一種多晶硅人工破碎臺的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種多晶硅人工破碎臺，包括：開設(shè)有開孔的破碎臺面、至少一個(gè)下料漏斗和至少一個(gè)剩料箱，下料漏斗的入口與破碎臺面的下表面相連，并與所述開孔連通，下料漏斗的出口與剩料箱的開口相對，其特征在于，破碎臺面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和/或剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置有聚氨酯PU層。本實(shí)用新型在破碎臺面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和/或剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置PU層，PU材料不掉渣、不起皮，有良好的強(qiáng)度與硬度，在多晶硅破碎過程中，不會對多晶硅表面造成污染，保證產(chǎn)品品質(zhì)，提高太陽能轉(zhuǎn)化效率。另外，PU材料耐磨損，使用壽命長，而且，吸音性強(qiáng)，在多晶硅破碎過程中能在一定程度上減少噪音。
【專利說明】—種多晶硅人工破碎臺
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及多晶娃生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域,特別是涉及一種多晶娃人工破碎臺。
【背景技術(shù)】
[0002]在多晶硅生產(chǎn)過程中，生產(chǎn)出來的多晶硅棒需進(jìn)入產(chǎn)品整理工序，即經(jīng)轉(zhuǎn)運(yùn)箱搬運(yùn)到多晶硅人工破碎臺上，由人工將棒狀產(chǎn)品破碎為滿足國標(biāo)要求的塊狀產(chǎn)品。
[0003]傳統(tǒng)的多晶硅破碎平臺采用不銹鋼、合金等材質(zhì)制成，在與多晶硅接觸過程中會不同程度的對多晶娃表面造成污染，造成多晶娃表面金屬雜質(zhì)含量超標(biāo)。而多晶娃表面金屬雜質(zhì)會在多晶硅下游應(yīng)用中造成硅材料少數(shù)載流子壽命降低。少數(shù)載流子壽命是指非平衡載流子的壽命，該參數(shù)對太陽能轉(zhuǎn)化效率有很大影響。正是因?yàn)樯贁?shù)載流子壽命對下游客戶的重要影響，少數(shù)載流子壽命的長短也決定著多晶硅廠家生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品品質(zhì)的優(yōu)劣，因此，如何降低多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量也成為多晶硅生產(chǎn)過程中的一個(gè)重要問題。
[0004]因此，亟需一種多晶硅人工破碎臺以解決上述技術(shù)問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種多晶硅人工破碎臺，用以解決多晶娃表面金屬雜質(zhì)含量超標(biāo)的問題。
[0006]本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問題，采用如下技術(shù)方案:
[0007]本實(shí)用新型提供一種多晶硅人工破碎臺，包括:開設(shè)有開孔的破碎臺面、至少一個(gè)下料漏斗和至少一個(gè)剩料箱，下料漏斗的入口與破碎臺面的下表面相連，并與所述開孔連通，下料漏斗的出口與剩料箱的開口相對，其特征在于，破碎臺面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和/或剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置有聚氨酯I3U層。
[0008]優(yōu)選的，述破碎臺面呈矩形，在破碎臺面的四個(gè)角上，豎直向上設(shè)置有四根豎直支架，在四根豎直支架的頂端，兩兩相鄰的豎直支架之間分別水平連接有水平支架。
[0009]優(yōu)選的，破碎臺面的下方形成封閉空間，所述下料漏斗和所述剩料箱容置于所述封閉空間內(nèi)；
