀電極2吸引在前端部2A附近生成的正離子，而從氧分子31或者氮分子32釋放出的電子31B、32B附著其他氧分子或者氮分子而生成負(fù)離子33、34。因此，負(fù)離子發(fā)生裝置10從開(kāi)口部11釋放出負(fù)離子33、34。
表1是對(duì)有關(guān)本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置的1號(hào)機(jī)到10號(hào)機(jī)測(cè)得的產(chǎn)生的負(fù)離子量的結(jié)果。為了做比較，顯示了空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置的測(cè)得結(jié)果。
表1
單位萬(wàn)個(gè)/cm3
測(cè)量負(fù)離子的測(cè)量器如下。即、使用型號(hào)為ANDES電氣ITC-201A、測(cè)量方式為平板方式的測(cè)量器(稱為測(cè)量器A)和型號(hào)為SigmatechSC-10、測(cè)量方式為2重圓筒方式的測(cè)量器(稱為測(cè)量器B)測(cè)量負(fù)離子量。
測(cè)量順序首先是對(duì)空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置進(jìn)行測(cè)量，然后，對(duì)本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置的1號(hào)機(jī)～5號(hào)機(jī)順次測(cè)量負(fù)離子量。接著，再次對(duì)空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置測(cè)量負(fù)離子量，然后，對(duì)本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置的6號(hào)機(jī)～10號(hào)機(jī)順次測(cè)量負(fù)離子量。最后，對(duì)空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置測(cè)量負(fù)離子量。
上述測(cè)量是在氣溫為25℃、濕度為50％條件下和氣溫為26℃、濕度為58％條件下進(jìn)行的。
其結(jié)果，揭示了本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置無(wú)論用測(cè)量器A還是B測(cè)量，與空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置相比，都產(chǎn)生了2倍以上的負(fù)離子。另外濕度從50％到58％變化基本沒(méi)有造成負(fù)離子發(fā)生量的變化。
盡管空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置在使用放電方式產(chǎn)生負(fù)離子的裝置中產(chǎn)生最多的負(fù)離子，但很明顯本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置比該空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
表2顯示負(fù)離子量與從負(fù)離子發(fā)生裝置的距離的依賴關(guān)系。
表2測(cè)量器SigmatechSC-10(2重圓筒方式) 單位萬(wàn)個(gè)/cm3
測(cè)量器使用上述的測(cè)量器B。測(cè)量條件為氣溫25℃、濕度51％。很明顯本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置在測(cè)量的所有距離中都比空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
另外，空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置的負(fù)離子產(chǎn)生量，是相對(duì)本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置的負(fù)離子產(chǎn)生量在距離為3mm位置的59％，相應(yīng)的是在距離為1m的位置的43％。這意味著本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置能在更寬范圍產(chǎn)生負(fù)離子。
表3顯示對(duì)本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置的1號(hào)機(jī)～10號(hào)機(jī)測(cè)量從負(fù)離子發(fā)生裝置3mm的位置及10cm位置的負(fù)離子量的結(jié)果。
表226℃58％ SigmatechSC-10(2重圓筒方式)單位萬(wàn)個(gè)/cm3
在3mm距離，1號(hào)機(jī)～10號(hào)機(jī)產(chǎn)生的負(fù)離子量的平均值為764萬(wàn)個(gè)/cm3，在10cm距離，1號(hào)機(jī)～10號(hào)機(jī)產(chǎn)生的負(fù)離子量的平均值為438萬(wàn)個(gè)/cm3。因此，在兩個(gè)距離下，1號(hào)機(jī)～10號(hào)機(jī)間的機(jī)器的負(fù)離子量的偏差很小。因此，本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置具備充分的作為裝置的再現(xiàn)性。
表4顯示本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置與空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置的臭氧產(chǎn)生量的對(duì)比。測(cè)量場(chǎng)所為裝置的正面。另外，測(cè)量條件為氣溫25℃、濕度50％。還有，測(cè)量裝置為荏原實(shí)業(yè)(株)的臭氧監(jiān)視器EG-5000。
表4
在中央及左側(cè)兩個(gè)地方，本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置的臭氧產(chǎn)生量為檢測(cè)界限以下，與空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置情況下相比少了兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。
