專利名稱：陣列基板、制造其的方法、彩色濾光片基板以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板、一種制造該陣列基板的方法、一種彩色濾光片基板以及一種顯示裝置。更具體而言，本發(fā)明涉及一種能夠形成多疇的陣列基板、一種制造該陣列基板的方法、一種彩色濾光片基板以及一種顯示裝置。
背景技術(shù)：
一般地，一個液晶顯示(LCD)裝置包括一個陣列基板、一個彩色濾光片基板以及一個液晶層。該陣列基板具有一個轉(zhuǎn)換像素的薄膜晶體管(TFT)，該彩色濾光片基板具有一個公共電極。該液晶層形成在該陣列基板和該彩色濾光片基板之間。該LCD裝置利用該液晶層來顯示圖像，該液晶層響應(yīng)于施加在該液晶層上的電壓來控制通過該液晶層的光的透射率。
由于LCD裝置利用通過液晶層的光來顯示圖像，LCD裝置具有比其它類型顯示裝置更窄的視角。近來，為了增大視角，針對LCD裝置已經(jīng)開發(fā)了垂直排列(VA)模式。
以VA模式工作的LCD裝置包括兩個相互面對的基板和一個設(shè)置在該兩個基板之間的一個液晶層。該液晶層包括許多具有負(fù)型介電常數(shù)各向異性(negative type dielectric constant anisotropy)的液晶分子。因而，該液晶層的液晶分子垂直地排列。
在VA模式下，當(dāng)未向液晶層施加電壓時，該液晶層的液晶分子相對于基板表面垂直排列。從而，該LCD裝置顯示黑色圖像。當(dāng)向液晶層施加一個白色電壓時，液晶分子平行于基板表面而排列。從而，該LCD裝置顯示白色圖像。當(dāng)向液晶層施加低于該白色電壓的電壓時，液晶分子相對于基板表面呈一個角度而排列。利用該有角度的排列，該LCD裝置顯示具有灰度等級的圖像。
一個在圖案化垂直排列(PVA)模式下工作的LCD裝置包括一個具有圖案化公共電極部件的彩色濾光片基板和一個具有圖案化像素電極部件的陣列基板。
小屏幕LCD裝置和中屏幕LCD裝置的缺點在于這些LCD裝置具有更窄的視角或灰度反轉(zhuǎn)。為了解決或補(bǔ)償這些缺點，常使小屏幕和中屏幕LCD裝置工作在PVA模式下。
具有PVA模式的小屏幕和中屏幕LCD裝置是通過一個將形成在陣列基板和彩色濾光片基板上的氧化錫銦圖案化的工藝來制造的。特別地，該彩色濾光器基板是通過一個光刻工藝、一個顯影工藝、一個蝕刻工藝和一個剝離工藝來制造的。為了排列液晶分子，利用一個廣為所知的研磨工藝來使用一個排列層。該排列工藝可能很困難，尤其對于小屏幕和中屏幕LCD裝置。人們迫切需要一種無需利用研磨工藝而排列液晶分子的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠形成多疇的陣列基板。
本發(fā)明還提供一種適于制造上述陣列基板的方法。
本發(fā)明提供一種能夠形成多疇的彩色濾光片基板。
本發(fā)明提供一種能夠形成多疇的顯示裝置。
在本發(fā)明的一個方面中，陣列基板包括基板，該基板具有像素區(qū)域、形成在該像素區(qū)域中的開關(guān)元件、和電連接到該開關(guān)元件的像素電極部件。該像素電極部件具有沿互不相同方向延伸的多個圖案化開口。
在根據(jù)本發(fā)明的另一方面制造陣列基板的方法中，在基板的單元像素區(qū)域中形成柵線、源線以及電連接到該柵線和源線的開關(guān)元件。像素電極部件被電連接到該開關(guān)元件。該像素電極部件具有沿互不相同方向延伸的多個圖案化開口，從而在該單元像素區(qū)域中確定多個多疇。
在本發(fā)明的又一個方面中，彩色濾光片基板與具有多個像素電極的陣列基板相結(jié)合。液晶層被夾在該彩色濾光片基板和該陣列基板之間。該彩色濾光片基板包括具有像素區(qū)域的基底基板和形成在該基底基板上的公共電極部件。該公共電極部件具有形成在該像素區(qū)域中的凹入以對應(yīng)于該像素區(qū)域在該液晶層中形成多個疇。
在本發(fā)明的再一個方面中，顯示裝置包括具有公共電極部件的上基板、液晶層和與該上基板相結(jié)合的下基板。該液晶層被夾設(shè)在該上基板和該下基板之間。該下基板包括面對該公共電極部件的像素電極部件。該像素電極部件具有沿互不相同方向延伸的多個圖案化開口，從而形成多個多疇。
根據(jù)以上所述，該陣列基板的像素電極部件具有突起，且該彩色濾光片基板的公共電極部件具有凹入，由此形成該液晶層的多個疇。


通過參照以下詳細(xì)描述，并在結(jié)合附圖考慮時，本發(fā)明的上述及其它優(yōu)點將變得顯而易見，其中圖1為平面圖，顯示本發(fā)明一個實施例中的液晶顯示(LCD)裝置；圖2為沿圖1中I-I’線剖切的橫截面圖；圖3A和3B為橫截面視圖，顯示圖1中所示LCD裝置的LCD板的操作；圖4A至4D為平面圖，顯示一種制造如圖1所示LCD裝置中的陣列基板的方法；圖5A為橫截面視圖，顯示圖1中所示LCD裝置的操作；圖5B為曲線圖，顯示施加在圖1所示LCD裝置中的液晶層上的電壓；圖6為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的陣列基板；圖7為沿圖6中II-II’線剖切的橫截面視圖；圖8A至8D為橫截面視圖，顯示一種制造如圖6中所示的陣列基板的方法；圖9A為橫截面視圖，顯示具有圖6中所示陣列基板的LCD裝置的工作；圖9B為曲線圖，顯示施加在具有圖6中所示陣列基板的LCD裝置的液晶層上的電壓；圖10為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的一個陣列基板；圖11為沿圖10中所示III-III’線所取的橫截面視圖；圖12為橫截面視圖，顯示根據(jù)另一個實施例的一個LCD裝置；圖13A至13F為平面圖，顯示一種制造如圖10中所示的陣列基板的方法；圖14為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的陣列基板；圖15為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的陣列基板；圖16為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的陣列基板；圖17為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的陣列基板；
圖18為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的LCD裝置；圖19為沿圖18中IV-IV′線剖切的橫截面視圖；圖20為橫截面視圖，顯示圖18中所示LCD裝置的操作；圖21為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的LCD裝置；圖22為沿圖21中V-V’線剖切的橫截面視圖；圖23為橫截面視圖，顯示圖21中所示LCD裝置的操作；圖24為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的LCD裝置；圖25為沿圖24中VI-VI’線剖切的橫截面視圖；圖26為橫截面視圖，顯示圖24中所示LCD裝置的操作；圖27為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的LCD裝置；圖28為沿圖27中VII-VII’線所剖切的橫截面視圖；以及圖29為橫截面視圖，顯示圖27中所示LCD裝置的操作。
具體實施例方式
下文參照其中示出了本發(fā)明的各實施例的附圖對本發(fā)明進(jìn)行更完整地描述。然而，本發(fā)明可被體現(xiàn)在很多不同形式中，而不應(yīng)被解釋為局限于這里提出的實施例。更確切地說，提供這些實施例，從而使本公開將更充分和完整，并將向那些本領(lǐng)域中的技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為清晰起見，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸可能被夸大。
可以理解當(dāng)元件或?qū)臃Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦合到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接或耦合到另一元件或?qū)由?，或可以存在中間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件稱為“直接”在另一元件“上”或“直接連接到”或“直接耦合到”另一元件或?qū)訒r，則沒有中間元件或?qū)哟嬖?。通篇相似的?biāo)記指示相似的元件。這里所用的術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列舉項目的一個或更多的任何和所有組合。
可以理解雖然術(shù)語第一、第二和第三可以用于此來描述各種元件、組分、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只用于區(qū)分一個元件、組分、區(qū)域、層或部分與另一元件、組分、區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、組分、區(qū)域、層或部分可以稱為第二元件、組分、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
在這里使用空間相對術(shù)語，諸如“下”、“底”、“上”、“頂”、“下面”、“上面”等，來方便地描述一個元件或特征和另一(諸)元件或(諸)特征如圖中所示的關(guān)系?？梢岳斫饪臻g相對的術(shù)語旨在包含除了在圖中所繪的方向之外在圖中物體的不同方向。例如，如果在圖中的物體被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其它元件的“下”或“下面”的元件則應(yīng)取向在所述其它元件的“上”或“上面”。因此，示范性術(shù)語“下”可以包含“下”和“上”兩個方向，依據(jù)圖的具體取向。該器件可以另外取向(旋轉(zhuǎn)90度或以其它的角度)且這里使用的空間相對的描述據(jù)此解釋。
