專利名稱：光波導的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種功能性光波導，具體地說，涉及一種光波導器件， 該光波導器件的特性，例如光波的傳播損耗、光波的傳播常數(shù)、群速 度和色散，可以通過施加外部電壓并在那里注入電流以高速進行電控 制。
背景技術(shù)：
近年來，各種光器件例如光開關(guān)、光復用器/解復用器和光調(diào)制器
已經(jīng)使用具有半導體例如Si和Ge和復合半導體例如AIGaAs和 InGaAsP的芯的光波導被實驗制造出來。使用Si作為芯的光波導器件 與使用硅石作為芯的常規(guī)光波導器件相比尺寸明顯減小，此外，該光 波導器件的特性可以通過對芯本身注入電流并施加電壓以有源方式進 行電控制，因為該芯由半導體形成。另一方面，通常，使用硅石作為 芯的常規(guī)光波導用熱方法進行控制。這是因為硅石是絕緣體，因此不 能使電流在其中流動。作為控制光波導特性例如光波的傳播損耗、光 波的傳播常數(shù)、群速度和色散的方法，存在使用熱光(T-O)效應(yīng)、聲光 (A-O)效應(yīng)、磁光(M-O)效應(yīng)、電光(E-O)效應(yīng)(也稱為"泡克耳斯 (Pockels)效應(yīng)")和載流子等離子體效應(yīng)中的任何一種的已知方法。 其中，使用電光(E-O)效應(yīng)的方法(利用電光(E-O)效應(yīng)施加電壓來改變 折射率)和使用通過注入電流產(chǎn)生的載流子等離子體效應(yīng)控制折射率 的方法用于以高速控制所述特性，因為這些方法可以提供lns或更小的 快速響應(yīng)。
順便提及，作為使用Si作為芯的光波導，存在Si脊形波導和Si 線波導。Si脊形波導提供氧化物膜和在其上的控制電極以形成MOS結(jié) 構(gòu)，由此施加電壓以實現(xiàn)對波導折射率的控制。近來，已經(jīng)實現(xiàn)了使
用包括Si脊形波導的MOS結(jié)構(gòu)的Si高速光調(diào)制器。然而，Si脊形波 導將光基本地寬松地限制到芯中，因此Si脊形波導不適應(yīng)曲率半徑為 幾fim的銳曲率(sharp curvature)。為此，Si脊形波導中的波導需要緩 和地彎曲，這不可避免地增加了使用該波導的器件例如光開關(guān)和光調(diào) 制器的尺寸。另一方面，Si線波導將光強烈地限制到芯中并且可適應(yīng) 曲率半徑為幾Hm的銳曲率，因此Si線波導作為一種可以減小光器件尺 寸的技術(shù)而引起了人們的注意。
然而，Si線光波導芯的截面在亞微米平方的量級，并且該芯的外 圍通常被覆蓋了絕緣體，例如硅石和空氣，因此難以均勻且有效地將 電流注入到該芯中以及對該芯施加電壓。
專利文獻l(日本專利特開No. 2004-170836)描述了一種可變光衰 減器，其中通過使用具有Si線作為芯的波導進行電控制可以提供任何 可選的光衰減，所述芯被覆蓋有例如絕緣體的包層。由添加了氧或氮 的硅(例如，多晶硅)制成的上包層層被形成為覆蓋Si芯的上部和兩 側(cè)并沿該芯形成波導。該波導包括p型載流子供給部分和n型載流子 供給部分，在p型載流子供給部分中p型雜質(zhì)被引入上包層一側(cè)的一 部分中，在n型載流子供給部分中n型雜質(zhì)在引入上包層的相對側(cè)。 由于氧或氮被添加到形成p型和n型載流子供給部分的區(qū)域，使得芯 的外圍折射率低，由此將光限制在該芯內(nèi)。
另一方面，下述是已知的。在折射率的周期分布在光波長量級的 光子晶體中，存在所謂的光子帶隙，其中禁止光在對應(yīng)于所述周期的 波長區(qū)域中的存在，并且將干擾周期結(jié)構(gòu)的人為缺陷引入晶體中使得 光能夠存在于光子帶隙中并且各種光能夠被控制。