表5顯示本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置及空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置的多個(gè)機(jī)器的臭氧量的比較結(jié)果。測(cè)量條件為氣溫22℃、濕度60％。
表5
在本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置的情況下，對(duì)所有機(jī)器的臭氧產(chǎn)生量都在檢測(cè)界限以下，與空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置相比臭氧的產(chǎn)生量要少。
圖6顯示具有一定面積的房間30的俯視圖。長(zhǎng)度L7為3.46m、長(zhǎng)度L8為4.36m。對(duì)房間30的點(diǎn)P1～P6的各點(diǎn)測(cè)量負(fù)離子發(fā)生裝置10產(chǎn)生的負(fù)離子量。點(diǎn)P1、P2、P3、P5位于房間30的4個(gè)角落，點(diǎn)P4位于點(diǎn)P3和點(diǎn)P5的中間點(diǎn)，點(diǎn)P6位于從負(fù)離子發(fā)生裝置10的2m位置。
表6顯示本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置10產(chǎn)生的負(fù)離子量在各點(diǎn)P1～P6的測(cè)量結(jié)果。
表630℃56％RH 單位個(gè)/cm3
在表6中為了比較而顯示了空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置產(chǎn)生的負(fù)離子量在點(diǎn)P1～P6的測(cè)量結(jié)果。測(cè)量條件為氣溫30℃、濕度56％。
由本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置10產(chǎn)生的負(fù)離子量，使用測(cè)量器A、B中的任一個(gè)測(cè)量器測(cè)量，都是以點(diǎn)P1、P2、P6、P4、P3、P5的順序減少，在點(diǎn)P5減少最多。
另一方面，由空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置產(chǎn)生的負(fù)離子量以點(diǎn)P1、P2、P6、P3、P4、P5的順序減少，在點(diǎn)P5減少最多。
由此，可以看出本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置10，在點(diǎn)P1～P6的所有點(diǎn)都能產(chǎn)生比空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置產(chǎn)生多的負(fù)離子。即，本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置10在15.08m2(＝4.36m×3.46m)的面積內(nèi)能比空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置產(chǎn)生多的負(fù)離子。
圖7顯示由本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置10產(chǎn)生的負(fù)離子量在點(diǎn)P1～P6的分布。圖8顯示由空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置產(chǎn)生的負(fù)離子量在點(diǎn)P1～P6的分布。另外，圖7及圖8所示負(fù)離子量由測(cè)量器B測(cè)量。
圖7及圖8中縱軸表示負(fù)離子量。從圖7及圖8可以看出本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置10在房間30，比空中放電方式的負(fù)離子發(fā)生裝置產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
表7顯示瀑布中產(chǎn)生的負(fù)離子量的測(cè)量結(jié)果。
表730℃ 60％RH
表7所示的負(fù)離子量是通過(guò)測(cè)量器A測(cè)量的，測(cè)量條件為氣溫30℃、濕度60％。測(cè)量地點(diǎn)為從瀑布向水平方向約15m的位置和從瀑布向水平方向約30m的位置。在從瀑布約15m的位置檢測(cè)出20000～30000個(gè)/cm3的負(fù)離子，在從瀑布約30m的位置檢測(cè)出5000～8000個(gè)/cm3的負(fù)離子。
一般來(lái)講，有評(píng)價(jià)說(shuō)在瀑布的周圍存在的負(fù)離子量有益健康，并揭示了對(duì)健康有利的負(fù)離子量為數(shù)千～數(shù)萬(wàn)個(gè)/cm3的范圍。
如表6所示，本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置10是在有約15m2面積的房間30的全區(qū)域中，產(chǎn)生22000個(gè)/cm3以上的負(fù)離子量。另外，該數(shù)字是為了與表7的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行比較而由測(cè)量器A測(cè)量的值。
由此，揭示了本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置10能產(chǎn)生比評(píng)價(jià)的有益健康的負(fù)離子量還多的負(fù)離子量。
如上所述，本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置10與現(xiàn)有的負(fù)離子發(fā)生裝置相比，能在廣范圍內(nèi)產(chǎn)生很多的負(fù)離子，并能抑制臭氧的產(chǎn)生。
另外，本發(fā)明的負(fù)離子發(fā)生裝置10能產(chǎn)生比在自然界產(chǎn)生的負(fù)離子量更多的負(fù)離子。
還有，電源電路6構(gòu)成“電壓施加電路”。此外，針狀電極2、對(duì)向電極3、絕緣物4、電源電路6及配線7、8構(gòu)成“電子釋放器”。
(實(shí)施方式2)參照?qǐng)D9，實(shí)施方式2的負(fù)離子發(fā)生裝置10A，是在負(fù)離子發(fā)生裝置10中追加絕緣物9并消除絕緣物4的裝置，其他與負(fù)離子發(fā)生裝置10相同。