這里所使用的術(shù)語是只為了說明特別的實施例的目的且不旨在限制本發(fā)明。如這里所用，單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非內(nèi)容清楚地指示另外的意思。進(jìn)一步理解當(dāng)在此說明書中使用時術(shù)語“包括”和/或“包含”說明所述特征、數(shù)字、步驟、操作、元件和/或組分的存在，但是不排出存在或添加一個或更多其它特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、組分和/或其組。
參考橫截面(和/或平面圖)圖示在這里描述了本發(fā)明的實施例，該圖示是本發(fā)明的理想實施例的示意圖。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)解釋為限于這里所示的特別的區(qū)域形狀，而是包括由于例如制造引起的形狀的偏離。例如，示出或描述為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⑼ǔ＞哂袌A或曲線特征和/或在其邊緣具有注入劑濃度的梯度而不是從注入到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。相似地，由注入形成的埋覆區(qū)可以造成埋覆區(qū)和通過其產(chǎn)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的且且它們的形狀不旨在示出裝置的區(qū)域的精確的形狀且不旨在限制本發(fā)明的范圍。
除非另有界定，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有本發(fā)明屬于的領(lǐng)域的一般技術(shù)人員共同理解的相同的意思。還可以理解諸如那些在共同使用的字典中的術(shù)語應(yīng)解釋為具有一種與在相關(guān)技術(shù)的背景中的它們的意思一致的意思，而不應(yīng)解釋為理想化或過度正式的意義，除非在這里明確地如此界定。
在下文中，將參照附圖來詳細(xì)解釋本發(fā)明。
圖1為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的液晶顯示(LCD)裝置。圖2為沿圖1中所示I-I’線剖切的橫截面視圖。特別地，該LCD裝置具有透射型陣列基板。
參照圖1和2，該LCD裝置包括陣列基板100、液晶層200和彩色濾光片基板300。彩色濾光片基板300與陣列基板100相結(jié)合，從而液晶層200被夾設(shè)在彩色濾光片基板300和陣列基板100之間。
陣列基板100包括第二透明基板105、多個柵線110、多個柵電極112、下存儲圖案111和柵電極絕緣層113。柵線110位于第二透明基板105上，且沿第一方向延伸，如圖1中所示。柵電極112被電連接到柵線110。在每個單元像素區(qū)中每個下存儲圖案111與每個柵線110間隔開來。柵電極絕緣層113包括絕緣材料，以覆蓋柵線110和柵電極112?？捎米鳀烹姌O絕緣層113的絕緣材料包括氮化硅、氧化硅等。
陣列基板100還可包括半導(dǎo)體層114、歐姆接觸層115、多個源線120、多個源電極122和多個漏電極124。半導(dǎo)體層114位于每個柵電極112之上的柵電極絕緣層113上。歐姆接觸層115位于半導(dǎo)體層114上。源線120沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。單元像素區(qū)由相鄰的柵線和源線110、120界定。源電極122被電連接到源線120上。每個漏電極124與每個源電極122間隔開來。每個柵電極112、半導(dǎo)體層114、歐姆接觸層115、每個源電極122以及每個漏電極124形成薄膜晶體管(TFT)。
每個柵線和源線110和120可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)每個柵線和源線110和120具有單層結(jié)構(gòu)時，每個柵線和源線110和120包括鋁、鋁合金等。當(dāng)每個柵線和源線110和120具有雙層結(jié)構(gòu)時，每個柵線和源線110和120包括下層和上層。每個柵線和源線110和120的下層的材料(金屬或金屬合金)包括鉻、鉬、鉬合金等。每個柵線和源線110和120的上層的材料(金屬或金屬合金)包括鋁、鋁合金等。
陣列基板100還可包括鈍化層130和鈍化層130上的有機(jī)絕緣層132。漏電極124通過鈍化層130和有機(jī)絕緣層132的接觸孔CNT部分地被暴露。該鈍化層130和有機(jī)絕緣層132覆蓋于源電極和漏電極122和124之間的半導(dǎo)體層114和歐姆接觸層115，以保護(hù)半導(dǎo)體層114和歐姆接觸層115。像素電極部件140通過鈍化層130和有機(jī)絕緣層132與TFT電絕緣。鈍化層130和有機(jī)絕緣層132控制液晶層200的厚度。在某些實施例中，鈍化層130可被省去。
陣列基板100還可包括像素電極部件140，像素電極部件140通過接觸孔CNT電連接到TFT的漏電極124上。像素電極部件140具有多個沿不同方向排列的圖案化開口。像素電極部件140部分地與下存儲圖案111重疊，以界定存儲電容器電容Cst。
具體而言，像素電極部件140包括第一連接電極141、第一子電極142、第二連接電極143、第二子電極144、第三連接電極145和第三子電極146。第一連接電極141被電連接到TFT的漏電極124。第一子電極142被電連接到第一連接電極141，并具有帶圓角的四邊形形狀。第二連接電極143被電連接到第一子電極142上，并具有比第一子電極142更小的寬度。第二子電極144被電連接到第二連接電極143上，并具有帶圓角的四邊形形狀。第三連接電極145被電連接到第二子電極144上，并具有比第二子電極144更小的寬度。第三子電極146被電連接到第三連接電極145上，并具有帶圓角的四邊形形狀。
第二、第三子電極142、144和146中的每一個具有相對于每個第一、第二、第三子電極142、144和146的中心沿徑向排列的多個直線形圖案化的開口142a、144a和146a。在圖1的LCD裝置中，第一、第二、第三子電極142、144和146中的每一個具有十六個直線形圖案化的開口。
彩色濾光片基板300包括第一透明基板305、第一透明基板305上的彩色濾光層310和彩色濾光層310上的公共電極部件320。彩色濾光片基板300與陣列基板100相結(jié)合，從而使液晶層200被夾設(shè)于彩色濾光片基板300與陣列基板100之間。在圖1和2的LCD裝置中，液晶層200處于垂直排列(VA)模式下。
一般地，采用研磨工藝?yán)门帕袑觼硌厮璺轿慌帕幸壕?。然而，由于形成在第一、第二、第三子電極142、144和146中的每一個上形成的十六個疇的存在，使得不需要研磨工藝和排列層。
根據(jù)圖1和圖2中的LCD裝置，陣列基板包括具有三個子電極的像素電極部件，且每個子電極包括沿徑向排列的圖案化開口。公共電極部件可能不具有任何圖案化開口。從而，像素電極部件上的液晶層200在單元像素區(qū)中具有多個疇。
圖3A和3B為橫截面視圖，顯示圖1中所示LCD裝置的LCD板的工作。具體而言，圖3A和3B示出了單元像素區(qū)中液晶層200的一種排列。多個疇由位于第一連接電極141、第一子電極142和第二連接電極143之間的開口142a來界定。
當(dāng)未向像素電極部件140施加電壓時，液晶層200的液晶垂直排列。當(dāng)向像素電極部件140施加電壓時，該液晶層200的液晶排列將改變。在電壓施加的初始階段中，液晶相對于由像素電極部件140形成的電場傾斜。該電場可為旋錯(disclination)的。
在該電壓施加的初始階段之后，液晶被傾斜，以使液晶在第一、第二和第三子電極中每一個的中部附近集中以顯示一個圖像。
也就是說，圖案化開口142a僅形成在陣列基板100上，以形成多個疇。圖1至3B的LCD裝置具有比在VA模式下工作的常規(guī)LCD裝置更大的透光率。此外，存儲電容可形成于單元像素區(qū)的周圍區(qū)域。
圖4A至4D為平面圖，顯示一種制造如圖1中所示LCD裝置的一個陣列基板的方法。
參見圖4A，在第二透明基板105上沉積一種金屬或金屬合金。柵線110、下存儲圖案111和柵電極112的材料(金屬或金屬合金)的例子可包括鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、鉻、鉭、鈦等。
沉積的金屬或金屬合金層被圖案化，以形成柵線110、下存儲圖案111和柵電極112。柵線110沿第一方向延伸，且沿第二方向排列。下存儲圖案111基本上平行于柵線110，且具有四邊形開口。柵電極112被電連接到柵線110。
在具有柵電極112的第二透明基板105上沉積氮化硅，以形成柵絕緣層113。氮化硅可通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法來沉積。柵絕緣層113可形成在第二透明基板105的整個表面上?；蛘?，柵絕緣層113可部分地覆蓋柵線110和柵電極112。
參見圖4B，在柵絕緣層113上沉積非晶硅。將N+雜質(zhì)注入沉積的非晶硅層上，以形成非晶硅層和N+非晶硅層。非晶硅層和N+非晶硅層被圖案化，以相應(yīng)于柵電極112在柵絕緣層113上形成有源層115。
在具有有源層115的柵絕緣層113上沉積金屬或金屬合金。源線120、源電極122和漏電極124的材料(金屬或金屬合金)的例子包括鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、鉻、鉭、鈦等。沉積的金屬或金屬合金層被圖案化，以形成源線120、源電極122和漏電極124。源電極122被電連接到源線120上。每個漏電極124與每個源電極122相互隔開。
參見圖4C，在具有源電極122的柵絕緣層113上沉積無機(jī)絕緣材料，以形成鈍化層130。在鈍化層130上涂布具有光致抗蝕劑的有機(jī)絕緣材料，以形成有機(jī)絕緣層132。部分地去除鈍化層130和有機(jī)絕緣層132，以在單元像素區(qū)中形成接觸孔CNT。每個漏電極124通過接觸孔CNT被部分地暴露。單元像素區(qū)由相鄰的柵線和源線110和120來界定。
參見圖4D，在有機(jī)絕緣層132上沉積透明導(dǎo)電材料。沉積的透明導(dǎo)電材料被圖案化，以形成像素電極部件140，像素電極部件140通過接觸孔CNT被電連接到漏電極124。
