置包括驅(qū)動頻率（f) 和工作周期。如上參照圖7所述的，通過使氣體和液體微滴的混合物通過等離子體使流體 活化。在運(yùn)種情況下，因為液體微滴由超聲波加濕器形成，液體為薄霧的形式，具有在約1 微米和約100微米之間的尺寸。下面的圖表提供了實(shí)驗結(jié)果。第一欄描述電源供應(yīng)器設(shè)置。 第二欄描述在空氣的存在下活化的液體的類型和形式，W及第=欄表明活化的氣體/微滴 混合物施加于干芽抱的時間量。第四欄描述流體被關(guān)閉后，允許活化的微滴保留在芽抱上 的"維持時間"。第五欄表明觀察到的芽抱的log減少?？蒞看到，在適當(dāng)?shù)碾娫垂?yīng)器設(shè) 置下的水能夠獲得完全殺滅或滅活不誘鋼取樣片上的艱難梭狀芽抱桿菌芽抱。另外，水和 乙醇的混合物證明采用較寬范圍的電源供應(yīng)器設(shè)置具有增加的效力。
[0095]
[0096] 結(jié)果證明通過本發(fā)明的實(shí)施方案非常快速地完全殺滅芽抱。注意到在運(yùn)些研究 中，將體積為10y1的艱難梭狀芽抱桿菌芽抱（7. 1別OgiuC即/ml)置于不誘鋼取樣片上。因 此，5.ISlog減少表示殺滅或滅活取樣管片的所有芽抱。
[0097] 另外，進(jìn)行實(shí)驗W證明在一些實(shí)施方案中，等離子體發(fā)生電極和表面之間的間隙 可W為約15mm。在一些實(shí)施方案中，間隙可W為約10mm。在一些實(shí)施方案中，間隙可W為 約5mm。在一些實(shí)施方案中可W使用更大的間隙距離。
[0098] 在另一個實(shí)驗中，如參照圖8所述的，將活化的薄霧收集在冰浴中的容器中。將活 化水施加于具有干艱難梭狀芽抱桿菌芽抱的表面上1分鐘，得到3. 271og減少。認(rèn)為通過 冷凝活化的薄霧收集的活化水在殺滅和滅活芽抱方面不如薄霧有效，因為一些反應(yīng)性物質(zhì) 的半衰期短導(dǎo)致那些物質(zhì)在冷凝和被施加于干芽抱的時間期間內(nèi)退化。
[0099] 雖然已通過描述本發(fā)明實(shí)施方案對本發(fā)明進(jìn)行舉例說明，并且雖然已相當(dāng)詳細(xì)地 描述了實(shí)施方案，但是申請人的目的不是將所附權(quán)利要求的范圍限制或W任何方式限定于 運(yùn)樣的細(xì)節(jié)。其他優(yōu)點(diǎn)和變化對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得非常明顯。此外，就一個實(shí)施方 案描述的元素可W容易地適用于其他實(shí)施方案。因此，本發(fā)明，在其更廣的方面，不被限定 于所顯示和描述的具體細(xì)節(jié)、代表性裝置和/或說明性實(shí)施例。相應(yīng)地，在不背離申請人的 大體發(fā)明概念的精神或范圍的情況下，可W在運(yùn)些細(xì)節(jié)上產(chǎn)生變化。
【主權(quán)項】
1. 一種殺滅或滅活芽孢的方法，包括： 將流體施加于包含一種或多種干芽孢的干表面；以及 向所述表面施加直接等離子體一段時間。2. 權(quán)利要求1所述的方法，其中所述流體包含水。3. 權(quán)利要求2所述的方法，其中所述流體包含添加物。4. 權(quán)利要求1所述的方法，其中所述流體包含蒸汽、濃霧、薄霧、噴霧和氣溶膠中的至 少一種。5. 權(quán)利要求1所述的方法，其中所述流體包含帶靜電電荷的微滴。6. 權(quán)利要求1所述的方法，其中所述流體在一種或多種芽孢上方形成個體微滴。7. 權(quán)利要求1所述的方法，其中所述流體在一種或多種芽孢上方形成液體薄膜。8. 權(quán)利要求7所述的方法，其中所述膜的厚度為小于約500微米。9. 權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一段時間為少于約3分鐘。10. 權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一段時間為少于約1分鐘。11. 權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一段時間為少于約30秒。12. 權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述流體中生成過氧亞硝酸根。13. -種殺滅或滅活芽孢的方法，包括： 將流體施加于包含一種或多種干芽孢的干表面；以及 向所述表面施加間接等離子體一段時間。14. 權(quán)利要求13所述的方法，其中所述流體包含水。15. 權(quán)利要求14所述的方法，其中所述流體包含添加物。16. 權(quán)利要求13所述的方法，其中所述流體包含蒸汽、濃霧、薄霧、噴霧或氣溶膠中的 至少一種。17. 權(quán)利要求13所述的方法，其中所述流體包含帶靜電電荷的微滴。18. 權(quán)利要求13所述的方法，其中所述流體在一種或多種芽孢上方形成個體微滴。19. 權(quán)利要求13所述的方法，其中所述流體在一種或多種芽孢上方形成液體膜。20. 權(quán)利要求13所述的方法，還包括在所述流體中生成過氧亞硝酸根。21. -種殺滅或滅活芽孢的方法，包括： 用直接等離子體或間接等離子體處理包含一種或多種芽孢的表面一段時間； 向所述表面施加抗微生物劑，其中所述表面包含一種或多種芽孢。22. 