絕緣物9，除針狀電極2的前端部2A及后端部2B之外機(jī)體部2C被覆蓋。針狀電極2的機(jī)體部2C由絕緣物9覆蓋而構(gòu)成負(fù)電極20。負(fù)電極20通過(guò)由機(jī)體部2C及絕緣物9貫穿支撐部件5而固定在支撐部件5。針狀電極2的后端部2B連接于配線7。
在負(fù)離子發(fā)生裝置10A對(duì)向電極3未被覆蓋而是針狀電極2的機(jī)體部2C被絕緣物9覆蓋。即，通過(guò)將針狀電極2的一部分由絕緣物9覆蓋，而使在針狀電極2和對(duì)向電極3之間沒(méi)有電流流過(guò)。
參照?qǐng)D10，對(duì)從圖9所示的負(fù)離子發(fā)生裝置10A的A方向看到的剖視構(gòu)造予以說(shuō)明。盒體1的底面1A上設(shè)置有對(duì)向電極3、支撐部件5及電源電路6。并且，負(fù)電極20通過(guò)其機(jī)體部2C及絕緣物9貫穿支撐部件5使其由支撐部件5固定。其他，與圖2的說(shuō)明相同。
另外，從圖9所示的負(fù)離子發(fā)生裝置10A的B方向看到的剖視構(gòu)造與圖3所示的俯視構(gòu)造相同。
參照?qǐng)D11，對(duì)對(duì)向電極3的配置位置予以說(shuō)明。設(shè)從負(fù)電極20的前端部2A朝向后端部2B的方向?yàn)閤方向，則對(duì)向電極3通常被配置為面向絕緣物9的x方向的中央部cp?？墒牵瑢?duì)向電極3并不局限于此，也可以配置為與針狀電極2的前端部2A所接觸的面15相比靠近x方向一側(cè)。因此，對(duì)向電極3也可以配置在點(diǎn)C～F的任意位置上。如將對(duì)向電極3配置為與平面15相比更靠近與x方向相反一側(cè)，則未被絕緣物覆蓋的針狀電極2和對(duì)向電極3成為相互面對(duì)而使在針狀電極2和對(duì)向電極3之間很容易產(chǎn)生放電，因此為防止這種情況的發(fā)生而將對(duì)向電極3的配置位置限定于上述方式。
其他，與負(fù)離子發(fā)生裝置10相同。
再次參照?qǐng)D9，如電源電路6通過(guò)配線7將-5kV～-9kV范圍的負(fù)電壓施加給針狀電極2、通過(guò)配線8將接地電壓(0V)施加給對(duì)向電極3，則在針狀電極2和對(duì)向電極3之間生成比空氣的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)，負(fù)電極20由前端部2A釋放出電子?；蛘?，負(fù)電極20由前端部2A附近的空氣分子中釋放出電子。被釋放出來(lái)的電子與空氣中的氧分子31或者氮分子32碰撞而產(chǎn)生的正離子31A、32A和電子31B、32B。然后，氧分子31釋放出電子31B、變?yōu)檎x子31A。這樣，負(fù)電極20吸引在前端部2A產(chǎn)生的正離子31A、32A，從氧分子31或者氮分子32釋放出的電子31B、32B與其他的氧分子或者氮分子附著而生成負(fù)離子33、34。然后，負(fù)離子發(fā)生裝置10A從開(kāi)口部11釋放出負(fù)離子33、34。
像這樣，通過(guò)對(duì)向電極3未被絕緣物覆蓋而被施加負(fù)電壓的針狀電極2的機(jī)體部2C被絕緣物9覆蓋的方式，也能在針狀電極2和對(duì)向電極之間生成比空氣的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)，并能產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
參照?qǐng)D12～圖15，對(duì)對(duì)向電極3的變形例予以說(shuō)明。參照?qǐng)D12，對(duì)向電極可以是沿負(fù)電極20的絕緣物9的周邊方向彎曲成弧狀的對(duì)向電極3A。
參照?qǐng)D13，對(duì)向電極3也可以是線狀的對(duì)向電極3B。但是，對(duì)向電極3B更具體地講，可以由通常的配線材料構(gòu)成。
參照?qǐng)D14，對(duì)向電極3可以是以負(fù)電極20的絕緣物9為中心軸的環(huán)狀的對(duì)向電極3C。
參照?qǐng)D15，對(duì)向電極3可以是在負(fù)電極20的軸方向上彎曲成螺旋狀的對(duì)向電極3D。
將圖12～圖15所示的對(duì)向電極3A～3D使用于負(fù)離子發(fā)生裝置10A，也能在針狀電極2和對(duì)向電極之間生成比空氣的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)，并能抑制臭氧的產(chǎn)生并生成更多的負(fù)離子。
也可以將圖12～圖15所示的對(duì)向電極3A～3D使用于實(shí)施方式1所負(fù)離子發(fā)生裝置10。
另外，負(fù)電極20、對(duì)向電極3、電源電路6及配線7、8構(gòu)成“電子釋放器”。
其他與實(shí)施方式1相同。
(實(shí)施方式3)參照?qǐng)D16，實(shí)施方式3的負(fù)離子發(fā)生裝置10B，是在負(fù)離子發(fā)生裝置10中追加絕緣物9的裝置，其他與負(fù)離子發(fā)生裝置10相同。
針狀電極2及絕緣物9構(gòu)成負(fù)電極20。因此，對(duì)于絕緣物9的具體材料，向負(fù)電極20的支撐部件5的固定方法及負(fù)電極20與配線7的連接方法方面，與實(shí)施方式2中說(shuō)明的相同。
在負(fù)離子發(fā)生裝置10B中，針狀電極2及對(duì)向電極3分別被絕緣物4、9覆蓋。因此，對(duì)向電極3及絕緣物4可以如實(shí)施方式1中說(shuō)明的那樣，配置在盒體1內(nèi)的任何位置。
在針狀電極2及對(duì)向電極3分別被絕緣物4、9覆蓋的負(fù)離子發(fā)生裝置10B中，通過(guò)配線7將-5kV～-9kV的負(fù)電壓施加給針狀電極2、通過(guò)配線8將接地電壓(0V)施加給對(duì)向電極3，則在針狀電極2和對(duì)向電極3之間生成比空氣的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)，并產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
另外，負(fù)電極20、對(duì)向電極3、絕緣物4、電源電路6及配線7、8構(gòu)成“電子釋放器”。
其他與實(shí)施方式1、2相同。
(實(shí)施方式4)參照?qǐng)D17，實(shí)施方式4的負(fù)離子發(fā)生裝置10C，是將負(fù)離子發(fā)生裝置10中的絕緣物4替換為絕緣物12的裝置，其他與負(fù)離子發(fā)生裝置10相同。