在專利文獻2 (日本專利特開No. 2002-303836)中描述了具有這 種光子晶體結(jié)構(gòu)的光開關(guān)。在專利文獻2的第0054到0060段的描述 和圖12中，公開了三角形晶格光子晶體結(jié)構(gòu)和形成在SOI晶片的未摻雜的Si層中的線缺陷波導；雜質(zhì)被注入線缺陷波導的兩側(cè)中以形成 電極；線缺陷波導的光傳播通過的部分中光子晶體的光子帶隙結(jié)構(gòu)改 變，由此可以注入電流或者可以施加反向偏壓；以及存在于光子帶隙 的線缺陷波導的波導模式變?yōu)榻刂範顟B(tài)(或者處于光不能傳播的狀 態(tài))，其使得光不能通過線缺陷波導進行傳播并用作光開關(guān)。
專利文獻1:日本專利特開No. 2004-170836
專利文獻2:日本專利特開No. 2002-303836 (段落號0054到0060 和圖12)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題
在專利文獻1中，將載流子通過p型和n型載流子供給部分注入 到波導芯以改變波導的傳播損耗。然而，由于p型和n型載流子供給 部分與該芯接觸，因此明顯數(shù)量的雜質(zhì)被摻雜到芯部中，在此摻雜是 不希望有的，可能引起光傳播通過該波導而遭受大的傳播損耗。
本發(fā)明的目的是提供一種用于實現(xiàn)特性的電控制的結(jié)構(gòu)和一種在 使用半導體作為芯的這種光波導中制作該結(jié)構(gòu)的方法。
解決所述問題的手段
本發(fā)明人已經(jīng)集中地進行了調(diào)査研究來解決上述問題并獲得了本 發(fā)明。也就是說，本發(fā)明涉及一種使用半導體作為芯的光波導，包括 緊鄰該芯的兩個外部區(qū)域；和一種結(jié)構(gòu)，其中該芯通過橋結(jié)構(gòu)電連接 到所述外部區(qū)域以使得通過該橋結(jié)構(gòu)從所述外部區(qū)域電流被注入該芯 中并且電壓被施加到該芯；其中波導芯與被該橋結(jié)構(gòu)間隔開的所述外 部區(qū)域光學隔離。
術(shù)語"光學隔離"在這里指的是光被限制在光波導芯中并且沿該光 波導芯被引導的光的電磁場分布的尾部(tail)不太可能延伸到所述外
部區(qū)域，結(jié)果，光對所述外部區(qū)域的影響可以被忽略。換句話說，沿 光波導芯傳播的光與所述外部區(qū)域存在與否無關(guān)。
本發(fā)明的效果
作為本發(fā)明的效果，電可控光波導的使用實現(xiàn)了高速響應(yīng)光開關(guān) 和光調(diào)制器。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的光波導的一個概念圖； 圖2是根據(jù)本發(fā)明的光波導的另一概念圖； 圖3是普通Si線光波導的結(jié)構(gòu)圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的示意性透視圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的作為第一示例性實施例的改進的第二示
例性實施例的示意性透視圖6 (a)是補充根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的頂平面圖； 圖6 (b)是補充根據(jù)本發(fā)明的作為第一示例性實施例的改進的第
二示例性實施例的頂平面圖7 (a)是使用本發(fā)明的光波導的馬赫-曾德爾(Mach-Zehnder)
干涉儀光開關(guān)(光調(diào)制器)的分支部分的擴大的頂平面圖；和
圖7 (b)是使用本發(fā)明的光波導的馬赫-曾德爾(Mach-Zelmder)
干涉儀光開關(guān)的透視圖。
標記說明 1:波導芯 2:外部區(qū)域 3:橋 4:襯底 5:縫隙孔
701和703: p型半導體 702: n型半導體
704:電極
705: Si芯 706:下包層 707:上包層
具體實施例方式