[0010]所述多晶硅人工破碎臺還包括:抽風(fēng)機(jī)、抽風(fēng)風(fēng)道和用于向外送風(fēng)的外送風(fēng)風(fēng)道，所述抽風(fēng)機(jī)和外送風(fēng)風(fēng)道設(shè)置于所述破碎臺面的一側(cè)，所述抽風(fēng)風(fēng)道容置于所述封閉空間內(nèi)，分別與下料漏斗的出口和所述外送風(fēng)風(fēng)道相連，抽風(fēng)機(jī)的抽風(fēng)口與所述外送風(fēng)風(fēng)道相連。
[0011]優(yōu)選的，述破碎臺面的兩個(gè)側(cè)邊上分別設(shè)置有豎直的墻板，每側(cè)的墻板分別固定于該側(cè)的豎直支架上，兩側(cè)的墻板上均設(shè)有側(cè)抽風(fēng)口 ；
[0012]所述多晶硅人工破碎臺還包括設(shè)置于兩側(cè)的墻板的外側(cè)的側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道，所述側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道分別與所述側(cè)抽風(fēng)口和所述抽風(fēng)風(fēng)道相連通。
[0013]優(yōu)選的，述側(cè)抽風(fēng)口為多個(gè)，所述側(cè)抽風(fēng)口在兩側(cè)的墻板上豎直排列；最上端的側(cè)抽風(fēng)口到所述破碎臺面的距離為30-40cm。[0014]優(yōu)選的，碎臺面的四根豎直支架上設(shè)置有導(dǎo)軌；
[0015]所述多晶硅人工破碎臺還包括第一推拉門和第二推拉門，所述第一推拉門和第二推拉門的寬度與所述前水平支架和后水平支架的長度相等，所述第一推拉門和第二推拉門設(shè)置于所述導(dǎo)軌上；
[0016]所述第一推拉門設(shè)置于所述破碎臺面的前側(cè)，能夠在破碎臺面前側(cè)的導(dǎo)軌的導(dǎo)引下上下滑動；所述第二推拉門設(shè)置于破碎臺面的后側(cè)，能夠在破碎臺面后側(cè)的導(dǎo)軌的導(dǎo)引下上下滑動。
[0017]優(yōu)選的，述第一推拉門和第二推拉門采用透明的鋼化玻璃制成。
[0018]優(yōu)選的，述開孔為多個(gè)，所述開孔均勻分布于所述破碎臺面上。
[0019]優(yōu)選的，孔的直徑為25mm。
[0020]優(yōu)選的，斗的側(cè)壁與水平面呈30度角。
[0021]本實(shí)用新型具有如下有益效果:
[0022]本實(shí)用新型在破碎臺面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和/或剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置PU層，I3U材料不掉渣、不起皮，有良好的強(qiáng)度與硬度，在多晶硅破碎過程中，不會對多晶硅表面造成污染，保證產(chǎn)品品質(zhì)，提高太陽能轉(zhuǎn)化效率。另外，PU材料耐磨損，使用壽命長，而且，吸音性強(qiáng)，在多晶硅破碎過程中能在一定程度上減少噪音。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多晶硅人工破碎臺的主視圖；
[0024]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多晶硅人工破碎臺的俯視圖；
[0025]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多晶硅人工破碎臺的左視圖；
[0026]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多晶硅人工破碎臺的破碎臺面的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖例說明:
[0028]1、破碎臺面2、下料漏斗3、剩料箱
[0029]4、抽風(fēng)機(jī)5、外送風(fēng)風(fēng)道 6、抽風(fēng)風(fēng)道
[0030]7、側(cè)抽風(fēng)口8、側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道 9、推拉門
[0031]10、頂蓋11、開孔12、豎直支架
[0032]13、水平支架14、導(dǎo)軌21、下料漏斗的入口