具體而言，像素電極部件140包括第一連接電極141、第一子電極142、第二連接電極143、第二子電極144、第三連接電極145和第三子電極146。第一連接電極141被電連接到TFT的漏電極124。第一子電極142被電連接到第一連接電極141，并具有帶圓角的四邊形形狀。第二連接電極143被電連接到第一子電極142，并具有比第一子電極142更小的寬度。第二子電極144被電連接到第二連接電極143，并具有帶圓角的四邊形形狀。第三連接電極145被電連接到第二子電極144，并具有比第二子電極144更小的寬度。第三子電極146被電連接到第三連接電極145，并具有帶圓角的四邊形形狀。
可用于像素電極部件140的透明導(dǎo)電材料的例子包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(TO)、氧化鋅(ZO)、氧化銦鋅錫(ITZO)等。在圖4D中，該透明導(dǎo)電材料被沉積在有機(jī)絕緣層132的整個表面上，且沉積的透明導(dǎo)電材料層被部分地蝕刻，以形成像素電極部件140?；蛘撸撏该鲗?dǎo)電材料可被部分地沉積在有機(jī)絕緣層132上，以直接形成像素電極部件140。在圖4D中，將像素電極部件140與柵線和源線110和120間隔開來。在其它實施例中，像素電極部件140可通過預(yù)定距離部分地覆蓋柵線和/或源線110和120。
然后，在像素電極部件140的第一、第二、第三子電極142、144和146上形成沿徑向排列的、直線形圖案化的開口142a、144a和146a。第一、第二、第三子電極142、144和146中每一個上的直線形圖案化的開口142a、144a和146a的數(shù)量為十六個。直線形圖案化的開口142a、144a和146a形成一個扭曲的電場，以形成具有這些疇的多疇。直線形圖案化的開口142a、144a和146a通過用于形成像素電極部件140的圖案化工藝來形成?；蛘?，直線形圖案化的開口142a、144a和146a可通過與形成像素電極部件140的圖案化工藝不同的圖案化工藝來形成。
圖5A為橫截面視圖，顯示圖1中所示LCD裝置的操作。圖5B為曲線圖，顯示施加在圖1中所示LCD裝置的液晶層上的電壓。
參見圖5A，彩色濾光片基板300包括第一透明基板305和第一透明基板305上的公共電極部件320。陣列基板100包括第二透明基板105和具有直線形圖案化開口142a的像素電極部件140。
在操作中，第一疇區(qū)DA1由與第一連接電極141相鄰的直線形圖案化開口142a界定。第二疇區(qū)DA2由與第一子電極142左側(cè)相鄰的直線形圖案化開口142a界定。第三疇區(qū)DA3由與第一子電極142右側(cè)相鄰的直線形圖案化開口142a界定。第四疇區(qū)DA4由與第二連接電極143左側(cè)相鄰的直線形圖案化開口142a界定。第五疇區(qū)DA5由與第二連接電極143右側(cè)相鄰的直線形圖案化開口142a界定。施加在對應(yīng)于第一、第二、第三、第四、第五疇區(qū)DA1、DA2、DA3、DA4和DA5的液晶層上的電壓水平是變化的，從而使第一、第二、第三、第四、第五疇區(qū)DA1、DA2、DA3、DA4和DA5中的液晶排列不一定相同。
圖6為一個平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的陣列基板。圖7為沿圖6中所示II-II’線所剖切的橫截面視圖。除了存在一個突出電極以外，圖6和圖7的陣列基板與圖1至圖2中的陣列基板基本相同。
參見圖6和圖7，LCD裝置包括陣列基板400、液晶層200和彩色濾光片基板300。彩色濾光片基板300與陣列基板400相結(jié)合，從而使液晶層200被夾設(shè)于彩色濾光片基板300與陣列基板400之間。
陣列基板400包括第二透明基板405、多個柵線410、多個柵電極412、下存儲圖案411和柵電極絕緣層413。柵線410位于第二透明基板405上，且沿第一方向延伸，如圖6中所示。柵電極412被電連接到柵線410。在每個單元像素區(qū)中每個下存儲圖案411與每個柵線410間隔開來。柵電極絕緣層413包括絕緣材料以覆蓋柵線410和柵電極412。可用于柵電極絕緣層413的絕緣材料的例子包括氮化硅、氧化硅等。
陣列基板400還可包括半導(dǎo)體層414、歐姆接觸層415、多個源線420、多個源電極422和多個漏電極424。在每個柵電極412上，半導(dǎo)體層414位于柵電極絕緣層413上。歐姆接觸層415位于半導(dǎo)體層414上。源線420沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。單元像素區(qū)由相鄰的柵線和源線410、420界定。源電極422被電連接到源線420上。每個漏電極424與每個源電極422間隔開來。每個柵電極412、半導(dǎo)體層414、歐姆接觸層415、每個源電極422以及每個漏電極424形成薄膜晶體管(TFT)。
每個柵線和源線410和420可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)每個柵線和源線410和420具有單層結(jié)構(gòu)時，每個柵線和源線410和420包括鋁、鋁合金等。當(dāng)每個柵線和源線410和420具有雙層結(jié)構(gòu)時，每個柵線和源線410和420包括下層和上層。每個柵線和源線410和420的下層的材料(金屬或金屬合金)的例子包括鉻、鉬、鉬合金等。每個柵線和源線410和420的上層的材料(金屬或金屬合金)的例子包括鋁、鋁合金等。
陣列基板400還可包括鈍化層430和鈍化層430上的有機(jī)絕緣層432。漏電極424通過鈍化層430和有機(jī)絕緣層432的接觸孔CNT部分地被暴露。鈍化層430和有機(jī)絕緣層432覆蓋位于源電極和漏電極422和424之間的半導(dǎo)體層414和歐姆接觸層415，以保護(hù)半導(dǎo)體層414和歐姆接觸層415。像素電極部件440通過鈍化層430和有機(jī)絕緣層432與TFT電絕緣。鈍化層430和有機(jī)絕緣層432控制液晶層200的厚度。在某些實施例中，鈍化層430可被省去。
陣列基板400還可包括像素電極部件440，像素電極部件440通過接觸孔CNT電連接到TFT的漏電極424。像素電極部件440具有多個沿不同方向排列的圖案化開口。像素電極部件440部分地與下存儲圖案411重疊，以界定存儲電容器電容Cst。
具體而言，像素電極部件440包括第一連接電極441、第一子電極442、第二連接電極443、第二子電極444、第三連接電極445和第三子電極446。第一連接電極441被電連接到TFT的漏電極424。第一子電極442被電連接到第一連接電極441，并具有帶圓角的四邊形形狀。第二連接電極443被電連接到第一子電極442，并具有比第一子電極442更小的寬度。第二子電極444被電連接到第二連接電極443，并具有帶圓角的四邊形形狀。第三連接電極445被電連接到第二子電極444，并具有比第二子電極444更小的寬度。第三子電極446被電連接到第三連接電極445，并具有帶圓角的四邊形形狀。
第二、第三子電極442、444和446中的每一個具有相對于每個第一、第二、第三子電極442、444和446的中心沿徑向排列的多個直線形圖案化的開口442a、444a和446a。在圖6的LCD裝置中，第一、第二、第三子電極442、444和446中的每一個具有十六個直線形圖案化的開口。第一、第二、第三子電極442、444和446包括第一突起電極部分442b、第二突起電極部分444b和第三突起電極部分446b。在圖6的陣列基板中，第一、第二、第三突起電極部分442b、444b和446b中的每一個具有圓形形狀。然而，這并不是對本發(fā)明的限制，且在其它實施例中，第一、第二、第三突起電極部分442b、444b和446b中的每一個可具有四邊形形狀、八邊形形狀等。
彩色濾光片基板300包括第一透明基板305、第一透明基板305上的彩色濾光層310和彩色濾光層310上的公共電極部件320。彩色濾光片基板300與陣列基板400相結(jié)合，從而使液晶層200被夾設(shè)于彩色濾光片基板300與陣列基板400之間。在圖6和7的LCD裝置中，液晶層200處于垂直排列(VA)模式下。
十六個疇形成于第一、第二、第三子電極442、444和446中的每一個上。如上所述，多個疇的存在使研磨工藝和排列層可被省去。
圖8A至8D為橫截面視圖，顯示一種制造如圖6中所示的一個陣列基板的方法。
參見圖8A，在第二透明基板405上沉積金屬或金屬合金。柵線410、下存儲圖案411和柵電極412的材料(金屬或金屬合金)的例子可包括鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、鉻、鉭、鈦等。沉積的金屬或金屬合金層被圖案化，以形成柵線410、下存儲圖案411和柵電極412。柵線410沿第一方向延伸，且沿第二方向排列。下存儲圖案411基本上平行于柵線410，且具有四邊形開口。柵電極412被電連接到柵線410上。
在具有柵電極412的第二透明基板405上沉積氮化硅，以形成柵絕緣層413。氮化硅可通過一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法來沉積。柵絕緣層413可形成在第二透明基板405的整個表面上。或者，柵絕緣層413可部分地覆蓋柵線410和柵電極412。
參見圖8B，在柵絕緣層413上沉積非晶硅。將N+雜質(zhì)注入沉積的非晶硅層上，以形成非晶硅層和N+非晶硅層。非晶硅層和N+非晶硅層被圖案化，以相應(yīng)于柵電極412在柵絕緣層413上形成有源層415。
在具有有源層415的柵絕緣層413上沉積金屬或金屬合金。源線420、源電極422和漏電極424的材料(金屬或金屬合金)的例子包括鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、鉻、鉭、鈦等。沉積的金屬或金屬合金層被圖案化，以形成源線420、源電極422和漏電極424。源電極422被電連接到源線420上。每個漏電極424與每個源電極422相互隔開。
參見圖8C，在具有源電極422的柵絕緣層413上沉積無機(jī)絕緣材料，以形成鈍化層430。在鈍化層430上涂布具有光致抗蝕劑的有機(jī)絕緣材料以形成有機(jī)絕緣層432。部分地去除鈍化層430和有機(jī)絕緣層432，以在單元像素區(qū)中形成接觸孔CNT，以及第一突起433、第二突起435和第三突起437。每個漏電極424通過接觸孔CNT被部分地暴露。該單元像素區(qū)由相鄰的柵線和源線410和420來界定。