圖1和2是示出根據(jù)本發(fā)明的波導結(jié)構(gòu)的概念圖。該波導主要包 括Si芯1、兩個或更多個外部區(qū)域2，其不與芯1光耦合(即與芯1 隔離)而是設(shè)置成與芯1相距一定距離、和橋3，其將外部區(qū)域2電連 接到芯1。由于在波導芯1中傳播的光通過橋3與外部區(qū)域2光學地斷 開(即不與其耦合)，因此在芯i中傳播的光可以在波導芯1中傳播
而不受外部區(qū)域2存在的影響，同時被強烈地限制在波導芯1中。此 外，波導芯l通過橋3電連接到外部區(qū)域2，因此可以施加電壓并且可 以使電流從外部區(qū)域2流到芯1。為此，橋3優(yōu)選以盡可能窄的間隔且 以相等間隔設(shè)置使得可以均勻地施加電壓并且可以使電流均勻地流過 波導芯l。盡管未示出，電極(即正電極和負電極)設(shè)置在外部區(qū)域2 上以施加電壓并且使電流流到芯1。優(yōu)選將適當量的雜質(zhì)摻雜到外部區(qū) 域2、橋3和波導芯1中以適度地減小這些部分的電阻，從而施加電壓 并使電流流到芯l。摻雜過量的雜質(zhì)會降低電阻，這僅對于引起電流流 動是期望的，然而，通過所述部分傳播的光會經(jīng)受明顯的光吸收損耗。 為此，需要的是防止故意地將雜質(zhì)摻雜到芯的光傳播所通過的部分中， 或者需要的是以低濃度摻雜雜質(zhì)，即使它們被摻雜到其中。因此，需 要以盡可能低的濃度將雜質(zhì)摻雜到芯中，以中等濃度將雜質(zhì)摻雜到橋 部分中，以及以高濃度將雜質(zhì)摻雜到外部區(qū)域中。由此，每個部分的 電阻以下述順序逐漸減小芯>橋>外部區(qū)域。然而，光吸收損耗的大
小以下述順序逐漸增高芯<橋<外部區(qū)域。如果僅注入電流或僅施加
電壓，那么p型和n型雜質(zhì)都可用于摻雜。換句話說，對于全部情況 可以僅摻雜p型雜質(zhì)，或者相反地，對于全部情況可以僅摻雜n型雜 質(zhì)。如果芯部分的載流子密度由施加的電壓的方向(極性)控制，那 么需要p型雜質(zhì)摻雜到兩個外部區(qū)域之一中，n型雜質(zhì)摻雜到其另一個
中。在這種情況下，需要將這些雜質(zhì)摻雜成正好在芯部分處形成pn結(jié)
界面。由此，芯中的載流子密度可以由所施加的電壓(正向或反向偏 壓)的極性有效地控制。這樣，對芯中的載流子密度進行調(diào)制通過載 流子等離子體效應(yīng)改變了芯區(qū)域中的折射率，使得能夠控制在芯中傳 播的光的傳播常數(shù)(相位)。
關(guān)于外部區(qū)域2和橋3的布置，如圖1所示，兩個外部區(qū)域2設(shè) 置成垂直于襯底(未示出)。外部區(qū)域2可以通過與襯底垂直的橋3 與芯1相連?；蛘撸鐖D2所示，兩個外部區(qū)域2設(shè)置成平行于襯底4。 外部區(qū)域2可以通過與襯底4平行的橋3與芯1相連。再或者，盡管 未示出，外部區(qū)域并不總是與波導芯相對，而是它們可以與波導芯垂 直或者成任何角度。選擇哪種結(jié)構(gòu)的抉擇取決于使用該波導實現(xiàn)的器 件的結(jié)構(gòu)。在下述中，參考附圖詳細描述了本發(fā)明的示例性實施例。 盡管這里示例了使用Si半導體作為芯的Si線波導，但是本發(fā)明不限于 該示例，而是可應(yīng)用于使用其他半導體例如Ge等或復合半導體例如 AlGaAs和InGaAsP作為芯的光波導。
Si線波導由Si芯和用于覆蓋該芯的包層形成，該包層由諸如硅石、 聚合物或空氣的材料形成，其折射率基本小于Si的折射率(約3.5)(期 望折射率為2或更小以實現(xiàn)10)im或更小的曲率半徑)，并且這些材料 是電絕緣的。Si線波導芯的截面優(yōu)選寬度為約0.3pm到0.5pm且厚度 為約0.3^im到0.2pm，使得Si線波導用作單模波導。芯的截面大于上 述尺寸，則Si線波導用作多模波導。圖3示出普通Si線波導的結(jié)構(gòu)。 在圖3中，0.3pm到0.5nm寬的Si芯11形成在Si襯底13上的Si02 包層12中，其形成單模波導。