[0033]22、下料漏斗的出口 31、剩料箱的開口 91、第一推拉門
[0034]92、第二推拉門
【具體實(shí)施方式】
[0035]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0036]本實(shí)用新型提供一種多晶硅人工破碎臺，通過在破碎臺面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和/或剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置PU層，PU材料能有效減少多晶硅表面金屬污染，保證產(chǎn)品品質(zhì)。
[0037]以下結(jié)合圖1-4詳細(xì)說明本實(shí)用新型多晶硅人工破碎臺的結(jié)構(gòu)。
[0038]參見圖1，多晶硅人工破碎臺包括:破碎臺面1、至少一個(gè)下料漏斗2和至少一個(gè)剩料箱3。破碎臺面I上開設(shè)有開孔11，下料漏斗的入口 21與破碎臺面I的下表面相連，并與開孔11連通，下料漏斗的出口 22與剩料箱的開口 31相對。破碎臺面I的上表面、下料漏斗2的內(nèi)表面和/或剩料箱3的內(nèi)表面設(shè)置有聚氨酯I3U層。
[0039]下料漏斗2和剩料箱3匹配設(shè)置，可以為一個(gè)或多個(gè)。
[0040]破碎臺面1、下料漏斗2和剩料箱3可以為不銹鋼材質(zhì)。優(yōu)選的，下料漏斗2的側(cè)
壁與水平面呈30度角。
[0041]I3U具有不掉渣、不起皮，硬度高等特點(diǎn)，因此，在能夠與多晶硅接觸的部件的表面，即在破碎臺面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面、剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置PU層，能有效避免多晶硅對破碎臺面、下料漏斗和剩料箱的表面劃傷，降低多晶硅破碎過程中對多晶硅表面的污染，保證產(chǎn)品品質(zhì)，提高太陽能轉(zhuǎn)化效率。PU具有耐磨損的特點(diǎn)，使用壽命長。另外，還具有吸音性強(qiáng)的特點(diǎn)，在多晶硅破碎過程中能在一定程度上減少噪音。
[0042]PU層為PU改性材料，具體的，可以通過粘貼的方式將PU改性材料設(shè)置在破碎臺面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和剩料箱的內(nèi)表面其中之一，優(yōu)選的，可以在破碎臺面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和剩料箱的內(nèi)表面上均設(shè)置PU層，以達(dá)到更好的效果。
[0043]結(jié)合圖3、4所示，破碎臺面I呈矩形，在破碎臺面I的四個(gè)角上，豎直向上設(shè)置有四根豎直支架12，在四根豎直支架12的頂端，兩兩相鄰的豎直支架12之間分別水平連接有水平支架13。水平支架13也為四根，包括前水平支架、后水平支架、左水平支架和右水平支架。
[0044]豎直支架12可以為方鋼結(jié)構(gòu)。
[0045]參見圖3，破碎臺面I的下方形成封閉空間，下料漏斗2和剩料箱3容置于所述封閉空間內(nèi)。
[0046]優(yōu)選的，在破碎臺面I的下方開設(shè)可開閉式的門，當(dāng)門關(guān)閉時(shí)，即形成所述封閉空間。
[0047]參見圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多晶硅人工破碎臺還包括:抽風(fēng)機(jī)4、抽風(fēng)風(fēng)道6和用于向外送風(fēng)的外送風(fēng)風(fēng)道5,抽風(fēng)機(jī)4和外送風(fēng)風(fēng)道5設(shè)置于破碎臺面I的一側(cè)，抽風(fēng)風(fēng)道6容置于所述封閉空間內(nèi)，分別與下料漏斗2的出口和外送風(fēng)風(fēng)道5相連，抽風(fēng)機(jī)4的抽風(fēng)口與外送風(fēng)風(fēng)道5相連。
[0048]在該封閉空間中，抽風(fēng)機(jī)4、抽風(fēng)風(fēng)道6、下料漏斗2、破碎臺面I的開孔11和外送風(fēng)風(fēng)道5相連通，能夠在破碎臺面I的下方形成負(fù)壓，吸附破碎產(chǎn)生的粉塵，并通過抽風(fēng)風(fēng)道6和外送風(fēng)風(fēng)道5，進(jìn)入下游的除塵系統(tǒng)。