絕緣物12配置在針狀電極2和對(duì)向電極3之間。即，絕緣物12并不是覆蓋針狀電極2或者對(duì)向電極3，而是用于在空間上隔離開(kāi)針狀電極2和對(duì)向電極3而配置在針狀電極2與對(duì)向電極3之間。絕緣物12可以由玻璃、陶瓷及樹(shù)脂中的任一個(gè)構(gòu)成。還有，絕緣物12具有比對(duì)向電極3還高至少3mm左右以上的高度H、比對(duì)向電極3還寬至少3mm左右以上的寬度W、及0.1mm左右以上的深度D。因此，深度D由絕緣物的絕緣能力而決定。還有，絕緣物12可以由有106Ωcm以上的比電阻的半導(dǎo)體(即未摻雜為p型或者n型的半導(dǎo)體)構(gòu)成。此時(shí)，絕緣物12的深度D為數(shù)百微米左右。
負(fù)離子發(fā)生裝置10C并不是通過(guò)用絕緣物覆蓋針狀電極2及對(duì)向電極3兩個(gè)，而是通過(guò)在針狀電極2和對(duì)向電極3之間配置絕緣物12，在針狀電極2和對(duì)向電極3之間生成比空氣的絕緣擊穿電壓還弱的電場(chǎng)的裝置。
參照?qǐng)D18，對(duì)從圖17所示的負(fù)離子發(fā)生裝置10C的A方向看到的剖視構(gòu)造予以說(shuō)明。支撐部件5電源電路6及絕緣物12配置在盒體1的底面1A上。并且，絕緣物12配置在針狀電極2的后面一側(cè)，對(duì)向電極3配置在絕緣物12的更后面一側(cè)(圖18中，對(duì)向電極3被絕緣物12掩藏)。其他，與圖2的說(shuō)明相同。
參照?qǐng)D19，對(duì)從圖17所示的負(fù)離子發(fā)生裝置10C的B方向看到的剖視構(gòu)造予以說(shuō)明。絕緣物12配置在與針狀電極2平行的從針狀電極2隔開(kāi)距離L5的位置上。還有，對(duì)向電極3配置在從絕緣物12隔開(kāi)距離L6的位置上。距離L5是在0～30mm范圍、距離L6是在0～30mm范圍。
其他與圖3的說(shuō)明相同。
如給針狀電極2施加負(fù)電壓、給對(duì)向電極3施加接地電壓(0V)，則生成從對(duì)向電極3朝向針狀電極2的電場(chǎng)。然后，在該電場(chǎng)電力線從對(duì)向電極3出發(fā)射入到針狀電極2。此時(shí)，由于電力線具有集中于尖的部分的特性，因此在針狀電極2的前端部2A電力線集中的傾向更強(qiáng)烈。故絕緣物12優(yōu)選為配置在遮擋連接對(duì)向電極3和針狀電極2的前端部2A的直線的位置。
在針狀電極2及對(duì)向電極3由絕緣物12隔開(kāi)的負(fù)離子發(fā)生裝置10C中，通過(guò)配線7將-5kV～-9kV的負(fù)電壓施加給針狀電極2、通過(guò)配線8將接地電壓(0V)施加給對(duì)向電極3，則在針狀電極2和對(duì)向電極3之間生成比空氣的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)，并產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
另外，針狀電極2、對(duì)向電極3、絕緣物12、電源電路6及配線7、8構(gòu)成“電子釋放器”。
其他與實(shí)施方式1相同。
(實(shí)施方式5)參照?qǐng)D20，實(shí)施方式5的負(fù)離子發(fā)生裝置10D，是將負(fù)離子發(fā)生裝置10中的對(duì)向電極3、絕緣物4及配線8刪除的裝置，其他與負(fù)離子發(fā)生裝置10相同。
電源電路6通過(guò)配線7將-5kV～-9kV范圍的負(fù)電壓施加給針狀電極2、并將接地電壓(0V)向端子66輸出。這樣，則在針狀電極2和電源電路6之間生成比空氣的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。然后，針狀電極2由前端部2A釋放出電子，該被釋放出來(lái)的電子與空氣中的氧分子或者氮分子碰撞而產(chǎn)生的正離子。針狀電極2再將產(chǎn)生的正離子吸引，并將空氣中生成的正離子清除。接著，從氧分子或者氮分子釋放出的電子與其他的氧分子或者氮分子附著而生成負(fù)離子。
負(fù)離子發(fā)生裝置10D中由于在針狀電極2與電源電路6的端子66之間沒(méi)有產(chǎn)生放電，因此正離子只在針狀電極2的前端部2A附近產(chǎn)生。因此，像負(fù)離子發(fā)生裝置10D，盡管未設(shè)置對(duì)向電極3也能特別抑制臭氧的產(chǎn)生，生成大量的負(fù)離子。
另外，針狀電極2、電源電路6及配線7構(gòu)成“電子釋放器”。還有，實(shí)施方式5的負(fù)離子發(fā)生裝置，還可以是從實(shí)施方式2的負(fù)離子發(fā)生裝置10A中刪除對(duì)向電極3及配線8的裝置，或者是從實(shí)施方式3的負(fù)離子發(fā)生裝置10B中刪除對(duì)向電極3、絕緣物4及配線8的裝置，或者是從實(shí)施方式4的負(fù)離子發(fā)生裝置10C中刪除對(duì)向電極3、絕緣物12及配線8的裝置。
其他與實(shí)施方式1、2、3、4相同。
(實(shí)施方式6)實(shí)施方式6的負(fù)離子發(fā)生裝置，是將負(fù)離子發(fā)生裝置10的盒體1的內(nèi)壁用絕緣物覆蓋的負(fù)離子發(fā)生裝置。參照?qǐng)D21，對(duì)實(shí)施方式6的負(fù)離子發(fā)生裝置10E的剖視構(gòu)造予以說(shuō)明。盒體1的內(nèi)壁由絕緣物13覆蓋。盒體1具有開(kāi)口部11，開(kāi)口部11的端面11A、11A也由絕緣物13覆蓋。即，絕緣物13覆蓋盒體1的內(nèi)壁及開(kāi)口部11的端面11A、11A以使從針狀電極2釋放出的電子不附帶在盒體1上。并且，使絕緣物13接地。還有，絕緣物13由聚四氟乙烯或者絕緣子構(gòu)成。另外，絕緣物13也可以由陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
用絕緣物13覆蓋盒體1的內(nèi)壁及開(kāi)口部11的端面11A、11A是基于如下的理由。如不設(shè)置絕緣物13，則從針狀電極2釋放出的電子，其中的一部分會(huì)附著在盒體1的內(nèi)壁及開(kāi)口部11的端面11A、11A。這樣，即使盒體1由絕緣物構(gòu)成，也會(huì)使電氣流通，從而在盒體1與針狀電極2之間放電。因此，為了防止由盒體1帶電而造成在盒體1與針狀電極2之間產(chǎn)生放電，而要由絕緣物13覆蓋盒體1的內(nèi)壁及開(kāi)口部11的端面11A、11A。
對(duì)向電極3、絕緣物4、支撐部件5及電源電路6配置在接地的絕緣物13上。
圖21所示的負(fù)離子發(fā)生裝置10E的開(kāi)口部11，在其端面11A、11A上形成有斜面。這樣，可以使產(chǎn)生的電子及負(fù)離子很容易地從開(kāi)口部11向外部釋放。