考慮到制作，期望這樣的結(jié)構(gòu)，其中電流如圖4所示從Si芯的一 側(cè)注入以均勻且有效地將電流注入到具有如此非常小截面的Si芯中。 在本發(fā)明的Si線波導中，芯1通過橋結(jié)構(gòu)3電連接到外部區(qū)域2使得 可以從波導芯1的一側(cè)注入電流或施加電壓。通過橋結(jié)構(gòu)3電連接到
芯1的外部區(qū)域2包括用于使電流流到芯1并將電壓施加到芯1的電
極(未示出)。如圖4中所示，盡管示出橋3的結(jié)構(gòu)，其中以規(guī)則間 隔形成矩形縫隙形孔5，但是所述孔的形狀不限于矩形，而可以是圓形、
橢圓形或多邊形，例如三角形。簡而言之，可以存在這樣的結(jié)構(gòu)，其
中波導芯1與外部區(qū)域2光學地隔離使得光被強烈地限制在波導芯1 中，并且在電學方面可以將電流通過橋3從外部區(qū)域2注入波導芯1 中。這樣，為了使電流流到波導芯或?qū)Σ▽臼┘与妷?，需要將適量 的雜質(zhì)摻雜到芯l、橋3和外部區(qū)域2中以便它們具有適當?shù)碾娮琛Ｔ?br> 這種情況下，需要摻雜雜質(zhì)使得雜質(zhì)濃度以下述順序增高芯<橋<外
部區(qū)域。更具體地說，需要摻雜雜質(zhì)使得芯區(qū)域中的載流子密度為
lxlO"或更小，橋區(qū)域中的載流子密度約為lx1018，以及外部區(qū)域中的 載流子密度為lxlO"或更大。如圖6 (a)所示，p型雜質(zhì)摻雜到其中 一個外部區(qū)域中且n型雜質(zhì)摻雜到另一個外部區(qū)域中，以在芯區(qū)域內(nèi) 部或周圍形成pn結(jié)，使得能夠通過載流子等離子體效應(yīng)對該芯的折射 率進行電控制。
在圖4結(jié)構(gòu)中縫隙沿波導的縱向方向周期性地布置，在圖4結(jié)構(gòu) 中的波導芯中傳播的光沿傳播方向探測折射率的周期性調(diào)制，因此在 具有特定具體波長的光上產(chǎn)生布拉格反射，這使得光難以進行傳播(或 傳播損耗增加)。假定A是由于所述縫隙產(chǎn)生的折射率的周期性調(diào)制的 周期，那么產(chǎn)生布拉格反射的波長人可以表示為人二2nA/q(其中，"n" 是波導的等效折射率，"q"是自然數(shù))。例如，如果A二300nm且n二2， 則布拉格反射出現(xiàn)在約1.2(im、 600nm和40nm的波長處。為此，需要 避免這些區(qū)域。
另一方面，在圖5的縫隙結(jié)構(gòu)中，縫隙的孔5位置在波導芯1的 兩側(cè)移動。也就是說，在波導芯1的兩側(cè)(左側(cè)和右側(cè))的縫隙的周 期性重復的相位偏移了7t。換句話說，在縫隙的孔位于芯左側(cè)的情形下， 橋設(shè)置在芯的右側(cè)。相反，在橋位于芯左側(cè)的情形下，縫隙設(shè)置在芯 的右側(cè)(參考圖6 (b))。由此，在芯中傳播的光因縫隙的規(guī)則布置
而沒有探測到折射率的調(diào)制，不同于在圖4中縫隙的位置在波導芯兩
側(cè)彼此相符的情形(參見圖6 (a))。為此，該結(jié)構(gòu)不受布拉格反射
的影響，因此它可用于任何波長。此外，對于縫隙孔完全隨機形成而 在波導的縱向方向上沒有周期性的波導來說，不必考慮波導芯左側(cè)和 右側(cè)的相位并且這種結(jié)構(gòu)因縫隙孔的原因而不受布拉格反射的影響。 然而，從實現(xiàn)電流均勻注入到芯中的觀點來看在某種程度上需要周期 性。
專利文獻2使用光子晶體的光子帶結(jié)構(gòu)的變化，而本發(fā)明可以通
過注入電流和施加電壓直接改變芯層的折射率而不使用這種帶結(jié)構(gòu)變 化來調(diào)制波導的傳播常數(shù)，使得能夠進行開關(guān)。
實例
盡管下面參考實例詳細描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不僅僅限于這 些實例。
(實例1)