參見圖8D，在具有第一、第二和第三突起433、435和437的有機(jī)絕緣層432上沉積透明導(dǎo)電材料。沉積的透明導(dǎo)電材料被圖案化，以形成像素電極部件440，像素電極部件440通過接觸孔CNT被電連接到漏電極424上。具體而言，像素電極部件440包括第一連接電極441、第一子電極442、第二連接電極443、第二子電極444、第三連接電極445和第三子電極446。第一連接電極441被電連接到TFT的漏電極424。第一子電極442被電連接到第一連接電極441，并具有帶圓角的四邊形形狀。第二連接電極443被電連接到第一子電極442，并具有比第一子電極442更小的寬度。第二子電極444被電連接到第二連接電極443，并具有帶圓角的四邊形形狀。第三連接電極445被電連接到第二子電極444，并具有比第二子電極444更小的寬度。第三子電極446被電連接到第三連接電極445，并具有帶圓角的四邊形形狀。
可用于像素電極部件440的透明導(dǎo)電材料的例子包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(TO)、氧化鋅(ZO)、氧化銦鋅錫(ITZO)等。在圖8D中，該透明導(dǎo)電材料被沉積在具有第一、第二和第三突起433、435和437的有機(jī)絕緣層432的整個表面上，且沉積的透明導(dǎo)電材料層被部分地蝕刻，以形成像素電極部件440?；蛘撸撏该鲗?dǎo)電材料可被部分地沉積在有機(jī)絕緣層432上，以直接形成像素電極部件440。在圖8D中，將像素電極部件440與柵線和源線410和420間隔開來。在其它實施例中，像素電極部件440可通過預(yù)定距離部分地覆蓋柵線和/或源線410和420。
然后，在像素電極部件440的第一、第二、第三子電極442、444和446上形成沿徑向排列的、直線形圖案化的開口442a、444a和446a。第一、第二、第三子電極442、444和446中每一個上的直線形圖案化的開口442a、444a和446a的數(shù)量為十六個。直線形圖案化的開口442a、444a和446a形成一個扭曲的電場，以形成多疇。此外，第一、第二、第三突起電極部分442b、444b和446b也形成一個扭曲電場，以形成多個疇。直線形圖案化的開口442a、444a和446a通過用于形成像素電極部件440的圖案化工藝來形成?；蛘?，直線形圖案化的開口442a、444a和446a可通過與形成像素電極部件440的圖案化工藝不同的圖案化工藝來形成。
圖9A為橫截面視圖，顯示具有圖6中所示陣列基板的LCD裝置的操作。圖9B為曲線圖，顯示施加在具有圖6中所示陣列基板的LCD裝置的液晶層上的電壓。具體而言，彩色濾光片基板300包括具有平面形狀的公共電極部件320。陣列基板400包括具有直線形圖案化開口442a和突起電極部分442b的像素電極部件440。
參見圖9A，彩色濾光片基板300包括第一透明基板305和第一透明基板305上的公共電極部件320。陣列基板400包括第二透明基板405，以及具有直線形圖案化開口442a和突起電極部分442b的像素電極部件440。
在操作中，第一疇區(qū)DA1由與第一連接電極441相鄰的直線形圖案化開口442a界定。第二疇區(qū)DA2由與第一子電極442左側(cè)相鄰的直線形圖案化開口442a界定。第三疇區(qū)DA3由與第一子電極442右側(cè)相鄰的直線形圖案化開口442a界定。突起電極部分442b位于第二和第三疇區(qū)DA2和DA3之間。施加在對應(yīng)于第一、第二和第三疇區(qū)DA1、DA2和DA3的液晶層上的電壓水平是變化的，從而使第一、第二和第三疇區(qū)DA1、DA2和DA3中的液晶排列不一定相同。
圖10為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的一個陣列基板。圖11為沿圖10中所示III-III’線所取的橫截面視圖。圖10和圖11的陣列基板為透射-反射型陣列基板。
參見圖10和圖11，LCD裝置包括陣列基板500、液晶層200和彩色濾光片基板300。彩色濾光片基板300與陣列基板500相結(jié)合，從而使液晶層200被夾設(shè)于彩色濾光片基板300與陣列基板500之間。
陣列基板500包括第二透明基板505、多個柵線510、多個柵電極512、下存儲圖案511和柵電極絕緣層513。柵線510位于第二透明基板505上，且沿第一方向延伸。柵電極512被電連接到柵線510。在每個單元像素區(qū)中，每個下存儲圖案511與每個柵線510間隔開來。柵電極絕緣層513包括絕緣材料以覆蓋柵線510和柵電極512?？捎糜跂烹姌O絕緣層513的絕緣材料的例子包括氮化硅、氧化硅等。
陣列基板500還可包括半導(dǎo)體層514、歐姆接觸層515、多個源線520、多個源電極522和多個漏電極524。在每個柵電極512之上，半導(dǎo)體層514位于柵電極絕緣層513上。歐姆接觸層515位于半導(dǎo)體層514上。源線520沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。單元像素區(qū)由相鄰的柵線和源線510、520界定。源電極522被電連接到源線520上。每個漏電極524與每個源電極522間隔開來。每個柵電極512、該半導(dǎo)體層514、該歐姆接觸層515、每個源電極522以及每個漏電極524形成薄膜晶體管(TFT)。
每個柵線和源線510和520可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)每個柵線和源線510和520具有單層結(jié)構(gòu)時，每個柵線和源線510和520包括鋁、鋁合金等。當(dāng)每個柵線和源線510和520具有雙層結(jié)構(gòu)時，每個柵線和源線510和520包括一個下層和一個上層。每個柵線和源線510和520的下層的材料(金屬或金屬合金)的例子包括鉻、鉬、鉬合金等。每個柵線和源線510和520的上層的材料(金屬或金屬合金)的例子包括鋁、鋁合金等。
陣列基板500還可包括鈍化層530和位于鈍化層530上的有機(jī)絕緣層532。漏電極524通過鈍化層530和有機(jī)絕緣層532的接觸孔CNT部分地被暴露。鈍化層530和有機(jī)絕緣層532覆蓋位于源電極和漏電極522和524之間的半導(dǎo)體層514和歐姆接觸層515，以保護(hù)半導(dǎo)體層514和歐姆接觸層515。像素電極部件540通過鈍化層530和有機(jī)絕緣層532與TFT電絕緣。鈍化層530和有機(jī)絕緣層532控制液晶層200的厚度。在某些實施例中，鈍化層530可被省去。
陣列基板500還可包括像素電極部件540，像素電極部件540通過接觸孔CNT電連接到TFT的漏電極524。像素電極部件540具有多個沿不同方向排列的圖案化開口。像素電極部件540部分地與下存儲圖案511重疊，以界定存儲電容器電容Cst。
具體而言，像素電極部件540包括第一連接電極541、第一子電極542、第二連接電極543、第二子電極544、第三連接電極545和第三子電極546。第一連接電極541被電連接到TFT的漏電極524。第一子電極542被電連接到第一連接電極541上，并具有帶圓角的四邊形形狀。第二連接電極543被電連接到第一子電極542，并具有比第一子電極542更小的寬度。第二子電極544被電連接到第二連接電極543，并具有帶圓角的四邊形形狀。第三連接電極545被電連接到第二子電極544，并具有比第二子電極544更小的寬度。第三子電極546被電連接到第三連接電極545，并具有帶圓角的四邊形形狀。
第二、第三子電極542、544和546中的每一個具有相對于每個第一、第二、第三子電極542、544和546的中心沿徑向排列的多個直線形圖案化的開口542a、544a和546a。在圖10的LCD裝置中，第一、第二、第三子電極542、544和546中的每一個具有十六個直線形圖案化的開口。
陣列基板500還可包括絕緣中間層534和反射層550。絕緣中間層534覆蓋有機(jī)絕緣層532和像素電極部件540。反射層550位于與部分的像素電極部件540和源線520相對應(yīng)的絕緣中間層534上。
在圖10和圖11中，第一、第二、第三突起542b、544b和546b位于有機(jī)絕緣層532上。
圖12為橫截面視圖，顯示根據(jù)另一個實施例的LCD裝置。
參見圖12，第一部分532a和第二部分532b可被界定于每個第一、第二、第三子電極542、544和546上，且突起可形成于第一部分532a或第二部分532b上。
參見圖10和圖11，彩色濾光片基板300包括第一透明基板305、位于第一透明基板305上的彩色濾光層310和位于彩色濾光層310上的公共電極部件320。彩色濾光片基板300與陣列基板500相結(jié)合，從而使液晶層200被夾設(shè)于彩色濾光片基板300與陣列基板500之間。在圖10和11的LCD裝置中，液晶層200處于垂直排列(VA)模式下。
十六個疇形成于第一、第二、第三子電極542、544和546中的每一個上面。如上所述，多個疇的存在使研磨工藝和排列層可被省去。
此外，在鄰近單元像素區(qū)之間的界面處形成反射層550，因而LCD裝置可在反射-透射模式下操作。通過反射層550，輻射入難于控制液晶的區(qū)域中的光被反射，從而提高了LCD裝置的圖像顯示質(zhì)量。
圖13A至13F為平面圖，顯示一種制造如圖10中所示的陣列基板的方法。
參見圖13A，在第二透明基板505上沉積金屬或金屬合金。柵線510、下存儲圖案511和柵電極512的材料(金屬或金屬合金)的例子可包括鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、鉻、鉭、鈦等。沉積的金屬或金屬合金層被圖案化，以形成柵線510、下存儲圖案511和柵電極512。柵線510沿第一方向延伸，且沿第二方向排列。下存儲圖案511基本上平行于柵線510，且具有四邊形開口。柵電極512被電連接到柵線510上。
在具有柵電極512的第二透明基板505上沉積氮化硅，以形成柵絕緣層513。氮化硅可通過一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法來沉積。柵絕緣層513可形成在第二透明基板505的整個表面上。或者，柵絕緣層513可部分地覆蓋柵線510和柵電極512。