其他與圖2的說(shuō)明相同。
負(fù)離子發(fā)生裝置10E如圖22所示，如果開(kāi)口部11的端面11A、11A由絕緣物13覆蓋，則也可以不形成斜面。
在負(fù)離子發(fā)生裝置10E中，電源電路6通過(guò)配線7將-5kV～-9kV范圍的負(fù)電壓施加給針狀電極2、通過(guò)配線8將接地電壓(0V)施加給對(duì)向電極3，則在針狀電極2和對(duì)向電極3之間生成比空氣的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)，針狀電極2向開(kāi)口部11的方向釋放電子。然后，在針狀電極2的前端部2A的附近，從針狀電極2釋放出電子與空氣中的氧分子或者氮分子發(fā)生碰撞，并產(chǎn)生正離子及電子。正離子被針狀電極2吸引而清除，電子與其他的氧分子或者氮分子附著而生成負(fù)離子。
然后，負(fù)離子發(fā)生裝置10E從開(kāi)口部11向外部釋放出電子及負(fù)離子。此時(shí)，由于盒體1的內(nèi)壁及開(kāi)口部11的端面11A、11A被絕緣物13覆蓋，因此盒體1不因從針狀電極2釋放出的電子而帶電，故在盒體1與針狀電極2之間不產(chǎn)生放電。
從而，負(fù)離子發(fā)生裝置10E能穩(wěn)定地產(chǎn)生負(fù)離子。
另外，針狀電極20、對(duì)向電極3、絕緣物4、電源電路6及配線7、8和絕緣物13構(gòu)成“電子釋放器”。
還有，絕緣物13也可以適用于負(fù)離子發(fā)生裝置10A、10B、10C、10D中的任一個(gè)。此時(shí)，與負(fù)離子發(fā)生裝置10E一樣，在盒體1與針狀電極2之間不產(chǎn)生放電。
其他與實(shí)施方式1～實(shí)施方式5相同。
針狀電極2也可以是如圖23所示的針狀電極21。針狀電極21由板狀的主體210、尖端部211、212和絕緣物213構(gòu)成。尖端部211、212安裝在主體210上，或者作為主體210的一部分來(lái)形成。絕緣物213由樹(shù)脂構(gòu)成，除尖端部211、212外覆蓋主體210。
使用針狀電極21的情況下，也能在針狀電極2和對(duì)向電極3之間生成比空氣的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)，且能抑制臭氧的發(fā)生并產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
還有，由于針狀電極21具有多個(gè)尖端部211、212，故能釋放出更多的電子，其結(jié)果，能產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
參照?qǐng)D24～圖31，對(duì)包括針狀電極2和對(duì)向電極3的電子釋放器的變形例予以說(shuō)明。
參照?qǐng)D24，電子釋放器140包括2根針狀電極2、2和具有配線131的印刷基板130、支撐部件5及配線7、8。2根針狀電極2、2其一部分彎曲為直角。然后，通過(guò)將彎曲為直角的部分插入到支撐部件5而將2根針狀電極2、2固定在支撐部件5。配線7在支撐部件5中連接針狀電極2、2。還有，具有配線131的印刷基板130配置在2根針狀電極2、2的下側(cè)，配線8與配線131連接。此時(shí)，印刷基本130配置為介于配線131和2根針狀電極2、2之間。
如果電源電路6通過(guò)配線7將-5kV～-9kV范圍的負(fù)電壓施加給針狀電極2、2，通過(guò)配線8將接地電壓(0V)施加給配線131，由于在針狀電極2、2與作為對(duì)向電極3的配線131之間由絕緣物的印刷基板130予以絕緣，則在針狀電極2、2與配線131之間不產(chǎn)生放電。其結(jié)果，通過(guò)上述機(jī)構(gòu)，能抑制臭氧的產(chǎn)生并生成更多的負(fù)離子。
參照?qǐng)D25，電子釋放器141包括2根針狀電極2、2和具有配線131的印刷基板130及配線7、8。2根針狀電極2、2其一部分彎曲為直角。然后，通過(guò)將彎曲為直角的部分插入到印刷基板130而將2根針狀電極2、2固定在具有配線131的印刷基板130。此時(shí)，2根針狀電極2、2固定在與配線131所設(shè)置的印刷基板130的表面相反的表面上。并且，配線7連接在2根針狀電極2、2，配線8連接在配線131。
電子釋放器141與電子釋放器140一樣，也能抑制臭氧的產(chǎn)生并生成更多的負(fù)離子。在電子釋放器141的情況下，由于具有配線131的印刷基板130作為配置在針狀電極2、2的支撐部件5及針狀電極2與對(duì)向電極3之間的絕緣物12發(fā)揮作用，從而能更簡(jiǎn)單地形成電子釋放器。
參照?qǐng)D26，電子釋放器142包括2根針狀電極2、2和印刷基板130A、130B和配線131及配線7、8。2根針狀電極2、2其一部分彎曲為直角。然后，通過(guò)將彎曲為直角的部分插入到印刷基板130A而將2根針狀電極2、2固定在印刷基板130的一個(gè)表面。配線7連接2根針狀電極2、2。
配線131形成在印刷基本130A及印刷基板130B中任一個(gè)的表面上，并由印刷基本130A和印刷基板130B夾持。并且，配線8連接在配線131。
在電子釋放器142中，由于作為對(duì)向電極3的配線131由2塊印刷基板130A、130B與針狀電極2、2絕緣，因此電子釋放器142由上述機(jī)構(gòu)，也能抑制臭氧的發(fā)生并產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
參照?qǐng)D27，電子釋放器143是在圖25所示的電子釋放器142中的用直線狀的針狀電極2、2代替針狀電極2、2的電子釋放器，其他與電子釋放器141相同。
參照?qǐng)D28，電子釋放器144是在圖26所示的電子釋放器142中的用直線狀的針狀電極2、2代替針狀電極2、2的電子釋放器，其他與電子釋放器142相同。
參照?qǐng)D29，電子釋放器145包括2根針狀電極2、2和具有配線131的印刷基板130和絕緣物132及配線7、8。2根針狀電極2、2呈直線形狀。然后，通過(guò)將2根針狀電極2、2的一部分插入到印刷基板130而將其固定在印刷基板130。
在電子釋放器145中，配線131被配置在與針狀電極2、2所固定的印刷基板130的表面相同的表面上。并且，絕緣物132形成在印刷基板130的表面以覆蓋配線131。配線7連接在針狀電極2、2，配線8連接在配線131。
在電子釋放器145中，由于作為對(duì)向電極3的配線131由絕緣物132與針狀電極2、2絕緣，因此電子釋放器145由與上述機(jī)構(gòu)相同的機(jī)構(gòu)，能抑制臭氧的發(fā)生并產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