作為本發(fā)明的第一實例，下面將描述光波導的結(jié)構(gòu)和制作光波導
的方法。首先，制備SOI襯底，該SOI襯底表面的Si層厚度為大約200nm 到300nm且該SOI襯底的Si層下面的掩埋氧化物膜(BOX)層厚度為 大約l!im到3pm。這種SOI襯底在市場上有銷售并可容易地獲得。其 次，如圖4所示，縫隙形孔5被制作成穿過表面的Si層以形成波導芯 區(qū)域。這種加工可以使用Si干法刻蝕機例如商業(yè)上可得到的ICP設(shè)備 來執(zhí)行。用具有l(wèi)pm或更大厚度的硅石層覆蓋經(jīng)加工的表面Si層，形 成使用Si作為芯的通道波導(channel waveguide)。形成這種結(jié)構(gòu)使 得能夠通過具有該縫隙結(jié)構(gòu)的橋3從外部區(qū)域2將電流注入到芯1或 將電壓施加到芯l。波導芯1通過橋3電連接到外部區(qū)域2，同時在波 導中傳播的光被充分限制在芯區(qū)域1中以便幾乎不受外部區(qū)域2影響。 為了由此將光充分限制在芯區(qū)域中以便幾乎不受外部區(qū)域影響，縫隙5 可以是例如寬度為200nm且長度為lpm或更大的矩形，并且可以以
lOOmn的間隔設(shè)置。上述縫隙的尺寸僅是目標值，更確切地說，波導 模式的電磁場分布通過電磁場分析來計算以盡可能地最小化光的電磁 場覆蓋外部場的比率。
另一方面，需要將雜質(zhì)適當?shù)負诫s到芯、橋和外部區(qū)域中以使電 流流到該芯。特別地，可以這樣進行摻雜，即芯區(qū)域中的載流子密度 為1><1017或更小，橋區(qū)域中的載流子密度為大約lxlO"以及外部區(qū)域 中的載流子密度為lxl0"或更大。如圖6 (a)所示，p型雜質(zhì)摻雜到 其中一個外部區(qū)域中且n型雜質(zhì)摻雜到另一個外部區(qū)域中，以在芯區(qū) 域中或周圍形成pn結(jié)界面。需要這種p型和n型雜質(zhì)摻雜區(qū)域在加工 SOI晶片之前形成。也就是說，最簡單的方法是首先通過離子注入或雜 質(zhì)擴散到SOI晶片中選擇性地形成p型和n型區(qū)域，其后，通過熱處 理激活這些雜質(zhì)并通過刻蝕與形成的p型和n型區(qū)域成直線地形成橋 結(jié)構(gòu)。此外，在外部區(qū)域中形成電極(歐姆接觸)以使電流流到芯并 將電壓施加到該芯。
(實例2)
下面將描述作為本發(fā)明的第二實例的光波導結(jié)構(gòu)的示例性實施 例。如上所述，第一實例中示出的波導結(jié)構(gòu)具有發(fā)生布拉格反射的波 長帶，因此需要避免這種波長帶。另一方面，如圖5所示，在波導芯l
兩側(cè)縫隙孔在位置上偏移了7T的結(jié)構(gòu)不會引起布拉格反射在寬的波長
范圍內(nèi)起作用。圖5所示的波導在結(jié)構(gòu)和制作方法方面與第一實例中 的波導相同，除了孔的位置發(fā)生偏移。
(實例3)
通過使用上述實例中描述的光波導結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)特性可電控制的 多種光波導器件。圖7示出作為其中一個實例的馬赫-曾德爾 (Mach-Zehnder)干涉儀光開關(guān)。圖7 (a)是其分支部分的擴大的頂 平面圖。圖7 (b)是馬赫-曾德爾(Mach-Zehnder)干涉儀光開關(guān)的示 意性透視圖。在該光開關(guān)中，Si線波導芯705分別形成在馬赫-曾德爾(Mach-Zehnder)干涉儀的兩個分支上，外部區(qū)域通過橋形成在其兩 側(cè)。該波導芯被下包層706和上包層707包圍。如圖7 (a)所示，pn 結(jié)形成在每個分支的波導芯部分處，并且使電流從設(shè)置在外部區(qū)域上 的電極704流到每個分支的波導芯以通過載流子等離子體效應(yīng)控制每 個分支的波導芯的折射率，由此實現(xiàn)光開關(guān)。在該元件中，外部區(qū)域 分成三個部分。