參見圖13B，在柵絕緣層513上沉積非晶硅。將N+雜質(zhì)注入沉積的非晶硅層上，以形成非晶硅層和N+非晶硅層。非晶硅層和N+非晶硅層被圖案化，以相應(yīng)于柵電極512在柵絕緣層513上形成有源層515。
在具有有源層515的柵絕緣層513上沉積金屬或金屬合金。源線520、源電極522和漏電極524的材料(金屬或金屬合金)的例子包括鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、鉻、鉭、鈦等。沉積的金屬或金屬合金層被圖案化，以形成源線520、源電極522和漏電極524。源電極522被電連接到源線520上。每個漏電極524與每個源電極522相互隔開。
參見圖13C，在具有源電極522的柵絕緣層513上沉積無機(jī)絕緣材料，以形成鈍化層530。在鈍化層530上涂布具有光致抗蝕劑的有機(jī)絕緣材料，以形成有機(jī)絕緣層532。部分地去除鈍化層530和有機(jī)絕緣層532，以在單元像素區(qū)中形成接觸孔CNT，以及第一突起531、第二突起533和第三突起537。每個漏電極524通過接觸孔CNT被部分地暴露。單元像素區(qū)由相鄰的柵線和源線510和520來界定。
參見圖13D，在具有如圖13C所示的第一、第二和第三突起531、533和537的有機(jī)絕緣層532上沉積透明導(dǎo)電材料。沉積的透明導(dǎo)電材料被圖案化，以形成像素電極部件540，像素電極部件540通過接觸孔CNT被電連接到漏電極524。具體而言，像素電極部件540包括第一連接電極541、第一子電極542、第二連接電極543、第二子電極544、第三連接電極545和第三子電極546。第一連接電極541被電連接到TFT的漏電極524。第一子電極542被電連接到第一連接電極541，并具有帶圓角的四邊形形狀。第二連接電極543被電連接到第一子電極542，并具有比第一子電極542更小的寬度。第二子電極544被電連接到第二連接電極543，并具有帶圓角的四邊形形狀。第三連接電極545被電連接到第二子電極544，并具有比第二子電極544更小的寬度。第三子電極546被電連接到第三連接電極545，并具有帶圓角的四邊形形狀。
可用于像素電極部件540的透明導(dǎo)電材料的例子包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(TO)、氧化鋅(ZO)、氧化銦鋅錫(ITZO)等。在圖13D中，透明導(dǎo)電材料被沉積在具有第一、第二和第三突起531、533和537的有機(jī)絕緣層532的整個表面上，且沉積的透明導(dǎo)電材料層被部分地蝕刻，以形成像素電極部件540?；蛘?，透明導(dǎo)電材料可被部分地沉積在有機(jī)絕緣層532上，以直接形成像素電極部件540。在圖13D中，將像素電極部件540與柵線和源線510和520間隔開來。在其它實施例中，像素電極部件540可通過預(yù)定距離部分地覆蓋柵線和/或源線510和520。
參見圖13E，然后，在像素電極部件540的第一、第二、第三子電極542、544和546上形成沿徑向排列的、直線形圖案化的開口542a、544a和546a。
第二、第三子電極542、544和546中每一個上的直線形圖案化的開口542a、544a和546a的數(shù)量為十六個。直線形圖案化的開口542a、544a和546a形成一個扭曲的電場，以形成多疇。此外，第一、第二、第三突起電極部分542b、544b和546b也形成一個扭曲電場，以形成多個疇。直線形圖案化的開口542a、544a和546a通過用于形成像素電極部件540的圖案化工藝來形成?；蛘?，直線形圖案化的開口542a、544a和546a可通過與形成像素電極部件540的圖案化工藝不同的圖案化工藝來形成。
參見圖13F，在像素電極部件540上形成圖11中所示的絕緣中間層534，然后，在像素電極部件540上形成反射層550，以覆蓋第一連接電極541和第一子電極542。
圖14為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的陣列基板。除了圖案化開口的形狀之外，圖14的陣列基板與圖1至圖2相同。在圖14中，圖案化開口為曲線形，且以旋渦形圖案排列。
參見圖14，陣列基板包括第二透明基板605、多個柵線610、多個柵電極612、下存儲圖案611和柵電極絕緣層613。柵線610位于第二透明基板605上，且沿第一方向延伸，如如圖14中所示。柵電極612被電連接到柵線610。每個下存儲圖案611與每個單元像素區(qū)中的每個柵線610間隔開來。柵電極絕緣層613包括絕緣材料，以覆蓋柵線610和柵電極612。
陣列基板還可包括半導(dǎo)體層614、歐姆接觸層615、多個源線620、多個源電極622和多個漏電極624。在每個柵電極612之上，半導(dǎo)體層614位于柵電極絕緣層613上。歐姆接觸層615位于半導(dǎo)體層614上。源線620沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。單元像素區(qū)由相鄰的柵線和源線610、620界定。源電極622被電連接到源線620。每個漏電極624與每個源電極622間隔開來。每個柵電極612、半導(dǎo)體層614、歐姆接觸層615、每個源電極622以及每個漏電極624形成薄膜晶體管(TFT)。
陣列基板還可包括像素電極部件640，像素電極部件640通過接觸孔CNT電連接到TFT的漏電極624。像素電極部件640具有多個沿不同方向排列的圖案化開口。像素電極部件640部分地與下存儲圖案611重疊，以界定存儲電容器電容Cst。
具體而言，像素電極部件640包括第一連接電極641、第一子電極642、第二連接電極643、第二子電極644、第三連接電極645和第三子電極646。第一連接電極641被電連接到TFT的漏電極624。第一子電極642被電連接到第一連接電極641，并具有帶圓角的四邊形形狀。第二連接電極643被電連接到第一子電極642，并具有比第一子電極642更小的寬度。第二子電極644被電連接到第二連接電極643，并具有帶圓角的四邊形形狀。第三連接電極645被電連接到第二子電極644，并具有比第二子電極644更小的寬度。第三子電極646被電連接到第三連接電極645，并具有帶圓角的四邊形形狀。
第二、第三子電極642、644和646中的每一個具有相對于每個第一、第二、第三子電極642、644和646的中心沿徑向排列(例如，形成一個旋渦圖案)的多個直線形圖案化的開口642a、644a和646a。在圖14的LCD裝置中，第一、第二、第三子電極642、644和646中的每一個具有十六個曲線形圖案化的開口。
在第一、第二、第三子電極642、644和646中的每一個上形成十六個疇。使研磨工藝和排列層可被省去。
圖15為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的陣列基板。除了像素電極部件之外，圖15的陣列基板與圖1至圖2中的實施例相似。在圖15中，圖案化開口被排列在具有圓形的子電極上，且具有漩渦形狀。
參見圖15，陣列基板包括第二透明基板705、多個柵線710、多個柵電極712、下存儲圖案711和柵電極絕緣層713。柵線710位于第二透明基板705上，且沿第一方向延伸，如所示。柵電極712被電連接到柵線710。每個下存儲圖案711與每個單元像素區(qū)中的每個柵線710間隔開來。柵電極絕緣層713包括絕緣材料，以覆蓋柵線710和柵電極712。
陣列基板700還可包括半導(dǎo)體層714、歐姆接觸層715、多個源線720、多個源電極722和多個漏電極724。半導(dǎo)體層714位于相應(yīng)于每個柵電極712的柵電極絕緣層713上。歐姆接觸層715位于半導(dǎo)體層714上。源線720沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。單元像素區(qū)由相鄰的柵線和源線710、720界定。源電極722被電連接到源線720。每個漏電極724與每個源電極722間隔開來。每個柵電極712、半導(dǎo)體層714、歐姆接觸層715、每個源電極722以及每個漏電極724形成薄膜晶體管(TFT)。
陣列基板還可包括像素電極部件740，像素電極部件740通過接觸孔CNT電連接到TFT的漏電極724。像素電極部件740具有多個沿不同方向排列的圖案化開口。像素電極部件740部分地與下存儲圖案711重疊，以界定存儲電容器電容Cst。
具體而言，像素電極部件740包括第一連接電極741、第一子電極742、第二連接電極743、第二子電極744、第三連接電極745和第三子電極746。第一連接電極741被電連接到TFT的漏電極724。第一子電極742被電連接到第一連接電極741，并具有圓形形狀。第二連接電極743被電連接到第一子電極742，并具有比第一子電極742更小的寬度。第二子電極744被電連接到第二連接電極743，并具有圓形形狀。第三連接電極745被電連接到第二子電極744，并具有比第二子電極744更小的寬度。第三子電極746被電連接到第三連接電極745，并具有圓形形狀。
第二、第三子電極742、744和746中的每一個具有相對于每個第一、第二、第三子電極742、744和746的中心沿徑向排列的多個直線形圖案化的開口742a、744a和746a。在圖15的LCD裝置中，第一、第二、第三子電極742、744和746中的每一個具有十六個曲線形圖案化的開口。
在第一、第二、第三子電極742、744和746中的每一個上形成十六個疇，使研磨工藝和排列層可被省去。
圖16為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的陣列基板。除了像素電極部件之外，圖16的陣列基板與圖1至圖2中的陣列基板相同。在圖16中，圖案化開口包括直線形和曲線形的組合。
參見圖16，陣列基板包括第二透明基板805、多個柵線810、多個柵電極812、下存儲圖案811和柵電極絕緣層813。柵線810位于第二透明基板805上，且沿第一方向延伸。柵電極812被電連接到柵線810。每個下存儲圖案811與每個單元像素區(qū)中的每個柵線810間隔開來。柵電極絕緣層813包括絕緣材料，以覆蓋柵線810和柵電極812。