參照?qǐng)D30，電子釋放器146包括針狀電極2(2A)、對(duì)向電極133和絕緣物134。對(duì)向電極133由具有比針狀電極2的直徑還大的直徑的管道構(gòu)成。并且，對(duì)向電極133的內(nèi)壁及端面由絕緣物134覆蓋。還有，針狀電極2插入到對(duì)向電極133中，并從對(duì)向電極133僅伸出前端部2A。針狀電極2連接在配線7并被施加-5kV～-9kV的負(fù)電壓。此外，對(duì)向電極133連接在配線8并被施加接地電壓(0V)。
在電子釋放器146中，由于對(duì)向電極133由絕緣物134與針狀電極2絕緣，因此電子釋放器146由與上述機(jī)構(gòu)相同的機(jī)構(gòu)，能抑制臭氧的發(fā)生并產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
參照?qǐng)D31，電子釋放器147包括針狀電極2和配線135、136。配線135、136由被絕緣物覆蓋的通常的配線構(gòu)成。并且，配線135、136配置為其一端接觸針狀電極2。此時(shí)，與針狀電極2接觸的一端由絕緣物覆蓋。
針狀電極2連接在配線7并被施加-5kV～-9kV的負(fù)電壓。此外，配線135、136連接在配線8并被施加接地電壓(0V)。在電子釋放器147中，由于作為對(duì)向電極3的配線135、136由絕緣物與針狀電極2絕緣，因此電子釋放器147由與上述機(jī)構(gòu)相同的機(jī)構(gòu)，能抑制臭氧的發(fā)生并產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
將圖24～圖31所示的電子釋放器140～147適用于負(fù)離子發(fā)生裝置10～10E的任一個(gè)中，都能如上所述，抑制臭氧的發(fā)生并產(chǎn)生更多的負(fù)離子。
還有在上述說(shuō)明中，是對(duì)以空氣作為存在于兩個(gè)電極之間的介質(zhì)予以說(shuō)明的，但在本發(fā)明中存在于兩個(gè)電極之間的介質(zhì)并不局限于空氣，也可以是其他的介質(zhì)。
當(dāng)存在于兩個(gè)電極之間的介質(zhì)是空氣以外的其他物質(zhì)時(shí)，在針狀電極2上施加用于生成比存在于兩個(gè)電極之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的負(fù)電壓。
即，本發(fā)明可以適用于通過(guò)使存在于兩個(gè)電極之間的介質(zhì)不產(chǎn)生放電來(lái)優(yōu)先產(chǎn)生負(fù)離子的負(fù)離子發(fā)生裝置中。
還有，在上述說(shuō)明中，對(duì)對(duì)向電極被施加接地電壓(0V)的情況予以了說(shuō)明，但本發(fā)明中并不局限于接地電壓(0V)，可以是對(duì)對(duì)向電極3施加生成比存在于針狀電極2和對(duì)向電極3之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的正電壓。
再有，在上述說(shuō)明中，對(duì)負(fù)離子發(fā)生裝置10～10E產(chǎn)生負(fù)離子予以了說(shuō)明，但通過(guò)對(duì)針狀電極2施加5kV～9kV的正電壓并對(duì)對(duì)向電極3施加接地電壓(0V)，負(fù)離子發(fā)生裝置10～10E可以用與上述機(jī)構(gòu)相同的機(jī)構(gòu)僅產(chǎn)生正離子。并且，產(chǎn)生的正離子量與上述的負(fù)離子量相等。
因此，上述負(fù)離子發(fā)生裝置10～10E構(gòu)成僅產(chǎn)生負(fù)離子、或者僅產(chǎn)生正離子的離子發(fā)生裝置。
還有，僅產(chǎn)生負(fù)離子、或者僅產(chǎn)生正離子的離子發(fā)生裝置適用于去靜電裝置中。適用于去靜電裝置中的離子發(fā)生裝置，在一定期間內(nèi)將-5kV～-9kV的負(fù)電壓及接地電壓(0V)分別施加給針狀電極2和對(duì)向電極3而產(chǎn)生負(fù)離子，在一定期間內(nèi)將5kV～9kV的正電壓及接地電壓(0V)分別施加給針狀電極2和對(duì)向電極3而產(chǎn)生正離子。像這樣在一定的周期交互地產(chǎn)生負(fù)離子和正離子的離子發(fā)生裝置適用于去靜電裝置中。
生產(chǎn)上利用的可能性本發(fā)明可以適用于在針狀電極與對(duì)向電極之間生成比空氣的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生離子的離子發(fā)生裝置中。
權(quán)利要求
1.一種離子發(fā)生裝置，包括負(fù)電極(2)；和電壓施加電路(6)，該電壓施加電路(6)具有正極和負(fù)極，并由所述負(fù)極向所述負(fù)電極(2)施加用于在所述負(fù)電極(2)和所述正電極之間生成比存在于所述負(fù)電極(2)周圍的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的負(fù)電壓。
2.一種離子發(fā)生裝置，包括被施加規(guī)定的負(fù)電壓的負(fù)電極(2)；和以與所述負(fù)電極(2)設(shè)置為規(guī)定的距離來(lái)配置并被絕緣物(4)覆蓋的對(duì)向電極(3)；所述規(guī)定的負(fù)電壓是用于在所述負(fù)電極(2)和所述對(duì)向電極(3)之間生成比存在于所述負(fù)電極(2)和所述對(duì)向電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電壓還弱的電場(chǎng)的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述對(duì)向電極(3)由絕緣線(135、136)構(gòu)成。
4.一種離子發(fā)生裝置，包括除前端部(2A)之外機(jī)體部(2C)被絕緣物(9)覆蓋的負(fù)電極(20)；和用于在與所述負(fù)電極(20)之間生成規(guī)定的電場(chǎng)的對(duì)向電極(3)；所述規(guī)定的電場(chǎng)是比存在于所述負(fù)電極(20)和所述對(duì)向電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。
