專利名稱：春石斛蘭嫩莖段離體培養(yǎng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種石斛蘭嫩莖段離體快速培養(yǎng)方法，利用抽生的長度IOcm左右的新枝經(jīng)清洗消毒后誘導(dǎo)叢生芽，再經(jīng)過培養(yǎng)后獲得完整的試管苗，屬于石斛蘭培養(yǎng)方法技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
石斛蘭是一種喜溫喜濕高檔名貴熱帶蘭，其中的春石斛蘭是主要種類之一，適應(yīng)性較強(qiáng)，花色繁多艷麗，花期長達(dá)數(shù)月，觀賞價值高，其種苗靠扦插繁殖，繁殖率低并且易帶病毒，無法滿足生產(chǎn)用種苗之需。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種繁殖速度快、繁殖率高的春石斛蘭種苗培養(yǎng)方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種春石斛蘭的嫩莖段離體快速培養(yǎng)方法，其特征在于，具體步驟為第一步選取新抽生的長度為5 15厘米的嫩枝，剝?nèi)ト~片及葉鞘，用洗潔精清洗，在超凈工作臺上先用75vol%的乙醇溶液浸泡消毒O. 5 I. 5min，再用潔爾敏溶液浸泡消毒15min，所述的潔爾敏溶液中潔爾敏和水的體積比為I : 50，最后用O. Ivol %的升汞溶液浸泡消毒15min，用無菌水沖洗，用無菌濾紙吸干水份；第二步將第一步得到的嫩枝切成O. 5 I. 5cm長的莖段，每個莖段帶I個莖節(jié)，
接種于第一培養(yǎng)基中誘導(dǎo)腋芽萌發(fā)生長；第三步切下第二步得到的新芽，接種到第二培養(yǎng)基中誘導(dǎo)叢生芽生長；第四步將叢生芽切成單芽后，接種到第三培養(yǎng)基上進(jìn)行生根培養(yǎng)，得到生根的試
管苗；第五步將生根的試管苗移入苔蘚基質(zhì)中，裝入塑料穴盤中育成“苔蘚穴盤苗”，移栽后澆足水，第二天開始葉面噴灑清水，每天2次，半月后追施營養(yǎng)液，每月二次，經(jīng)三個月以上培養(yǎng)后，移入花盆中作盆花培養(yǎng)或作塑料大棚大苗培養(yǎng)。優(yōu)選地，所述的第二步中的第一培養(yǎng)基由在MS培養(yǎng)基中添加細(xì)胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到，第一培養(yǎng)基中細(xì)胞分裂素的濃度為lmg/L,赤霉素的濃度為O. 2mg/L,萘乙酸的濃度為O. lmg/L,香蕉泥的濃度為50g/L。優(yōu)選地，所述第三步中的第二培養(yǎng)基由在MS培養(yǎng)基中添加細(xì)胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到，第二培養(yǎng)基中細(xì)胞分裂素的濃度為l_2mg/L，赤霉素的濃度為
O.2mg/L，萘乙酸的濃度為O. 1-0. 2mg/L，香蕉泥的濃度為50g/L。優(yōu)選地，所述第四步中的第三培養(yǎng)基由在1/2MS培養(yǎng)基中添加吲哚丁酸和萘乙酸得到，第三培養(yǎng)基中吲哚丁酸的濃度為O. 5mg/L，萘乙酸濃度為O. lmg/L。優(yōu)選地，所述第五步中的營養(yǎng)液的成分是含有O. 1V01%磷酸二氫鉀和O. Ivol%硝酸銨的水溶液。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是所得到的春石斛蘭種苗繁殖速度快、繁殖率聞。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例來具體說明本發(fā)明。實(shí)施例一種春石斛蘭的嫩莖段離體快速培養(yǎng)方法，具體步驟為·第一步選取新抽生的長度為10厘米的嫩枝，剝?nèi)ト~片及葉鞘，用洗潔精清洗二遍，在超凈工作臺上先用75vol%的乙醇溶液浸泡消毒Imin,再用潔爾敏溶液浸泡消毒15min，所述的潔爾敏溶液中潔爾敏和水的體積比為I : 50，最后用O. lVol%的升汞溶液浸泡消毒15min,用無菌水沖洗三遍,用無菌濾紙吸干水份；第二步將第一步得到的嫩枝切成Icm長的莖段，每個莖段帶I個莖節(jié)，接種于第一培養(yǎng)基中誘導(dǎo)腋芽萌發(fā)生長；第一培養(yǎng)基由在MS培養(yǎng)基中添加細(xì)胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到，第一培養(yǎng)基中細(xì)胞分裂素的濃度為lmg/L，赤霉素的濃度為O. 2mg/L,萘乙酸的濃度為O. lmg/L，香蕉泥的濃度為50g/L ；第三步切下第二步得到的新芽，接種到第二培養(yǎng)基中誘導(dǎo)叢生芽生長；第二培養(yǎng)基由在MS培養(yǎng)基中添加細(xì)胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到，第二培養(yǎng)基中細(xì)胞分裂素的濃度為I. 5mg/L,赤霉素的濃度為O. 2mg/L,萘乙酸的濃度為O. 