陣列基板還可包括半導(dǎo)體層814、歐姆接觸層815、多個源線820、多個源電極822和多個漏電極824。半導(dǎo)體層814位于相應(yīng)于每個柵電極812的柵電極絕緣層813上。歐姆接觸層815位于半導(dǎo)體層814上。源線820沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。單元像素區(qū)由相鄰的柵線和源線810、820界定。源電極822被電連接到源線820。每個漏電極824與每個源電極822間隔開來。每個柵電極812、半導(dǎo)體層814、歐姆接觸層815、每個源電極822以及每個漏電極824形成薄膜晶體管(TFT)。
陣列基板還可包括像素電極部件840，像素電極部件840通過接觸孔CNT電連接到TFT的漏電極824。像素電極部件840具有多個沿不同方向排列的圖案化開口。像素電極部件840部分地與下存儲圖案811重疊，以界定存儲電容器電容Cst。
具體而言，像素電極部件840包括第一連接電極841、第一子電極842、第二連接電極843、第二子電極844、第三連接電極845和第三子電極846。第一連接電極841被電連接到TFT的漏電極824。第一子電極842被電連接到第一連接電極841，并具有帶圓角的四邊形形狀。第二連接電極843被電連接到第一子電極842，并具有比第一子電極842更小的寬度。第二子電極844被電連接到第二連接電極843，并具有帶圓角的四邊形形狀。第三連接電極845被電連接到第二子電極844，并具有比第二子電極844更小的寬度。第三子電極846被電連接到第三連接電極845，并具有帶圓角的四邊形形狀。
第二、第三子電極842、844和846中的每一個具有相對于每個第一、第二、第三子電極842、844和846的中心沿徑向排列的多個直線形圖案化開口842a、844a和846a，以及沿徑向排列的多個曲線形圖案化開口842b、844b和846b。在圖16的陣列基板中，第一、第二、第三子電極842、844和846中的每一個具有八個直線形圖案化開口和八個曲線形圖案化開口。
在第一、第二、第三子電極842、844和846中的每一個上形成十六個疇，使研磨工藝和排列層可被省去。
圖17為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的陣列基板。除了像素電極部件之外，圖17的陣列基板與圖1至圖2中的陣列基板相同。在圖17中，圖案化開口被排列在具有圓形形狀的子電極上，為直線形和曲線形的組合。
參見圖17，陣列基板包括第二透明基板905、多個柵線910、多個柵電極912、下存儲圖案911和柵電極絕緣層913。柵線910位于第二透明基板905上，且沿第一方向延伸，如圖17中所示。柵電極912被電連接到柵線910。每個下存儲圖案911與每個單元像素區(qū)中的每個柵線910間隔開來。柵電極絕緣層913包括絕緣材料，以覆蓋柵線910和柵電極912。
陣列基板還可包括半導(dǎo)體層914、歐姆接觸層915、多個源線920、多個源電極922和多個漏電極924。半導(dǎo)體層914位于相應(yīng)于每個柵電極912的柵電極絕緣層913上。歐姆接觸層915位于半導(dǎo)體層914上。源線920沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。單元像素區(qū)由相鄰的柵線和源線910、920界定。源電極922被電連接到源線920。每個漏電極924與每個源電極922間隔開來。每個柵電極912、半導(dǎo)體層914、歐姆接觸層915、每個源電極922以及每個漏電極924形成薄膜晶體管(TFT)。
陣列基板900還可包括像素電極部件940，像素電極部件940通過接觸孔CNT電連接到TFT的漏電極924。像素電極部件940具有多個沿不同方向排列的圖案化開口。像素電極部件940部分地與下存儲圖案911重疊，以界定存儲電容器電容Cst。
具體而言，像素電極部件940包括第一連接電極941、第一子電極942、第二連接電極943、第二子電極944、第三連接電極945和第三子電極946。第一連接電極941被電連接到TFT的漏電極924。第一子電極942被電連接到第一連接電極941，并具有圓形形狀。第二連接電極943被電連接到第一子電極942，并具有比第一子電極942更小的寬度。第二子電極944被電連接到第二連接電極943，并具有圓形形狀。第三連接電極945被電連接到第二子電極944，并具有比第二子電極944更小的寬度。第三子電極946被電連接到第三連接電極945，并具有圓形形狀。
第二、第三子電極942、944和946中的每一個具有相對于每個第一、第二、第三子電極942、944和946的中心沿徑向排列的多個直線形圖案化開口942a、944a和946a，以及沿徑向排列的多個曲線形圖案化開口942b、944b和946b。在圖17的陣列基板中，第一、第二、第三子電極942、944和946中的每一個具有八個直線形圖案化開口和八個曲線形圖案化開口，并且直線形圖案化開口942a、944a和946a與曲線形圖案化開口942b、944b和946b以交錯方式排列。
在第一、第二、第三子電極942、944和946中的每一個上形成十六個疇。因此，研磨工藝，以及通常放置在陣列基板或彩色濾光片基板上的排列層可被省去。
在圖1至圖17中，圖案化開口形成于陣列基板的像素電極部件上，以形成多個疇。
或者，圖案化開口可形成于彩色濾光片基板上，而突起可形成于陣列基板上。
圖18為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的一個LCD裝置。圖19為沿圖18中所示IV-IV’線所剖切的橫截面視圖。具體而言，LCD裝置的陣列基板包括多個圖案化開口，且LCD裝置的彩色濾光片基板包括凹入。在圖18中，LCD裝置具有透射型陣列基板。
參見圖18和19，LCD裝置包括陣列基板100、液晶層200和彩色濾光片基板1300。彩色濾光片基板1300與陣列基板100相結(jié)合，從而液晶層200被夾設(shè)在彩色濾光片基板1300和陣列基板100之間。圖18和圖19中的陣列基板與圖1和圖2中的陣列基板相似。因而，相同的附圖標(biāo)記將被用于指代與圖1和圖2中所述相同或相似的元件，且將省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說明。
彩色濾光片基板1300包括第一透明基板1305、第一透明基板1305上的彩色濾光層1310，以及彩色濾光層1310上的公共電極部件1320。彩色濾光片基板1300與陣列基板100相結(jié)合，從而使液晶層200被夾設(shè)于彩色濾光片基板1300與陣列基板100之間。在圖18和19中的LCD裝置中，液晶層200處于垂直排列(VA)模式下。
彩色濾光層1310具有第一孔1312a、第二孔1312b和第三孔1312c。第一、第二和第三孔1312a、1312b和1312c分別對應(yīng)于第一、第二和第三子電極142、144和146的中部。
公共電極部件1320位于彩色濾光層1310上以沿著第一、第二和第三孔1312a、1312b和1312c覆蓋彩色濾光層1310。凹入形成于設(shè)置有公共電極部件1320上，在那里設(shè)置有第一、第二和第三孔1312a、1312b和1312c，這是由于無論是否被置于一個孔上方，公共電極部件1320的厚度基本上為恒定。公共電極部件1320的凹入形成一個扭曲的電場，以形成具有多個疇的多疇。
在第一、第二、第三子電極142、144和146中的每一個上形成十六個疇，且凹入形成于第一、第二、第三子電極142、144和146中的每一個的中部上。因而，如上所述，可省去研磨工藝和排列層。
根據(jù)圖18和圖19中的LCD裝置，陣列基板包括具有三個子電極的像素電極部件，其中每個子電極包括相對于每個子電極中心沿徑向排列的圖案化開口。公共電極部件具有相應(yīng)于各子電極中部的凹入。從而，位于像素電極部件上的液晶層200具有多個疇。
圖20為橫截面視圖，顯示圖18中所示LCD裝置的操作。
參見圖20，當(dāng)向圖18中所示的像素電極部件140和公共電極部件1320施加電壓時，鄰近圖案化開口142a和凹入1312a的電場被扭曲，從而使液晶層200中的液晶排列被改變。液晶的長軸朝向圖案化開口142a和凹入1312a排列。也就是說，當(dāng)電壓被施加到圖18中所示的像素電極部件140和公共電極部件1320上時，液晶相對于由公共電極部件1320和圖18中所示像素電極部件140形成的電場傾斜。
這樣，由陣列基板100的圖案化開口142a和彩色濾光片基板1300的凹入1312a形成多個疇。
在某些實施例中，LCD裝置還可包括至少一個覆蓋至少一個子電極的反射層(未示出)。所形成的LCD裝置將可在反射-透射模式下操作。
圖21為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的LCD裝置。圖22為沿圖21中所示V-V’線所剖切的橫截面視圖。除了彩色濾光層和涂覆層之外，圖21和圖22中的陣列基板與圖18至圖19中的實施例相似。因而，相同的附圖標(biāo)記將被用于指代與圖18和圖19中所述相同或相似的元件，且將省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說明。在圖21和22中，LCD裝置具有透射型陣列陣列基板。
參見圖21和22，LCD裝置包括陣列基板100、液晶層200和彩色濾光片基板2300。彩色濾光片基板2300與陣列基板100相結(jié)合，從而液晶層200被夾設(shè)在彩色濾光片基板2300和陣列基板100之間。圖21和圖22中的陣列基板與圖1和圖2中的陣列基板相似。因而，相同的附圖標(biāo)記將被用于指代與圖1和圖2中所述相同或相似的零件，且將省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說明。
彩色濾光片基板2300包括第一透明基板2305、位于第一透明基板2305上的彩色濾光層2310，位于彩色濾光層2310上的涂覆層2320，以及位于涂覆層2320上的公共電極部件2330。彩色濾光片基板2300與陣列基板100相結(jié)合，從而使液晶層200被夾設(shè)于彩色濾光片基板2300與陣列基板100之間。在圖21和22中的LCD裝置中，液晶層200處于垂直排列(VA)模式下。
涂覆層2320具有第一孔2332a、第二孔2332b和第三孔2332c。或者，涂覆層2320可具有第一、第二和第三凹入，其深度小于涂覆層2320的厚度。第一、第二和第三孔2332a、2332b和2332c分別對應(yīng)于第一、第二和第三子電極142、144和146的中部。