雜質(zhì)摻雜到每個部分中以形成p型和n型區(qū)域。在如 圖所示的結(jié)構(gòu)中，夾在馬赫-曾德爾(Mach-Zelmder)干涉儀的兩個分 支之間的區(qū)域由n型半導體702形成，馬赫-曾德爾(Mach-Zehnder) 干涉儀的兩個分支外面的兩個區(qū)域由p型半導體701和703形成。所 述p型區(qū)域和n型區(qū)域可以對換。因此，在該開關(guān)中，公共電極形成 在由n型半導體702形成的外部區(qū)域中，該外部區(qū)域是夾在馬赫-曾德 爾(Mach-Zehnder)干涉儀的兩個分支之間的區(qū)域，并且將極性彼此 相反(正和負)的電壓施加到形成在由p型半導體701和703形成的 外部區(qū)域中的電極上，其將載流子注入到所述分支之一的芯中(折射 率因載流子等離子體效應(yīng)而減小)，并從另一個所述分支的芯提取載 流子(折射率因載流子等離子體效應(yīng)而升高)，由此使該開關(guān)執(zhí)行推 挽式操作(push-pull operation)。因此這使得該開關(guān)能夠在與不使該開 關(guān)執(zhí)行推挽式操作的電壓的大約一半一樣低的電壓下執(zhí)行開關(guān)操作。
權(quán)利要求
1. 一種使用半導體作為芯的光波導，包括緊鄰所述芯附近的兩個外部區(qū)域；和一種結(jié)構(gòu)，其中所述芯通過橋結(jié)構(gòu)電連接到所述外部區(qū)域以能夠通過所述橋結(jié)構(gòu)從所述外部區(qū)域?qū)㈦娏髯⑷胨鲂局胁⑶覍㈦妷菏┘拥剿鲂?；其中所述波導芯與被所述橋結(jié)構(gòu)間隔開的所述外部區(qū)域光學隔離。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光波導，其中所述波導芯由平行于襯底表面的半導體層的一部分形成，多個孔 沿著所述波導的縱向方向形成在所述半導體層中以形成所述橋結(jié)構(gòu)， 并且所述波導芯通過所述多個孔與所述外部區(qū)域光學隔離。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光波導，其中 所述多個孔以縫隙形狀形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光波導，其中 所述縫隙形的孔沿所述波導的所述縱向方向周期性地布置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光波導，其中沿所述波導的所述縱向方向周期性地形成的所述縫隙形的孔的位 置在所述波導芯的兩側(cè)在相位上偏移了兀，所述兩側(cè)即左側(cè)和右側(cè)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1到5中的任一項所述的光波導，其中 電極形成在所述外部區(qū)域中以將電壓施加到那里，將電流注入到波導芯區(qū)域中或?qū)㈦妷菏┘拥讲▽緟^(qū)域，由此能夠電氣地控制波導 的特性。
全文摘要
一種波導結(jié)構(gòu)包括由半導體例如Si形成的芯(1)、沒有光學地連接到該芯而是設(shè)置成與該芯相距一定距離的兩個外部區(qū)域(2)、和將外部區(qū)域電連接到芯的橋(3)。由于在波導芯中傳播的光被強烈地限制在波導芯中并且與外部區(qū)域光學地斷開，即不與其耦合，使得光能夠在波導中傳播而不受外部區(qū)域存在的影響。此外，由于波導芯通過橋電連接到外部區(qū)域，因此可以從外部區(qū)域施加電壓到該芯并且可以使電流從外部區(qū)域流到該芯。
文檔編號G02B6/12GK101384931SQ20078000507
公開日2009年3月11日 申請日期2007年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月9日
發(fā)明者山田博仁 申請人:日本電氣株式會社