權(quán)利要求21所述的方法，其中所述抗微生物劑包含醇。23. 權(quán)利要求21所述的方法，其中所述抗微生物劑包含基于漂白劑的消毒劑。24. 權(quán)利要求21所述的方法，其中在處理所述表面后施加所述抗微生物劑。25. -種殺滅或滅活芽孢的方法，包括： 使一種或多種氣體和液體微滴的混合物通過非熱等離子體以活化氣體/微滴混合物； 將活化的氣體/微滴混合物施加至包含一種或多種芽孢的表面上一段時間； 其中所述非熱等離子體和所述表面之間的距離使得通過非熱等離子體的氣體/微滴 混合物到達(dá)表面的時間小于所述氣體/微滴混合物通過等離子體時生成的短暫存在的反 應(yīng)性物質(zhì)的半衰期的約3倍。26. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述一段時間是殺滅或滅活期望的芽孢所需要的時 間的函數(shù)。27. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述一段時間為少于約1分鐘。28. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述一段時間為少于約30秒。29. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述一段時間為少于約10秒。30. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述距離使得通過非熱等離子體的微滴到達(dá)表面的 時間約小于所述短暫存在的反應(yīng)性物質(zhì)的半衰期。31. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述短暫存在的反應(yīng)性物質(zhì)是過氧亞硝酸根。32. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述一種或多種氣體包括空氣。33. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述一種或多種氣體包括至少一種稀有氣體。34. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述液體包含水。35. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述液體包含添加物。36. 權(quán)利要求35所述的方法，其中所述添加物包含乙醇、酸化乙醇、正丙醇和異丙醇中 的一種。37. 權(quán)利要求25所述的方法，其中所述液體包含一種或多種帶靜電電荷的微滴，所述 帶靜電電荷的微滴導(dǎo)致所述微滴傾向于形成均勻的微滴分布。38. -種殺滅或滅活芽孢的方法，包括： 使一種或多種氣體和流體微滴的混合物通過非熱等離子體以活化氣體/微滴混合物； 以及 將活化的氣體/微滴混合物施加至包含一種或多種芽孢的表面上一段時間，所述一段 時間為少于約1分鐘。39. 權(quán)利要求38所述的方法，其中所述一段時間為少于約30秒。40. 權(quán)利要求38所述的方法，其中所述一段時間為少于約10秒。41. 權(quán)利要求38所述的方法，其中所述一段時間為少于約5秒。42. 權(quán)利要求38所述的方法，其中在所述氣體/微滴混合物通過非熱等離子體之后，所 述氣體/微滴混合物在約3秒內(nèi)接觸所述表面。43. 權(quán)利要求38所述的方法，其中在所述氣體/微滴混合物通過非熱等離子體氣體之 后，所述氣體/微滴混合物在約2秒內(nèi)接觸所述表面。44. 權(quán)利要求38所述的方法，其中在所述氣體/微滴混合物通過非熱等離子體氣體之 后，所述氣體/微滴混合物在約1秒內(nèi)接觸所述表面。45. 權(quán)利要求38所述的方法，其中所述氣體/微滴混合物包含一種或多種帶靜電電荷 的微滴，所述帶靜電電荷的微滴導(dǎo)致所述微滴傾向于在待進(jìn)行消毒的表面上形成均勻的微 滴分布。
【專利摘要】用于殺滅或滅活芽孢的示例性方法和系統(tǒng)包括將流體施加于包含芽孢的表面；以及向所述表面施加直接或間接等離子體一段時間。在一些實(shí)施方案中，流體包括水。在一些實(shí)施方案中，芽孢是艱難梭狀芽孢桿菌，而在一些實(shí)施方案中是炭疽桿菌。在一些實(shí)施方案中，流體為蒸汽、濃霧、噴霧、薄霧或氣溶膠的形式，其可以在將該流體施加于表面之前或之后被活化。在一些實(shí)施方案中，在該方法期間在該流體中生成過氧亞硝酸根。殺滅或滅活芽孢的另一示例性實(shí)施方案包括用直接等離子體或間接等離子體處理芽孢一段時間并向芽孢施加抗微生物劑。在一些實(shí)施方案中，抗微生物劑是醇、漂白劑或基于醇的消毒劑。
【IPC分類】A01P1/00, C02F1/00, A01N59/00
【公開號】CN105188381
【申請?zhí)枴緾N201480025013
【發(fā)明人】蔡宗展, 薩米爾·格爾格特吉, 達(dá)芙妮·P·安托納卡斯, 羅伯特·L·格雷
【申請人】Ep科技有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2014年3月17日
【公告號】CA2906870A1, EP2967075A1, US9339572, US20150265736, US20160022850, WO2014145570A1