[0049]現(xiàn)有的多晶硅人工破碎臺在對破碎過程中產(chǎn)生的粉塵的處理上，普遍采用上抽風(fēng)或側(cè)抽風(fēng)的方式，這兩種抽風(fēng)除塵方式均會不同程度造成粉塵向破碎臺面的上方揚(yáng)起，對操作人員的呼吸道造成傷害。而且，由于需要粉塵向上走，與重力方向相反，故能除去的粉塵量非常有限，剩余的粉塵不但會造成多晶硅的污染，滯留在操作空間內(nèi)也會影響操作空間的潔凈度。本實(shí)用新型采用下抽風(fēng)方式除塵，將抽風(fēng)風(fēng)道6設(shè)置于破碎臺面I的下方，能夠有效增強(qiáng)除塵效果，并保證操作空間的潔凈度。
[0050]破碎臺面I的兩個(gè)側(cè)邊上分別設(shè)置有豎直的墻板，每側(cè)的墻板分別固定于該側(cè)的豎直支架12上。
[0051]優(yōu)選的，兩側(cè)的墻板上均設(shè)有側(cè)抽風(fēng)口 7，側(cè)抽風(fēng)口 7用于從破碎臺面I的側(cè)面進(jìn)行抽風(fēng)。
[0052]本實(shí)用新型提供的多晶硅人工破碎臺還包括設(shè)置于兩側(cè)的墻板的外側(cè)的側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道8，側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道8分別與側(cè)抽風(fēng)口 7和抽風(fēng)風(fēng)道6相連通。
[0053]通過在破碎臺面I的兩側(cè)設(shè)置側(cè)抽風(fēng)口 7和側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道8，在多晶硅破碎過程中揚(yáng)起的粉塵可以從兩側(cè)的側(cè)抽風(fēng)口 7和側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道8排走，無需待粉塵落到破碎臺面I后再由下面的抽風(fēng)風(fēng)道6排走，增強(qiáng)了粉塵吸附能力，消除粉塵效果更好。
[0054]優(yōu)選的，側(cè)抽風(fēng)口 7可以為多個(gè)，多個(gè)側(cè)抽風(fēng)口 7在兩側(cè)的墻板上豎直排列，最上端的側(cè)抽風(fēng)口 7到破碎臺面I的距離可以為30-40cm。破碎多晶硅產(chǎn)生的揚(yáng)塵通常會揚(yáng)起30cm左右，因此，將最上端的側(cè)抽風(fēng)口 7設(shè)置在距離破碎臺面30-40cm的高度足以保證粉塵的吸附。
[0055]現(xiàn)有的多晶硅人工破碎臺是在背面安裝抽風(fēng)裝置，破碎操作人員只能在破碎臺的前方進(jìn)行作業(yè)，破碎完成后，再由另外一個(gè)人在破碎臺的前方進(jìn)行包裝。
[0056]本實(shí)用新型將抽風(fēng)風(fēng)道6設(shè)置在破碎臺面I下方的封閉空間中，這樣，破碎臺面I的背面的空間就可以進(jìn)一步得以利用，例如，可以在破碎臺面I的背面的空間進(jìn)行包裝作業(yè)。另一方面，在進(jìn)行多晶硅包裝作業(yè)的同時(shí)，在破碎臺面I的前面的空間內(nèi)，可以進(jìn)行下一批次的多晶硅的運(yùn)輸、搬運(yùn)工作，形成流水作業(yè)，提高生產(chǎn)效率。
[0057]多晶硅破碎作業(yè)對操作空間的潔凈度要求較高，多晶硅材料屬于超潔凈材料，操作空間的潔凈度越高對材料的生產(chǎn)越有利。而多晶硅包裝作業(yè)對操作空間的潔凈度要求則沒有那么高，因此，為了保證多晶硅的產(chǎn)品品質(zhì)，需要將多晶硅破碎操作空間與多晶硅包裝操作空間隔離開來。
[0058]本實(shí)用新型實(shí)施例通過在多晶硅人工破碎臺上設(shè)置推拉門來實(shí)現(xiàn)2個(gè)操作空間的分隔。
[0059]參見圖3，在破碎臺面I的四根豎直支架12上設(shè)置有導(dǎo)軌14。