5.一種離子發(fā)生裝置，包括負(fù)電極(2、20)；和對(duì)向電極(3)；和設(shè)置在所述負(fù)電極(2、20)和所述對(duì)向電極(3)之間絕緣物(4、9、12)；和電壓施加電路(6)，該電壓施加電路(6)在所述負(fù)電極(2、20)上施加用于在所述負(fù)電極(2、20)和所述對(duì)向電極(3)之間生成比存在于所述負(fù)電極(2、20)和所述對(duì)向電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的負(fù)電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述絕緣物(4)覆蓋所述對(duì)向電極(3)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述絕緣物(4)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述絕緣物(9)覆蓋所述負(fù)電極(20)的除前端部(2A)外的部分(2C)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述絕緣物(9)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述絕緣物(4、9)由第一及第二絕緣物構(gòu)成，所述第一絕緣物(4)覆蓋所述對(duì)向電極(4)，所述第二絕緣物(9)覆蓋所述負(fù)電極(20)的除前端部(2A)外的部分(2C)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一及第二絕緣物(4、9)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
12.一種離子發(fā)生裝置，包括負(fù)電極(2、20)；和用于在與所述負(fù)電極(2、20)之間生成規(guī)定的電場(chǎng)的對(duì)向電極(3)；和設(shè)置在所述負(fù)電極(2、20)和所述對(duì)向電極(3)之間絕緣物(4、9、12)；所述規(guī)定的電場(chǎng)是比存在于所述負(fù)電極(2、20)和所述對(duì)向電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述絕緣物(4)覆蓋所述對(duì)向電極(3)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述絕緣物(4)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述絕緣物(9)覆蓋所述負(fù)電極(20)的除前端部(2A)外的部分(2C)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述絕緣物(9)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述絕緣物(4、9)由第一及第二絕緣物構(gòu)成，所述第一絕緣物(4)覆蓋所述對(duì)向電極(3)，所述第二絕緣物(9)覆蓋所述負(fù)電極(20)的除前端部(2A)外的部分(2C)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一及第二絕緣物(4、9)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
19.一種離子發(fā)生裝置，包括具有開(kāi)口部(11)的盒體(1)；和連接在所述盒體(1)的內(nèi)壁及所述開(kāi)口部(11)的端面(11A)上而形成并且接地的絕緣物(13)；和配置在所述盒體(1)內(nèi)，并由所述開(kāi)口部(11)向所述盒體(1)外側(cè)釋放電子的電子釋放器；所述電子釋放器包括釋放電子的負(fù)電極(2)；和具有正極和負(fù)極并從所述負(fù)極給所述負(fù)電極(2)施加用于在所述負(fù)電極(2)和所述正極之間生成比存在于所述負(fù)電極(2)周圍的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的負(fù)電壓的電壓施加電路(6)。
20.一種離子發(fā)生裝置，包括具有開(kāi)口部(11)的盒體(1)；和連接在所述盒體(1)的內(nèi)壁及所述開(kāi)口部(11)的端面(11A)上而形成并且接地的第一絕緣物(13)；和配置在所述盒體(1)內(nèi)，并由所述開(kāi)口部(11)向所述盒體(1)外側(cè)釋放電子的電子釋放器；所述電子釋放器包括被施加規(guī)定的負(fù)電壓并放出所述電子的負(fù)電極(2)；和以與所述負(fù)電極(2)設(shè)置為規(guī)定的距離來(lái)配置并由第二絕緣物(4)覆蓋的對(duì)向電極(3)；所述規(guī)定的負(fù)電壓是用于在所述負(fù)電極(2)和所述對(duì)向電極(3)之間生成比存在于所述負(fù)電極(2)和所述對(duì)向電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電壓還弱的電場(chǎng)的電壓。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述對(duì)向電極(3)由絕緣線(135、136)構(gòu)成。
22.一種離子發(fā)生裝置，包括具有開(kāi)口部(11)的盒體(1)；和連接在所述盒體(1)的內(nèi)壁及所述開(kāi)口部(11)的端面(11A)上而形成并且接地的第一絕緣物(13)；和配置在所述盒體(1)內(nèi)并由所述開(kāi)口部(11)向所述盒體(1)外側(cè)釋放電子的電子釋放器；所述電子釋放器包括除前端部(2A)以外機(jī)體部(2C)被第二絕緣物(9)覆蓋的負(fù)電極(20)；和用于在與所述負(fù)電極(20)之間生成規(guī)定的電場(chǎng)的對(duì)向電極(3)；所述規(guī)定的電場(chǎng)是比存在于所述負(fù)電極(20)與所述對(duì)向電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。