公共電極部件2330位于涂覆層2320上，以沿著第一、第二和第三孔2332a、2332b和2332c覆蓋彩色濾光層2310，從而使凹入對應(yīng)于第一、第二和第三孔2332a、2332b和2332c形成于公共電極部件2330上，公共電極部件2330的凹入形成一個扭曲的電場，以形成多個疇。
在第一、第二、第三子電極142、144和146中的每一個上形成十六個疇，且凹入形成于第一、第二、第三子電極142、144和146中的每一個的中部上。因而，可省去研磨工藝和排列層。
根據(jù)圖21和圖22中的LCD裝置，依據(jù)公共電極部件2330的凹入的所需深度來調(diào)整涂覆層2320的厚度，從而提高了LCD裝置的色彩重現(xiàn)性。涂覆層2320的臺階部分可通過當(dāng)形成涂覆層2320時調(diào)整對光致抗蝕劑的曝光量來形成。
此外，陣列基板包括具有三個子電極的像素電極部件，其中每個子電極包括從接近每個子電極中心的區(qū)域起、沿徑向延伸的圖案化開口。公共電極部件2330具有相應(yīng)于各子電極中部的凹入。從而，位于像素電極部件上的液晶層200具有多個疇。
圖23為橫截面視圖，顯示圖21中所示LCD裝置的操作。
參見圖23，當(dāng)向圖21中所示的像素電極部件140和公共電極部件2330施加電壓時，鄰近圖案化開口142a和凹入2332a的一個電場被扭曲，從而使液晶層200中的液晶排列被改變。液晶的長軸朝向圖案化開口142a和凹入2332a排列。也就是說，當(dāng)電壓被施加到圖21中所示的像素電極部件140和公共電極部件2330上時，液晶相對于由公共電極部件2330和圖21中所示像素電極部件140形成的電場傾斜。
多個疇由陣列基板100的圖案化開口142a和彩色濾光片基板2300的凹入2332a形成。
在其它實施例中，LCD裝置還可包括至少一個覆蓋著至少一個子電極的反射層(未示出)。在此情況下，LCD裝置可為反射-透射型LCD裝置。
圖24為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的一個LCD裝置。圖25為沿圖24中所示VI-VI’線所剖切的橫截面視圖。除了突起外，圖24和圖25的LCD裝置相似于圖21至22的實施例。在圖24和圖25中，LCD裝置具有透射型陣列基板。
參見圖24和25，LCD裝置包括陣列基板400、液晶層200和彩色濾光片基板3300。彩色濾光片基板3300與陣列基板400相結(jié)合，從而液晶層200被夾設(shè)在彩色濾光片基板3300和陣列基板400之間。圖24和圖25中的陣列基板與圖6和圖7中的陣列基板相似。因而，相同的附圖標(biāo)記將被用于指代與圖6和圖7中所述相同或相似的元件，且將省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說明。
彩色濾光片基板3300包括第一透明基板3305、位于第一透明基板3305上的彩色濾光層3310、位于彩色濾光層3310上的電絕緣的涂覆層3320，以及位于涂覆層3320上的公共電極部件3330。彩色濾光片基板3300與陣列基板400相結(jié)合，從而使液晶層200被夾設(shè)于彩色濾光片基板3300與陣列基板400之間。在圖24和25中的LCD裝置中，液晶層200操作在垂直排列(VA)模式下。
涂覆層3320具有第一孔3322a、第二孔3322b和第三孔3322c。在某些實施例中，涂覆層3320可具有比涂覆層3320更薄的第一、第二和第三凹入。第一、第二和第三孔3322a、3322b和3322c分別與第一、第二和第三子電極442、444和446中部上的第一、第二和第三突起電極部分442b、444b和446b對準(zhǔn)。
公共電極部件3330位于涂覆層3320上，以沿著第一、第二和第三孔3322a、3322b和3322c覆蓋彩色濾光層3310，從而使形成在公共電極部件3330上的凹入與第一、第二和第三孔3322a、3322b和3322c對準(zhǔn)。公共電極部件3330的凹入形成一個扭曲的電場，以形成多個疇。
在第一、第二、第三子電極442、444和446中的每一個上形成十六個疇，且凹入形成于第一、第二、第三子電極442、444和446中的每一個的中部上。借助于多個疇，可省去研磨工藝和排列層。
圖26為橫截面視圖，顯示圖24中所示LCD裝置的操作。
參見圖26，當(dāng)向圖24中所示的像素電極部件440和公共電極部件3330施加一個電壓時，鄰近圖案化開口442a和凹入3322a的一個電場被扭曲，從而使液晶層200中的液晶排列被改變。液晶的長軸朝向圖案化開口442a和凹入3322a排列。也就是說，當(dāng)電壓被施加到圖24中所示的像素電極部件440和公共電極部件3330上時，液晶相對于由公共電極部件3330和圖24中所示像素電極部件440形成的電場傾斜。
多個疇由陣列基板400的圖案化開口442a和突起電極部分442b，以及彩色濾光片基板3300的凹入3322a形成。
或者，LCD裝置還可包括至少一個覆蓋著至少一個子電極的反射層(未示出)。也就是說，LCD裝置可為反射-透射型LCD裝置。
圖27為平面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的LCD裝置。圖28為沿圖27中所示VII-VII’線所剖切的橫截面視圖。除了阻擋層結(jié)構(gòu)之外，圖27和圖28中的陣列基板與圖6、圖7、圖24和圖25中的實施例相似。因而，相同的附圖標(biāo)記將被用于指代與圖24和圖25中所述相同或相似的元件，且將省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說明。在圖27和28中，LCD裝置具有透射型陣列陣列基板。
參見圖27和28，LCD裝置包括陣列基板400、液晶層200和彩色濾光片基板4300。彩色濾光片基板4300與陣列基板400相結(jié)合，從而液晶層200被夾設(shè)在彩色濾光片基板4300和陣列基板400之間。
陣列基板400還可包括第一阻擋圖案426a、第二阻擋圖案426b和第三阻擋圖案426c。第一、第二、第三阻擋圖案426a、426b和426c與TFTs的漏電極424間隔開來。第一、第二、第三阻擋圖案426a、426b和426c分別相應(yīng)于第一、第二和第三突起電極部分442b、444b和446b，阻擋透過液晶層200的一部分的光。在圖27和28中，第一、第二、第三阻擋圖案426a、426b和426c由與源線420相同的層形成。然而，在某些實施例中，第一、第二、第三阻擋圖案426a、426b和426c可由不同于源線420的層形成。
在圖27和28中，第一、第二、第三阻擋圖案426a、426b和426c分別小于第一、第二和第三突起電極部分442b、444b和446b。當(dāng)反射層(未示出)形成于第一、第二和第三子電極442、444和446中的至少之一上時、第一、第二、第三阻擋圖案426a、426b和426c可分別大于第一、第二和第三突起電極部分442b、444b和446b。
彩色濾光片基板4300包括第一透明基板4305、第一透明基板4305上的彩色濾光層4310、彩色濾光層4310上的涂覆層4320，以及涂覆層4320上的公共電極部件4330。彩色濾光片基板4300與陣列基板400相結(jié)合，從而使液晶層200被夾設(shè)于彩色濾光片基板4300與陣列基板400之間。在圖27和28中的LCD裝置中，液晶層200具有垂直排列(VA)模式。
涂覆層4320具有第一孔4322a、第二孔4322b和第三孔4322c。在某些實施例中，涂覆層4320可具有比涂覆層4320更薄的第一、第二和第三凹入。第一、第二和第三孔4322a、4322b和4322c分別與第一、第二和第三子電極442、444和446中部上的第一、第二和第三突起電極部分442b、444b和446b對準(zhǔn)。
公共電極部件4330位于涂覆層4320上，以沿著第一、第二和第三孔4322a、4322b和4322c覆蓋彩色濾光層4310，從而使凹入對應(yīng)于第一、第二和第三孔4322a、4322b和4322c，形成于公共電極部件4330上。公共電極部件4330的凹入形成一個扭曲的電場，以形成多個疇。
在第一、第二、第三子電極442、444和446中的每一個上形成十六個疇，且凹入形成于第一、第二、第三子電極442、444和446中的每一個的中部上。從而，可省去研磨工藝和排列層。
圖29為橫截面視圖，顯示圖27中所示LCD裝置的操作。
參見圖29，當(dāng)向圖27中所示的像素電極部件440和公共電極部件4330施加一個電壓時，鄰近圖案化開口442a和凹入4322a的一個電場被扭曲，從而使液晶層200中的液晶排列被改變。液晶的長軸朝向圖案化開口442a和凹入4322a排列。也就是說，當(dāng)電壓被施加到圖27中所示的像素電極部件440和公共電極部件4330上時，液晶相對于由公共電極部件4330和圖27中所示像素電極部件440形成的電場傾斜。
多個疇由陣列基板400的圖案化開口442a和突起電極部分442b，以及彩色濾光片基板4300的凹入4322a形成。阻擋圖案426相應(yīng)于突起電極部分阻擋了透過液晶層200的一部分的光，盡管LCD裝置顯示黑色。
在某些實施例中，LCD裝置還可包括至少一個覆蓋至少一個子電極的反射層(未示出)。所形成的LCD裝置可操作在反射-透射型模式下。
根據(jù)本發(fā)明，陣列基板的像素電極部件具有直線形或呈旋渦狀曲線形的圖案化開口，從而形成多個疇。
此外，陣列基板的像素電極具有圖案化開口，且彩色濾光片基板的公共電極部件具有凹入，從而形成多個疇。此外，形成阻擋圖案與突起對準(zhǔn)，以防止鄰近突起的區(qū)域中光的泄漏。