[0060]所述多晶硅人工破碎臺還包括第一推拉門91和第二推拉門92，第一推拉門91和第二推拉門92的寬度與前水平支架和后水平支架的長度相等，該長度即為破碎臺面I的長度。第一推拉門91和第二推拉門92均設(shè)置于導(dǎo)軌14上，并能夠在導(dǎo)軌14的導(dǎo)引下上下滑動。第一推拉門91設(shè)置于破碎臺面I的前側(cè)，能夠在破碎臺面I前側(cè)的導(dǎo)軌14的導(dǎo)引下上下滑動，第二推拉門92設(shè)置于破碎臺面I的后側(cè)，能夠在破碎臺面I后側(cè)的導(dǎo)軌14的導(dǎo)引下上下滑動。
[0061]優(yōu)選的，第一推拉門91和第二推拉門92采用透明的鋼化玻璃制成。
[0062]在進(jìn)行多晶硅破碎作業(yè)時(shí)，第一推拉門91在破碎臺面I的前側(cè)向上打開，第二推拉門92在破碎臺面I的后側(cè)落下，第二推拉門92將多晶硅破碎的操作空間與多晶硅包裝的操作空間隔離開，此時(shí)進(jìn)行多晶硅破碎作業(yè)，能夠保證多晶硅產(chǎn)品品質(zhì)。
[0063]進(jìn)行多晶硅包裝作業(yè)時(shí)，第一推拉門9在破碎臺面I的前側(cè)落下，第二推拉門92在破碎臺面I的后側(cè)向上打開，第一推拉門91將多晶硅破碎的操作空間與多晶硅包裝的操作空間隔離開，此時(shí)，進(jìn)行多晶硅包裝作業(yè)，也避免了多晶硅包裝的操作空間對多晶硅破碎的操作空間的污染。
[0064]優(yōu)選的，為了方便操作，還可以在四根豎直支架12的頂端設(shè)置定滑輪和鋼絲繩，并將鋼絲繩分別與第一推拉門91和第二推拉門92相連。當(dāng)其中一個(gè)推拉門向上開啟時(shí)，帶動鋼絲繩在豎直方向運(yùn)動，并在定滑輪和鋼絲繩的作用下，帶動另一個(gè)推拉門向下關(guān)閉；當(dāng)其中一個(gè)推拉門向下關(guān)閉時(shí)，帶動鋼絲繩在豎直方向上運(yùn)動，并在定滑輪和鋼絲繩的作用下，帶動另一個(gè)推拉門向上打開。
[0065]定滑輪、鋼絲繩和推拉門之間的具體連接關(guān)系，屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0066]如圖3所示，優(yōu)選的，該多晶硅人工破碎臺還包括頂蓋10，頂蓋10水平設(shè)置于豎直支架12的頂端。頂蓋10的下表面設(shè)置有LED燈(圖中未繪示)，以增強(qiáng)破碎臺面I的上方區(qū)域的亮度。
[0067]導(dǎo)軌14略高于頂蓋10，推拉門9能夠借助導(dǎo)軌14的導(dǎo)引，在頂蓋10的上方滑動。
[0068]參見圖4，開孔11為多個(gè)，開孔11均勻分布于破碎臺面I上。開孔11的直徑為25mm0
[0069]多晶硅破碎完畢會產(chǎn)生大量的小塊料，通常，會將< 25mm和25_200mm的尺寸進(jìn)行分裝，所以小塊料需要再次揀出，并裝入特定器件內(nèi)進(jìn)行篩分，流程上非常繁瑣，處理不便。本實(shí)用新型通過將開孔的直徑限定為25_，小于該尺寸的塊料能夠通過開孔11，經(jīng)由下料漏斗2落入剩料箱3中，而大于25_的塊料則可以被直接分揀出來，省時(shí)省力。
[0070]多晶硅人工破碎臺在使用時(shí)，推拉門9在破碎臺面I的前側(cè)向上打開，此時(shí)，推拉門9在破碎臺面I的后側(cè)落下，操作人員將需要破碎的多晶硅棒從破碎臺面I的前側(cè)搬上破碎臺面1，并破碎成小塊。然后，控制推拉門9在破碎臺面I的前側(cè)落下，此時(shí)，推拉門9在破碎臺面I的后側(cè)向上打開，另一位操作人員利用破碎臺面I上的開孔11對已破碎的塊料進(jìn)行分揀，并分別將留在破碎臺面I上的較大塊料和落入剩料箱3內(nèi)的小塊料分別裝入潔凈包裝袋內(nèi)，完成包裝過程。
[0071]在此過程中，抽風(fēng)機(jī)4 一直處于開啟狀態(tài)，在抽風(fēng)機(jī)4的作用下，破碎臺面I下方形成微負(fù)壓，風(fēng)只能通過破碎臺面I的開孔11進(jìn)入到破碎臺面I的下方，在這個(gè)風(fēng)量循環(huán)過程中，破碎產(chǎn)生的粉塵隨著風(fēng)量一并被抽風(fēng)機(jī)4送入抽風(fēng)風(fēng)道6和外送風(fēng)風(fēng)道7，從而進(jìn)入下游的除塵系統(tǒng)。