23.一種離子發(fā)生裝置，包括具有開(kāi)口部(11)的盒體(1)；和連接在所述盒體(1)的內(nèi)壁及所述開(kāi)口部(11)的端面(11A)上而形成并且接地的第一絕緣物(13)；和配置在所述盒體(1)內(nèi)并由所述開(kāi)口部(11)向所述盒體(1)外側(cè)釋放電子的電子釋放器；所述電子釋放器包括釋放電子的負(fù)電極(2、20)；和對(duì)向電極(3)；和設(shè)置在所述負(fù)電極(2、20)與所述對(duì)向電極(3)之間的第二絕緣物(4、9)；和給所述負(fù)電極(2、20)施加用于在所述負(fù)電極(2、20)與所述對(duì)向電極(3)之間生成比存在于所述負(fù)電極(2、20)與所述對(duì)向電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的負(fù)電壓的電壓施加電路(6)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第二絕緣物(4)覆蓋所述對(duì)向電極(3)。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一及第二絕緣物(13、4)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第二絕緣物(9)覆蓋所述負(fù)電極(20)的除前端部(2A)外的部分(2C)。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一及第二絕緣物(13、9)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第二絕緣物(4、9)由第一及第二電極用絕緣物構(gòu)成，所述第一電極用絕緣物(4)覆蓋所述對(duì)向電極(3)，所述第二電極用絕緣物(9)覆蓋所述負(fù)電極(20)的除前端部(2A)外的部分(2C)。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一絕緣物(13)、第一電極用絕緣物(4)及第二電極用絕緣物(9)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
30.一種離子發(fā)生裝置，包括具有開(kāi)口部(11)的盒體(1)；和連接在所述盒體(1)的內(nèi)壁及所述開(kāi)口部(11)的端面(11A)上形成并且接地的第一絕緣物(13)；和配置在所述盒體(1)內(nèi)并由所述開(kāi)口部(11)向所述盒體(1)外側(cè)釋放電子的電子釋放器；所述電子釋放器包括釋放電子的負(fù)電極(2、20)；和用于在與所述負(fù)電極(2、20)之間生成規(guī)定的電場(chǎng)的對(duì)向電極(3)；和設(shè)置在所述負(fù)電極(2、20)與所述對(duì)向電極(3)之間的第二絕緣物(4、9)；所述規(guī)定的電場(chǎng)是比存在于所述負(fù)電極(2、20)與所述對(duì)向電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第二絕緣物(4)覆蓋所述對(duì)向電極(3)。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一及第二絕緣物(13、4)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第二絕緣物(9)覆蓋所述負(fù)電極(20)的除前端部(2A)外的部分(2C)。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一及第二絕緣物(13、9)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
35.根據(jù)權(quán)利要求30所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第二絕緣物(4、9)由第一及第二電極用絕緣物構(gòu)成，所述第一電極用絕緣物(4)覆蓋所述對(duì)向電極(3)，所述第二電極用絕緣物(9)覆蓋所述負(fù)電極(20)的除前端部(2A)外的部分(2C)。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一絕緣物(13)、第一電極用絕緣物(4)及第二電極用絕緣物(9)由玻璃、陶瓷、樹(shù)脂及半導(dǎo)體中的任一個(gè)構(gòu)成。
37.根據(jù)權(quán)利要求1～36中任一項(xiàng)所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于，所述負(fù)電極(2、20)的前端部(2A)呈尖狀。
38.一種離子發(fā)生裝置，包括被施加規(guī)定的電壓的第一電極(2)；和以與所述第一電極(2)設(shè)置為規(guī)定的距離來(lái)配置并被絕緣物(4)覆蓋的第二電極(3)；所述規(guī)定的電壓是用于在所述第一電極(2)和所述第二電極(3)之間生成比存在于所述第一電極(2)和所述第二電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電壓還弱的電場(chǎng)的電壓。
39.一種離子發(fā)生裝置，包括第一電極(2、20)；和第二電極(3)；和設(shè)置在所述第一電極(2、20)與所述第二電極(3)之間的絕緣物(4、9、12)；和在所述第一電極(2、20)上施加用于在所述第一電極(2、20)和所述第二電極(3)之間生成比存在于所述第一電極(2、20)和所述第二電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)的電壓的電壓施加電路(6)。
40.一種離子發(fā)生裝置，包括第一電極(2、20)；和用于在與所述第一電極(2、20)之間生成規(guī)定的電場(chǎng)的第二電極(3)；和設(shè)置在所述第一電極(2、20)與所述第二電極(3)之間的絕緣物(4、9、12)；所述規(guī)定的電場(chǎng)是比存在于所述第一電極(2、20)和所述第二電極(3)之間的介質(zhì)的絕緣擊穿電場(chǎng)還弱的電場(chǎng)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種負(fù)離子發(fā)生裝置(10)，包括針狀電極(2)、對(duì)向電極(3)、絕緣物(4)、支撐部件(5)、電源電路(6)及配線(7、8)。對(duì)向電極(3)被絕緣物(4)覆蓋。針狀電極(2)被固定在支撐部件(5)。配線(7)連接針狀電極(2)，配線(8)連接對(duì)向電極(3)。電源電路(6)通過(guò)配線(7)將－5kV～－9kV的負(fù)電壓施加給針狀電極(2)并通過(guò)配線(8)將接地電壓(0V)施加給對(duì)向電極(3)。
文檔編號(hào)A23G3/54GK1650492SQ0282949
公開(kāi)日2005年8月3日 申請(qǐng)日期2002年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月23日
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