因而，增加了LCD裝置的視角，從而提高了圖像顯示質(zhì)量。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實施例，但應(yīng)理解本發(fā)明不應(yīng)被局限于這些示例性實施例，而是可由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)，進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括基板，所述基板具有像素區(qū)域；開關(guān)元件，形成于所述像素區(qū)域中；以及像素電極部件，電連接到所述開關(guān)元件，所述像素電極部件具有沿互不相同方向延伸的多個圖案化開口。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素電極部件包括多個子電極；以及連接電極，電連接彼此相鄰的所述子電極，所述連接電極具有大于所述子電極的寬度。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中，所述圖案化開口具有直線形狀，且在每個所述子電極中沿徑向延伸。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中，所述圖案化開口具有曲線形狀，且在每個所述子電極中沿徑向延伸，以形成旋渦圖案。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素電極部件包括多個子電極；連接電極，電連接彼此相鄰的所述子電極，所述連接電極具有大于所述子電極的寬度；以及反射部分，形成于至少一個所述子電極上，以反射光。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中，相應(yīng)于所述反射部分的所述子電極包括多個具有凸起形狀的第一部分和多個第二部分，且第一部分具有大于第二部分的高度。
7.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中，所述反射部分形成于所述子電極上，所述子電極被電連接到所述開關(guān)元件。
8.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中，每個子電極具有四邊形形狀、帶圓角的四邊形形狀或圓形形狀。
9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素電極部件包括多個子電極，所述多個子電極被互相電連接到一起，并具有所述圖案化開口，并且對于每個子電極中心彼此相對的所述圖案化開口具有基本上相等的寬度。
10.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素電極部件還包括突起。
11.一種制造陣列基板的方法，所述方法包括在基板的單元像素區(qū)域中，形成柵線、源線以及電連接到所述柵線和源線的開關(guān)元件；以及形成被電連接到所述開關(guān)元件的像素電極部件，所述像素電極部件具有沿互不相同方向延伸的多個圖案化開口，從而在所述單元像素區(qū)域中界定多個疇。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述像素電極部件的形成還包括在所述基板上形成，有機(jī)絕緣層，所述源線和所述開關(guān)元件形成于所述基板上；并且在所述有機(jī)絕緣層上形成多個具有凸起形狀的第一部分和多個具有比所述第一部分更小高度的第二部分。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述像素電極部件的形成還包括在所述像素電極部件上形成反射部分。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述像素電極部件包括多個子電極；以及連接電極，電連接彼此相鄰的所述子電極，所述連接電極具有大于所述子電極的寬度。
15.一個彩色濾光片基板，與一個陣列基板相結(jié)合，所述陣列基板具有多個像素電極，并將液晶層夾在所述彩色濾光片基板和所述陣列基板之間，所述彩色濾光片基板包括基底基板，具有像素區(qū)域；和公共電極部件，形成于所述基底基板上，所述公共電極部件具有形成于所述像素區(qū)域中的凹入以對應(yīng)于所述像素區(qū)域在所述液晶層中形成多個疇。
16.如權(quán)利要求15所述的彩色濾光片基板，還包括形成于所述基底基板和所述公共電極部件之間的彩色濾光層，且所述彩色濾光層具有孔，所述孔在形成所述公共電極部件時產(chǎn)生所述凹入。
17.如權(quán)利要求15所述的彩色濾光片基板，還包括形成于所述基底基板和所述公共電極部件之間的彩色濾光層；以及絕緣層，以覆蓋所述彩色濾光層，其中，所述絕緣層具有對應(yīng)于所述公共電極部件凹入的孔。
18.一種顯示裝置，包括上基板，具有公共電極部件；液晶層；和下基板，與所述上基板相結(jié)合，以使所述液晶層被夾設(shè)在所述上基板和所述下基板之間，所述下基板包括面對所述公共電極部件的像素電極部件，所述像素電極部件具有沿互不相同方向延伸的多個圖案化開口，從而形成多個多疇。
19.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中，所述下基板還包括柵線；源線；和開關(guān)元件，被電連接到所述柵線和源線，所述開關(guān)元件包括被電連接到所述像素電極部件的漏電極。
20.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中，所述上基板還包括一個彩色濾光層，且所述公共電極部件位于所述彩色濾光層上以覆蓋所述彩色濾光層。
21.如權(quán)利要求20所述的顯示裝置，其中，所述公共電極部件具有平面形狀。
22.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中，所述像素電極部件包括多個子電極；連接電極，電連接彼此相鄰的所述子電極，所述連接電極具有大于所述子電極的寬度；以及反射部分，反射光，所述反射部分形成于至少一個所述子電極上。
23.一種顯示裝置，包括液晶層；陣列基板，所述陣列基板包括形成于像素區(qū)域中的開關(guān)元件和電連接到所述開關(guān)元件的像素電極，所述像素電極部件具有沿互不相同方向延伸的多個圖案化開口；以及彩色濾光片基板，所述彩色濾光片基板包括公共電極部件，所述公共電極部件具有形成于所述像素區(qū)域中的凹入，以對應(yīng)于所述像素區(qū)域在所述液晶層中形成多個疇。
24.如權(quán)利要求23所述的顯示裝置，其中，由所述公共電極部件的凹入和所述像素電極部件產(chǎn)生的一個電場在所述像素區(qū)域的所述液晶層中形成了所述多個疇。
25.如權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其中，所述彩色濾光片基板還包括形成于所述像素區(qū)域中的彩色濾光層，且所述公共電極部件位于所述彩色濾光層上以覆蓋所述彩色濾光層。
26.如權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中，所述彩色濾光層具有孔，所述孔在形成所述公共電極部件時產(chǎn)生所述凹入。
27.如權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中，所述彩色濾光片基板還包括絕緣層以覆蓋所述彩色濾光層，且所述絕緣層具有孔，所述孔在形成所述公共電極部件時產(chǎn)生所述凹入。
28.如權(quán)利要求23所述的顯示裝置，其中，所述開關(guān)元件包括柵電極，被電連接到柵線；源電極，被電連接到源線；漏電極，被電連接到所述像素電極部件；和半導(dǎo)體層，介于所述源電極和漏電極之間。
29.如權(quán)利要求23所述的顯示裝置，其中，所述像素電極部件包括多個子電極；以及連接電極，電連接彼此相鄰的所述子電極，所述連接電極具有大于所述子電極的寬度。
30.如權(quán)利要求29所述的顯示裝置，其中，所述圖案化開口具有直線形狀，且相對于每個所述子電極的中心沿徑向排列。
31如權(quán)利要求29所述的顯示裝置，其中，所述圖案化開口具有曲線形狀，且相對于每個所述子電極的中心沿徑向排列，以形成旋渦圖案。
32.如權(quán)利要求23所述的顯示裝置，其中，所述像素電極部件包括多個子電極；連接電極，電連接彼此相鄰的所述子電極，所述連接電極具有大于所述子電極的寬度；以及反射部分，形成于至少一個所述子電極上以反射光。
33.如權(quán)利要求32所述的顯示裝置，其中，相應(yīng)于所述反射部分的所述子電極包括多個具有凸起形狀的第一部分和多個具有比第一部分更小的高度的第二部分。
34.如權(quán)利要求32所述的顯示裝置，其中，所述反射部分形成于所述子電極上，所述子電極被電連接到所述開關(guān)元件。
35.如權(quán)利要求32所述的顯示裝置，其中，每個子電極具有帶圓角的四邊形形狀或圓形形狀。
36.如權(quán)利要求32所述的顯示裝置，其中，所述像素電極部件包括多個子電極，所述多個子電極被互相電連接到一起，并具有所述圖案化開口，并且對于每個子電極中心彼此相對的所述圖案化開口具有基本上相等的寬度。
37.如權(quán)利要求23所述的顯示裝置，其中，所述像素電極部件還包括突起。
38.如權(quán)利要求37所述的顯示裝置，其中，所述彩色濾光片基板還包括相對應(yīng)于所述突起的阻擋圖案。
39.如權(quán)利要求38所述的顯示裝置，其中，所述阻擋圖案包括與所述開關(guān)元件的柵電極相同的材料。
40.如權(quán)利要求38所述的顯示裝置，其中，所述阻擋圖案包括與所述開關(guān)元件的源電極和漏電極相同的材料。
41.如權(quán)利要求37所述的顯示裝置，其中，所述突起形成于所述陣列基板的透射區(qū)域中，且所述凹入形成于相應(yīng)于所述陣列基板的反射區(qū)域的彩色濾光片基板上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板、一種制造所述陣列基板的方法、一種彩色濾光片基板以及一種顯示裝置中，所述陣列基板包括形成在一個像素區(qū)域中的開關(guān)元件以及被電連接到所述開關(guān)元件的像素電極部件。所述像素電極部件具有在所述像素區(qū)域中沿互不相同方向延伸的多個圖案化開口。所述彩色濾光片基板包括具有凹入的公共電極部件，所述凹入形成于部分地相應(yīng)于所述像素區(qū)域的區(qū)域中，以界定液晶的多個疇。借助于所述多個疇，所述顯示裝置的視角被增加，以提高圖像顯示質(zhì)量。
文檔編號G02F1/1343GK1740883SQ200510109869
公開日2006年3月1日 申請日期2005年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月13日
發(fā)明者李宰瑛, 魚基漢, 樸源祥, 金尚佑, 林載翊, 愛麗娜·龐德萊娃, 車圣恩, 李承珪, 金宰賢, 尹海榮 申請人:三星電子株式會社