[0072]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種多晶硅人工破碎臺，包括:開設(shè)有開孔的破碎臺面、至少一個(gè)下料漏斗和至少一個(gè)剩料箱，下料漏斗的入口與破碎臺面的下表面相連，并與所述開孔連通，下料漏斗的出口與剩料箱的開口相對，其特征在于，破碎臺面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和/或剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置有聚氨酯I3U層。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅人工破碎臺，其特征在于，所述破碎臺面呈矩形，在破碎臺面的四個(gè)角上，豎直向上設(shè)置有四根豎直支架，在四根豎直支架的頂端，兩兩相鄰的豎直支架之間分別水平連接有水平支架。
3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅人工破碎臺，其特征在于，所述破碎臺面的下方形成封閉空間，所述下料漏斗和所述剩料箱容置于所述封閉空間內(nèi)； 所述多晶硅人工破碎臺還包括:抽風(fēng)機(jī)、抽風(fēng)風(fēng)道和用于向外送風(fēng)的外送風(fēng)風(fēng)道，所述抽風(fēng)機(jī)和外送風(fēng)風(fēng)道設(shè)置于所述破碎臺面的一側(cè)，所述抽風(fēng)風(fēng)道容置于所述封閉空間內(nèi)，分別與下料漏斗的出口和所述外送風(fēng)風(fēng)道相連，抽風(fēng)機(jī)的抽風(fēng)口與所述外送風(fēng)風(fēng)道相連。
4.如權(quán)利要求3所述的多晶硅人工破碎臺，其特征在于，所述破碎臺面的兩個(gè)側(cè)邊上分別設(shè)置有豎直的墻板，每側(cè)的墻板分別固定于該側(cè)的豎直支架上，兩側(cè)的墻板上均設(shè)有側(cè)抽風(fēng)口 ； 所述多晶硅人工破碎臺還包括設(shè)置于兩側(cè)的墻板的外側(cè)的側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道，所述側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道分別與所述側(cè)抽風(fēng)口和所述抽風(fēng)風(fēng)道相連通。
5.如權(quán)利要求4所述的多晶硅人工破碎臺，其特征在于，所述側(cè)抽風(fēng)口為多個(gè)，所述側(cè)抽風(fēng)口在兩側(cè)的墻板上豎直排列；最上端的側(cè)抽風(fēng)口到所述破碎臺面的距離為30-40cm。
6.如權(quán)利要求2所述的多晶硅人工破碎臺，其特征在于，在破碎臺面的四根豎直支架上設(shè)置有導(dǎo)軌； 所述多晶硅人工破碎臺還包括第一推拉門和第二推拉門，所述第一推拉門和第二推拉門的寬度與所述前水平支架和后水平支架的長度相等，所述第一推拉門和第二推拉門設(shè)置于所述導(dǎo)軌上； 所述第一推拉門設(shè)置于所述破碎臺面的前側(cè)，能夠在破碎臺面前側(cè)的導(dǎo)軌的導(dǎo)引下上下滑動；所述第二推拉門設(shè)置于破碎臺面的后側(cè)，能夠在破碎臺面后側(cè)的導(dǎo)軌的導(dǎo)引下上下滑動。
7.如權(quán)利要求6所述的多晶硅人工破碎臺，其特征在于，所述第一推拉門和第二推拉門采用透明的鋼化玻璃制成。
8.如權(quán)利要求1所述的多晶硅人工破碎臺，其特征在于，所述開孔為多個(gè)，所述開孔均勻分布于所述破碎臺面上。
9.如權(quán)利要求1所述的多晶硅人工破碎臺，其特征在于，所述開孔的直徑為25_。
10.如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的多晶硅人工破碎臺，其特征在于，下料漏斗的側(cè)壁與水平面呈30度角。
【文檔編號】B02C23/00GK203816736SQ201420156806
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月1日
【發(fā)明者】楊寶輝, 陳衛(wèi)衛(wèi), 曾遠(yuǎn)江, 其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請人:新特能源股份有限公司