15mg/L,香蕉泥的濃度為50g/L ；第四步將叢生芽切成單芽后，接種到第三培養(yǎng)基上進(jìn)行生根培養(yǎng)，得到生根的試管苗；第三培養(yǎng)基由在1/2MS培養(yǎng)基中添加吲哚丁酸和萘乙酸得到，第三培養(yǎng)基中吲哚丁酸的濃度為O. 5mg/L，萘乙酸濃度為O. lmg/L ;培養(yǎng)室溫度23°C，每天12小時光照，光照強(qiáng)度 3000LX。第五步將生根的試管苗移入苔蘚基質(zhì)中，裝入塑料穴盤(72孔)中育成“苔蘚穴盤苗”，移栽后澆足水，第二天開始葉面噴灑清水，每天2次，半月后追施營養(yǎng)液，每月二次，經(jīng)三個月以上培養(yǎng)后，移入花盆中作盆花培養(yǎng)。營養(yǎng)液的成分是含有O. Ivol %磷酸二氫鉀和O. Ivol %硝酸銨的水溶液，施加量為每個塑料穴盤(72孔)1000ml。其中，第三步誘導(dǎo)叢生芽生長，每35-45天增殖一次，每次增殖系數(shù)I : 3_5，以年增殖10次計算，I個叢生芽I年可得到50000-60000個單芽(扣除微生物污染率5%左右)，即轉(zhuǎn)入第四步生根培養(yǎng)時可得到55000株試管苗(生根率96% )，充分說明本發(fā)明的優(yōu)越性。
權(quán)利要求
1.ー種春石斛蘭的嫩莖段離體快速培養(yǎng)方法，其特征在于，具體步驟為 第一歩選取新抽生的長度為5 15厘米的嫩枝，剝?nèi)ト~片及葉鞘，用洗潔精清洗，在超凈工作臺上先用75vol%的こ醇溶液浸泡消毒0. 5 I. 5min,再用潔爾敏溶液浸泡消毒15min，所述的潔爾敏溶液中潔爾敏和水的體積比為I : 50，最后用0. lVol%的升汞溶液浸泡消毒15min,用無菌水沖洗,用無菌濾紙吸干水份； 第二步將第一歩得到的嫩枝切成0. 5 I. 5cm長的莖段，每個莖段帶I個莖節(jié)，接種于第一培養(yǎng)基中誘導(dǎo)腋芽萌發(fā)生長； 第三步切下第二步得到的新芽，接種到第二培養(yǎng)基中誘導(dǎo)叢生芽生長； 第四歩將叢生芽切成單芽后，接種到第三培養(yǎng)基上進(jìn)行生根培養(yǎng)，得到生根的試管苗； 第五步將生根的試管苗移入苔蘚基質(zhì)中，裝入塑料穴盤中育成“苔蘚穴盤苗”，移栽后澆足水，第二天開始葉面噴灑清水，每天2次，半月后追施營養(yǎng)液，毎月二次，經(jīng)三個月以上培養(yǎng)后，移入花盆中作盆花培養(yǎng)或作塑料大棚大苗培養(yǎng)。
2.如權(quán)利要求I所述的春石斛蘭的嫩莖段離體快速培養(yǎng)方法，其特征在于，所述的第ニ步中的第一培養(yǎng)基由在MS培養(yǎng)基中添加細(xì)胞分裂素、赤霉素、萘こ酸和香蕉泥得到，第一培養(yǎng)基中細(xì)胞分裂素的濃度為lmg/L,赤霉素的濃度為0. 2mg/L,萘こ酸的濃度為0. Img/L,香蕉泥的濃度為50g/L。
3.如權(quán)利要求I所述的春石斛蘭的嫩莖段離體快速培養(yǎng)方法，其特征在干，所述第三步中的第二培養(yǎng)基由在MS培養(yǎng)基中添加細(xì)胞分裂素、赤霉素、萘こ酸和香蕉泥得到，第二培養(yǎng)基中細(xì)胞分裂素的濃度為l_2mg/L,赤霉素的濃度為0. 2mg/L,萘こ酸的濃度為0.1-0. 2mg/L,香蕉泥的濃度為50g/L。
4.如權(quán)利要求I所述的春石斛蘭的嫩莖段離體快速培養(yǎng)方法，其特征在于，所述第四步中的第三培養(yǎng)基由在1/2MS培養(yǎng)基中添加吲哚丁酸和萘こ酸得到，第三培養(yǎng)基中吲哚丁酸的濃度為0. 5mg/L，萘こ酸濃度為0. lmg/L。
5.如權(quán)利要求I所述的春石斛蘭的嫩莖段離體快速培養(yǎng)方法，其特征在于，所述第五步中的營養(yǎng)液的成分是含有0. Ivol %磷酸ニ氫鉀和0. Ivol %硝酸銨的水溶液。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種春石斛蘭的嫩莖段離體快速培養(yǎng)方法，其特征在于，具體步驟為第一步選取新抽生的嫩枝，剝?nèi)ト~片及葉鞘，清洗，消毒，用無菌水沖洗，用無菌濾紙吸干水份；第二步將第一步得到的嫩枝切成莖段，誘導(dǎo)腋芽萌發(fā)生長；第三步切下第二步得到的新芽，誘導(dǎo)叢生芽生長；第四步將叢生芽切成單芽后，接種到第三培養(yǎng)基上進(jìn)行生根培養(yǎng)，得到生根的試管苗；第五步將生根的試管苗移入苔蘚基質(zhì)中，裝入塑料穴盤中育成“苔蘚穴盤苗”，移栽后澆足水，第二天開始葉面噴灑清水，半月后追施營養(yǎng)液，經(jīng)三個月以上培養(yǎng)后，移入花盆中作盆花培養(yǎng)或作塑料大棚大苗培養(yǎng)。本發(fā)明所得到的春石斛蘭種苗繁殖速度快、繁殖率高。
文檔編號A01H4/00GK102657097SQ20121017990
公開日2012年9月12日 申請日期2012年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月2日
發(fā)明者吳永蘭, 吳窮, 張媁, 湯桂鈞, 胡海峰, 蔣建平 申請人:上海市閔行區(qū)農(nóng)業(yè)科學(xué)研究所